RU2015155191A - Формирование траектории полотна подложки в реакторе атомно-слоевого осаждения - Google Patents
Формирование траектории полотна подложки в реакторе атомно-слоевого осаждения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2015155191A RU2015155191A RU2015155191A RU2015155191A RU2015155191A RU 2015155191 A RU2015155191 A RU 2015155191A RU 2015155191 A RU2015155191 A RU 2015155191A RU 2015155191 A RU2015155191 A RU 2015155191A RU 2015155191 A RU2015155191 A RU 2015155191A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- supporting rollers
- substrate
- paragraphs
- rollers
- reaction
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
- C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Claims (19)
1. Способ атомно-слоевого осаждения, включающий следующие операции:
- формируют для полотна подложки, введенного в реакционную емкость реактора атомно-слоевого осаждения, траекторию с повторяющимся контуром путем перемещения первого комплекта поддерживающих роликов относительно второго комплекта поддерживающих роликов, и
- после формирования указанной траектории поддерживают полотно подложки первым и вторым комплектами поддерживающих роликов.
2. Способ по п. 1, в котором первый комплект поддерживающих роликов перемещают от первой стороны второго комплекта поддерживающих роликов к другой стороне второго комплекта поддерживающих роликов.
3. Способ по п. 2, в котором повторяющимся отрезкам траектории придают форму гофров, продвигая полотно подложки посредством первого комплекта поддерживающих роликов к другой стороне второго комплекта поддерживающих роликов.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором внутри реакционной емкости формируют трехмерный газовый поток, обеспечивающий атомно-слоевое осаждение, при этом объем указанного потока задается крышкой реакционной емкости, боковыми стенками реакционной емкости и полотном подложки, имеющим указанную траекторию.
5. Способ по любому из пп. 1-3, в котором во время осаждения газы из реакционного пространства удаляют по траектории, проходящей через первый комплект поддерживающих роликов.
6. Способ по любому из пп. 1-3, в котором для подачи полотна подложки используют валик, интегрированный в крышку камеры реактора атомно-слоевого осаждения.
7. Способ любому из пп. 1-3, в котором полотно подложки подают в реакционную камеру или в реакционное пространство через крышку реакционной камеры.
8. Реактор атомно-слоевого осаждения, содержащий:
- реакционную емкость, сконфигурированную с образованием реакционного пространства,
- первый комплект поддерживающих роликов и
- второй комплект поддерживающих роликов,
причем первый и второй комплекты поддерживающих роликов выполнены с возможностью формирования, путем перемещения первого комплекта поддерживающих роликов относительно второго комплекта поддерживающих роликов, для введенного в реакционную емкость полотна подложки траектории с повторяющимся контуром, при этом первый и второй комплекты поддерживающих роликов выполнены с возможностью поддерживать полотно подложки после формирования указанной траектории.
9. Реактор по п. 8, содержащий механизм, способный перемещать первый комплект поддерживающих роликов от первой стороны второго комплекта поддерживающих роликов к другой стороне второго комплекта поддерживающих роликов.
10. Реактор по п. 8, в котором первый и второй комплекты поддерживающих роликов выполнены с возможностью придания повторяющимся отрезкам траектории формы гофров путем продвижения полотна подложки первым комплектом поддерживающих роликов к другой стороне второго комплекта поддерживающих роликов.
11. Реактор по любому из пп. 8-10, выполненный с возможностью удалять во время осаждения газы из реакционного пространства по траектории, проходящей через первый комплект поддерживающих роликов.
12. Реактор по любому из пп. 8-10, в котором валик, служащий для подачи полотна подложки, интегрирован с крышкой камеры реактора.
13. Реактор по любому из пп. 8-10, в котором в крышке камеры предусмотрено сквозное отверстие, обеспечивающее возможность подачи полотна подложки в реакционную камеру или реакционное пространство через крышку камеры.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/FI2013/050713 WO2014207289A1 (en) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | Forming a substrate web track in an atomic layer deposition reactor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2015155191A true RU2015155191A (ru) | 2017-07-28 |
Family
ID=52141143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2015155191A RU2015155191A (ru) | 2013-06-27 | 2013-06-27 | Формирование траектории полотна подложки в реакторе атомно-слоевого осаждения |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9745661B2 (ru) |
| EP (1) | EP3013998A4 (ru) |
| JP (1) | JP6243526B2 (ru) |
| KR (1) | KR20160024882A (ru) |
| CN (1) | CN105555998A (ru) |
| RU (1) | RU2015155191A (ru) |
| SG (1) | SG11201509884RA (ru) |
| TW (1) | TW201504471A (ru) |
| WO (1) | WO2014207289A1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5975135B1 (ja) * | 2015-03-31 | 2016-08-23 | ダイキン工業株式会社 | 制御システム |
| EP3990680A4 (en) * | 2019-06-25 | 2023-01-11 | Picosun Oy | SUBSTRATE REAR FACE PROTECTION |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3453847A (en) * | 1966-02-18 | 1969-07-08 | Chase Brass & Copper Co | Sheet guiding and tensioning device |
| JP2552356B2 (ja) * | 1989-04-26 | 1996-11-13 | 日本たばこ産業株式会社 | ダンサロール装置 |
| DE4208577A1 (de) | 1992-03-13 | 1993-09-16 | Mannesmann Ag | Verfahren zum mehrlagigen beschichten von strangfoermigem gut |
| US7060132B2 (en) * | 2000-04-14 | 2006-06-13 | Asm International N.V. | Method and apparatus of growing a thin film |
| EP1479789A1 (fr) | 2003-05-23 | 2004-11-24 | Recherche Et Developpement Du Groupe Cockerill Sambre | Sas d'étanchéité pour ligne de dépôt sous vide sur produit plat |
| US8304019B1 (en) * | 2004-02-19 | 2012-11-06 | Nanosolar Inc. | Roll-to-roll atomic layer deposition method and system |
| ATE507320T1 (de) * | 2006-03-26 | 2011-05-15 | Lotus Applied Technology Llc | Atomlagenabscheidungssystem und verfahren zur beschichtung von flexiblen substraten |
| US20070281089A1 (en) * | 2006-06-05 | 2007-12-06 | General Electric Company | Systems and methods for roll-to-roll atomic layer deposition on continuously fed objects |
| WO2007145513A1 (en) | 2006-06-16 | 2007-12-21 | Fujifilm Manufacturing Europe B.V. | Method and apparatus for atomic layer deposition using an atmospheric pressure glow discharge plasma |
| CN101284608A (zh) * | 2007-02-28 | 2008-10-15 | 应用材料公司 | 入口锁***、织网处理装置及使用其的方法 |
| ATE445720T1 (de) | 2007-02-28 | 2009-10-15 | Applied Materials Inc | Zugangsversperrsystem, netzverarbeitungsanlage und anwendungsverfahren dafür |
| US20090305449A1 (en) * | 2007-12-06 | 2009-12-10 | Brent Bollman | Methods and Devices For Processing A Precursor Layer In a Group VIA Environment |
| US20110076421A1 (en) * | 2009-09-30 | 2011-03-31 | Synos Technology, Inc. | Vapor deposition reactor for forming thin film on curved surface |
| JP5838964B2 (ja) * | 2010-04-09 | 2016-01-06 | 株式会社ニコン | 基板カートリッジ及び基板処理システム |
| TWI541378B (zh) * | 2010-10-16 | 2016-07-11 | 奧特科技公司 | 原子層沉積鍍膜系統及方法 |
| JP5803488B2 (ja) | 2011-09-22 | 2015-11-04 | 凸版印刷株式会社 | 原子層堆積法によるフレキシブル基板への成膜方法及び成膜装置 |
| JP2013082959A (ja) * | 2011-10-07 | 2013-05-09 | Sony Corp | 自己停止反応成膜装置及び自己停止反応成膜方法 |
| JP6119745B2 (ja) * | 2012-05-31 | 2017-04-26 | 凸版印刷株式会社 | 巻き取り成膜装置 |
| CN104364419A (zh) * | 2012-06-15 | 2015-02-18 | 皮考逊公司 | 通过原子层沉积来涂覆衬底卷式基材 |
| WO2013186426A1 (en) * | 2012-06-15 | 2013-12-19 | Picosun Oy | Coating a substrate web by atomic layer deposition |
| TWI627305B (zh) * | 2013-03-15 | 2018-06-21 | 應用材料股份有限公司 | 用於轉盤處理室之具有剛性板的大氣蓋 |
| KR101507557B1 (ko) * | 2013-04-25 | 2015-04-07 | 주식회사 엔씨디 | 대면적 기판용 수평형 원자층 증착장치 |
-
2013
- 2013-06-27 RU RU2015155191A patent/RU2015155191A/ru not_active Application Discontinuation
- 2013-06-27 EP EP13888461.4A patent/EP3013998A4/en not_active Withdrawn
- 2013-06-27 WO PCT/FI2013/050713 patent/WO2014207289A1/en active Application Filing
- 2013-06-27 SG SG11201509884RA patent/SG11201509884RA/en unknown
- 2013-06-27 CN CN201380077818.7A patent/CN105555998A/zh active Pending
- 2013-06-27 JP JP2016522673A patent/JP6243526B2/ja active Active
- 2013-06-27 KR KR1020157036720A patent/KR20160024882A/ko not_active Application Discontinuation
- 2013-06-27 US US14/899,952 patent/US9745661B2/en active Active
-
2014
- 2014-05-22 TW TW103117910A patent/TW201504471A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP3013998A1 (en) | 2016-05-04 |
| WO2014207289A1 (en) | 2014-12-31 |
| SG11201509884RA (en) | 2016-01-28 |
| US9745661B2 (en) | 2017-08-29 |
| CN105555998A (zh) | 2016-05-04 |
| EP3013998A4 (en) | 2017-03-01 |
| TW201504471A (zh) | 2015-02-01 |
| KR20160024882A (ko) | 2016-03-07 |
| US20160138163A1 (en) | 2016-05-19 |
| JP6243526B2 (ja) | 2017-12-06 |
| JP2016529390A (ja) | 2016-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EA201590158A1 (ru) | Процесс фишера-тропша | |
| RU2014152784A (ru) | Покрытие полотна подложки осаждением атомных слоев | |
| JP2012146939A5 (ru) | ||
| RU2013136497A (ru) | Способ и устройство для нанесения жидких реакционных смесей на покрывный слой | |
| WO2012150763A3 (ko) | 연속적인 열처리 화학 기상 증착 방법을 이용한 고품질 그래핀 제조 방법 | |
| EA201690649A1 (ru) | Способ и устройство для удаления двуокиси углерода из топочного газа | |
| GB2516372A (en) | High quality large scale single and multilayer graphene production by chemical vapor deposition | |
| PL2665694T3 (pl) | Sposób wytwarzania 2,3,3,3-tetrafluoropropenu przez fluorowanie pentachloropropanu w fazie gazowej | |
| AR090717A1 (es) | Metodo para la formacion de alotropos de carbono | |
| RU2014152783A (ru) | Покрытие полотна подложки осаждением атомных слоев | |
| WO2009076309A3 (en) | Methods structures and apparatus to provide group via and ia materials for solar cell absorber formation | |
| ES2721659T3 (es) | Aparato para generar 1-metilciclopropeno | |
| GB2496725B (en) | A process for increasing the hydrogen content of a synthesis gas containing one or more sulphur compounds | |
| MX2010001845A (es) | Aparato y metodo para infusion hibrida de piezas alimenticias. | |
| MX2012008452A (es) | Produccion continua de sales cuaternarias de acrilato de n,n-dimetilaminoetilo (dmaea). | |
| GB2592513B (en) | Method for efficiently eliminating graphene wrinkles formed by chemical vapor deposition | |
| RU2015155191A (ru) | Формирование траектории полотна подложки в реакторе атомно-слоевого осаждения | |
| RU2017124639A (ru) | Способ и устройство для атомно-слоевого осаждения | |
| GB201103256D0 (en) | Solid support and method of recovering biological material therefrom | |
| GB201612397D0 (en) | A method for producing a carbon containing product from a gaseous carbon containing educt using microorganisms in a reaction vessel | |
| FR3012446B1 (fr) | Procede de production d'un produit organique a partir d'une charge de matiere carbonee mettant en oeuvre une gazeification suivie d'une fermentation du gaz de synthese. | |
| GB2496724B (en) | A process for increasing the hydrogen content of a synthesis gas containing one or more sulphur compounds | |
| GB2496726B (en) | A process for increasing the hydrogen content of a synthesis gas containing one or more sulphur compounds | |
| WO2012177099A3 (en) | Apparatus and method for deposition | |
| RU2017124606A (ru) | Способ осаждения атомного слоя и устройство, содержащее источник фотонов |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20170913 |