RU206439U1 - Multichip power module - Google Patents
Multichip power module Download PDFInfo
- Publication number
- RU206439U1 RU206439U1 RU2021115234U RU2021115234U RU206439U1 RU 206439 U1 RU206439 U1 RU 206439U1 RU 2021115234 U RU2021115234 U RU 2021115234U RU 2021115234 U RU2021115234 U RU 2021115234U RU 206439 U1 RU206439 U1 RU 206439U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ceramic
- board
- additional
- base
- boards
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Conversion In General (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к радиоэлектронной технике, в частности к силовым микросборкам, и направлена на повышение надежности работы устройства за счет устранения проблем статической и динамической неравномерности распределения напряжения между полупроводниковыми ключами многокристальной сборки. Многокристальный силовой модуль, выполненный по трехуровневой схеме с фиксированной нулевой точкой, содержащий четыре кристалла полупроводниковых ключей, четыре кристалла встречно-параллельных диодов, два кристалла фиксирующих диодов, шесть керамических плат с двусторонним металлическим покрытием, базовую плату - теплоотвод, три силовых вывода на стороне постоянного тока модуля и один силовой вывод на стороне переменного тока модуля. На верхнем основании каждой керамической платы сформирована дополнительная контактная площадка. При этом дополнительные контактные площадки на всех шести керамических платах выполнены в виде верхнего металлизированного основания каждой из шести дополнительных керамических плат, которые нижним металлизированным основанием припаяны к верхнему металлизированному основанию одноименной керамической платы. Значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат, расположенных на пятой и шестой керамических платах, выбраны большими, чем значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат, расположенных на первой, второй, третьей и четвертой керамических платах. Значения сопротивлений изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат, расположенных на первой четвертой керамических платах, выбраны большими, чем значения сопротивления изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат, расположенных на второй и третьей керамических платах. 1 ил.The utility model relates to electronic equipment, in particular to power microassemblies, and is aimed at increasing the reliability of the device by eliminating the problems of static and dynamic uneven voltage distribution between semiconductor switches of a multichip assembly. Multichip power module made according to a three-level scheme with a fixed zero point, containing four crystals of semiconductor switches, four crystals of antiparallel diodes, two crystals of clamping diodes, six ceramic boards with a double-sided metal coating, a base board - a heatsink, three power terminals on the DC side the module and one power outlet on the AC side of the module. An additional contact pad is formed on the top base of each ceramic board. In this case, the additional contact pads on all six ceramic boards are made in the form of an upper metallized base of each of the six additional ceramic boards, which are soldered with the lower metallized base to the upper metallized base of the ceramic board of the same name. The dielectric constant values of the additional ceramic boards located on the fifth and sixth ceramic boards are selected to be larger than the dielectric constant values of the additional ceramic boards located on the first, second, third and fourth ceramic boards. The insulation resistance values for the dielectrics of the additional ceramic boards located on the first fourth ceramic boards are selected to be larger than the values of the insulation resistance for the dielectrics of the additional ceramic boards located on the second and third ceramic boards. 1 ill.
Description
Полезная модель относится к радиоэлектронной технике, в частности к силовым микросборкам, и может быть использована при создании многокристальных модулей на основе керамических подложек.The utility model relates to radio electronic engineering, in particular to power microassemblies, and can be used to create multichip modules based on ceramic substrates.
Известна силовая сборка (патент US №6259616, публ. 10.07.2001, МПК Н02М 7/00), содержащая шесть отдельных силовых модулей: четыре модуля одиночного ключа со встречно-параллельным диодом и два модуля диода, соединенных с помощью силовых шин по схеме трехуровневого полумоста с фиксирующими диодами.Known power assembly (US patent No. 6259616, publ. 10.07.2001, IPC H2M 7/00), containing six separate power modules: four modules of a single key with an anti-parallel diode and two diode modules connected using power buses according to the three-level scheme half-bridge with clamping diodes.
Недостатком данного технического решения являются относительно большие геометрические размеры сборки из отдельных силовых модулей, что приводит к росту паразитной индуктивности монтажных соединений и ее неравномерному разбросу по четырем контурам коммутации в трехуровневой схеме.The disadvantage of this technical solution is the relatively large geometric dimensions of the assembly of separate power modules, which leads to an increase in the parasitic inductance of wiring connections and its uneven spread over four switching circuits in a three-level circuit.
Наиболее близким по технической сущности к предлагаемой полезной модели является многокристальный силовой модуль (патент RU №148258, публ. 27.11.2014, МПК H01L 27/00), выполненный по трехуровневой схеме с фиксированной нулевой точкой, содержащий четыре кристалла полупроводниковых ключей, четыре кристалла встречно-параллельных диодов, два кристалла фиксирующих диодов, шесть керамических плат с двусторонним металлическим покрытием, базовую плату-теплоотвод, три силовых вывода на стороне постоянного тока модуля и один силовой вывод на стороне переменного тока модуля, в котором каждый кристалл полупроводникового ключа с кристаллом встречно-параллельного диода, а также каждый кристалл фиксирующего диода нижним основанием установлены на верхнем основании одноименной керамической платы, при этом сами керамические платы нижним основанием установлены на базовой плате-теплоотводе, на верхнем основании каждой керамической платы сформирована дополнительная контактная площадка, которая при помощи проводящих проволок соединена с контактными площадками на верхних основаниях кристаллов ключей и диодов, расположенных на данной плате, при этом верхнее основание первой керамической платы соединено с первым силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, верхнее основание шестой керамической платы соединено со вторым силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, а дополнительная контактная площадка четвертой керамической платы соединена с третьим силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, на верхнем основании пятой керамической платы имеется изолированная контактная площадка, которая соединена с силовым выводом на стороне переменного тока модуля, соединения между керамическими платами выполнены ленточными проводящими шинами, при этом дополнительная контактная площадка первой керамической платы соединена с верхним основанием второй керамической платы, которая в свою очередь соединена с верхним основанием пятой керамической платы, дополнительная контактная площадка второй керамической платы и верхнее основание третьей керамической платы соединены с изолированной контактной площадкой пятой керамической платы, дополнительная контактная площадка третьей керамической платы соединена с верхним основанием четвертой керамической платы, которая в свою очередь соединена с дополнительной контактной площадкой шестой керамической платы, верхнее основание которой соединено с дополнительной контактной площадкой пятой керамической платы.The closest in technical essence to the proposed utility model is a multichip power module (patent RU No. 148258, publ. 11/27/2014, IPC
Недостатком настоящего технического решения является наличие динамических выбросов напряжения на полупроводниковых ключах трехуровневой схемы при коммутации из-за относительно малого значения их выходных емкостей. В данном устройстве невозможен полный разряд внешних конденсаторов, что ведет к увеличению энергии динамических потерь. Другим недостатком прототипа является неравномерность статического распределения напряжения между полупроводниковыми ключами трехуровневой схемы за счет эффекта «зависания» фиксирующих диодов в блокирующем состоянии и невозможностью выполнения ими функции фиксации уровня напряжения из-за разброса токов утечки в кристаллах полупроводниковых ключей.The disadvantage of this technical solution is the presence of dynamic voltage surges on the semiconductor switches of the three-level circuit during switching due to the relatively small value of their output capacitances. In this device, a complete discharge of external capacitors is impossible, which leads to an increase in the energy of dynamic losses. Another disadvantage of the prototype is the unevenness of the static voltage distribution between the semiconductor switches of the three-level circuit due to the effect of "freezing" of the clamping diodes in the blocking state and the impossibility of performing the function of fixing the voltage level due to the spread of leakage currents in the crystals of the semiconductor switches.
Технической задачей предлагаемой полезной модели является устранение проблем статической и динамической неравномерности распределения напряжения между полупроводниковыми ключами многокристальной сборки.The technical task of the proposed utility model is to eliminate the problems of static and dynamic uneven voltage distribution between semiconductor switches of a multichip assembly.
Технический результат заключается в повышении надежности работы устройства.The technical result consists in increasing the reliability of the device.
Это достигается тем, что в известном многокристальном силовом модуле, выполненном по трехуровневой схеме с фиксированной нулевой точкой, содержащем четыре кристалла полупроводниковых ключей, четыре кристалла встречно-параллельных диодов, два кристалла фиксирующих диодов, шесть керамических плат с двусторонним металлическим покрытием, базовую плату - теплоотвод, три силовых вывода на стороне постоянного тока модуля и один силовой вывод на стороне переменного тока модуля, в котором каждый кристалл полупроводникового ключа с кристаллом встречно-параллельного диода, а также каждый кристалл фиксирующего диода нижним основанием установлены на верхнем основании соответствующей керамической платы, при этом сами керамические платы нижним основанием установлены на базовой плате - теплоотводе, на верхнем основании каждой керамической платы сформирована дополнительная контактная площадка, которая при помощи проводящих проволок соединена с контактными площадками на верхних основаниях кристаллов ключей и диодов, расположенных на данной плате, при этом верхнее основание первой керамической платы соединена с первым силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, верхнее основание шестой керамической платы соединена со вторым силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, а дополнительная контактная площадка четвертой керамической платы соединена с третьим силовым выводом на стороне постоянного тока модуля, на верхнем основании пятой керамической платы имеется изолированная контактная площадка, которая соединена с силовым выводом на стороне переменного тока модуля, соединения между керамическими платами выполнены ленточными проводящими шинами, при этом дополнительная контактная площадка первой керамической платы соединена с верхним основанием второй керамической платы, которая в свою очередь соединена с верхним основанием пятой керамической платы, дополнительная контактная площадка второй керамической платы и верхнее основание третьей керамической платы соединены с изолированной контактной площадкой пятой керамической платы, дополнительная контактная площадка третьей керамической платы соединена с верхним основанием четвертой керамической платы, которая в свою очередь соединена с дополнительной контактной площадкой шестой керамической платы, верхнее основание которой соединено с дополнительной контактной площадкой пятой керамической платы, при этом дополнительные контактные площадки на всех шести керамических платах представляют собой верхнее металлизированное основание каждой из шести дополнительных керамических плат, которые нижним металлизированным основанием припаяны к верхнему металлизированному основанию одноименной керамической платы, при этом значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат, расположенных на пятой и шестой керамических платах, выбраны большими, чем значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат, расположенных на первой, второй, третьей и четвертой керамических платах, а значения сопротивлений изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат, расположенных на первой и четвертой керамических платах, выбраны большими, чем значения сопротивления изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат, расположенных на второй и третьей керамических платах.This is achieved by the fact that in the well-known multichip power module, made according to a three-level circuit with a fixed zero point, containing four crystals of semiconductor switches, four crystals of anti-parallel diodes, two crystals of locking diodes, six ceramic boards with a double-sided metal coating, the base board is a heat sink , three power terminals on the DC side of the module and one power terminal on the AC side of the module, in which each semiconductor switch crystal with an anti-parallel diode crystal, as well as each clamping diode crystal is mounted on the lower base on the upper base of the corresponding ceramic board, while the ceramic boards themselves are installed with the lower base on the base board - heatsink, an additional contact pad is formed on the upper base of each ceramic board, which is connected with the help of conductive wires to the contact pads on the upper bases of the glue crystals whose and diodes located on this board, while the upper base of the first ceramic board is connected to the first power terminal on the DC side of the module, the upper base of the sixth ceramic board is connected to the second power terminal on the DC side of the module, and an additional contact pad of the fourth ceramic board is connected to the third power terminal on the DC side of the module, on the upper base of the fifth ceramic board there is an insulated contact pad, which is connected to the power terminal on the AC side of the module, the connections between the ceramic boards are made by tape conductive buses, while an additional contact pad of the first ceramic board connected to the upper base of the second ceramic board, which in turn is connected to the upper base of the fifth ceramic board, an additional contact pad of the second ceramic board and the upper base of the third ceramic board are connected to the insulating By this contact pad of the fifth ceramic board, an additional contact pad of the third ceramic board is connected to the upper base of the fourth ceramic board, which in turn is connected to an additional contact pad of the sixth ceramic board, the upper base of which is connected to an additional contact pad of the fifth ceramic board, while additional contacts the pads on all six ceramic boards represent the upper metallized base of each of the six additional ceramic boards, which are soldered with the lower metallized base to the upper metallized base of the ceramic board of the same name, while the dielectric constant values of the additional ceramic boards located on the fifth and sixth ceramic boards are selected large than the values of the dielectric constant of the additional ceramic boards located on the first, second, third and fourth ceramic boards, and the values of the const Insulation rotations for dielectrics of additional ceramic boards located on the first and fourth ceramic boards are selected to be larger than the values of insulation resistance for dielectrics of additional ceramic boards located on the second and third ceramic boards.
Сущность предлагаемой полезной модели поясняется чертежом, на котором изображен многокристальный силовой модуль.The essence of the proposed utility model is illustrated by a drawing, which shows a multichip power module.
Многокристальный силовой модуль содержит четыре кристалла полупроводниковых ключей (позиции 1, 2, 3 и 4), четыре кристалла встречно-параллельных диодов (позиции 5, 6, 7 и 8), два кристалла фиксирующих диодов (позиции 9 и 10), шесть керамических плат (позиции 11, 12, 13, 14, 15 и 16) с двусторонним металлическим покрытием, базовую плату - теплоотвод 17, три силовых вывода на стороне постоянного тока модуля (позиции 18, 19 и 20) и один силовой вывод на стороне переменного тока модуля 21.The multichip power module contains four crystals of semiconductor switches (positions 1, 2, 3 and 4), four crystals of anti-parallel diodes (positions 5, 6, 7 and 8), two crystals of clamping diodes (positions 9 and 10), six ceramic boards (
Кристалл каждого полупроводникового ключа 1, 2, 3, 4 содержит нижнее металлизированное основание (коллектор, сток) и верхнее основание с металлизированной контактной площадкой (эмиттер, исток). Кристалл каждого диода 5, 6, 7. 8, 9, 10 содержит нижнее металлизированное основание (катод) и верхнее основание с металлизированной контактной площадкой (анод).The crystal of each semiconductor switch 1, 2, 3, 4 contains a lower metallized base (collector, drain) and an upper base with a metallized contact area (emitter, source). The crystal of each diode 5, 6, 7. 8, 9, 10 contains a lower metallized base (cathode) and an upper base with a metallized contact area (anode).
Каждый кристалл полупроводникового ключа 1, 2, 3, 4 с соответствующим кристаллом встречно-параллельного диода 5, 6, 7, 8, а также каждый кристалл фиксирующего диода 9 и 10 нижним основанием установлены на верхнем основании 22 шести отдельных керамических плат 11, 12, 13, 14, 15 и 16 при этом сами керамические платы И, 12, 13, 14, 15 и 16 нижнем основанием установлены на общей базовой плате - теплоотводе 17.Each crystal of a semiconductor switch 1, 2, 3, 4 with a corresponding crystal of an anti-parallel diode 5, 6, 7, 8, as well as each crystal of a
На верхнем основании 22 каждой керамической платы 11, 12, 13, 14, 15 и 16 сформирована дополнительная контактная площадка 23, которая при помощи проводящих проволок 24 соединена с контактными площадками на верхних основаниях кристаллов ключей и диодов, расположенных на данной плате. Верхнее основание 22 первой керамической платы 11 соединено с первым силовым выводом 18 на стороне постоянного тока модуля. Верхнее основание 22 шестой керамической платы 16 соединено со вторым силовым выводом 19 на стороне постоянного тока модуля. Дополнительная контактная площадка 23 четвертой керамической платы 14 соединена с третьим силовым выводом 20 на стороне постоянного тока модуля. На верхнем основании пятой керамической платы 15 имеется изолированная контактная площадка 25, которая соединена с силовым выводом 21 на стороне переменного тока модуля.An
Соединения между керамическими платами выполнены ленточными проводящими шинами 26, при этом дополнительная контактная площадка 23 первой керамической платы 11 соединена с верхним основанием 22 второй керамической платы 12, которая в свою очередь соединена с верхним основанием 22 пятой керамической платы 15, дополнительная контактная площадка 23 второй керамической платы 12 и верхнее основание 22 третьей керамической платы 13 соединены с изолированной контактной площадкой 25 пятой керамической платы 15, дополнительная контактная площадка 23 третьей керамической платы 13 соединена с верхним основанием 22 четвертой керамической платы 14, которая в свою очередь соединена с дополнительной контактной площадкой 23 шестой керамической платы 16, верхнее основание 22 которой соединено с дополнительной контактной площадкой 23 пятой керамической платы 15. Дополнительные контактные площадки 23 на всех шести керамических платах 11, 12, 13, 14, 15 и 16 представляют собой верхнее металлизированное основание каждой из шести дополнительных керамических плат 27, которые нижним металлизированным основанием припаяны к верхнему металлизированному основанию 22 соответствующей керамической платы 11, 12, 13, 14, 15 и 16.The connections between the ceramic boards are made by tape
Значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат 27, расположенных на пятой 15 и шестой 16 керамических платах, выбраны большими, чем значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат, расположенных на первой 11, второй 12, третьей 13 и четвертой 14 керамических платах.The values of the dielectric constant of the additional
Значения сопротивлений изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат 27, расположенных на первой 11 и четвертой 14 керамических платах, выбраны большими, чем значения сопротивления изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат 27, расположенных на второй 12 и третьей 13 керамических платах.The values of the insulation resistances for the dielectrics of the additional
Многокристальный силовой модуль работает следующим образом.The multichip power module works as follows.
Работа многокристального силового модуля, изготовленного по трехуровневой схеме, заключается в последовательной коммутации фазного тока между соответствующими ключевыми элементами. При индуктивном характере нагрузки фазный ток в выходной цепи модуля имеет синусоидальную форму и отстает по фазе от напряжения. В результате на периоде выходной частоты в трехуровневой схеме последовательно реализуются четыре контура коммутации. В двух из них в процессе коммутации участвуют по два полупроводниковых элемента, 1-9 и 4-10, соответственно. Данные контуры охватывают относительно малую площадь и называются «короткими» контурами коммутации. В двух других контурах в процессе коммутации участвуют уже по четыре полупроводниковых элемента, 9-2-7-8 и 10-3-5-6, соответственно. Данные контуры охватывают примерно вдвое большую площадь и называются «длинными» контурами коммутации. Одной из важнейших проблем при разработке трехуровневых схем является проблема несимметричности контуров коммутации, что приводит к существенному увеличению паразитной индуктивности монтажных соединений в «длинных» контурах силового модуля. При этом возникает опасность повышенных перенапряжений на полупроводниковых кристаллах 1, 2, 3, 4 модуля.The work of a multichip power module, manufactured according to a three-level scheme, consists in sequential switching of the phase current between the corresponding key elements. When the load is inductive, the phase current in the output circuit of the module is sinusoidal and lags behind the voltage in phase. As a result, during the period of the output frequency, four switching circuits are sequentially implemented in the three-level circuit. In two of them, two semiconductor elements, 1-9 and 4-10, are involved in the switching process, respectively. These loops cover a relatively small area and are called “short” switching loops. In the other two circuits, four semiconductor elements are involved in the switching process, 9-2-7-8 and 10-3-5-6, respectively. These loops cover approximately twice the area and are called "long" switching loops. One of the most important problems in the development of three-level circuits is the problem of asymmetry of the switching circuits, which leads to a significant increase in the parasitic inductance of wiring connections in the "long" circuits of the power module. In this case, there is a danger of increased overvoltage on semiconductor crystals 1, 2, 3, 4 of the module.
В предлагаемом силовом модуле применено решение, основанное на создании дополнительных контактных площадок 23 на керамических платах 11, 12, 13, 14, 15, 16 модуля, наиболее близко расположенных к полупроводниковым кристаллам. За счет этого длина проволочных алюминиевых соединений 24 кристалла с промежуточной контактной площадкой 23 предельно минимизирована, а их паразитная индуктивность снижена до значений порядка 1,5 нГн. При этом дальнейший токоотвод выполнен с применением ленточных проводящих шин 26, индуктивность которых составляет не более 2 нГн.In the proposed power module, a solution is applied based on the creation of
Дополнительные контактные площадки 23 на всех шести керамических платах 11, 12, 13, 14, 15, 16 являются верхним металлизированным основанием каждой из шести дополнительных керамических плат 27, которые нижним металлизированным основанием припаяны к верхнему металлизированному основанию 22 соответствующей керамической платы. При этом дополнительные керамические платы 27, по сути, являются керамическими конденсаторами плоской конструкции, емкости которых суммируется с выходной емкостью присоединенных к ним соответствующих кристаллов полупроводниковых ключей 1, 2, 3, 4 и диодов 5, 6, 7, 8, 9, 10. Таким образом, значения выходных емкостей полупроводниковых компонентов линейно увеличиваются в зависимости от площади основания дополнительных керамических плат 27 и диэлектрической проницаемости их изоляционных слоев, что позволяет существенно снижать динамические выбросы напряжения между полупроводниковыми ключами трехуровневой схемы.The
За счет более высокого значения диэлектрической проницаемости дополнительных керамических плат 27, расположенных на пятой 15 и шестой 16 керамических платах, выходные емкости кристаллов фиксирующих диодов 9 и 10 становятся больше, чем выходные емкости внутренних полупроводниковых ключей 2 и 3 с соответствующими встречно-параллельными диодами 6 и 7 в трехуровневой схеме, что обеспечивает возможность их полного разряда обратным током нагрузки в режиме мягкой коммутации.Due to the higher dielectric constant of the additional
В представленном решении сопротивления изоляции диэлектриков дополнительных керамических плат 27 оказываются параллельно подключенными к сопротивлениям изоляции кристаллов соответствующих полупроводниковых ключей 1, 2, 3, 4 и диодов 5, 6, 7, 8, 9, 10.In the presented solution, the insulation resistances of dielectrics of additional
Проблема неравномерности статического распределения напряжения между полупроводниковыми ключами 1, 2, 3, 4 для трехуровневой схемы решена за счет выбора соответствующих сопротивлений изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат 27, расположенных на первой 11, второй 12, третей 13 и четвертой 14 керамических платах. Значения сопротивлений изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат 27, расположенных на первой 11 и четвертой 14 керамических платах, выбираются больше, чем значения сопротивления изоляции для диэлектриков дополнительных керамических плат 27, расположенных на второй 12 и третьей 13 керамических платах. Тогда токи утечки в выходной цепи внешних полупроводниковых ключей 1 и 4 с соответствующими встречно-параллельными диодами 5 и 8 будут всегда меньше, чем токи утечки в выходной цепи внутренних полупроводниковых ключей 2 и 3 с соответствующими встречно параллельными диодами 6 и 7. При этом действие эффекта «зависания» фиксирующих диодов 9 и 10 в блокирующем состоянии полностью исключается.The problem of uneven static voltage distribution between semiconductor switches 1, 2, 3, 4 for a three-level circuit is solved by choosing appropriate insulation resistances for dielectrics of additional
Использование полезной модели позволяет устранить проблемы статической и динамической неравномерности распределения напряжения между полупроводниковыми ключами многокристальной сборки и, как следствие, повысить надежность работы устройства.The use of the utility model makes it possible to eliminate the problems of static and dynamic uneven voltage distribution between semiconductor switches of a multichip assembly and, as a consequence, to increase the reliability of the device.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021115234U RU206439U1 (en) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | Multichip power module |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2021115234U RU206439U1 (en) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | Multichip power module |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU206439U1 true RU206439U1 (en) | 2021-09-13 |
Family
ID=77746242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2021115234U RU206439U1 (en) | 2021-05-27 | 2021-05-27 | Multichip power module |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU206439U1 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2804595C1 (en) * | 2023-05-03 | 2023-10-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Method for manufacturing microelectronic unit |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04290258A (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Nec Corp | Multichip module |
| EP0558984A2 (en) * | 1992-03-06 | 1993-09-08 | International Business Machines Corporation | Hybrid ceramic thin-film module structure |
| RU153627U1 (en) * | 2015-01-12 | 2015-07-27 | Закрытое акционерное общество "Орбита" | POWER MODULE |
| RU184560U1 (en) * | 2018-05-16 | 2018-10-30 | Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" | POWER SEMICONDUCTOR MODULE |
-
2021
- 2021-05-27 RU RU2021115234U patent/RU206439U1/en active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04290258A (en) * | 1991-03-19 | 1992-10-14 | Nec Corp | Multichip module |
| EP0558984A2 (en) * | 1992-03-06 | 1993-09-08 | International Business Machines Corporation | Hybrid ceramic thin-film module structure |
| RU153627U1 (en) * | 2015-01-12 | 2015-07-27 | Закрытое акционерное общество "Орбита" | POWER MODULE |
| RU184560U1 (en) * | 2018-05-16 | 2018-10-30 | Публичное акционерное общество "Научно-производственное объединение "ЭНЕРГОМОДУЛЬ" | POWER SEMICONDUCTOR MODULE |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2804595C1 (en) * | 2023-05-03 | 2023-10-02 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский авиационный институт (национальный исследовательский университет)" | Method for manufacturing microelectronic unit |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10123443B2 (en) | Semiconductor device | |
| US8934277B2 (en) | Semiconductor system with at least one three-level electric power inverter circuit | |
| JP4277169B2 (en) | Power semiconductor module | |
| US9871465B2 (en) | Semiconductor device including positive, negative and intermediate potential conductor plates | |
| US10811958B2 (en) | Water-cooling power supply module | |
| US9967991B2 (en) | Semiconductor device and busbar | |
| US11532557B2 (en) | Planar power module with spatially interleaved structure | |
| JP2022062235A (en) | Package structure for power devices | |
| US12003188B2 (en) | Modular parallel half-bridge integrated assembly with annular layout | |
| KR20140126668A (en) | 3-level power converter half-bridge | |
| US8675379B2 (en) | Power converting apparatus having improved electro-thermal characteristics | |
| CN113875006A (en) | Three-level power module | |
| US10873267B2 (en) | Three-phase switching unit | |
| JP2005216876A (en) | Power semiconductor module | |
| Kou et al. | Applying GaN HEMTs in conventional housing-type power modules | |
| US5617293A (en) | Bridge module | |
| RU206439U1 (en) | Multichip power module | |
| CN112436737B (en) | Laminated busbar structure suitable for parallel and modular application of discrete devices | |
| CN111277150B (en) | Laminated busbar structure with low parasitic inductance and suitable for device parallel connection | |
| RU148258U1 (en) | MULTI-CRYSTAL POWER MODULE | |
| JP2002171768A (en) | Power converter | |
| CN221177521U (en) | Electronic power device capable of changing topology | |
| Takayanagi et al. | 3.3 kV power module for electric distribution equipment with SiC trench-gate MOSFET | |
| CN114867273B (en) | Power electronic unit | |
| CN220087140U (en) | Three-level power module |