RU2012124892A - METHOD FOR CREATING COMPOSITE FERROELECTRIC NANOSTRUCTURE - Google Patents

Abstract

1. Способ создания композитной сегнетоэлектрической наноструктуры, основанной на создании в композите эффекта внутреннего смещающего поля, закрепляющего поляризованное состояние сегнетоэлектрического материала и смещающего точку фазового перехода, отличающийся тем, что внедряют сегнетоэлектрический материал в пористую диэлектрическую матрицу с размерами пор порядка 10-100 нм, внедрение производится из насыщенного водного раствора (расплава) сегнетоэлектрической соли, нагретого до температур, близких к температуре Кюри объемного сегнетоэлектрического материала, а величину внутреннего поля смещения, определяющего степень расширения температурного интервала существования сегнетоэлектрической фазы, варьируют за счет разности коэффициентов линейного расширения сегнетоэлектрика и материала матрицы, а также за счет общей площади взаимодействия сегнетоэлектрик - матрица, изменяемой путем выбора размеров и топологии пор матрицы.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве сегнетоэлектрического материала используют триглицинсульфат.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической матрицы используют пористый оксид алюминия с системой симметрично расположенных изолированных пор со средним диаметром около 40 нм.4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической матрицы используют пористое стекло со средним диаметром пор 7 нм, пористая структура которого представляет собой трехмерную систему произвольно расположенных взаимосвязанных дендритных каналов.1. A method of creating a composite ferroelectric nanostructure based on creating an internal bias field in the composite, fixing the polarized state of the ferroelectric material and shifting the phase transition point, characterized in that the ferroelectric material is embedded in a porous dielectric matrix with pore sizes of the order of 10-100 nm, implementation produced from a saturated aqueous solution (melt) of ferroelectric salt heated to temperatures close to the Curie temperature of bulk seg of the ferroelectric material, and the magnitude of the internal bias field, which determines the degree of expansion of the temperature range of the existence of the ferroelectric phase, varies due to the difference in the linear expansion coefficients of the ferroelectric and the matrix material, as well as due to the total interaction area of the ferroelectric - matrix, which is changed by choosing the size and topology of the matrix pores. 2. The method according to claim 1, characterized in that triglycine sulfate is used as a ferroelectric material. The method according to claim 1, characterized in that the porous alumina with a system of symmetrically located isolated pores with an average diameter of about 40 nm is used as a dielectric matrix. The method according to claim 1, characterized in that as the dielectric matrix, porous glass with an average pore diameter of 7 nm is used, the porous structure of which is a three-dimensional system of randomly located interconnected dendritic channels.

Claims (4)

1. Способ создания композитной сегнетоэлектрической наноструктуры, основанной на создании в композите эффекта внутреннего смещающего поля, закрепляющего поляризованное состояние сегнетоэлектрического материала и смещающего точку фазового перехода, отличающийся тем, что внедряют сегнетоэлектрический материал в пористую диэлектрическую матрицу с размерами пор порядка 10-100 нм, внедрение производится из насыщенного водного раствора (расплава) сегнетоэлектрической соли, нагретого до температур, близких к температуре Кюри объемного сегнетоэлектрического материала, а величину внутреннего поля смещения, определяющего степень расширения температурного интервала существования сегнетоэлектрической фазы, варьируют за счет разности коэффициентов линейного расширения сегнетоэлектрика и материала матрицы, а также за счет общей площади взаимодействия сегнетоэлектрик - матрица, изменяемой путем выбора размеров и топологии пор матрицы.1. A method of creating a composite ferroelectric nanostructure based on creating an internal bias field in the composite, fixing the polarized state of the ferroelectric material and shifting the phase transition point, characterized in that the ferroelectric material is embedded in a porous dielectric matrix with pore sizes of the order of 10-100 nm, implementation produced from a saturated aqueous solution (melt) of ferroelectric salt heated to temperatures close to the Curie temperature of bulk seg etoelektricheskogo material and the magnitude of the internal field offset, determining the degree of expansion of the temperature interval of existence of a ferroelectric phase is varied by the difference in the linear expansion coefficients of the ferroelectric and the matrix material, and also due to the total surface area of the ferroelectric - matrix variable by selecting the size and topology pore matrix. 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве сегнетоэлектрического материала используют триглицинсульфат.2. The method according to claim 1, characterized in that triglycine sulfate is used as a ferroelectric material. 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической матрицы используют пористый оксид алюминия с системой симметрично расположенных изолированных пор со средним диаметром около 40 нм.3. The method according to claim 1, characterized in that the porous alumina with a system of symmetrically located isolated pores with an average diameter of about 40 nm is used as a dielectric matrix. 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической матрицы используют пористое стекло со средним диаметром пор 7 нм, пористая структура которого представляет собой трехмерную систему произвольно расположенных взаимосвязанных дендритных каналов. 4. The method according to claim 1, characterized in that as the dielectric matrix, porous glass with an average pore diameter of 7 nm is used, the porous structure of which is a three-dimensional system of randomly located interconnected dendritic channels.