RU2082127C1 - Датчик давления - Google Patents

Датчик давления Download PDF

Info

Publication number
RU2082127C1
RU2082127C1 RU95106770A RU95106770A RU2082127C1 RU 2082127 C1 RU2082127 C1 RU 2082127C1 RU 95106770 A RU95106770 A RU 95106770A RU 95106770 A RU95106770 A RU 95106770A RU 2082127 C1 RU2082127 C1 RU 2082127C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
housing
sensitive element
semiconductor
membrane
sensor
Prior art date
Application number
RU95106770A
Other languages
English (en)
Other versions
RU95106770A (ru
Inventor
Ю.Н. Тиняков
В.А. Михайленко
Original Assignee
Научно-производственное предприятие "ПЕРСЕЙ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-производственное предприятие "ПЕРСЕЙ" filed Critical Научно-производственное предприятие "ПЕРСЕЙ"
Priority to RU95106770A priority Critical patent/RU2082127C1/ru
Publication of RU95106770A publication Critical patent/RU95106770A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2082127C1 publication Critical patent/RU2082127C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Использование: изобретение относится к датчикам давления, включающих полупроводниковый чувствительный элемент, выполненный по планарной микроэлектронной технологии, и может быть применено для измерения абсолютного, избыточного и разности давлений. Изобретение направлено на увеличение надежности конструкции при механических воздействиях, уменьшение дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений, упрощение конструкции и снижение трудоемкости при изготовлении датчика давления. Сущность изобретения: датчик давления содержит полупроводниковый чувствительный элемент 1 с тензорезисторами, соединенный с кремниевой или стеклянной пластиной 2, герметично соединенные корпус 4 и крышку 5, в пространстве между которыми размещается герметично закрепленная эластичная гофрированная мембрана 6, имеющая металлические токоведущие дорожки 7 и контактные площадки 8, соединенные пайкой с контактными площадками полупроводникового чувствительного элемента 1. Новым в конструкции датчика является наличие эластичной мембраны 6, на которой методом поверхностного монтажа установлен полупроводниковый чувствительный элемент 1, полностью развязанный от корпуса датчика. 2 ил.

Description

Изобретение относится к конструированию и изготовлению датчиков давления, включающих полупроводниковый чувствительный элемент, выполненный по планарной микроэлектронной технологии и техники анизотропного травления.
Известны конструкции датчиков давления, содержащие полупроводниковый чувствительный элемент, установленный на основании корпуса через стеклянный пьедестал, токопроводы, герметично проходящие через корпус и электрически контактирующие с чувствительным элементом посредством тонких проволочек, присоединенных микросваркой [1]
В таких конструкциях снижены механические напряжения в чувствительном элементе за счет согласования значений термических коэффициентов линейного расширения материалов чувствительного элемента, стеклянного пьедестала и корпуса.
Наиболее близким техническим решением, выбранным в качестве прототипа является конструкция датчика давления, содержащая полупроводниковый чувствительный элемент, установленный на основание корпуса через стеклянный пьедестал, токопроводы, герметично проходящие через корпус и электрически контактирующие с чувствительным элементом посредством тонких проволочек присоединенных микросваркой, крышку, защищающую полупроводниковый чувствительный элемент от внешних механических воздействий [2]
Недостатком известной конструкции датчика давления является относительно большая длина тонких коммутационных проволочек между полупроводниковым чувствительным элементом и токопроводами, что снижает надежность сварного соединения при механических воздействиях, относительно большая сложность конструкции, относительно большая сложность и трудоемкость сборки датчика в целом.
К недостаткам этой конструкции можно отнести жесткую связь полупроводникового чувствительного элемента с корпусом датчика, что несмотря, на наличие стеклянного пьедестала, в определенных случаях может привести к дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений, передаваемых от корпуса датчика на полупроводниковый чувствительный элемент.
Целью изобретения является увеличение надежности конструкции датчика давления при механических воздействиях, уменьшение дополнительной погрешности от монтажных и термомеханических напряжений, упрощение конструкции и снижение трудоемкости при изготовлении датчика в целом.
Указанная цель достигается тем, что в датчик давления, содержащий полупроводниковый упругий чувствительный элемент с тензорезисторами и контактными площадками, жестко соединенный со стеклянной или кремниевой пластиной с образованием полости между ними, и крышку, введена герметично закрепленная между корпусом и крышкой эластичная подвеска, выполненная в виде гофрированной мембраны, на которой смонтированы металлизированные токоведущие дорожки, контактные площадки и выходные контакты, при этом полупроводниковый чувствительный элемент жестко закреплен по контуру на мембране, его контактные площадки соединены пайкой с контактными площадками мембраны, а в крышке и пластине выполнены отверстия.
Применение эластичной гофрированной мембраны, содержащей гибкий печатный кабель и выполняющей одновременно функции токопроводов, тонких коммутационных проволочек и опорного элемента позволяет полностью развязать узел чувствительного элемента от корпуса датчика и тем самым исключить влияние монтажных и термомеханических напряжений на полупроводниковый чувствительный элемент, увеличить надежность при механических действиях и упростить конструкцию датчика, снизить трудоемкость изготовления, за счет применения групповой технологии поверхностного монтажа при установке полупроводникового чувствительного элемента на эластичную мембрану.
На фиг. 1 представлен разрез конструкции датчика абсолютного, избыточного или разности давлений. На фиг. 2 представлен вид сверху со снятой крышкой.
Датчик давления содержит полупроводниковый чувствительный элемент 1 с тензорезисторами, соединенный с методом электростатического сращивания с кремниевой или стеклянной пластиной 2, с образованием полости 3 и установленный методом поверхностного монтажа на герметично закрепленную между корпусом 4 и крышкой 5 эластичную гофрированную мембрану 6, содержащую токоведущие дорожки 7. На металлизированной поверхности эластичной мембраны 6 химическим методом сформированы контактные площади 8, электрически контактирующие с контактными площадками полупроводникового чувствительного элемента через паяное соединение 9, токоведущие дорожки 7, выходные контакты 10 для внешней электрической коммутации.
Для измерения избыточного и разности давлений в пластине 2 и крышке 5 выполнены отверстия 11 диаметром D для передачи опорного или атмосферного давления на другую сторону полупроводникового чувствительного элемента 1, при этом надмембранная 12 и подмембранная 13 полости загерметизированы друг от друга по периметру полупроводникового чувствительного элемента 1 эластичным компаундом 14, например, СИЭЛ.
Принцип работы датчика основан на использовании тензорезистивного эффекта. Измеряемое давление изгибает упругий чувствительный элемент 1, что приводит в деформации расположенных на нем тензорезисторов, включенных в мостовую схему, на выходе которой регистрируется электрический сигнал, прямопропорциональный приложенному измеряемому давлению.

Claims (1)

  1. Датчик давления, содержащий корпус, полупроводниковый упругий чувствительный элемент с тензорезисторами и контактными площадками, жестко соединенный с кремниевой или стеклянной пластиной с образованием полости между ними, и крышку, герметично соединенную с корпусом, отличающийся тем, что в него выведена герметично закрепленная между корпусом и крышкой эластичная подвеска, выполненная в виде гофрированной мембраны, на поверхности которой сформированы металлизированные токоведущие дорожки, контактные площадки и выходные контакты, при этом упругий чувствительный элемент жестко закреплен по контуру на мембране, его контактные площадки соединены пайкой с контактными площадками мембраны, а в крышке и пластине выполнены отверстия.
RU95106770A 1995-04-26 1995-04-26 Датчик давления RU2082127C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95106770A RU2082127C1 (ru) 1995-04-26 1995-04-26 Датчик давления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95106770A RU2082127C1 (ru) 1995-04-26 1995-04-26 Датчик давления

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95106770A RU95106770A (ru) 1996-12-10
RU2082127C1 true RU2082127C1 (ru) 1997-06-20

Family

ID=20167215

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95106770A RU2082127C1 (ru) 1995-04-26 1995-04-26 Датчик давления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2082127C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Патент ФРГ N 3436440, кл. G 01 L 9/06,1986. 2. Патент ГДР N 225501, кл. G 01 L 9/06, 1985. *

Also Published As

Publication number Publication date
RU95106770A (ru) 1996-12-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100349210B1 (ko) 가속도센서
KR101332175B1 (ko) 압력 센서 패키지와, 그 제조 방법, 및 유체 압력 결정방법
US4454771A (en) Load cell
US6612179B1 (en) Method and apparatus for the determination of absolute pressure and differential pressure therefrom
KR101953454B1 (ko) 압력 센서 칩
KR101953455B1 (ko) 압력 센서
US10969287B2 (en) Filling body for reducing a volume of a pressure measurement chamber
JP2011519041A (ja) 圧力センサ
EP1407278B1 (en) Acceleration sensor
US5209120A (en) Semiconductor pressure-detecting apparatus
RU2392592C1 (ru) Датчик давления
JP4863571B2 (ja) 圧力センサ
JP2005127750A (ja) 半導体センサおよびその製造方法
JPH11211749A (ja) 半導体加速度センサ
RU2082127C1 (ru) Датчик давления
JP3316555B2 (ja) 圧力センサ
JP3438879B2 (ja) 圧力検出装置
JP6528602B2 (ja) 圧脈波センサ及び生体情報測定装置
JP2008082952A (ja) 半導体感歪センサ
US5821595A (en) Carrier structure for transducers
EP1552260B1 (en) Pressure sensor and production thereof
JP2004264093A (ja) 圧力センサ
JPS63177030A (ja) 半導体圧力センサ
JP2023009938A (ja) 圧力センサ
JP2000046669A (ja) 圧力センサ