RU2012126C1 - Emitter follower - Google Patents

Abstract

FIELD: electrical engineering. SUBSTANCE: follower has two bipolar transistors 1 and 2, current source 4, current reflector 3 and additional bipolar transistors 5. EFFECT: expanded load current range. 1 dwg

Description

Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в электронных схемах различного назначения. The invention relates to electrical engineering and can be used in electronic circuits for various purposes.

Цель изобретения - расширение диапазона тока в нагрузке. The purpose of the invention is the expansion of the current range in the load.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема эмиттерного повторителя. The drawing shows a circuit diagram of an emitter follower.

Устройство содержит биполярные транзисторы 1 и 2, отражатель 3 тока, источник 4 тока и биполярные транзисторы 5, 6 и 7. The device contains bipolar transistors 1 and 2, a current reflector 3, a current source 4 and bipolar transistors 5, 6 and 7.

Эмиттерный повторитель работает следующим образом. The emitter follower works as follows.

При появлении на входе схемы, например, положительной полуволны транзисторы 1 и 7 закрываются, ток источника 4 поступает в базу транзистора 2, который усиливается и передается в нагрузку. При отрицательной полуволне транзисторы 1 и 7 открыты, транзистор 2 закрывается и коллекторный ток транзистора 1 поступает на вход отражателя 3 тока, который передает его в нагрузку. When a positive half-wave appears at the input of the circuit, for example, transistors 1 and 7 close, the current of source 4 enters the base of transistor 2, which is amplified and transmitted to the load. When the negative half-wave transistors 1 and 7 are open, the transistor 2 is closed and the collector current of the transistor 1 is fed to the input of the current reflector 3, which transfers it to the load.

У известного устройства максимальный отрицательный ток нагрузки ограничен значением
I_н.мах = I_о К_отр где I_н.мах - максимальный отрицательный ток нагрузки;
I_о - ток источника 4 тока;
К_отр - коэффициент передачи тока отражателя 3 тока.In a known device, the maximum negative load current is limited to
I = I _{n.mah about} K _{Neg n.mah} where I - the maximum negative load current;
I _about - current source 4 current;
To _OTR - current transfer coefficient of the current reflector 3.

У предлагаемого устройства отрицательный ток нагрузки ограничен только параметрами транзисторов 1 и 7 и имеет большую величину. For the proposed device, the negative load current is limited only by the parameters of transistors 1 and 7 and has a large value.

Claims (1)

ЭМИТТЕРНЫЙ ПОВТОРИТЕЛЬ, содержащий первый и второй биполярные транзисторы, имеющие разную структуру, источник тока и отражатель тока, вход и выход которого соединены соответственно с коллектором первого и эмиттером второго биполярных транзисторов, а вывод питания - с первой шиной питания, база второго биполярного транзистора через источник тока соединена с второй шиной питания и коллектором второго биполярного транзистора, при этом база первого и эмиттер второго биполярных транзисторов являются соответственно входом и выходом эмиттерного повторителя, отличающийся тем, что введены третий, четвертый и пятый биполярные транзисторы, имеющие структуру второго биполярного транзистора, причем база второго биполярного транзистора соединена с коллектором и базой третьего биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с базой и коллектором четвертого биполярного транзистора, эмиттер которого подключен к эмиттерам первого и пятого биполярных транзисторов, при этом база пятого биполярного транзистора соединена с эмиттером второго биполярного транзистора, а коллектор - с второй шиной питания. EMITTER REPEATER containing the first and second bipolar transistors having a different structure, a current source and a current reflector, the input and output of which are connected respectively to the collector of the first and emitter of the second bipolar transistor, and the power output to the first power bus, the base of the second bipolar transistor through the source current is connected to the second power bus and the collector of the second bipolar transistor, while the base of the first and emitter of the second bipolar transistor are respectively the input and output of the emitter repeater, characterized in that the third, fourth and fifth bipolar transistors are introduced having the structure of a second bipolar transistor, the base of the second bipolar transistor connected to the collector and the base of the third bipolar transistor, the emitter of which is connected to the base and the collector of the fourth bipolar transistor, to the emitters of the first and fifth bipolar transistors, while the base of the fifth bipolar transistor is connected to the emitter of the second bipolar transistor, and the collector - with a second power bus.