RU207048U1 - Тепловой датчик давления - Google Patents

Тепловой датчик давления Download PDF

Info

Publication number
RU207048U1
RU207048U1 RU2020141683U RU2020141683U RU207048U1 RU 207048 U1 RU207048 U1 RU 207048U1 RU 2020141683 U RU2020141683 U RU 2020141683U RU 2020141683 U RU2020141683 U RU 2020141683U RU 207048 U1 RU207048 U1 RU 207048U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
membrane
pressure
sensor
heater
thermal
Prior art date
Application number
RU2020141683U
Other languages
English (en)
Inventor
Максим Александрович Махиборода
Геннадий Иванович Орешкин
Михаил Михайлович Поздняков
Original Assignee
Общество с ограниченной ответственностью "ФОТИС"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество с ограниченной ответственностью "ФОТИС" filed Critical Общество с ограниченной ответственностью "ФОТИС"
Priority to RU2020141683U priority Critical patent/RU207048U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU207048U1 publication Critical patent/RU207048U1/ru

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/12Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means by making use of variations in capacitance, i.e. electric circuits therefor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)

Abstract

Полезная модель относится к измерительной технике - области микроэлектронных и микромеханических устройств и может быть использована для измерения давления. Тепловой датчик давления содержит первую деформирующуюся мембрану и вторую неподвижную мембрану, на которой размещен чувствительный элемент и нагреватель. Суть полезной модели состоит в увеличении диапазона измеряемых давлений и повышении срока эксплуатации прибора за счет теплового принципа детектирования давления. Способ измерения давления, при котором давление, приложенное к деформирующейся мембране, изменяет расстояние до нагревателя и чувствительного элемента, тем самым изменяя перераспределение температуры. Изменение выходного электрического сигнала измерительной схемы, подключенной к датчику, пропорционально изменению температуры. Применение технических решений в разработанной конструкции устройства позволяет значительно снизить влияние внешних воздействий, а тепловой принцип детектирования - увеличить диапазон измеряемых давлении.

Description

Полезная модель относится к измерительной технике - области микроэлектронных и микромеханических устройств, а именно к датчикам давления.
Известна конструкция бипланарного емкостного датчика перепада давления [1]. Датчик содержит электронно-индикаторный блок, два плоских присоединительных фланца, между которыми размещен мембранный блок измерительного преобразователя. Преобразователь состоит из емкостной ячейки цилиндрической формы с измерительной мембраной, размещенной в полости ее корпуса, помещенного рядом с размещенными в корпусах разделительными гофрированными мембранами.
Однако известная конструкция бипланарного емкостного датчика перепада давления является сложной в изготовлении, так как имеет большое количество сварных соединений.
Известна конструкция емкостного датчика давления [2]. Датчик давления содержит корпус с цилиндрическим кожухом и крышкой, электронную плату и емкостный преобразователь, а также выполненные в корпусе два мембранных блока. Преобразователь содержит полость, два гермовывода с обкладками, соединенными с электронной платой, и измерительную мембрану, закрепленную в полости между обкладками так.
Однако известный датчик характеризуется наличием заметной паразитной емкости между емкостными обкладками (электродами) и корпусными деталями датчика. Кроме того, большая масса измерительной системы (ячейки), включающей в себя мембрану, обкладки в виде стеклянных (керамических) полусфер, токоподводы, существенно снижают вибростойкость датчика. Изготовление известного датчика сопряжено со значительными технологическими трудностями, связанными с изготовлением прецизионных массивных стеклянных (керамических) полусфер и нанесением на их внутреннюю поверхность электродов (обкладок), что значительно повышает трудоемкость изделия и его себестоимость.
Известна конструкция емкостного датчика давления [3], выбранного в качестве прототипа. Датчик давления содержит кремниевую подложку, мембрану, на поверхности которой расположен нижний электрод конденсатора. Через воздушный зазор находится второй электрод, который нанесен на пластину фторида кальция, приваренной к кремниевой подложке.
Рассматриваемый датчик изготавливается следующим образом: на кремниевой подложке выращивается слой фторида кальция и слой кремния, затем напыляется слой металлизации, в подложке кремния снизу методом анизотропного травления формируется тонкая мембрана, а в подложке методом фотолитографии вытравливает окно до фторида кальция. Сверху на полученную структуру накладывается пластина кремния с предварительно напыленным слоем металлизации. Недостатками известной конструкции [3] является недостаточная технологичность из-за:
1. Срока службы, в связи с расположением одного из электродов на деформирующейся мембране;
2. Ограничений диапазона измеряемого давления;
3. Возможности замыкания обкладок конденсатора при сильном прогибе мембраны;
4. Потребляемой мощности.
Задачей настоящей полезной модели является повышение срока эксплуатации, энергоэффективности и диапазона измеряемого давления, за счет альтернативного способа детектирования давления.
Поставленная задача решается тем, что датчик давления основан на тепловом принципе детектирования. Датчик состоит из мембраны, которая подвешена над полостью, заполненной газом с минимальным коэффициентом теплопроводности. На данной мембране расположен нагреватель и чувствительный элемент, представляющий собой термопару. Через воздушный зазор расположена вторая мембрана, сформированная в утоненной кремниевой пластине.
По сравнению с прототипом предполагаемая потребляемая мощность датчика давления определяется величиной тока, подаваемого на терморезистор, который исполняет роль нагревателя, что демонстрирует высокую энергоэффективность такого датчика. Такой вывод можно сделать на основании того, что расчетная мощность предложенного датчика давления близка к нижней границе мощности емкостных датчиков давления.
Диапазон детектируемых давлений определяется только собственным шумом чувствительного элемента, исходя из следующей формулы.
Figure 00000001
Сущность полезной модели поясняется чертежом, где представлена конструкция датчика давления.
На фиг. 1 представлен двухмерный вид сбоку на тепловой датчик давления, где: 1 - мембрана, 2 - пластина, 3 - мембрана, 4 - чувствительный элемент, 5 - полость, 6 - пластина, 7 - адгезивный материал, 8 - пластина.
Как видно из чертежа, в отличие от прототипа, чувствительный элемент располагается на неподвижной мембране и не подвержен механическим воздействиям, что повышает срок эксплуатации датчика.
Датчик работает следующим образом. При воздействии давления на мембрану 3 она прогибается, меняя расстояние до планарного нагревателя и чувствительного элемента 4, и изменяя перераспределение температуры. При этом пропорционально изменению температуры меняется выходной сигнал в специальной измерительной схеме, в которую включен датчик. Изменение выходного электрического сигнала пропорционально изменению температуры, которое пропорционально изменению прогиба мембраны, которое, в свою очередь, пропорционально изменению внешнего давления.
Пример конкретного исполнения. На кремниевой (150 Вт/м⋅К) пластине 8 толщиной 670 мкм формируют мембрану 1 из оксида кремния (1.4 Вт/м⋅К) по технологии химического осаждения из газовой фазы (PECVD). Затем на мембране формируют алюминиевые шины питания и чувствительный элемент 4. Следующим шагом проводят операцию сухого травление кремниевой пластины в Bosch процессе с обратной стороны до SiO2 c целью формирования полости 5. Далее на пластине 2 формируют диэлектрическую мембрану 3. После этого наносят адгезив 7 и выполняют операцию соединения (бондинга) текущей структуры с пластинами 2,6. В процессе бондинга соединяемые элементы помещаются в рабочую камеру, из которой откачивается воздух от 1000 мбар (1 атм) до 0,8 мбар. Затем атмосфера рабочей камеры заполняется криптоном Kr(0.0095 Вт/м⋅К) и проводится соединение при температуре не менее 150°С.
Необходимо учитывать то, что деформация мембраны не превышает 15% от расстояния между мембраной и нагревателем, что необходимо для обеспечения чувствительности выше порога детектирования равного 0.25 мК/Па в большей части диапазона измеряемых давлений.
Для нормальной работы датчика при глубине полости 30 мкм достаточно толщины мембраны чуть более 1 мкм (при этом максимальная деформация мембраны не будет превышать 25 мкм).
Для стабильной работы датчика важно обеспечить хорошую герметизацию полости и достаточную механическую прочность мембраны (для предотвращения прикосновения мембраны к плоскости нагревателя при атмосферном давлении, что может привести к ее разрушению).
Таким образом, использование стандартных технологических операций изготовления датчика повышает его срок эксплуатации. Высокая энергоэффективность достигается за счет того, что потребляемая мощность определяется только величиной тока подаваемого на нагреватель. При этом рабочий диапазон давлений определяется собственными шумами чувствительного элемента.
Источники информации:
1. Патент RU 2545085, МПК G01L 19/00, опубл. 27.03.2015
2. Патент RU 2243518, МПК G01L 13/02, G01L 9/00, опубл. 27.12.2004.
3. Патент RU 2251087, МПК G01L 9/12, опубл. 27.04.2005 - прототип.

Claims (1)

  1. Датчик давления, содержащий первую деформирующуюся под внешним давлением мембрану и вторую мембрану с расположенным на ней чувствительным элементом и нагревателем, полость в кремниевой подложке, заполненную газом, отличающийся тем, что на второй мембране размещен нагреватель и чувствительный элемент, который выполнен в виде термопары, которая фиксирует изменение температуры второй мембраны при изменении внешнего давления и деформации первой мембраны, заполняющий газ выбирается с минимальной теплопроводностью.
RU2020141683U 2020-12-17 2020-12-17 Тепловой датчик давления RU207048U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020141683U RU207048U1 (ru) 2020-12-17 2020-12-17 Тепловой датчик давления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020141683U RU207048U1 (ru) 2020-12-17 2020-12-17 Тепловой датчик давления

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU207048U1 true RU207048U1 (ru) 2021-10-08

Family

ID=78000476

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020141683U RU207048U1 (ru) 2020-12-17 2020-12-17 Тепловой датчик давления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU207048U1 (ru)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2243518C2 (ru) * 1999-05-14 2004-12-27 Роузмаунт Инк. Устройство для измерения рабочего давления с улучшенной компенсацией ошибок
RU2251087C2 (ru) * 2003-06-09 2005-04-27 Новосибирский государственный технический университет Емкостной датчик давления
RU2545085C1 (ru) * 2013-11-12 2015-03-27 Закрытое акционерное общество Промышленная группа "Метран" Конструкция бипланарного емкостного датчика перепада давления
RU2574526C1 (ru) * 2014-08-15 2016-02-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" Датчик давления

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2243518C2 (ru) * 1999-05-14 2004-12-27 Роузмаунт Инк. Устройство для измерения рабочего давления с улучшенной компенсацией ошибок
RU2251087C2 (ru) * 2003-06-09 2005-04-27 Новосибирский государственный технический университет Емкостной датчик давления
RU2545085C1 (ru) * 2013-11-12 2015-03-27 Закрытое акционерное общество Промышленная группа "Метран" Конструкция бипланарного емкостного датчика перепада давления
RU2574526C1 (ru) * 2014-08-15 2016-02-10 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики" Датчик давления

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7150195B2 (en) Sealed capacitive sensor for physical measurements
US6874367B2 (en) Pressure sensor
JP3114570B2 (ja) 静電容量型圧力センサ
CN201653604U (zh) 一种压力传感器
JP5400560B2 (ja) 静電容量型センサ
CN103983395B (zh) 一种微压力传感器及其制备与检测方法
CN103308239A (zh) Mems电容式压力传感器
CN101608962A (zh) 一种微型皮拉尼计
CN109489843B (zh) 高灵敏度传感器及其制备方法
CN105181231A (zh) 一种封装结构的压力传感器及其制备方法
JP2008232886A (ja) 圧力センサ
CN113428829A (zh) 一种mems湿压集成传感器及制备方法
CN114314498B (zh) Mems薄膜真空计及其制备方法
CN1217157C (zh) 集成温湿度大气压力传感器芯片
CN102520147B (zh) 一种用于痕量生化物质检测的cmut及其制备方法
CN113979405A (zh) Mems真空计及其制备方法
JP4994058B2 (ja) 圧力測定装置および圧力測定方法
CN117268600A (zh) 一种mems压力传感器芯片及其制备方法
RU207048U1 (ru) Тепловой датчик давления
JP2014089183A (ja) 圧力センサ
CN109855791B (zh) 基于多折叠支撑梁梳齿谐振器的真空检测器件
CN104990648B (zh) 一种压力传感器及其压力检测方法和压力检测装置
CN113353883B (zh) 一种基于相位检测原理的mems压力传感器及制备方法
CN212158891U (zh) 压力传感器芯片、压力传感器及电子设备
Karpati et al. Prototype MEMS Capacitive Pressure Sensor Design and Manufacturing.