RU2015122133A - Аппарат и устройство отображения - Google Patents

Аппарат и устройство отображения Download PDF

Info

Publication number
RU2015122133A
RU2015122133A RU2015122133A RU2015122133A RU2015122133A RU 2015122133 A RU2015122133 A RU 2015122133A RU 2015122133 A RU2015122133 A RU 2015122133A RU 2015122133 A RU2015122133 A RU 2015122133A RU 2015122133 A RU2015122133 A RU 2015122133A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
display
photovoltaic material
light
backlight
Prior art date
Application number
RU2015122133A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2608976C2 (ru
Inventor
До СЮЙ
Бинь ЛИНЬ
Цзюнь ЛЭЙ
Original Assignee
Сяоми Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сяоми Инк. filed Critical Сяоми Инк.
Publication of RU2015122133A publication Critical patent/RU2015122133A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2608976C2 publication Critical patent/RU2608976C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60—OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F27/00—Combined visual and audible advertising or displaying, e.g. for public address
    • G09F27/007—Displays with power supply provided by solar cells or photocells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0384—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including other non-monocrystalline materials, e.g. semiconductor particles embedded in an insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03925—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including AIIBVI compound materials, e.g. CdTe, CdS
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
    • G02F1/13324—Circuits comprising solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Telephone Set Structure (AREA)

Abstract

1. Аппарат отображения, отличающийся тем, что содержит слой излучения света и отображения и поддерживающий слой;причем слой излучения света и отображения располагается над поддерживающим слоем и используется для отображения изображения за счет излучения света;поддерживающий слой содержит матрицу, образованную фотогальваническим материалом, матрица располагается горизонтально и непосредственно под схемами возбуждения в слое излучения света и отображения, и матрица, образованная фотогальваническим материалом, образует тракт для поглощения света, излучаемого из слоя излучения света и отображения, и его преобразования в ток.2. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что поддерживающий слой выполнен посредством внедрения фотогальванического материала в отражатель.3. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что матрица, образованная фотогальваническим материалом, располагается горизонтально и непосредственно под заранее заданной частью схем возбуждения или всех схем возбуждения в слое излучения света и отображения.4. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что фотогальванический материал является любым одним или комбинацией следующих материалов:аморфного кремния, микрокристаллического кремния, тонкопленочного солнечного элемента из теллурида кадмия и тонкопленочного солнечного элемента.5. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что слой излучения света и отображения содержит слой отображения и слой подсветки;причем слой подсветки располагается под слоем отображения и используется для обеспечения подсветки для слоя отображения;слой отображения используется для управления цветом отображения каждого пикселя согласно схеме возбуждения и

Claims (23)

1. Аппарат отображения, отличающийся тем, что содержит слой излучения света и отображения и поддерживающий слой;
причем слой излучения света и отображения располагается над поддерживающим слоем и используется для отображения изображения за счет излучения света;
поддерживающий слой содержит матрицу, образованную фотогальваническим материалом, матрица располагается горизонтально и непосредственно под схемами возбуждения в слое излучения света и отображения, и матрица, образованная фотогальваническим материалом, образует тракт для поглощения света, излучаемого из слоя излучения света и отображения, и его преобразования в ток.
2. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что поддерживающий слой выполнен посредством внедрения фотогальванического материала в отражатель.
3. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что матрица, образованная фотогальваническим материалом, располагается горизонтально и непосредственно под заранее заданной частью схем возбуждения или всех схем возбуждения в слое излучения света и отображения.
4. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что фотогальванический материал является любым одним или комбинацией следующих материалов:
аморфного кремния, микрокристаллического кремния, тонкопленочного солнечного элемента из теллурида кадмия и тонкопленочного солнечного элемента.
5. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что слой излучения света и отображения содержит слой отображения и слой подсветки;
причем слой подсветки располагается под слоем отображения и используется для обеспечения подсветки для слоя отображения;
слой отображения используется для управления цветом отображения каждого пикселя согласно схеме возбуждения и отображения изображения с подсветкой, обеспеченной слоем подсветки.
6. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что слой излучения
света и отображения содержит катод, отражатель, проводящий слой и анод в порядке сверху вниз,
при подаче напряжения между катодом и анодом, электроны в проводящем слое переносятся к отражателю, и в проводящем слое формируются дырки, затем дырки переносятся к отражателю, рекомбинируют с электронами и высвобождают энергию для излучения света.
7. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что аппарат отображения дополнительно содержит тактильный слой,
тактильный слой располагается над слоем излучения света и отображения и используется для реагирования на сигнал касания.
8. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что, зазоры в матрице, образованной фотогальваническим материалом, полностью отражают заранее заданную часть видимого света.
9. Аппарат по п. 1, отличающийся тем, что матрица, образованная фотогальваническим материалом, получена размещением множественных линейных частей фотогальванического материала в горизонтальном направлении аппарата отображения.
10. Устройство, отличающееся тем, что оно содержит аппарат отображения по любому из пп. 1-9, и устройство принимает и использует ток, выводимый из аппарата отображения.
11. Аппарат отображения, отличающийся тем, что он содержит поддерживающий слой, слой подсветки и слой отображения;
причем слой отображения располагается над слоем подсветки и имеет матрицу, образованную фотогальваническим материалом, матрица однородно образует множественные светопропускающие элементы на горизонтальной плоскости слоя отображения, и матрица, образованная фотогальваническим материалом, образует тракт для поглощения света, излучаемого из слоя подсветки, или окружающего света и преобразует его в ток;
слой подсветки используется для обеспечения источника света для слоя отображения, и поддерживающий слой располагается под слоем подсветки и используется для обеспечения поддержки для слоя отображения и слоя подсветки.
12. Аппарат по п. 11, отличающийся тем, что светопропускающие элементы являются линейными апертурами или
круглыми апертурами.
13. Аппарат по п. 12, отличающийся тем, что слой излучения света и отображения дополнительно содержит микролинзы, каждая из которых соответственно, располагается под каждой линейной апертурой, микролинза используется для фокусировки света, блокируемого фотогальваническим материалом, и его преломления к верхней стороне фотогальванического материала.
14. Аппарат по п. 13, отличающийся тем, что форма микролинзы в виде сверху является линейной формой вдоль линейной апертуры.
15. Аппарат по п. 13, отличающийся тем, что микролинза является любой из следующих линз:
выпуклой в одну сторону линзы, вогнутой в одну сторону линзы, двояковыпуклой линзы, двояковогнутой линзы или симметричной или асимметричной сферической линзы.
16. Аппарат по п. 13, отличающийся тем, что показатель преломления микролинзы является заранее заданным показателем преломления.
17. Аппарат по п. 11, отличающийся тем, что слой отображения содержит верхний поляризатор, фильтр из цветного стекла, стеклянную пластину с тонкопленочными полевыми транзисторами и нижний поляризатор в порядке сверху вниз;
фотогальванический материал внедрен в верхний поляризатор, положение внедрения фотогальванического материала находится непосредственно над заранее заданной частью схем возбуждения или всех схем возбуждения в слое отображения, и светопропускающие элементы формируются в областях верхнего поляризатора кроме положения внедрения.
18. Аппарат по п. 11, отличающийся тем, что фотогальванический материал является любым одним или комбинацией следующих материалов:
аморфного кремния, микрокристаллического кремния, тонкопленочного солнечного элемента из теллурида кадмия и тонкопленочного солнечного элемента.
19. Аппарат по п. 11, отличающийся тем, что поддерживающий слой является отражателем, который используется для отражения света, излучаемого вниз из слоя подсветки.
20. Аппарат по п. 11, отличающийся тем, что аппарат отображения дополнительно содержит тактильный слой,
тактильный слой располагается над слоем отображения и используется для реагирования на сигнал касания.
21. Аппарат по п. 11, отличающийся тем, что светопропускающие элементы прозрачны для заранее заданной части видимого света.
22. Аппарат по п. 11, отличающийся тем, что светопропускающие элементы получены размещением множественных линейных частей фотогальванического материала в горизонтальном направлении аппарата отображения.
23. Устройство, отличающееся тем, что оно содержит аппарат отображения по любому из пп. 11-22, и устройство принимает и использует ток, выводимый из аппарата отображения.
RU2015122133A 2013-02-04 2013-12-31 Аппарат и устройство отображения RU2608976C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310044954.8 2013-02-04
CN201310044954.8A CN103137024B (zh) 2013-02-04 2013-02-04 一种显示装置及一种移动终端
PCT/CN2013/091018 WO2014117621A1 (zh) 2013-02-04 2013-12-31 一种显示装置及一种设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015122133A true RU2015122133A (ru) 2016-12-27
RU2608976C2 RU2608976C2 (ru) 2017-01-30

Family

ID=48496789

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015122133A RU2608976C2 (ru) 2013-02-04 2013-12-31 Аппарат и устройство отображения

Country Status (10)

Country Link
US (1) US9472602B2 (ru)
EP (1) EP2953116B1 (ru)
JP (2) JP6031617B2 (ru)
KR (1) KR101730032B1 (ru)
CN (1) CN103137024B (ru)
BR (1) BR112015015530B1 (ru)
IN (1) IN2015DN03900A (ru)
MX (1) MX341875B (ru)
RU (1) RU2608976C2 (ru)
WO (1) WO2014117621A1 (ru)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103137024B (zh) 2013-02-04 2015-09-09 小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种移动终端
CN103414383B (zh) * 2013-08-30 2016-06-08 惠州Tcl移动通信有限公司 充电模组和电子设备
CN104617227A (zh) * 2013-11-05 2015-05-13 昆山国显光电有限公司 一种有机发光显示装置
CN104752462B (zh) * 2013-12-27 2018-05-29 昆山国显光电有限公司 一种具有触控面板的有机发光二极管显示器
CN103985734B (zh) * 2014-04-16 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示装置及其制作方法
FR3020473B1 (fr) * 2014-04-25 2018-01-12 Sunpartner Technologies Dispositif d'affichage a cellules photovoltaiques integrees avec luminosite et reflectivite ameliorees
FR3027440B1 (fr) * 2014-10-15 2017-05-05 Sunpartner Technologies Module photovoltaique polarisant integrant dans l'ecran d'un dispositif electronique d'affichage
CN105807603B (zh) * 2014-12-30 2019-07-26 联想(北京)有限公司 电子设备
CN104865743B (zh) * 2015-06-23 2018-06-19 武汉华星光电技术有限公司 透反式液晶显示面板和透反式液晶显示器
KR102461536B1 (ko) * 2016-06-14 2022-11-01 삼성전자 주식회사 편광 특성을 갖는 태양 전지 및 이를 구비한 전자 장치
US20180277063A1 (en) * 2017-03-24 2018-09-27 Jessica Augustyniak Solar Powered Display Assembly
CN107132681A (zh) * 2017-07-11 2017-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种显示屏及其制作方法、显示装置
CN107515486A (zh) * 2017-09-28 2017-12-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板和显示装置
CN110112140A (zh) * 2019-04-22 2019-08-09 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
CN110174973B (zh) * 2019-06-18 2022-10-25 京东方科技集团股份有限公司 显示装置、显示面板及其制造方法
KR102322144B1 (ko) * 2020-12-18 2021-11-05 (주)솔라플렉스 태양전지가 결합된 표시패널의 제조방법

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0367382U (ru) * 1989-11-07 1991-07-01
JP4106735B2 (ja) * 1998-04-13 2008-06-25 凸版印刷株式会社 太陽電池付反射型ディスプレイ
JP3983911B2 (ja) * 1998-12-22 2007-09-26 シチズンホールディングス株式会社 液晶表示装置
JP3966638B2 (ja) * 1999-03-19 2007-08-29 株式会社東芝 多色色素増感透明半導体電極部材とその製造方法、多色色素増感型太陽電池、及び表示素子
US6046401A (en) * 1999-03-25 2000-04-04 Mccabe; Joseph Christopher Display device integrated into a photovoltaic panel
US6356031B1 (en) * 2000-05-03 2002-03-12 Time Warner Entertainment Co, Lp Electroluminescent plastic devices with an integral thin film solar cell
EP1187213A3 (en) * 2000-09-06 2006-05-31 Eastman Kodak Company Power generating display device
US6452088B1 (en) * 2001-04-16 2002-09-17 Airify Communications, Inc. Power generating display
JP4442151B2 (ja) * 2003-07-25 2010-03-31 セイコーエプソン株式会社 発光装置、照明装置、表示装置、及び電子機器
US6967700B2 (en) 2003-11-03 2005-11-22 Motorola, Inc. Sequential full color display and photocell device
JP2005197613A (ja) * 2004-01-09 2005-07-21 Sony Corp 表示装置および電子応用装置
US7522329B2 (en) * 2005-08-22 2009-04-21 Konarka Technologies, Inc. Displays with integrated photovoltaic cells
US20070102035A1 (en) * 2005-10-31 2007-05-10 Xiai (Charles) Yang Method and Structure for Integrated Solar Cell LCD Panel
CN100476537C (zh) 2005-11-29 2009-04-08 中华映管股份有限公司 背光模块与液晶显示器
JP2008145835A (ja) * 2006-12-12 2008-06-26 Sony Corp 自発光型表示装置、ホワイトバランス調整回路およびホワイトバランス調整方法
JP5215559B2 (ja) * 2006-12-27 2013-06-19 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 表示装置
CN101387790A (zh) * 2007-09-13 2009-03-18 精碟科技股份有限公司 液晶显示装置
US8058549B2 (en) * 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
JP5209727B2 (ja) * 2007-10-19 2013-06-12 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 一体型光起電力デバイスを有するディスプレイ
JP5184240B2 (ja) * 2008-07-18 2013-04-17 セイコーインスツル株式会社 表示装置
CN101340471A (zh) * 2008-07-22 2009-01-07 广州壹鹏电器科技有限公司 基于显示屏的太阳能手机
US7956282B2 (en) * 2008-09-15 2011-06-07 High Power Opto, Inc. Photoelectric conversion element
CN101685218B (zh) 2008-09-24 2012-04-04 北京京东方光电科技有限公司 液晶显示面板阵列基板及其制造方法
KR20100090971A (ko) * 2009-02-09 2010-08-18 삼성전자주식회사 후면 수광 이미지 센서 및 이의 제조 방법
JP2010230797A (ja) * 2009-03-26 2010-10-14 Seiko Epson Corp 表示装置、および電子機器
CN101520584B (zh) * 2009-03-30 2012-06-27 昆山龙腾光电有限公司 液晶显示面板、液晶显示装置及其制造方法
US8294858B2 (en) * 2009-03-31 2012-10-23 Intel Corporation Integrated photovoltaic cell for display device
KR101631907B1 (ko) 2009-08-26 2016-06-20 엘지전자 주식회사 이동 단말기
JP2013047700A (ja) * 2009-12-24 2013-03-07 Sharp Corp 液晶表示装置、照明装置ユニットおよび太陽電池
KR101156434B1 (ko) * 2010-01-05 2012-06-18 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2011164252A (ja) * 2010-02-08 2011-08-25 Sony Corp 表示装置、偏光板、および偏光板の製造方法
JP5569049B2 (ja) * 2010-03-11 2014-08-13 株式会社リコー 電子機器、表示装置、画像処理装置及び電子計算装置
US20110284053A1 (en) * 2010-05-22 2011-11-24 Richard Allen Brewer Rainyday volts 24/7
CN103155176A (zh) * 2010-06-07 2013-06-12 森普留斯公司 具有离轴图像显示的光伏器件
CN101900898B (zh) 2010-07-08 2011-12-14 友达光电股份有限公司 光电池整合液晶显示器及光电池整合平面显示器
TW201217858A (en) * 2010-10-29 2012-05-01 Au Optronics Corp Liquid crystal display integrated with solar cell module
KR20120055086A (ko) * 2010-11-23 2012-05-31 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치
US8629472B2 (en) * 2010-12-02 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR20120072472A (ko) * 2010-12-24 2012-07-04 엘지이노텍 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
AU2012213330B2 (en) * 2011-01-31 2015-05-07 Garmin Switzerland Gmbh Display device with integrated photovoltaic cells and improved brightness
FR2971879B1 (fr) * 2011-02-18 2015-11-20 Wysips Dispositif d'affichage avec cellules photovoltaiques integrees, a luminosite amelioree
JP2013020176A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Nec Casio Mobile Communications Ltd 液晶表示装置および発電方法
US8859346B2 (en) * 2012-07-20 2014-10-14 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Method for manufacturing array substrate with embedded photovoltaic cell
CN102759816B (zh) * 2012-08-02 2015-09-09 深圳市华星光电技术有限公司 具有光伏电池的液晶显示模组的制作方法及其制得的液晶显示模组
CN103137024B (zh) * 2013-02-04 2015-09-09 小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种移动终端
CN203351134U (zh) * 2013-02-04 2013-12-18 北京小米科技有限责任公司 一种显示装置及一种设备

Also Published As

Publication number Publication date
MX2015007110A (es) 2015-10-12
CN103137024B (zh) 2015-09-09
US20150364528A1 (en) 2015-12-17
IN2015DN03900A (ru) 2015-10-02
RU2608976C2 (ru) 2017-01-30
EP2953116A1 (en) 2015-12-09
US9472602B2 (en) 2016-10-18
WO2014117621A1 (zh) 2014-08-07
JP2016505874A (ja) 2016-02-25
KR101730032B1 (ko) 2017-04-25
BR112015015530A2 (pt) 2017-07-11
MX341875B (es) 2016-09-05
KR20150079757A (ko) 2015-07-08
EP2953116B1 (en) 2019-11-27
EP2953116A4 (en) 2016-10-19
JP6031617B2 (ja) 2016-11-24
JP2017083835A (ja) 2017-05-18
BR112015015530B1 (pt) 2021-12-21
CN103137024A (zh) 2013-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015122133A (ru) Аппарат и устройство отображения
RU2585312C2 (ru) Дисплейное устройство повышенной яркости с интегрированными фотогальваническими элементами
US8632201B2 (en) Display device with integrated photovoltaic cells, with improved luminosity
ATE504086T1 (de) Fotovoltaikvorrichtung mit verbesserter lichtsammlung
CN104617227A (zh) 一种有机发光显示装置
JP2010212204A (ja) Ｅｌ素子、表示装置、ディスプレイ装置及び液晶ディスプレイ装置
TW200939868A (en) Organic light-emitting diode display device
US20190250481A1 (en) Electronic paper display screen, method for driving the same, and electronic paper display device
TW201715744A (zh) 聚光型太陽光發電單元、聚光型太陽光發電模組、聚光型太陽光發電面板及聚光型太陽光發電裝置
WO2018126846A1 (zh) 光学压力触控器件及制备方法、触控显示装置
US20080115830A1 (en) Test device for solar concentrator module
US9711673B2 (en) Display device with photovoltaic cells integrated into the screen and improved screen luminosity and reflectivity
US9960306B2 (en) Condensing photoelectric conversion apparatus and system
KR20090016881A (ko) 엘이디 교통 신호등의 시인성 향상 장치
RU2014133096A (ru) Устройство для направленного активного проецирования
TW200931130A (en) Structure for increasing the light usage ratio and luminance of display
CN102889517B (zh) 可减少背光阴影的背光模块
TW201144911A (en) Backlight module
CN215722784U (zh) 一种光学模块和面板照明灯具
KR20130109490A (ko) 태양광 발전장치
KR20110077624A (ko) 백라이트 유닛과 이를 이용한 액정 표시장치
CN211293440U (zh) 一种lcos微型显示器用长工作距目镜
CN102708807A (zh) 一种可实现主动发光与被动发光相互切换的电子纸
US20150036322A1 (en) Backlight module
TW201413987A (zh) 顯示裝置