RU209984U1 - CHEMORESISTIVE GAS SENSOR - Google Patents

CHEMORESISTIVE GAS SENSOR Download PDF

Info

Publication number
RU209984U1
RU209984U1 RU2021127867U RU2021127867U RU209984U1 RU 209984 U1 RU209984 U1 RU 209984U1 RU 2021127867 U RU2021127867 U RU 2021127867U RU 2021127867 U RU2021127867 U RU 2021127867U RU 209984 U1 RU209984 U1 RU 209984U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
gas sensor
gas
sensitive element
deposited
Prior art date
Application number
RU2021127867U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Максим Викторович Попов
Андрей Евгеньевич Брестер
Татьяна Сергеевна Гудыма
Павел Борисович Курмашов
Александр Георгиевич Баннов
Original Assignee
Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет»
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет» filed Critical Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования «Новосибирский Государственный Технический Университет»
Priority to RU2021127867U priority Critical patent/RU209984U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU209984U1 publication Critical patent/RU209984U1/en

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
    • G01N27/125—Composition of the body, e.g. the composition of its sensitive layer

Abstract

Полезная модель относится к области микроэлектронных устройств, а именно к газовым сенсорам, и может найти широкое применение в измерительной технике, предназначенной для детектирования различных типов газов в воздухе.Хеморезистивный газовый сенсор, состоящий из кремниевой подложки, поверхность которой окислена до диоксида кремния, отличается тем, что на поверхность подложки нанесен чувствительный элемент, представляющий собой углеродные нанотрубки, на обоих концах которого нанесен слой нихрома, на поверхность которого нанесены золотые контакты, и нагревательного элемента, прикрепленного на обратной стороне подложки.Технический результат - снижение энергозатрат на детектирование при сохранении высокой селективности чувствительного элемента.The utility model relates to the field of microelectronic devices, namely to gas sensors, and can be widely used in measuring equipment designed to detect various types of gases in air. A chemoresistive gas sensor, consisting of a silicon substrate, the surface of which is oxidized to silicon dioxide, is that a sensitive element is deposited on the surface of the substrate, which is carbon nanotubes, at both ends of which a layer of nichrome is deposited, on the surface of which gold contacts are deposited, and a heating element attached to the reverse side of the substrate. The technical result is a reduction in energy consumption for detection while maintaining high selectivity sensitive element.

Description

Полезная модель относится к области микроэлектронных устройств, а именно к газовым сенсорам, и может найти широкое применение в измерительной технике, предназначенной для детектирования различных типов газов в воздухе. The utility model relates to the field of microelectronic devices, namely to gas sensors, and can be widely used in measuring equipment designed to detect various types of gases in air.

Известен газовый сенсор [Патент РФ №2509303, Полупроводниковый газовый сенсор/Авторы: Сердюк И.В., Смирнов М.С. Номер заявки 2012146071/28, опубл. 10.03.2014], содержащий корпус реакционной камеры, с торца закрытый сеткой, в котором на контактных проводниках установлен шарообразный полупроводниковый газочувствительный элемент, внутри которого размещен нагреватель в виде цилиндрический пружины, внутри которой по ее оси и по диаметру шарообразного полупроводникового элемента расположен прямой измерительный проводник, при этом корпус реакционной камеры выполнен из коррозионно-стойкой стали, сетка выполнена из проволоки нержавеющей стали диаметром 0,03-0,04 мм шагом 0,06-0,08 мм, газочувствительный элемент расположен по центру реакционной камеры, нагреватель и измерительный проводник газочувствительного элемента выполнены из платиновой проволоки диаметром 0,01-0,02 мм, нагреватель имеет 2-7 витка проволоки, шарообразный полупроводниковый газочувствительный элемент имеет диаметр 0,4-0,8 мм и выполнен из смеси оксида олова SnO2: 5-95 мас.% и оксида индия In2O3: 5-95 мас.%.Known gas sensor [RF Patent No. 2509303, Semiconductor gas sensor/Authors: Serdyuk I.V., Smirnov M.S. Application number 2012146071/28, publ. 10.03.2014] containing a body of the reaction chamber, closed from the end with a grid, in which a spherical semiconductor gas-sensitive element is installed on the contact conductors, inside which a heater is placed in the form of a cylindrical spring, inside which a straight measuring conductor is located along its axis and along the diameter of the spherical semiconductor element , while the body of the reaction chamber is made of corrosion-resistant steel, the grid is made of stainless steel wire with a diameter of 0.03-0.04 mm in steps of 0.06-0.08 mm, the gas-sensitive element is located in the center of the reaction chamber, the heater and the measuring conductor the gas-sensitive element is made of platinum wire with a diameter of 0.01-0.02 mm, the heater has 2-7 turns of wire, the spherical semiconductor gas-sensitive element has a diameter of 0.4-0.8 mm and is made of a mixture of tin oxide SnO 2 : 5-95 wt.% and indium oxide In 2 O 3 : 5-95 wt.%.

Недостатком газового сенсора является протекание процессов детектирования при повышенных температурах от 100 до 450°С, что приводит к повышенным энергозатрам на нагрев и предъявляет особые требования по жаростойкости материалов сенсора.The disadvantage of the gas sensor is the occurrence of detection processes at elevated temperatures from 100 to 450°C, which leads to increased energy consumption for heating and imposes special requirements on the heat resistance of sensor materials.

Известен адсорбционно-резистивный газовый сенсор [Патент РФ №196983, Газовый сенсор/Авторы: Облов К.Ю., Самотаев Н.Н., Этрекова М.О., Онищенко Е.М., Филипчук Д.В. Номер заявки 2019135813, опубл. 23.03.2020], содержащий диэлектрическую подложку, в которой с помощью сквозной перфорации сформирована рабочая область, в которой на одной из ее сторон закреплен тонкопленочный чувствительный элемент, связанный платиновыми пленочными дорожками с информационными контактными площадками, а на другой стороне рабочей области сформирован тонкопленочный нагревательный элемент, связанный токопроводящими дорожками с контактными площадками нагревателя, причем диэлектрическая подложка помещается в керамический корпус, в нижней и верхней частях которой с помощью прецизионной лазерной микрофрезеровки созданы продольные пазы и направляющие выступы, позволяющие ориентировать подложку с чувствительным элементом и нагревателем строго вертикально и совместить контактные площадки на обеих сторонах подложки с соответствующими пазами на боковых стенках нижней части корпуса, при этом исключается необходимость использования дополнительных контактных площадок и металлизированных отверстий в диэлектрической подложке для подключения нагревателя к внешним выводам и, тем самым повышается надежность газового сенсора.Known adsorption-resistive gas sensor [RF Patent No. 196983, Gas sensor/Authors: Oblov K.Yu., Samotaev N.N., Etrekova M.O., Onishchenko E.M., Filipchuk D.V. Application number 2019135813, publ. 03/23/2020], containing a dielectric substrate, in which a working area is formed using a through perforation, in which a thin-film sensitive element is fixed on one of its sides, connected by platinum film tracks with information contact pads, and on the other side of the working area a thin-film heating element is formed connected by conductive paths to the contact pads of the heater, and the dielectric substrate is placed in a ceramic case, in the lower and upper parts of which, using precision laser micromilling, longitudinal grooves and guide protrusions are created, which make it possible to orient the substrate with the sensitive element and the heater strictly vertically and align the contact pads on both sides of the substrate with the corresponding grooves on the side walls of the lower part of the package, eliminating the need for additional pads and metalized holes in the dielectric plate for connecting the heater to external leads and thereby increasing the reliability of the gas sensor.

Недостатком адсорбционно-резистивного газового сенсора является неравномерность нагрева различных участков чувствительного элемента газового сенсора по высоте при вертикальном размещении диэлектрической подложки в корпусе из-за явления конвекции, что приводит к снижению селективности сенсора.The disadvantage of the adsorption-resistive gas sensor is the non-uniformity of heating of various parts of the sensitive element of the gas sensor along the height when the dielectric substrate is placed vertically in the housing due to the convection phenomenon, which leads to a decrease in the selectivity of the sensor.

Известен газовый сенсор на основе углеродных нанотрубок [Патент РФ № 187907, Газовый сенсор на основе углеродных нанотрубок/ Авторы: Ильин О.И., Рудык Н.Н., Ильина М.В., Федотов А.А. Номер заявки 2018146307, опубл. 21.03.2019], состоящий из подложки со сформированным на ней контактным слоем, выполненным из проводящего материала, обеспечивающим контакт к аноду, анода, выполненного из углеродных нанотрубок, катода, выполненного из проводящего материала, опор, выполненных из диэлектрического неорганического материала, обеспечивающих зазор между анодом и катодом, каналы для циркуляции газа, отличающийся тем, что вводится верхняя крышка, выполненная из полупроводникового или диэлектрического материала, на которой формируется катод и верхний электрод, выполненные из проводящего материала, нижний электрод, выполненный из проводящего материала, сорбционный газочувствительный слой, выполненный из углеродных нанотрубок, образующий сопротивление между нижним и верхним электродами.Known gas sensor based on carbon nanotubes [RF Patent No. 187907, Gas sensor based on carbon nanotubes/ Authors: Ilyin O.I., Rudyk N.N., Ilina M.V., Fedotov A.A. Application number 2018146307, publ. March 21, 2019], consisting of a substrate with a contact layer formed on it, made of a conductive material, providing contact to the anode, an anode made of carbon nanotubes, a cathode made of a conductive material, supports made of a dielectric inorganic material, providing a gap between anode and cathode, channels for gas circulation, characterized in that a top cover is introduced, made of a semiconductor or dielectric material, on which a cathode and an upper electrode made of a conductive material are formed, a lower electrode made of a conductive material, a sorption gas-sensitive layer made from carbon nanotubes, forming a resistance between the lower and upper electrodes.

Недостатком газового сенсора является проведение процесса при повышенной температуре в ионизационной ячейке, что соответственно приводит к повышенным энергозатратам.The disadvantage of the gas sensor is the process at an elevated temperature in the ionization cell, which accordingly leads to increased energy consumption.

Наиболее близким по технической сущности к предлагаемому решению, принятому за прототип, является газовый сенсор [Патент BY U №10187, Республика Белоруссия. Адсорбционно-резистивный газовый сенсор/ Авторы: Мухуров Н.И., Денисюк С.В., Куданович О.Н. Номер заявки U 20131038, опубл. 30.06.2014 (https://bypatents.com/4-u10187-adsorbcionno-rezistivnyjj-gazovyjj-sensor.html)], содержащий диэлектрическую подложку с отделенной от нее сквозной перфорацией рабочей областью, в которой на одной из сторон диэлектрической подложки сформирована тонкопленочная встречно-штыревая система информационных электродов, связанная с контактными площадками системы информационных электродов токопроводящими дорожками, с нанесенной поверх пленкой газочувствительного материала, состоящего из смеси оксидов железа, при этом на обратной стороне диэлектрической подложки в рабочей области сформирован тонкопленочный нагреватель для поддержания рабочей температуры 550°С, связанный с контактными площадками нагревательного элемента токопроводящими дорожками. The closest in technical essence to the proposed solution, taken as a prototype, is a gas sensor [Patent BY U No. 10187, Republic of Belarus. Adsorption-resistive gas sensor / Authors: Muhurov N.I., Denisyuk S.V., Kudanovich O.N. Application number U 20131038, publ. 06/30/2014 (https://bypatents.com/4-u10187-adsorbcionno-resistivnyjj-gazovyjj-sensor.html)], containing a dielectric substrate with a working area separated from it through perforation, in which a thin-film an interdigital system of information electrodes connected to the contact pads of the system of information electrodes by conductive paths, with a film of gas-sensitive material deposited on top, consisting of a mixture of iron oxides, while a thin-film heater is formed on the reverse side of the dielectric substrate in the working area to maintain an operating temperature of 550 ° C connected to the contact pads of the heating element by conductive paths.

Недостатком устройства является проведение процесса детектирования газов при высокой рабочей температуре газового сенсора, влияющей на селективность чувствительного элемента, что соответственно приводит к повышенным энергозатратам и соответственно дороговизне эксплуатирования.The disadvantage of the device is the process of detecting gases at a high operating temperature of the gas sensor, which affects the selectivity of the sensitive element, which accordingly leads to increased energy consumption and, accordingly, the high cost of operation.

Задачей (техническим результатом) предлагаемой полезной модели является снижение энергозатрат на детектирование при сохранении высокой селективности чувствительного элемента.The objective (technical result) of the proposed utility model is to reduce energy consumption for detection while maintaining high selectivity of the sensitive element.

Поставленная задача достигается тем, что хеморезистивный газовый сенсор состоит из кремниевой подложки, поверхность которой окислена до диоксида кремния, при этом на поверхность подложки нанесен чувствительный элемент, представляющий собой углеродные нанотрубки, на обоих концах которого нанесен слой нихрома, на поверхность которого нанесены золотые контакты, и нагревательного элемента, прикрепленного на обратной стороне подложки.The task is achieved by the fact that the chemoresistive gas sensor consists of a silicon substrate, the surface of which is oxidized to silicon dioxide, while a sensitive element is deposited on the surface of the substrate, which is carbon nanotubes, at both ends of which a layer of nichrome is deposited, on the surface of which gold contacts are deposited, and a heating element attached on the reverse side of the substrate.

На чертеже приведен хеморезистивный газовый сенсор, который состоит из подложки 1, чувствительного элемента 2, слоя нихрома 3, золотых контактов 4, нагревательного элемента 5.The drawing shows a chemoresistive gas sensor, which consists of a substrate 1, a sensitive element 2, a layer of nichrome 3, gold contacts 4, a heating element 5.

Хеморезистивный газовый сенсор работает следующим образом. Chemoresistive gas sensor works as follows.

В рабочую зону хеморезистивного газового сенсора, состоящего из кремниевой подложки (1), поверхность которой окислена до диоксида кремния SiO2, подают воздух, содержащий детектируемые примеси различных газов (углеводородные газы, аммиак, сероводород и т.д.), при этом на подложку (1) нанесен чувствительный элемент (2), представляющий собой слой углеродных нанотрубок, выращенных на подложке (1) методом газофазного осаждения на катализаторе, на обоих концах которого нанесен путем вакуумного термического испарения нихромовой проволоки слой нихрома (3), на поверхность которого нанесены золотые контакты (4) толщиной 325 нм. Слой нихрома позволяет улучшить сцепление подложки, чувствительного элемента и золотых контактов. Далее детектируемая примесь газов в потоке воздуха контактирует с чувствительным элементом (2), где происходит адсорбция детектируемой примеси газа на поверхности чувствительного элемента. В результате процесса адсорбции происходит изменение сопротивления чувствительного элемента пропорционально концентрации примеси газа в воздухе и детектируется измерительным прибором - омметром (на чертеже не указан), который выдает сигнал, понятный пользователю (численное значение, световая или звуковая индикация). Аналитический сигнал А от чувствительного элемента (2) определяется как отношение его сопротивления в детектируемой примеси газов к сопротивлению базового сигнала А=Rпримесь/Rбаза. С помощью концентрационных зависимостей чувствительности А=f(C) адсорбционного газового сенсора и данных измерений определяются концентрации детектируемого газа в анализируемом потоке воздуха. Чувствительность адсорбционного газового сенсора может достигать до 1 ppm в зависимости от типа газа. Далее воздух с остатками детектируемой примеси газов, после контакта с чувствительным элементом, удаляется в атмосферу. По мере насыщения поверхности чувствительного элемента детектируемыми примесями газов снижается восприимчивость и селективность чувствительного элемента к детектируемым примесям газов. Для удаления адсорбированных примесей газов с поверхности чувствительного элемента используется нагревательный элемент (5), закрепленный зигзагом на обратной стороне подложки (1), представляющий медную проволоку диаметром 0,05 мм, соединенную с источником тока (на чертеже не указан). По мере необходимости на нагревательный элемент (5) подают ток с помощью источника тока и доводят температуру нагревательного элемента до 150°С, при этом происходит процесс десорбции детектируемых примесей газов с поверхности чувствительного элемента и соответственно происходит регенерация и восстановление восприимчивости и селективности чувствительного элемента к детектируемым примесям газов.The working zone of a chemoresistive gas sensor, consisting of a silicon substrate (1), the surface of which is oxidized to silicon dioxide SiO 2 , is supplied with air containing detectable impurities of various gases (hydrocarbon gases, ammonia, hydrogen sulfide, etc.), while on the substrate (1) a sensitive element (2) is applied, which is a layer of carbon nanotubes grown on a substrate (1) by the method of gas-phase deposition on a catalyst, at both ends of which a layer of nichrome is deposited by vacuum thermal evaporation of a nichrome wire (3), on the surface of which gold contacts (4) 325 nm thick. The nichrome layer improves the adhesion of the substrate, sensing element and gold contacts. Next, the detected gas impurity in the air flow contacts the sensitive element (2), where the detected gas impurity is adsorbed on the surface of the sensitive element. As a result of the adsorption process, the resistance of the sensing element changes in proportion to the concentration of gas impurities in the air and is detected by a measuring device - an ohmmeter (not shown in the drawing), which gives a signal understandable to the user (numerical value, light or sound indication). The analytical signal A from the sensing element (2) is defined as the ratio of its resistance in the detected admixture of gases to the resistance of the base signal A=R impurity /R base . Using the concentration dependences of the sensitivity A= f (C) of the adsorption gas sensor and measurement data, the concentrations of the detected gas in the analyzed air flow are determined. The sensitivity of the adsorption gas sensor can reach up to 1 ppm depending on the type of gas. Further, the air with the remnants of the detected admixture of gases, after contact with the sensitive element, is removed into the atmosphere. As the surface of the sensitive element becomes saturated with the detected gas impurities, the susceptibility and selectivity of the sensitive element to the detected gas impurities decreases. To remove adsorbed gas impurities from the surface of the sensitive element, a heating element (5) is used, fixed in a zigzag pattern on the reverse side of the substrate (1), representing a copper wire with a diameter of 0.05 mm, connected to a current source (not shown in the drawing). As necessary, current is supplied to the heating element (5) using a current source and the temperature of the heating element is brought to 150°C, while the process of desorption of the detected gas impurities from the surface of the sensitive element occurs and, accordingly, the regeneration and restoration of the susceptibility and selectivity of the sensitive element to the detected gas impurities.

Основное преимущество углеродных нанотрубок состоит в том, что они позволяют газовым сенсорам работать при комнатной температуре, в отличие от промышленных полупроводниковых материалов, требующих при работе постоянный нагрев до 300°С и выше, при этом газовые сенсоры на основе углеродных нанотрубок компактные, что позволяет создавать портативные устройства с более высокой селективностью по отношению к детектируемым газам.The main advantage of carbon nanotubes is that they allow gas sensors to operate at room temperature, unlike industrial semiconductor materials that require constant heating up to 300°C and higher during operation, while gas sensors based on carbon nanotubes are compact, which makes it possible to create portable devices with higher selectivity for the gases to be detected.

Углеродный материал в сенсоре выполняет роль активного материала, электрическое сопротивление которого меняется при контакте с детектируемыми примесями газов в воздухе. Газ адсорбируется на поверхности материала и повышает или снижает концентрацию носителей заряда (в зависимости от природы газа). Если число носителей растет, то сопротивление падает, и наоборот. Изменение электрического сопротивления слоя углеродного материала пропорционально концентрации газа в воздухе.The carbon material in the sensor plays the role of an active material, the electrical resistance of which changes upon contact with detectable gas impurities in the air. The gas is adsorbed on the surface of the material and increases or decreases the concentration of charge carriers (depending on the nature of the gas). If the number of carriers increases, then the resistance decreases, and vice versa. The change in the electrical resistance of the layer of carbon material is proportional to the concentration of gas in the air.

Таким образом, предложенный хеморезистивный газовый сенсор за счет использования в качестве чувствительного элемента углеродных нанотрубок, работающих при комнатной температуре, позволяет снизить энергозатраты на детектирование при сохранении высокой селективности чувствительного элемента.Thus, the proposed chemoresistive gas sensor, due to the use of carbon nanotubes operating at room temperature as a sensitive element, makes it possible to reduce energy consumption for detection while maintaining high selectivity of the sensitive element.

Claims (1)

Хеморезистивный газовый сенсор, состоящий из кремниевой подложки, поверхность которой окислена до диоксида кремния, отличающийся тем, что на поверхность подложки нанесен чувствительный элемент, представляющий собой углеродные нанотрубки, на обоих концах которого нанесен слой нихрома, на поверхность которого нанесены золотые контакты, и нагревательного элемента, прикрепленного на обратной стороне подложки.Chemoresistive gas sensor, consisting of a silicon substrate, the surface of which is oxidized to silicon dioxide, characterized in that a sensitive element is deposited on the surface of the substrate, which is a carbon nanotube, at both ends of which a layer of nichrome is deposited, on the surface of which gold contacts are deposited, and a heating element attached to the back of the substrate.
RU2021127867U 2021-09-23 2021-09-23 CHEMORESISTIVE GAS SENSOR RU209984U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021127867U RU209984U1 (en) 2021-09-23 2021-09-23 CHEMORESISTIVE GAS SENSOR

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2021127867U RU209984U1 (en) 2021-09-23 2021-09-23 CHEMORESISTIVE GAS SENSOR

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU209984U1 true RU209984U1 (en) 2022-03-24

Family

ID=80820618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2021127867U RU209984U1 (en) 2021-09-23 2021-09-23 CHEMORESISTIVE GAS SENSOR

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU209984U1 (en)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9739737B2 (en) * 2012-03-23 2017-08-22 Massachusetts Institute Of Technology Ethylene sensor
RU2687869C1 (en) * 2018-10-09 2019-05-16 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ПГУ") Method of producing a gas sensor with a nanostructure with a super-developed surface and a gas sensor based thereon
RU2709599C1 (en) * 2018-12-28 2019-12-18 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) GAS SENSOR, A CHEMORESISTIVE TYPE MULTI-SENSOR RULER BASED ON OXIDIZED TWO-DIMENSIONAL TITANIUM CARBIDE (MXene) AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
RU2732800C1 (en) * 2019-08-13 2020-09-22 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) Method of producing gas-analytical multi-sensor chip based on zinc oxide nanorods

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9739737B2 (en) * 2012-03-23 2017-08-22 Massachusetts Institute Of Technology Ethylene sensor
RU2687869C1 (en) * 2018-10-09 2019-05-16 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "ПГУ") Method of producing a gas sensor with a nanostructure with a super-developed surface and a gas sensor based thereon
RU2709599C1 (en) * 2018-12-28 2019-12-18 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) GAS SENSOR, A CHEMORESISTIVE TYPE MULTI-SENSOR RULER BASED ON OXIDIZED TWO-DIMENSIONAL TITANIUM CARBIDE (MXene) AND A METHOD FOR PRODUCTION THEREOF
RU2732800C1 (en) * 2019-08-13 2020-09-22 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) Method of producing gas-analytical multi-sensor chip based on zinc oxide nanorods

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Chang Thin-film semiconductor NO x sensor
JPH09210963A (en) Solid gas sensor
RU2509303C1 (en) Semiconductor gas sensor
JPH05203605A (en) Chemical sensor for carbon monoxide detection
JPS584985B2 (en) gas detection element
Zhao et al. Optimized low frequency temperature modulation for improving the selectivity and linearity of SnO 2 gas sensor
GB2029578A (en) Solid electrolyte cells for gas analysis
CN112611788A (en) Semiconductor hydrogen sulfide gas sensor
RU209984U1 (en) CHEMORESISTIVE GAS SENSOR
RU2132551C1 (en) Gas sensor operating process
Han et al. Study on sensing properties of tin oxide CO gas sensor with low power consumption
KR101130084B1 (en) hydrogen sensor and manufacturing method thereof
RU2583166C1 (en) Semiconductor gas sensor
RU2403563C1 (en) Differential sensor for gas analyser
KR101133820B1 (en) Electrochemical sensor
JPH0711497B2 (en) Gas detection method and gas sensor
RU91763U1 (en) DIFFERENTIAL GAS SENSOR
KR100771526B1 (en) Gas sensor and manufactutring method thereof
RU188989U1 (en) SEMICONDUCTOR GAS SENSOR FOR DETECTING CARBON MONOXIDE
RU2797767C1 (en) Trace ammonia sensor
RU2772443C1 (en) Trace ammonia sensor
KR101924462B1 (en) Ionization type gas sensor with fast response speed and gas sensing method
CN113588876B (en) Method for improving selectivity of nitrogen dioxide semiconductor sensor
RU2360237C1 (en) Solid-state gas sensor (versions)
KR102505356B1 (en) GAS SENSOR INCLUDING A SUSPENDED CARBON NANOWIRE COATED WITH A METAL LAYER FOR APPLYING 3ω-METHOD AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME