RU2012141588A - Устройство накопления заряда, способ его изготовления, способ изготовления электропроводящей структуры для устройства, мобильное электронное устройство, использующее устройство, и микроэлектронное устройство, содержащее устройство - Google Patents

Устройство накопления заряда, способ его изготовления, способ изготовления электропроводящей структуры для устройства, мобильное электронное устройство, использующее устройство, и микроэлектронное устройство, содержащее устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2012141588A
RU2012141588A RU2012141588/07A RU2012141588A RU2012141588A RU 2012141588 A RU2012141588 A RU 2012141588A RU 2012141588/07 A RU2012141588/07 A RU 2012141588/07A RU 2012141588 A RU2012141588 A RU 2012141588A RU 2012141588 A RU2012141588 A RU 2012141588A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
charge storage
storage device
nanostructures
electrically conductive
conductive structure
Prior art date
Application number
RU2012141588/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2553981C2 (ru
Inventor
Дональд С. ГАРДНЕР
Эрик К. ХАННА
Жун ЧЭН
Джон Л. ГУСТАФСОН
Original Assignee
Интел Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Интел Корпорейшн filed Critical Интел Корпорейшн
Publication of RU2012141588A publication Critical patent/RU2012141588A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2553981C2 publication Critical patent/RU2553981C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/005—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/84—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof
    • H01G11/86—Processes for the manufacture of hybrid or EDL capacitors, or components thereof specially adapted for electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/24—Electrodes characterised by structural features of the materials making up or comprised in the electrodes, e.g. form, surface area or porosity; characterised by the structural features of powders or particles used therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/26—Electrodes characterised by their structure, e.g. multi-layered, porosity or surface features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/22—Electrodes
    • H01G11/30—Electrodes characterised by their material
    • H01G11/32—Carbon-based
    • H01G11/36—Nanostructures, e.g. nanofibres, nanotubes or fullerenes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/52—Separators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G11/00—Hybrid capacitors, i.e. capacitors having different positive and negative electrodes; Electric double-layer [EDL] capacitors; Processes for the manufacture thereof or of parts thereof
    • H01G11/54—Electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G2/00—Details of capacitors not covered by a single one of groups H01G4/00-H01G11/00
    • H01G2/02—Mountings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/004—Details
    • H01G9/04—Electrodes or formation of dielectric layers thereon
    • H01G9/048—Electrodes or formation of dielectric layers thereon characterised by their structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H01L28/60—Electrodes
    • H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Abstract

1. Устройство накопления заряда, содержащее:первую электропроводящую структуру и вторую электропроводящую структуру, отделенные друг от друга электрическим изолятором,при этом:по меньшей мере одна электропроводящая структура из первой электропроводящей структуры и второй электропроводящей структуры содержит пористую структуру, содержащую множество каналов; икаждый из каналов имеет отверстие на поверхности пористой структуры.2. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:наименьший размер каждого из каналов составляет не менее 2 нанометров.3. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:наименьший размер каждого из каналов составляет не более 1 микрометра.4. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:пористая структура состоит из материала, выбранного из группы, содержащей кремний, германий, карбид кремния, кремний-германий, алюминий, вольфрам и медь.5. Устройство накопления заряда по п.1, дополнительно содержащее:электропроводящее покрытие по меньшей мере на участке пористой структуры и по меньшей мере в некоторых каналах.6. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:пористая структура содержит легирующую примесь.7. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:электрический изолятор содержит диэлектрический материал.8. Устройство накопления заряда по п.1, дополнительно содержащее:электролит, находящийся в физическом контакте с пористой структурой,при этом:электрический изолятор представляет собой двойной слой, созданный за счет наличия электролита.9. Устройство накопления заряда по п.8, в котором:электролит представляет собой органический электролит.10. Устройство накопления заряда по п.8, допо�

Claims (54)

1. Устройство накопления заряда, содержащее:
первую электропроводящую структуру и вторую электропроводящую структуру, отделенные друг от друга электрическим изолятором,
при этом:
по меньшей мере одна электропроводящая структура из первой электропроводящей структуры и второй электропроводящей структуры содержит пористую структуру, содержащую множество каналов; и
каждый из каналов имеет отверстие на поверхности пористой структуры.
2. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
наименьший размер каждого из каналов составляет не менее 2 нанометров.
3. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
наименьший размер каждого из каналов составляет не более 1 микрометра.
4. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
пористая структура состоит из материала, выбранного из группы, содержащей кремний, германий, карбид кремния, кремний-германий, алюминий, вольфрам и медь.
5. Устройство накопления заряда по п.1, дополнительно содержащее:
электропроводящее покрытие по меньшей мере на участке пористой структуры и по меньшей мере в некоторых каналах.
6. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
пористая структура содержит легирующую примесь.
7. Устройство накопления заряда по п.1, в котором:
электрический изолятор содержит диэлектрический материал.
8. Устройство накопления заряда по п.1, дополнительно содержащее:
электролит, находящийся в физическом контакте с пористой структурой,
при этом:
электрический изолятор представляет собой двойной слой, созданный за счет наличия электролита.
9. Устройство накопления заряда по п.8, в котором:
электролит представляет собой органический электролит.
10. Устройство накопления заряда по п.8, дополнительно содержащее:
между электролитом и пористой структурой материал, имеющий диэлектрическую проницаемость, значение которой составляет по меньшей мере 3,9.
11. Устройство накопления заряда по п.1, дополнительно содержащее:
наноструктуры, расположенные в пределах по меньшей мере некоторых каналов пористой структуры.
12. Устройство накопления заряда по п.11, дополнительно содержащее:
электропроводящее покрытие по меньшей мере на участке по меньшей мере некоторых наноструктур.
13. Устройство накопления заряда по п.11, дополнительно содержащее:
электролит, находящийся в физическом контакте с пористой структурой.
14. Устройство накопления заряда по п.13, в котором:
по меньшей мере некоторые наноструктуры покрыты материалом, не допускающим электрохимическую реакцию между наноструктурами и электролитом.
15. Устройство накопления заряда по п.13, в котором:
материал является одним материалом из ртути, галлия и галлия-индия-олова;
при этом материал образует монослой на поверхности наноструктур.
16. Устройство накопления заряда по п.11, в котором:
по меньшей мере некоторые наноструктуры содержат легирующую примесь.
17. Устройство накопления заряда, содержащее:
множество дискретных наноструктур; и
электролит, находящийся в физическом контакте по меньшей мере с некоторыми наноструктурами.
18. Устройство накопления заряда по п.17, дополнительно содержащее:
материал между электролитом и наноструктурами, имеющий диэлектрическую проницаемость, значение которой составляет по меньшей мере 3,9.
19. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
по меньшей мере некоторые наноструктуры покрыты материалом, не допускающим электрохимической реакции между наноструктурами и электролитом.
20. Устройство накопления заряда по п.19, в котором:
материалом является ртуть;
причем ртуть образует монослой на поверхности наноструктур.
21. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
электролит представляет собой органический электролит.
22. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
наноструктуры представляют собой наночастицы.
23. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
наноструктуры представляют собой нанопровода.
24. Устройство накопления заряда по п.23, в котором:
нанопровода изготовлены, по меньшей мере частично, из кремния.
25. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
наноструктуры представляют собой углеродные нанотрубки.
26. Устройство накопления заряда по п.17, в котором:
первый поднабор указанного множества дискретных наноструктур образует первый электрод устройства накопления заряда.
27. Устройство накопления заряда по п.26, в котором:
второй поднабор указанного множества дискретных наноструктур образует второй электрод устройства накопления заряда;
при этом устройство накопления заряда дополнительно содержит разделитель между первым электродом и вторым электродом.
28. Способ изготовления электропроводящей структуры для устройства накопления заряда, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают раствор, содержащий множество наноструктур в растворителе;
наносят раствор на подложку;
подвергают отжигу раствор и подложку для формирования электропроводящей структуры.
29. Способ по п.28, в котором:
растворитель представляет собой фоторезист.
30. Способ по п.29, в котором:
на этапе нанесения фоторезиста наносят кругами фоторезист на подложку.
31. Способ по п.30, в котором:
на этапе нанесения фоторезиста кругами создают множество волокон, по меньшей мере некоторые из которых имеют длину по меньшей мере 500 микрометров.
32. Способ по п.28, в котором:
наноструктуры являются наночастицами.
33. Способ по п.28, в котором:
наноструктуры являются углеродными нанотрубками.
34. Способ по п.28, дополнительно содержащий этап, на котором:
формируют диэлектрический материал по меньшей мере на некоторых наноструктурах.
35. Способ изготовления устройства накопления заряда, содержащий этапы, на которых:
обеспечивают электропроводящую структуру, имеющую первую секцию и вторую секцию; и
помещают разделитель между первой секцией и второй секцией, причем разделитель выполнен с возможностью переноса ионного заряда; и
помещают электролит в физический контакт с электропроводящей структурой.
36. Способ по п.35, дополнительно содержащий этап, на котором:
создают канавку между первой секцией и второй секцией посредством травления,
при этом:
на этапе помещения разделителя между первой секцией и второй секцией помещают разделитель в канавку.
37. Способ по п.35, в котором:
на этапе обеспечения электропроводящей структуры:
обеспечивают раствор, содержащий множество наноструктур в растворителе;
наносят раствор на подложку; и
подвергают отжигу раствор и подложку для формирования электропроводящей структуры.
38. Мобильное электронное устройство, содержащее:
микропроцессор; и
устройство накопления заряда, связанное с микропроцессором,
при этом:
устройство накопления заряда содержит первую электропроводящую структуру и вторую электропроводящую структуру, отделенные друг от друга электрическим изолятором; и
по меньшей мере одна электропроводящая структура из первой электропроводящей структуры и второй электропроводящей структуры содержит пористую структуру, содержащую множество каналов.
39. Мобильное электронное устройство по п.38, в котором:
устройство накопления заряда представляет собой одно из множества устройств накопления заряда; а
мобильное электронное устройство дополнительно содержит переключательную схему, связанную с устройствами для накопления заряда.
40. Мобильное электронное устройство по п.39, дополнительно содержащее:
сеть датчиков, связанную с устройствами накопления заряда.
41. Мобильное электронное устройство по п.40, дополнительно содержащее:
блок регулировки напряжения, связанный с сетью датчиков и с устройствами накопления заряда.
42. Мобильное электронное устройство по п.41, дополнительно содержащее:
датчик температуры, связанный с устройствами накопления заряда.
43. Мобильное электронное устройство, содержащее:
микропроцессор; и
устройство накопления заряда, содержащее:
множество наноструктур; и
электролит, находящийся в физическом контакте по меньшей мере с некоторыми наноструктурами.
44. Мобильное электронное устройство по п.43, в котором:
устройство накопления заряда представляет собой одно из множества устройств накопления заряда; а
мобильное электронное устройство дополнительно содержит переключательную схему, связанную с устройствами накопления заряда.
45. Мобильное электронное устройство по п.44, в котором:
переключательная схема выполнена с возможностью конфигурировать множество устройств накопления заряда так, чтобы компенсировать снижение напряжения в устройстве накопления заряда.
46. Мобильное электронное устройство по п.44, дополнительно содержащее:
сеть датчиков, связанную с устройствами накопления заряда.
47. Мобильное электронное устройство по п.46, дополнительно содержащее:
блок регулировки напряжения, связанный с сетью датчиков и с устройствами накопления заряда.
48. Мобильное электронное устройство по п.44, дополнительно содержащее:
датчик температуры, связанный с устройствами накопления заряда.
49. Микроэлектронное устройство, содержащее:
подложку;
микропроцессор, расположенный на подложке; и
устройство накопления заряда, связанное с микропроцессором,
при этом:
устройство накопления заряда содержит первую электропроводящую структуру и вторую электропроводящую структуру, отделенные друг от друга электрическим изолятором; и
по меньшей мере одна электропроводящая структура из первой электропроводящей структуры и второй электропроводящей структуры содержит пористую структуру, содержащую множество каналов.
50. Микроэлектронное устройство по п.49, в котором:
устройство накопления заряда расположено на подложке.
51. Микроэлектронное устройство по п.49, в котором:
устройство накопления заряда расположено на микропроцессоре.
52. Микроэлектронное устройство, содержащее:
подложку;
процессор, расположенный на подложке; и
устройство накопления заряда, связанное с микропроцессором,
при этом:
устройство накопления заряда содержит множество наноструктур и электролит, находящийся в физическом контакте по меньшей мере с некоторыми наноструктурами.
53. Микроэлектронное устройство по п.52, в котором:
устройство накопления заряда расположено на подложке.
54. Микроэлектронное устройство по п.52, в котором:
устройство накопления заряда расположено на микропроцессоре.
RU2012141588/07A 2010-04-02 2010-04-02 Устройство накопления заряда, способ его изготовления, способ изготовления электропроводящей структуры для устройства, мобильное электронное устройство, использующее устройство, и микроэлектронное устройство, содержащее устройство RU2553981C2 (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/US2010/029821 WO2011123135A1 (en) 2010-04-02 2010-04-02 Charge storage device, method of making same, method of making an electrically conductive structure for same, mobile electronic device using same, and microelectronic device containing same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012141588A true RU2012141588A (ru) 2014-04-10
RU2553981C2 RU2553981C2 (ru) 2015-06-20

Family

ID=44712548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012141588/07A RU2553981C2 (ru) 2010-04-02 2010-04-02 Устройство накопления заряда, способ его изготовления, способ изготовления электропроводящей структуры для устройства, мобильное электронное устройство, использующее устройство, и микроэлектронное устройство, содержащее устройство

Country Status (9)

Country Link
US (3) US9013861B2 (ru)
EP (1) EP2553696A4 (ru)
JP (1) JP5743353B2 (ru)
KR (1) KR101495971B1 (ru)
CN (1) CN102906834B (ru)
CA (2) CA2936222A1 (ru)
RU (1) RU2553981C2 (ru)
SG (1) SG184302A1 (ru)
WO (1) WO2011123135A1 (ru)

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2936222A1 (en) * 2010-04-02 2011-10-06 Intel Corporation Charge storage device, method of making same, method of making an electrically conductive structure for same, mobile electronic device using same, and microelectronic device containing same
RU2578676C2 (ru) * 2011-09-30 2016-03-27 Интел Корпорейшн Способ повышения удельной энергии и достижимой выходной мощности устройства накопления энергии
US9409767B2 (en) 2011-11-03 2016-08-09 Intel Corporation Energy storage structure, method of manufacturing a support structure for same, and microelectronic assembly and system containing same
EP2788997A4 (en) * 2011-12-08 2015-11-04 Intel Corp ENERGY STORAGE DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING POROUS STRUCTURE THEREFOR, AND MICROELECTRONIC ASSEMBLY AND SYSTEM CONTAINING THE DEVICE
DE112011105957T5 (de) 2011-12-14 2014-08-21 Intel Corporation Überwinden von Abweichung bei gestapelten Kondensatoren
CN103988271B (zh) * 2011-12-21 2017-12-12 英特尔公司 将储能器件集成到衬底上以用于微电子和移动设备
IN2014CN03385A (ru) 2011-12-27 2015-07-03 Intel Corp
DE112012005912T5 (de) * 2012-02-21 2014-12-04 Intel Corporation Energiespeichergerät, Verfahren der Herstellung desselben und mobiles Elektronikgerät, dasselbe enthaltend
WO2013128082A1 (en) 2012-02-28 2013-09-06 Teknologian Tutkimuskeskus Vtt Integrable electrochemical capacitor
CN104205624B (zh) 2012-03-30 2018-05-15 英特尔公司 具有电解电容器的低频转换器
CN104170037B (zh) * 2012-04-25 2018-12-11 英特尔公司 能量存储设备、制造其的方法以及包含其的移动电子设备
GB2501871B8 (en) * 2012-05-03 2022-08-17 Dyson Technology Ltd Hybrid Capacitor
GB201212051D0 (en) * 2012-07-06 2012-08-22 Zyk S A Energy storage apparatus
WO2014022282A1 (en) * 2012-07-31 2014-02-06 Shamrock Energy Corporation Breakdown inhibitors for electrochemical cells
US9025313B2 (en) * 2012-08-13 2015-05-05 Intel Corporation Energy storage devices with at least one porous polycrystalline substrate
US9093226B2 (en) * 2012-09-17 2015-07-28 Intel Corporation Energy storage device, method of manufacturing same, and mobile electronic device containing same
US9206523B2 (en) * 2012-09-28 2015-12-08 Intel Corporation Nanomachined structures for porous electrochemical capacitors
US9466662B2 (en) * 2012-12-28 2016-10-11 Intel Corporation Energy storage devices formed with porous silicon
US9928966B2 (en) * 2012-12-28 2018-03-27 Intel Corporation Nanostructured electrolytic energy storage devices
US8816465B1 (en) 2013-02-22 2014-08-26 Intel Corporation Energy conversion and storage device and mobile electronic device containing same
US9396883B2 (en) * 2013-04-26 2016-07-19 Intel Corporation Faradaic energy storage device structures and associated techniques and configurations
US9959983B2 (en) * 2013-06-28 2018-05-01 Intel Corporation Robust porous electrodes for energy storage devices
US9484576B2 (en) 2013-06-28 2016-11-01 Intel Corporation Particle-based silicon electrodes for energy storage devices
US10319535B2 (en) 2013-09-27 2019-06-11 Intel Corporation High voltage high power energy storage devices, systems, and associated methods
TWI621278B (zh) * 2013-12-17 2018-04-11 瑞典商Ｇｌｏ公司 具有應變改質表面活性區域之第三族氮化物奈米線ｌｅｄ及其製造方法
US9640332B2 (en) * 2013-12-20 2017-05-02 Intel Corporation Hybrid electrochemical capacitor
US9882086B2 (en) 2014-08-12 2018-01-30 Glo Ab III-nitride nanowire LED with strain modified surface active region and method of making thereof
CN107683516A (zh) 2014-10-17 2018-02-09 芬兰国家技术研究中心股份公司 适合用作超级电容器的本体的坯件、超级电容器以及制造多孔硅卷的方法
CN104900849A (zh) * 2015-07-02 2015-09-09 中国科学院电子学研究所 一种在三维立柱阵列表面形成多孔结构的方法
DE102016220685A1 (de) 2016-10-21 2018-04-26 Robert Bosch Gmbh Elektrode mit elektrisch leitendem Netzwerk auf Aktivmaterialstrukturen
KR102154216B1 (ko) * 2017-09-18 2020-09-09 주식회사 아모그린텍 터치 스크린 패널용 기판, 이를 포함하는 터치 스크린 패널 및 이의 제조 방법
US11664172B2 (en) * 2018-03-30 2023-05-30 The Research Foundation For The State University Of New York Performance of capacitors
JP7444561B2 (ja) 2019-08-08 2024-03-06 株式会社東芝 アルミニウム電解コンデンサ、電気機器、及びアルミニウム電解コンデンサの製造方法
EP3796351B1 (en) * 2019-09-17 2021-11-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. Low defect high capacitance thin solid electrolyte capacitor and method of fabrication thereof

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5832769B2 (ja) 1977-09-08 1983-07-15 松下電器産業株式会社 電解コンデンサ
JPS5832769A (ja) 1981-08-20 1983-02-25 松下電工株式会社 マツサ−ジ機
JPH01246812A (ja) 1988-03-29 1989-10-02 Asahi Glass Co Ltd 電気二重層コンデンサ
US4882649A (en) 1988-03-29 1989-11-21 Texas Instruments Incorporated Nitride/oxide/nitride capacitor dielectric
US5711988A (en) 1992-09-18 1998-01-27 Pinnacle Research Institute, Inc. Energy storage device and its methods of manufacture
JP3689948B2 (ja) * 1994-12-27 2005-08-31 旭硝子株式会社 電気二重層キャパシタ
US6197450B1 (en) * 1998-10-22 2001-03-06 Ramot University Authority For Applied Research & Industrial Development Ltd. Micro electrochemical energy storage cells
AT408288B (de) 2000-05-10 2001-10-25 Funktionswerkstoffe Forschungs Mehrschichtige elektrode
US6643119B2 (en) 2001-11-02 2003-11-04 Maxwell Technologies, Inc. Electrochemical double layer capacitor having carbon powder electrodes
US6833983B2 (en) 2002-02-11 2004-12-21 Intel Corporation Current limiting super capacitor charger
JP2003286017A (ja) 2002-03-28 2003-10-07 Mitsubishi Gas Chem Co Inc 配向性カーボンナノチューブ膜の転写方法
EP1411533A1 (en) 2002-10-09 2004-04-21 Asahi Glass Company, Limited Electric double layer capacitor and process for its production
EP1434242B1 (en) * 2002-12-27 2010-11-24 Panasonic Corporation Capacitor and method for producing the same, and circuit board with a built-in capacitor and method for producing the same
DE10333550B4 (de) * 2003-07-23 2006-06-14 Epcos Ag Elektrochemischer Doppelschichtkondensator und Verfahren zur Imprägnierung eines Doppelschichtkondensators
JP4305832B2 (ja) 2003-07-29 2009-07-29 キヤノンアネルバ株式会社 多重極型質量分析計
US20070002525A1 (en) 2003-08-27 2007-01-04 Showa Denko K.K. Sheet for capacitor electrodes, method and apparatus for manufacturing the same, and electrolytic capacitors
US7393604B2 (en) 2003-09-15 2008-07-01 Intel Corporation Hybrid power system and method
KR101036378B1 (ko) 2003-10-10 2011-05-23 히다치 훈마츠 야킨 가부시키가이샤 전기 이중층 캐패시터용 전극과 그의 제조 방법, 및 전기이중층 캐패시터, 및 도전성 접착제
JP4371979B2 (ja) * 2003-10-10 2009-11-25 ジャパンゴアテックス株式会社 電気二重層キャパシタ用電極、および電気二重層キャパシタ、並びに導電性接着剤
JP2005142381A (ja) * 2003-11-07 2005-06-02 Nec Tokin Corp 電気二重層コンデンサ及びその製造方法
US7541782B2 (en) 2004-03-30 2009-06-02 Intel Corporation System and method for extracting energy from an ultracapacitor
US7050291B2 (en) 2004-03-31 2006-05-23 Intel Corporation Integrated ultracapacitor as energy source
TWI255314B (en) 2004-05-28 2006-05-21 Ming-Hsin Sun Energy storage device manufacturing method that enhances manufacturing efficiency and product reliability
JP4972854B2 (ja) * 2004-06-18 2012-07-11 株式会社Ｉｈｉ 電極及び電極の製造方法
IL164017A0 (en) 2004-09-09 2005-12-18 Cerel Ceramic Technologies Ltd Solid electrolyte capacitor with controlled properties and method for manufacturing the same
WO2006056964A2 (en) 2004-11-26 2006-06-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electrochemical energy source, electronic module, electronic device, and method for manufacturing of said energy source
JP5153056B2 (ja) * 2004-12-24 2013-02-27 パナソニック株式会社 カーボンナノファイバを含む、非水電解質二次電池用または電気二重層キャパシタ用複合集電体および電極の製造法
JP4811712B2 (ja) 2005-11-25 2011-11-09 独立行政法人産業技術総合研究所 カーボンナノチューブ・バルク構造体及びその製造方法
KR100762797B1 (ko) * 2005-12-28 2007-10-02 한국전기연구원 에너지 저장 장치의 전극 및 그 제조방법
EP2038218A1 (en) 2006-05-31 2009-03-25 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Porous electrically conductive carbon material and uses thereof
CN100490033C (zh) * 2006-06-05 2009-05-20 厦门大学 基于液相中的电化学活性物质的超级电容器
US20080014504A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 Adrian Schneuwly Method of making and article of manufacture for an energy storage electrode apparatus
KR100892382B1 (ko) * 2006-08-25 2009-04-10 광주과학기술원 캐패시터용 탄소나노튜브 전극의 제조방법
KR100806872B1 (ko) * 2006-10-12 2008-02-22 삼성전자주식회사 전기 습윤 현상을 이용한 가변 커패시터
GB2443221A (en) * 2006-10-25 2008-04-30 Nanotecture Ltd Hybrid supercapacitor comprising double layer electrode and redox electrode
US8116067B2 (en) * 2006-10-31 2012-02-14 Wisconsin Alumni Research Foundation Nanoporous insulating oxide electrolyte membrane ultracapacitor, button cell, stacked cell and coiled cell and methods of manufacture and use thereof
TWI317016B (en) * 2006-11-08 2009-11-11 Nat Univ Tsing Hua Multifunctional nano-probe interface structure for neural prostheses and manufacturing method thereof
RU2483383C2 (ru) * 2006-11-27 2013-05-27 ЮНИВЕРСАЛ СУПЕРКАПАСИТОРЗ ЭлЭлСи Электрод для использования в электрохимическом конденсаторе с двойным электрическим слоем (варианты)
WO2008124167A1 (en) * 2007-04-10 2008-10-16 The Regents Of The University Of California Charge storage devices containing carbon nanotube films as electrodes and charge collectors
JP2008269827A (ja) * 2007-04-17 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電気化学素子の電極材料およびその製造方法並びにそれを用いた電極極板および電気化学素子
US8081418B2 (en) * 2007-06-05 2011-12-20 California Institute Of Technology Low temperature double-layer capacitors
US8134220B2 (en) * 2007-06-22 2012-03-13 Nantero Inc. Two-terminal nanotube devices including a nanotube bridge and methods of making same
CN101471181A (zh) * 2007-12-28 2009-07-01 财团法人工业技术研究院 复合型电容
DE102008011523A1 (de) * 2008-02-26 2009-08-27 Varta Microbattery Gmbh Dreidimensionale Mikrobatterie und Verfahren zu deren Herstellung
US8558324B2 (en) * 2008-05-06 2013-10-15 Korea Institute Of Science And Technology Composite dielectric thin film, capacitor and field effect transistor using the same, and each fabrication method thereof
WO2009148977A1 (en) 2008-06-04 2009-12-10 Seeo, Inc Supercapacitors with block copolymer electrolytes
US8183121B2 (en) * 2009-03-31 2012-05-22 Sandisk 3D Llc Carbon-based films, and methods of forming the same, having dielectric filler material and exhibiting reduced thermal resistance
CA2936222A1 (en) 2010-04-02 2011-10-06 Intel Corporation Charge storage device, method of making same, method of making an electrically conductive structure for same, mobile electronic device using same, and microelectronic device containing same

Also Published As

Publication number Publication date
CN102906834B (zh) 2016-03-16
KR101495971B1 (ko) 2015-02-25
CA2936222A1 (en) 2011-10-06
KR20120135298A (ko) 2012-12-12
RU2553981C2 (ru) 2015-06-20
SG184302A1 (en) 2012-11-29
CA2794714A1 (en) 2011-10-06
JP5743353B2 (ja) 2015-07-01
US9013861B2 (en) 2015-04-21
JP2013524504A (ja) 2013-06-17
CA2794714C (en) 2017-01-17
EP2553696A4 (en) 2016-07-06
US9368290B2 (en) 2016-06-14
WO2011123135A1 (en) 2011-10-06
US20130016452A1 (en) 2013-01-17
CN102906834A (zh) 2013-01-30
US20160268065A1 (en) 2016-09-15
EP2553696A1 (en) 2013-02-06
US20150187515A1 (en) 2015-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012141588A (ru) Устройство накопления заряда, способ его изготовления, способ изготовления электропроводящей структуры для устройства, мобильное электронное устройство, использующее устройство, и микроэлектронное устройство, содержащее устройство
RU2488552C2 (ru) Покрытие и электрическое устройство, его содержащее
Zhang et al. Rosin-enabled ultraclean and damage-free transfer of graphene for large-area flexible organic light-emitting diodes
Li et al. Stamping fabrication of flexible planar micro‐supercapacitors using porous graphene inks
Lüssem et al. Vertical organic transistors
US7732290B2 (en) Carbon nanotube transistor process with transferred carbon nanotubes
US10373766B2 (en) Method of producing a super-capacitor
JP2019083288A (ja) 熱電素子の製造方法
WO2008024674A1 (en) Concentric gate nanotube transistor devices
CN105810746A (zh) N型薄膜晶体管
CN105810748A (zh) N型薄膜晶体管
Gao et al. Encapsulate-and-peel: fabricating carbon nanotube CMOS integrated circuits in a flexible ultra-thin plastic film
WO2014139652A1 (en) Electrochemically-gated field-effect transistor, method for its manufacture, its use, and electronics comprising said field- effect transistor
Kılçık et al. Study on preparation of graphene oxide thin film layers: the electrical and dielectric characteristics of Au/GO/n-type Si junction structures
SA518391957B1 (ar) خلية شمسية تشتمل على حبيبات من مادة مطلية شبه موصلة وطريقة لتصنيع الخلية الشمسية
US10037896B2 (en) Electro-assisted transfer and fabrication of wire arrays
CN105810587A (zh) N型薄膜晶体管的制备方法
US10418490B2 (en) Field effect transistor and manufacturing method thereof
CN105097429B (zh) 碳纳米管复合膜的制备方法
CN102629665B (zh) 制作晶体管的方法、晶体管、阵列基板以及显示器
CN105810747B (zh) N型薄膜晶体管
CN115244719A (zh) 发电元件、发电装置、电子设备以及发电元件的制造方法
CN107369651B (zh) 互补场效应晶体管及其制备方法和像素电路
US10170629B2 (en) Field-effect transistor and the manufacturing method
KR20110019550A (ko) 광기전 소자 및 그 제작 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180403