RU2013132154A - Пакетная конструкция источника света, способ ее изготовления и жидкокристаллический дисплей - Google Patents
Пакетная конструкция источника света, способ ее изготовления и жидкокристаллический дисплей Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013132154A RU2013132154A RU2013132154/28A RU2013132154A RU2013132154A RU 2013132154 A RU2013132154 A RU 2013132154A RU 2013132154/28 A RU2013132154/28 A RU 2013132154/28A RU 2013132154 A RU2013132154 A RU 2013132154A RU 2013132154 A RU2013132154 A RU 2013132154A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- light source
- light
- source according
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 7
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 63
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 26
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract 24
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims abstract 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 2
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims 2
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133621—Illuminating devices providing coloured light
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/1336—Illuminating devices
- G02F1/133602—Direct backlight
- G02F1/133603—Direct backlight with LEDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
1. Пакетная конструкция источника света, содержащая:первую подложку, представляющую собой светопропускающее стекло;вторую подложку, перекрывающуюся первой подложкой;первое смоляное тело в форме рамы, которое расположено между первой подложкой и второй подложкой и соединено с первой подложкой и второй подложкой, с созданием вместе с первой подложкой и второй подложкой первого разреженного пространства;фотолюминесцентное изделие, расположенное в первом разреженном пространстве; ислой наполнителя с пропусканием света, полностью помещенный в первое разреженное пространство и обволакивающий фотолюминесцентное изделие.2. Пакетная конструкция источника света по п.1, отличающаяся тем, что вторая подложка представляет собой светопропускающее стекло.3. Пакетная конструкция источника света по п.2, отличающаяся тем, что фотолюминесцентное изделие содержит первый слой порошкового люминофора, который нанесен в виде покрытия на одной поверхности второй подложки или первой подложки.4. Пакетная конструкция источника света по п.2, отличающаяся тем, что фотолюминесцентное изделие содержит первый слой порошкового люминофора, который подмешен в первый слой наполнителя.5. Пакетная конструкция источника света по п.2, отличающаяся тем, что фотолюминесцентное изделие содержит первый слой порошкового люминофора, причем первый слой порошкового люминофора образован блоками порошкового люминофора с разными диапазонами длин волн излучаемого света, и блоки порошкового люминофора с разными диапазонами длин волн излучаемого света расположены с интервалами.6. Пакетная конструкция источника света по п.2, отличающаяся тем, что до�
Claims (27)
1. Пакетная конструкция источника света, содержащая:
первую подложку, представляющую собой светопропускающее стекло;
вторую подложку, перекрывающуюся первой подложкой;
первое смоляное тело в форме рамы, которое расположено между первой подложкой и второй подложкой и соединено с первой подложкой и второй подложкой, с созданием вместе с первой подложкой и второй подложкой первого разреженного пространства;
фотолюминесцентное изделие, расположенное в первом разреженном пространстве; и
слой наполнителя с пропусканием света, полностью помещенный в первое разреженное пространство и обволакивающий фотолюминесцентное изделие.
2. Пакетная конструкция источника света по п.1, отличающаяся тем, что вторая подложка представляет собой светопропускающее стекло.
3. Пакетная конструкция источника света по п.2, отличающаяся тем, что фотолюминесцентное изделие содержит первый слой порошкового люминофора, который нанесен в виде покрытия на одной поверхности второй подложки или первой подложки.
4. Пакетная конструкция источника света по п.2, отличающаяся тем, что фотолюминесцентное изделие содержит первый слой порошкового люминофора, который подмешен в первый слой наполнителя.
5. Пакетная конструкция источника света по п.2, отличающаяся тем, что фотолюминесцентное изделие содержит первый слой порошкового люминофора, причем первый слой порошкового люминофора образован блоками порошкового люминофора с разными диапазонами длин волн излучаемого света, и блоки порошкового люминофора с разными диапазонами длин волн излучаемого света расположены с интервалами.
6. Пакетная конструкция источника света по п.2, отличающаяся тем, что дополнительно содержит
модуль источника света, который расположен на одной стороне второй подложки противоположно первому разреженному пространству, излучающий свет в сторону фотолюминесцентного изделия и первой подложки, причем фотолюминесцентное изделие содержит первый слой порошкового люминофора.
7. Пакетная конструкция источника света по п.6, отличающаяся тем, что модуль источника света представляет собой светодиодный модуль типа Top View (с верхним излучением) или светодиодный модуль типа Side View (с боковым излучением).
8. Пакетная конструкция источника света по п.6, отличающаяся тем, что модуль источника света содержит:
третью подложку;
второе смоляное тело в форме рамы, расположенное между второй подложкой и третьей подложкой и соединенное со второй подложкой и третьей подложкой, охватывая вместе со второй подложкой и третьей подложкой второе разреженное пространство;
первый светопропускающий слой цепи, плоско помещенный на третьей подложке и расположенный во втором разреженном пространстве;
первый светодиодный модуль, расположенный на первом светопропускающем слое цепи и электрически соединенный с первым светопропускающим слоем цепи; и
второй слой наполнителя, полностью введенный во второе разреженное пространство и обволакивающий первый светодиодный модуль.
9. Пакетная конструкция источника света по п.8, отличающаяся тем, что модуль источника света дополнительно содержит:
первый отражающий слой, расположенный на одной боковой стороне третьей подложки, обращенной к первой подложке; и
первый изолирующий слой, помещенный между первым отражающим слоем и первым светопропускающим слоем цепи.
10. Пакетная конструкция источника света по п.8, отличающаяся тем, что первый светодиодный модуль содержит светодиодные чипы с разными цветами излучаемого света.
11. Пакетная конструкция источника света по п.1, отличающаяся тем, что фотолюминесцентное изделие представляет собой второй светодиодный модуль, а вторая подложка представляет собой светопропускающее стекло, металлическую пластинку, керамическую пластинку или кремниевую подложку.
12. Пакетная конструкция источника света по п.11, отличающаяся тем, что дополнительно содержит:
второй светопропускающий слой цепи, плоско помещенный на второй подложке или первой подложке, причем второй светодиодный модуль расположен на втором светопропускающем слое цепи и электрически соединен со вторым светопропускающим слоем цепи.
13. Пакетная конструкция источника света по п.12, отличающаяся тем, что дополнительно содержит:
второй отражающий слой, расположенный на одной боковой стороне второй подложки, обращенной к первой подложке; и
второй изолирующий слой, помещенный между вторым отражающим слоем и вторым светопропускающим слоем цепи.
14. Пакетная конструкция источника света по п.13, отличающаяся тем, что второй отражающий слой содержит:
материал основы, непосредственно уложенный на одну поверхность второй подложки; и
отражающую пленку, расположенную непосредственно между материалом основы и вторым изолирующим слоем.
15. Пакетная конструкция источника света по п.11, отличающаяся тем, что фотолюминесцентное изделие дополнительно содержит второй слой порошкового люминофора.
16. Пакетная конструкция источника света по п.15, отличающаяся тем, что второй светодиодный модуль расположен между вторым слоем порошкового люминофора и вторым светопропускающим слоем цепи.
17. Пакетная конструкция источника света по п.11, отличающаяся тем, что второй светодиодный модуль содержит светодиодные чипы с разными цветами излучаемого света.
18. Пакетная конструкция источника света по п.8, отличающаяся тем, что первое смоляное тело в форме рамы и второе смоляное тело в форме рамы представляют собой смолу, полимеризующуюся при нагревании, или смолу, полимеризуемую светом.
19. Пакетная конструкция источника света по п.8, отличающаяся тем, что первый слой наполнителя и второй слой наполнителя представляют собой жидкокристаллическую молекулярную жидкость, силиконовое масло или силикагель.
20. Жидкокристаллический дисплей, содержащий:
пакетную конструкцию источника света по п.1; и
жидкокристаллическую панель, содержащую верхнюю подложку и жидкокристаллический слой, причем жидкокристаллический слой расположен непосредственно между первой подложкой и верхней подложкой.
21. Жидкокристаллический дисплей по п.20, отличающийся тем, что жидкокристаллическая панель дополнительно содержит:
цветной светофильтр, который расположен на одной стороне верхней подложки удален от жидкокристаллического слоя и содержит красную пиксельную решетку, зеленую пиксельную решетку и синюю пиксельную решетку; и
первый слой порошкового люминофора содержит блок порошкового люминофора с диапазоном длин волн красного света, блок порошкового люминофора с диапазоном длин волн зеленого света и блок порошкового люминофора с диапазоном длин волн синего света, отделенные друг от друга,
причем блок порошкового люминофора с диапазоном длин волн красного света непосредственно обращен к красной пиксельной решетке, блок порошкового люминофора с диапазоном длин волн зеленого света непосредственно обращен к зеленой пиксельной решетке, а блок порошкового люминофора с диапазоном длин волн синего света непосредственно обращен к синей пиксельной решетке.
22. Способ изготовления пакетной конструкции источника света, предусматривающий:
обеспечение первой подложки и второй подложки;
формирование на поверхности второй подложки слоя смолы, причем слой смолы содержит закрытую зону с отверстием;
нанесение первой подложки в виде покрытия на вторую подложку таким образом, чтобы замкнуть внутреннее пространство между слоем смолы, первой подложкой и второй подложкой;
полимеризацию слоя смолы;
введение через отверстие во внутреннее пространство наполнителя; и
запечатывание отверстия, чтобы герметизировать наполнитель во внутреннем пространстве.
23. Способ изготовления пакетной конструкции источника света по п.22, отличающийся тем, что после того, как на поверхности второй подложки образуют слой смолы, способ дополнительно предусматривает:
образование непосредственно на поверхности первой подложки или второй подложки слоя порошкового люминофора таким образом, что после того, как первую подложку наносят в виде покрытия на вторую подложку, слой порошкового люминофора расположен во внутреннем пространстве.
24. Способ изготовления пакетной конструкции источника света по п.22, отличающийся тем, что предусматривает:
образование на второй подложке светопропускающего слоя цепи; и
расположение светодиодного модуля на светопропускающем слое цепи, причем светодиодный модуль электрически соединяют со светопропускающим слоем цепи.
25. Способ изготовления пакетной конструкции источника света по п.24, отличающийся тем, что после того, как на поверхности второй подложки образуют слой смолы, дополнительно предусматривающий:
образование на светодиодном модуле слоя порошкового люминофора таким образом, что после того, как первую подложку наносят в виде покрытия на вторую подложку, светодиодный модуль располагают между слоем порошкового люминофора и светопропускающим слоем цепи.
26. Способ изготовления пакетной конструкции источника света по п.22, отличающийся тем, что стадия введения во внутреннее пространство через отверстие наполнителя дополнительно предусматривает:
поддержание внутреннего пространства в состоянии вакуумного отрицательного давления, и введение наполнителя во внутреннее пространство за счет состояния вакуумного отрицательного давления.
27. Способ изготовления пакетной конструкции источника света по п.22, отличающийся тем, что в качестве наполнителя используют жидкокристаллическую молекулярную жидкость, силиконовое масло или жидкий силикагель.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011100234960A CN102593311A (zh) | 2011-01-17 | 2011-01-17 | 光源封装结构及其制作方法及液晶显示器 |
| CN201110023496.0 | 2011-01-17 | ||
| PCT/CN2011/084379 WO2012097660A1 (zh) | 2011-01-17 | 2011-12-22 | 光源封装结构及其制作方法及液晶显示器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013132154A true RU2013132154A (ru) | 2015-02-27 |
Family
ID=46481704
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013132154/28A RU2013132154A (ru) | 2011-01-17 | 2011-12-22 | Пакетная конструкция источника света, способ ее изготовления и жидкокристаллический дисплей |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130300984A1 (ru) |
| CN (1) | CN102593311A (ru) |
| RU (1) | RU2013132154A (ru) |
| WO (1) | WO2012097660A1 (ru) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102102011B1 (ko) * | 2012-09-04 | 2020-04-17 | 가부시키가이샤 노리타께 캄파니 리미티드 | Led 소자 탑재용 기판, led 광원 및 led 디스플레이 |
| FI20126259L (fi) * | 2012-12-03 | 2014-08-04 | Lumichip Ltd | Hermeettisesti suljettu optoelektroninen komponentti |
| TWI520383B (zh) * | 2013-10-14 | 2016-02-01 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體封裝結構 |
| CN103943033B (zh) * | 2014-04-02 | 2017-02-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种透明显示设备 |
| CN105271837A (zh) * | 2014-07-24 | 2016-01-27 | 黄家军 | 一种液体封边的真空玻璃 |
| CN105271836A (zh) * | 2014-07-24 | 2016-01-27 | 黄家军 | 一种真空玻璃液体封边方法 |
| US9698134B2 (en) * | 2014-11-27 | 2017-07-04 | Sct Technology, Ltd. | Method for manufacturing a light emitted diode display |
| CN106646687B (zh) * | 2016-11-21 | 2018-09-11 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 提高光学膜组件可靠性的方法及结构 |
| JP7085894B2 (ja) * | 2018-05-17 | 2022-06-17 | スタンレー電気株式会社 | 発光機能を備えた光透過プレートおよびその製造方法 |
| CN107565000B (zh) * | 2017-09-14 | 2018-08-28 | 海迪科（南通）光电科技有限公司 | 一种具有双层荧光粉层的led封装结构及其封装方法 |
| CN109471299A (zh) * | 2018-11-22 | 2019-03-15 | 京东方科技集团股份有限公司 | 光源、显示模组和照明装置 |
| TWI692100B (zh) * | 2019-07-04 | 2020-04-21 | 宏碁股份有限公司 | 微型發光顯示器及其製造方法 |
| CN112259529B (zh) * | 2019-07-22 | 2023-05-12 | 宏碁股份有限公司 | 微型发光显示器及其制造方法 |
| CN113725340A (zh) * | 2021-08-31 | 2021-11-30 | 錼创显示科技股份有限公司 | 微型发光二极管显示设备 |
| DE102022104459A1 (de) * | 2022-02-24 | 2023-08-24 | Ams-Osram International Gmbh | Optoelektronische leuchtvorrichtung und verfahren |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3187589B2 (ja) * | 1993-02-08 | 2001-07-11 | 三菱電機株式会社 | 平板型光源及びその製造方法 |
| TW452952B (en) * | 2000-03-30 | 2001-09-01 | Delta Optoelectronics Inc | Packaging method of electro-luminescent device |
| US8272758B2 (en) * | 2005-06-07 | 2012-09-25 | Oree, Inc. | Illumination apparatus and methods of forming the same |
| WO2007055407A1 (ja) * | 2005-11-11 | 2007-05-18 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 共役高分子化合物およびそれを用いた高分子発光素子 |
| JP2007240690A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| WO2009008210A1 (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-15 | C.I. Kasei Company, Limited | 発光装置 |
| KR101577300B1 (ko) * | 2008-10-28 | 2015-12-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양자점을 이용한 백색광 발광다이오드 구조 및 이를 포함하는 백라이트 어셈블리 |
| TWI407595B (zh) * | 2008-12-16 | 2013-09-01 | Gio Optoelectronics Corp | 發光裝置的製造方法 |
-
2011
- 2011-01-17 CN CN2011100234960A patent/CN102593311A/zh active Pending
- 2011-12-22 WO PCT/CN2011/084379 patent/WO2012097660A1/zh active Application Filing
- 2011-12-22 RU RU2013132154/28A patent/RU2013132154A/ru not_active Application Discontinuation
-
2013
- 2013-07-17 US US13/944,700 patent/US20130300984A1/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012097660A1 (zh) | 2012-07-26 |
| US20130300984A1 (en) | 2013-11-14 |
| CN102593311A (zh) | 2012-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013132154A (ru) | Пакетная конструкция источника света, способ ее изготовления и жидкокристаллический дисплей | |
| TWI604239B (zh) | 顏色轉換基板、其製造方法及包含其之顯示裝置 | |
| TWI518948B (zh) | To enhance the luminous angle of the small size of the LED package to improve the structure | |
| JP5422599B2 (ja) | 発光ダイオードパッケージ構造およびその製造方法 | |
| TWI695521B (zh) | Led封裝結構及其製造方法 | |
| WO2016138693A1 (zh) | 白光led、背光模块及液晶显示装置 | |
| CN105938869A (zh) | 双层结构芯片级封装光源及其制造方法 | |
| CN106981562A (zh) | 量子点led封装结构 | |
| TW201142355A (en) | Composite film for light emitting apparatus, light emitting apparatus and method for fabricating the same | |
| KR20120009686A (ko) | 양자점 시트를 이용한 발광 다이오드 패키지, 양자점 시트를 이용한 백라이트 유닛 및 이들의 제조방법 | |
| KR101555954B1 (ko) | 발광 다이오드의 색변환용 기판 및 그 제조방법 | |
| JP2021044554A (ja) | 耐湿性チップスケールパッケージ発光素子 | |
| CN105977244A (zh) | 一种可调色温的csp封装器件及其封装方法 | |
| CN108767100A (zh) | 背光模组及其制作方法 | |
| KR101102237B1 (ko) | 엘이디 패키지, 엘이디 패키지의 제조방법, 및 백라이트 유니트와 조명장치 | |
| KR101641205B1 (ko) | 발광각도 조절이 가능한 형광필름이 구비된 led 조명 모듈 제조 방법 | |
| CN106170873A (zh) | 发光二极管的颜色转换基板及其制造方法 | |
| US20170244009A1 (en) | Substrate for color conversion of light-emitting diode and manufacturing method therefor | |
| CN102157668A (zh) | 发光二极管的荧光粉封装结构及其封装方法 | |
| US9893248B2 (en) | Substrate for changing color of light emitting diode and method for producing same | |
| CN206992144U (zh) | Led封装结构 | |
| TWI429113B (zh) | 光源封裝結構及其製作方法及液晶顯示器 | |
| KR101607305B1 (ko) | 광학특성 조정형 발광다이오드 모듈의 제조방법 | |
| CN106471631B (zh) | 发光器件封装 | |
| TWM544123U (zh) | 發光二極體封裝結構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20150126 |