RU2013105449A - Солнечная батарея и способ ее изготовления - Google Patents

Солнечная батарея и способ ее изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2013105449A
RU2013105449A RU2013105449/28A RU2013105449A RU2013105449A RU 2013105449 A RU2013105449 A RU 2013105449A RU 2013105449/28 A RU2013105449/28 A RU 2013105449/28A RU 2013105449 A RU2013105449 A RU 2013105449A RU 2013105449 A RU2013105449 A RU 2013105449A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
forming
film
semiconductor substrate
type semiconductor
diffusion layer
Prior art date
Application number
RU2013105449/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2626053C2 (ru
Inventor
Такенори ВАТАБЕ
Хироюки ОЦУКА
Original Assignee
Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд. filed Critical Син-Эцу Кемикал Ко., Лтд.
Publication of RU2013105449A publication Critical patent/RU2013105449A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2626053C2 publication Critical patent/RU2626053C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Способ изготовления солнечных батарей, содержащий этапы:формирования пленки SiNx поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа;формирования диффузионного слоя p-типа поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа после стадии формирования пленки SiNx иформирования поверх диффузионного слоя p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiOили пленки оксида алюминия.2. Способ по п.1, причем толщина пленки SiNx составляет по меньшей мере 50 нм.3. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап формирования текстуры на первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа, после этапа формирования пленки SiNx и перед этапом формирования диффузионного слоя.4. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап формирования противоотражательной пленки поверх пассивирующей пленки.5. Способ изготовления солнечных батарей, содержащий этапы:формирования диффузионного слоя n-типа поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа;формирования пленки SiNx поверх диффузионного слоя n-типа иформирования поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiOили пленки оксида алюминия, после этапа формирования пленки SiNx.6. Способ по п.5, причем толщина пленки SiNx, составляет по меньшей мере 50 нм.7. Способ по п.5, дополнительно содержащий этап формирования текстуры на первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа после стадии формирования пленки SiNx и перед стадией формирования пассивирующей пленки.8. Способ по п.5, дополнительно содержащий этап формирования противоотражательной пленки поверх пассивир�

Claims (10)

1. Способ изготовления солнечных батарей, содержащий этапы:
формирования пленки SiNx поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа;
формирования диффузионного слоя p-типа поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа после стадии формирования пленки SiNx и
формирования поверх диффузионного слоя p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия.
2. Способ по п.1, причем толщина пленки SiNx составляет по меньшей мере 50 нм.
3. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап формирования текстуры на первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа, после этапа формирования пленки SiNx и перед этапом формирования диффузионного слоя.
4. Способ по п.1, дополнительно содержащий этап формирования противоотражательной пленки поверх пассивирующей пленки.
5. Способ изготовления солнечных батарей, содержащий этапы:
формирования диффузионного слоя n-типа поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа;
формирования пленки SiNx поверх диффузионного слоя n-типа и
формирования поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия, после этапа формирования пленки SiNx.
6. Способ по п.5, причем толщина пленки SiNx, составляет по меньшей мере 50 нм.
7. Способ по п.5, дополнительно содержащий этап формирования текстуры на первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа после стадии формирования пленки SiNx и перед стадией формирования пассивирующей пленки.
8. Способ по п.5, дополнительно содержащий этап формирования противоотражательной пленки поверх пассивирующей пленки.
9. Солнечная батарея, содержащая:
пленку SiNx, сформированную поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа;
диффузионный слой p-типа, сформированный поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа; и
пассивирующую пленку, сформированную поверх диффузионного слоя p-типа и состоящую из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия,
солнечную батарею изготавливают посредством способа изготовления солнечной батареи по п.1.
10. Солнечная батарея, содержащая:
диффузионный слой n-типа, сформированный поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа;
пленку SiNx, сформированную поверх диффузионного слоя n-типа;
и
пассивирующую пленку, сформированную поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки p-типа и состоящую из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия,
солнечную батарею изготавливают посредством способа изготовления солнечных батарей по п.5.
RU2013105449A 2012-02-10 2013-02-08 Солнечная батарея и способ ее изготовления RU2626053C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012-027297 2012-02-10
JP2012027297A JP2013165160A (ja) 2012-02-10 2012-02-10 太陽電池の製造方法及び太陽電池

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2013105449A true RU2013105449A (ru) 2014-08-27
RU2626053C2 RU2626053C2 (ru) 2017-07-21

Family

ID=47665952

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013105449A RU2626053C2 (ru) 2012-02-10 2013-02-08 Солнечная батарея и способ ее изготовления

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9871156B2 (ru)
EP (2) EP2626914B1 (ru)
JP (1) JP2013165160A (ru)
KR (1) KR102120147B1 (ru)
CN (1) CN103247715B (ru)
AU (1) AU2013200622B2 (ru)
RU (1) RU2626053C2 (ru)
SG (1) SG193088A1 (ru)
TW (1) TWI550890B (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2013117118A (ru) 2010-09-16 2014-10-27 Спекмет, Инк. Способ, процесс и технология изготовления высокоэффективных недорогих кристаллических кремниевых солнечных элементов
DE102013218351A1 (de) * 2013-09-13 2015-03-19 Robert Bosch Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle
CN106415783B (zh) * 2014-03-18 2020-03-20 斯派克迈特股份有限公司 氧化物层的工艺和制造技术
US10619097B2 (en) 2014-06-30 2020-04-14 Specmat, Inc. Low-[HF] room temperature wet chemical growth (RTWCG) chemical formulation
CN105185851A (zh) * 2015-09-06 2015-12-23 浙江晶科能源有限公司 一种背面钝化太阳能电池及其制备方法
JP6810753B2 (ja) * 2016-04-01 2021-01-06 中国科学院蘇州納米技術与納米▲ファン▼生研究所 黒リン結晶及びその製造方法、光電検出器、二次元黒リンｐｎ接合及びその製造方法並びに使用
JP2018006423A (ja) * 2016-06-28 2018-01-11 日立化成株式会社 パッシベーション層形成用組成物、パッシベーション層付半導体基板、パッシベーション層付半導体基板の製造方法、太陽電池素子、太陽電池素子の製造方法、及び太陽電池
CN106784058A (zh) * 2016-11-22 2017-05-31 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 一种黑硅太阳能电池结构及其制作工艺
CN106449787A (zh) * 2016-11-22 2017-02-22 浙江昱辉阳光能源江苏有限公司 一种旋涂硼酸盐扩散层的太阳能电池及其制作工艺
RU2683941C1 (ru) * 2018-03-30 2019-04-03 ООО "Инжиниринговый центр микроспутниковых компетенций" Полупроводниковая солнечная батарея на основе концентратора из фоточувствительных зеркальных полупрозрачных металлических электродов с использованием термоэлектрического преобразования

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2122259C1 (ru) * 1993-06-07 1998-11-20 Хецель Проф.Др.Рудольф Способ изготовления солнечного элемента и солнечный элемент
JP2661676B2 (ja) 1994-09-06 1997-10-08 株式会社日立製作所 太陽電池
JP3158028B2 (ja) 1995-07-25 2001-04-23 シャープ株式会社 太陽電池及びその製造方法
JP3578539B2 (ja) * 1996-02-08 2004-10-20 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池構造
JPH10229211A (ja) 1997-02-18 1998-08-25 Hitachi Ltd 光電変換装置およびその製造方法
JP2002270869A (ja) 2001-03-12 2002-09-20 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池
JP2004006565A (ja) 2002-04-16 2004-01-08 Sharp Corp 太陽電池とその製造方法
JP2003347567A (ja) 2002-05-23 2003-12-05 Sharp Corp 半導体デバイスおよびその製造方法
JP2004193350A (ja) * 2002-12-11 2004-07-08 Sharp Corp 太陽電池セルおよびその製造方法
JP4118187B2 (ja) * 2003-05-09 2008-07-16 信越半導体株式会社 太陽電池の製造方法
JP2005327871A (ja) 2004-05-13 2005-11-24 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池及びその製造方法
JP2006024757A (ja) 2004-07-08 2006-01-26 Shin Etsu Handotai Co Ltd 太陽電池および太陽電池の製造方法
CN101199060B (zh) * 2005-06-22 2010-12-22 京瓷株式会社 太阳电池元件和太阳电池元件的制造方法
WO2007060744A1 (ja) * 2005-11-28 2007-05-31 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha 太陽電池セルおよびその製造方法
EP2087527A1 (en) 2006-12-01 2009-08-12 Sharp Kabushiki Kaisha Solar cell and method for manufacturing the same
JP5117770B2 (ja) * 2007-06-12 2013-01-16 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
JP5277485B2 (ja) 2007-12-13 2013-08-28 シャープ株式会社 太陽電池の製造方法
WO2010025262A2 (en) * 2008-08-27 2010-03-04 Applied Materials, Inc. Back contact solar cells using printed dielectric barrier
CN102239565B (zh) * 2008-12-02 2016-04-06 三菱电机株式会社 太阳能电池单元的制造方法
DE102009005168A1 (de) * 2009-01-14 2010-07-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle aus einem Siliziumsubstrat
CN101478009B (zh) * 2009-01-20 2011-08-17 浙江竞日太阳能有限公司 一种背接触式太阳能电池及其制作方法
JP2010232530A (ja) * 2009-03-27 2010-10-14 Sharp Corp 光電変換素子の製造方法および光電変換素子
US20100275995A1 (en) * 2009-05-01 2010-11-04 Calisolar, Inc. Bifacial solar cells with back surface reflector
KR101139459B1 (ko) * 2009-08-27 2012-04-30 엘지전자 주식회사 태양전지 및 그 제조방법
CN102770924A (zh) * 2009-09-17 2012-11-07 纳幕尔杜邦公司 含有纳米级锌添加剂的厚膜导电组合物
EP3806165B1 (en) 2009-09-18 2023-11-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Solar cell and method for manufacturing solar cell
KR20110077924A (ko) * 2009-12-30 2011-07-07 삼성전자주식회사 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN101853898A (zh) * 2010-03-31 2010-10-06 晶澳(扬州)太阳能光伏工程有限公司 一种n型晶体硅太阳电池的制备工艺
US20120024336A1 (en) * 2010-07-27 2012-02-02 Jeong-Mo Hwang Charge control of solar cell passivation layers
TW201213265A (en) * 2010-08-06 2012-04-01 Du Pont Conductive paste for a solar cell electrode
TWM403102U (en) * 2010-10-22 2011-05-01 Neo Solar Power Corp Semiconductor substrate
CN102176474B (zh) * 2011-03-16 2012-12-12 常州天合光能有限公司 一膜多用的掩膜法制备的n型太阳能电池及其制备方法
CN102231412A (zh) * 2011-07-21 2011-11-02 友达光电股份有限公司 太阳能电池的制作方法
KR101295552B1 (ko) * 2011-11-16 2013-08-12 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
TWI550890B (zh) 2016-09-21
JP2013165160A (ja) 2013-08-22
AU2013200622A1 (en) 2013-08-29
KR20130092494A (ko) 2013-08-20
EP3712968A1 (en) 2020-09-23
EP2626914A3 (en) 2016-03-16
AU2013200622B2 (en) 2015-01-22
CN103247715B (zh) 2018-01-02
EP2626914B1 (en) 2020-12-09
EP2626914A2 (en) 2013-08-14
RU2626053C2 (ru) 2017-07-21
US20130206229A1 (en) 2013-08-15
CN103247715A (zh) 2013-08-14
EP3712968B1 (en) 2023-01-18
KR102120147B1 (ko) 2020-06-08
US9871156B2 (en) 2018-01-16
TW201351672A (zh) 2013-12-16
SG193088A1 (en) 2013-09-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013105449A (ru) Солнечная батарея и способ ее изготовления
WO2011012382A3 (en) Silicon wafer based structure for heterostructure solar cells
WO2012044978A3 (en) High efficiency solar cell device with gallium arsenide absorber layer
EP4287272A3 (en) Solar cell and method for manufacturing solar cell
WO2011087878A3 (en) Manufacture of thin film solar cells with high conversion efficiency
WO2011011864A8 (en) Solar cell and method of fabrication thereof
WO2009025502A3 (en) Solar cell having porous structure and method for fabrication thereof
EP2713403A3 (en) Solar cell and method of manufacturing the same
JP2011135053A5 (ru)
WO2011091959A8 (de) Verfahren zur lokalen hochdotierung und kontaktierung einer halbleiterstruktur, welche eine solarzelle oder eine vorstufe einer solarzelle ist
WO2012134061A3 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
WO2011043609A3 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
JP2013211461A5 (ru)
CN104916710A (zh) 一种高pid抗性的高效多晶多层钝化减反射膜结构
CN106505050B (zh) 一种半导体器件复合钝化膜及其制备方法
WO2011126209A3 (ko) Pn접합 및 쇼트키 접합을 갖는 다중 태양 전지 및 이의 제조 방법
WO2011160814A3 (en) Method for creating a passivated boron-doped region, especially during production of a solar cell, and solar cell with passivated boron-diffused region
WO2011116762A3 (de) Herstellungsverfahren einer halbleitersolarzelle
EP2662904A3 (en) Solar cell, method for manufacturing dopant layer, and method for manufacturing solar cell
WO2012065957A3 (en) Improved a-si:h absorber layer for a-si single- and multijunction thin film silicon solar cell
WO2008090788A1 (ja) 窒化物半導体素子、窒化物半導体パッケージおよび窒化物半導体素子の製造方法
CN203895468U (zh) 一种抗pid 效应的太阳能电池片
TWI573286B (zh) 太陽能電池的製造方法
CN203562433U (zh) 晶体硅太阳能电池的薄膜钝化结构
JP2013191657A5 (ru)