RU2074904C1 - Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме - Google Patents

Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме Download PDF

Info

Publication number
RU2074904C1
RU2074904C1 RU92007459A RU92007459A RU2074904C1 RU 2074904 C1 RU2074904 C1 RU 2074904C1 RU 92007459 A RU92007459 A RU 92007459A RU 92007459 A RU92007459 A RU 92007459A RU 2074904 C1 RU2074904 C1 RU 2074904C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
vacuum
magnetic system
thin films
magnetic
electromagnets
Prior art date
Application number
RU92007459A
Other languages
English (en)
Other versions
RU92007459A (ru
Inventor
Евгений Николаевич Ивашов
Павел Евгеньевич Кондрашов
Сергей Михайлович Оринчев
Владимир Владимирович Слепцов
Сергей Валентинович Степанчиков
Original Assignee
Евгений Николаевич Ивашов
Павел Евгеньевич Кондрашов
Сергей Михайлович Оринчев
Владимир Владимирович Слепцов
Сергей Валентинович Степанчиков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Евгений Николаевич Ивашов, Павел Евгеньевич Кондрашов, Сергей Михайлович Оринчев, Владимир Владимирович Слепцов, Сергей Валентинович Степанчиков filed Critical Евгений Николаевич Ивашов
Priority to RU92007459A priority Critical patent/RU2074904C1/ru
Publication of RU92007459A publication Critical patent/RU92007459A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2074904C1 publication Critical patent/RU2074904C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к нанесению тонких пленок путем ионного распыления материала в вакууме. В основу изобретения положена задача создать магнитную систему, у которой напряженность и индукция в межполюсной области изменяются во времени и пространстве. Эта задача решается тем, что магнитная система выполнена в виде основных электромагнитов с замкнутыми сердечниками в форме швеллера, установленных друг относительно друга одноименными полюсами, а внутри основных электромагнитов расположены дополнительные электромагниты также с загнутыми сердечниками в форме швеллера и установленные друг относительно друга также одноименными полюсами, причем магнитное поле основных и дополнительных электромагнитов пересекаются под углом 90o, а их количестве не менее, чем по два каждого. 2 ил.

Description

Изобретение относится к нанесению тонких пленок путем ионного распыления материала в вакууме.
Известен катодный узел [1] преимущественно для ионно-плазменного нанесения пленок в вакуумсодеpжащий катод, мишень, анод, магнитную систему, нагреватель, расположенный со стороны анода, противолежащей рабочей поверхности катода.
Недостатком аналога является то, что магнитное поле, создаваемое постоянным магнитом, имеет непостоянную напряженность от центра к периферии магнита, в центре оно больше, а на периферии меньше. Это приводит к неравномерной бомбардировке мишени и неравномерному распределению распыленного материала по подложке.
Наиболее близким по технической сущности и достигаемому результату является катодный узел, преимущественно для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме, содержащий катод-мишень, конструктивно с ним взаимосвязанную магнитную систему, экраны и элементы охлаждения и напуска газа. Магнитная система выполнена в виде постоянных магнитов в форме швеллеров, установленных друг относительно друга одноименными полюсами, а внутри швеллеров расположены другие постоянные магниты с загнутыми краями, установленные друг относительно друга также одноименными полюсами.
Недостатком прототипа является то, что напряженность и индукция магнитного поля в межполюсной области не изменяется во времени и в пространстве, что не позволяет оперативно управлять этими величинами при проведении технологического процесса.
В основу изобретения положена задача создать магнитную систему, у которой напряженность и индукция в межполюсной области изменяется во времени и пространстве.
Эта задача решается тем, что магнитная система выполнена в виде основных электромагнитов с загнутыми сердечниками в форме швеллеров, установленных друг относительно друга одноименными полюсами, а внутри основных электромагнитов расположены дополнительные электромагниты также с загнутыми сердечниками в форме швеллеров и установленные друг относительно друга также одноименными полюсами, причем магнитное поле основных и дополнительных электромагнитов пересекаются под углом 90o, а их количество не менее, чем по два каждого.
Введение в катодный узел основных и дополнительных электромагнитов обеспечивает создание магнитной системы, в которой индукция и напряженность изменяются как во времени, так и в пространстве, что позволяет оперативно управлять этими величинами при проведении технологического процесса для создания как равномерного поля, так и поля с заданной силовой конфигурацией.
На фиг.1 показан общий вид катодного узла, на фиг.2 общий вид магнитной системы.
Катодный узел (фиг. 1) содержит катод 1, мишень 2, анод 3, магнитную систему 4, нагреватель 5, расположенный со стороны 6 анода 3, противолежащей рабочей поверхности 7 катода 1. Магнитная система 4 (фиг.2) выполнена в виде основных 8 и дополнительных 9 электромагнитов с загнутыми сердечниками 10 и 11 в форме швеллеров соответственно. Основные электромагниты 8 установлены друг относительно друга одноименными полюсами. Внутри основных электромагнитов 8 расположены дополнительные электромагниты 9 с загнутыми сердечниками 11, установленные друг относительно друга также одноименными полюсами, причем магнитное поле основных 8 и дополнительных 9 электромагнитов пересекаются под углом 90o, а их количество не менее, чем по два каждого (фиг.2). Катодный узел установлен в вакуумной камере 12 с элементами охлаждения 13, напуска газа 14 и экранами 15 (фиг.1). Подложкодеpжатель 16 установлен в камере 12, а источник питания 17 установлен вне камеры 12.
Катодный узел работает следующим образом.
При проведении ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме в соответствии с заданным технологическим процессом в откаченную камеру 12 напускается рабочий газ, например аргон, через натекатель 14. Подложкодержатель 16 и анод 3 прогреваются. К катоду 1 прикладывается отрицательный потенциал и в камере 12 зажигается разряд. Ионы рабочего газа бомбардируют и распыляют материал мишени 2, который тонким слоем осаждается на подложке, закрепленной на подложкодержателе 16. Напряженность магнитного поля магнитной системы задается от источника питания 17, который выполняет двойную функцию регулирует разность потенциалов между катодом 1 и анодом 3 и регулирует величины токов в электромагнитах 8 и 9, что и обеспечивает в процессе проведения технологического процесса поддержание напряженности и индукции магнитного поля в заданном диапазоне допустимых значений.
При этом за счет того, что напряженность и индукция магнитного поля в межполюсной области имеют возможности изменяться во времени и в пространстве, появляется возможность оперативно управлять этими величинами при проведении технологического процесса с целью обеспечения равномерности покрытия при равномерной бомбардировке мишени 2 ионизированным рабочим газом.

Claims (1)

  1. Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме, содержащий катод, мишень, магнитную систему с расположенными в два ряда электромагнитами, с направленными друг к другу одинаковыми полюсами в каждом ряду магнитами, отличающийся тем, что магнитная система выполнена в виде электромагнитов с загнутыми сердечниками в форме швеллеров, причем второй ряд электромагнитов установлен внутри первого, электромагниты установлены с возможностью образования магнитных полей первого и второго ряда, перекрещивающихся под углом 90o, и их количество не менее чем по два каждого.
RU92007459A 1992-11-23 1992-11-23 Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме RU2074904C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92007459A RU2074904C1 (ru) 1992-11-23 1992-11-23 Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU92007459A RU2074904C1 (ru) 1992-11-23 1992-11-23 Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU92007459A RU92007459A (ru) 1995-10-20
RU2074904C1 true RU2074904C1 (ru) 1997-03-10

Family

ID=20132329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU92007459A RU2074904C1 (ru) 1992-11-23 1992-11-23 Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2074904C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11578401B2 (en) 2017-10-03 2023-02-14 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Arc source with confined magnetic field

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент ФРГ N 3619194, кл. С 23 С 14/34, 1987. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11578401B2 (en) 2017-10-03 2023-02-14 Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfäffikon Arc source with confined magnetic field

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100396456B1 (ko) 절단된 코니칼 스퍼터링 타겟용 고 타겟 이용 자기 장치
US5556519A (en) Magnetron sputter ion plating
US5113790A (en) Apparatus for the plasma treatment of substrates
US7411352B2 (en) Dual plasma beam sources and method
US6153067A (en) Method for combined treatment of an object with an ion beam and a magnetron plasma with a combined magnetron-plasma and ion-beam source
AU746645C (en) Method and apparatus for deposition of biaxially textured coatings
US7327089B2 (en) Beam plasma source
US5902461A (en) Apparatus and method for enhancing uniformity of a metal film formed on a substrate with the aid of an inductively coupled plasma
US5683558A (en) Anode structure for magnetron sputtering systems
KR100212087B1 (ko) 스퍼터링 장치
US5369337A (en) DC or HF ion source
US20090314631A1 (en) Magnetron With Electromagnets And Permanent Magnets
US7378001B2 (en) Magnetron sputtering
GB2051877A (en) Magnetically Enhanced Sputtering Device and Method
KR930011412B1 (ko) 자전관(磁電官) 원리에 의한 분무음극
US7023128B2 (en) Dipole ion source
US20020050453A1 (en) Vapor deposition coating apparatus
US6733642B2 (en) System for unbalanced magnetron sputtering with AC power
RU2074904C1 (ru) Катодный узел для ионно-плазменного нанесения тонких пленок в вакууме
RU2242821C2 (ru) Магнетронная распылительная система
JPS6217175A (ja) スパツタリング装置
RU2023744C1 (ru) Катодный узел для ионно-плазменного нанесения
JPH0559542A (ja) マグネトロンスパツタ電極
WO2001092595A1 (en) Unbalanced plasma generating apparatus having cylindrical symmetry
GB2058142A (en) Sputtering electrodes