RU2012103169A - Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями - Google Patents
Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012103169A RU2012103169A RU2012103169/28A RU2012103169A RU2012103169A RU 2012103169 A RU2012103169 A RU 2012103169A RU 2012103169/28 A RU2012103169/28 A RU 2012103169/28A RU 2012103169 A RU2012103169 A RU 2012103169A RU 2012103169 A RU2012103169 A RU 2012103169A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- emitting layer
- layer
- light emitting
- columns
- light
- Prior art date
Links
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 28
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011253 protective coating Substances 0.000 claims 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
1. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапывыращивания светоизлучающего слоя 12 между областью 11 n-типа и областью 13 p-типа и текстурирование поверхности внутри 1000 Å светоизлучающего слоя.2. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 является смежным с текстурированной поверхностью.3. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность расположена внутри области 11 n-типа.4. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность содержит элементы, литографически сформированные на слое нитрида элемента III группы так, что элементы имеют в поперечном сечении профиль, напоминающий выступы, разделенные углублениями.5. Способ по п.4, в котором наибольшее горизонтальное расстояние между двумя соседними выступами составляет менее чем 200 нм.6. Способ по п.1, в котором текстурированный слой содержит слой изоляционного материала 15, расположенный внутри полупроводниковой структуры, причем множество отверстий 16 расположено в этом изоляционном материале.7. Способ по п.6, в котором изоляционный материал 15 содержит, по меньшей мере, один нитрид кремния.8. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий 16 составляет менее чем 200 нм.9. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий составляет менее 100 нм.10. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 имеет объемную постоянную aрешетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки a, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и
Claims (28)
1. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапы
выращивания светоизлучающего слоя 12 между областью 11 n-типа и областью 13 p-типа и текстурирование поверхности внутри 1000 Å светоизлучающего слоя.
2. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 является смежным с текстурированной поверхностью.
3. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность расположена внутри области 11 n-типа.
4. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность содержит элементы, литографически сформированные на слое нитрида элемента III группы так, что элементы имеют в поперечном сечении профиль, напоминающий выступы, разделенные углублениями.
5. Способ по п.4, в котором наибольшее горизонтальное расстояние между двумя соседними выступами составляет менее чем 200 нм.
6. Способ по п.1, в котором текстурированный слой содержит слой изоляционного материала 15, расположенный внутри полупроводниковой структуры, причем множество отверстий 16 расположено в этом изоляционном материале.
7. Способ по п.6, в котором изоляционный материал 15 содержит, по меньшей мере, один нитрид кремния.
8. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий 16 составляет менее чем 200 нм.
9. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий составляет менее 100 нм.
10. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 имеет объемную постоянную abulk решетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки ain-plane, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и (ain-plane-abulk)/abulk составляет менее чем 1%.
11. Способ по п.1, в котором толщина светоизлучающего слоя 12 составляет более чем 50 Å.
12. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 легирован кремнием до концентрации примеси между 1·1018 и 1·1020 см-3.
13. Способ по п.1, дополнительно содержащий
размещение контактов 68, 70, электрически соединенных с областью 11 n-типа и областью 13 p-типа, и размещение покрытия 108, расположенного поверх полупроводниковой структуры на основе нитрида элемента III группы.
14. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапы
размещения светоизлучающего слоя между областью n-типа и областью p-типа;
обеспечение маскирующего слоя 24, имеющего множество отверстий; и
размещение множества столбиков 26 из полупроводникового материала, соответствующих отверстиям в маскирующем слое 24, причем это множество столбиков разделено изоляционным материалом 25; при этом, по меньшей мере, 90% поперечного сечения множества столбиков в плоскости, параллельной поверхности маскирующего слоя, занято столбиками.
15. Способ по п.14, в котором маскирующий слой 24 содержит кремний и азот.
16. Способ по п.14, в котором диаметр каждого из столбиков 26 составляет менее чем 150 нм.
17. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой 28 расположен внутри столбиков.
18. Способ по п.14, дополнительно содержащий расположение планарного слоя из полупроводникового материала 32 p-типа поверх множества столбиков 26.
19. Способ по п.14, дополнительно содержащий расположение планарного слоя из полупроводникового материала 34 n-типа поверх столбиков 26.
20. Способ по п.14, в котором столбики имеют высоту между 50 нм и 3 мкм.
21. Способ по п.14, в котором изоляционный материал 25 представляет собой воздух, резистивный нитрид элемента III группы или оксид кремния.
22. Способ по п.14, в котором столбики имеют форму усеченных многогранников.
23. Способ по п.14, в котором столбики имеют форму многогранников 82.
24. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой 84 является конформным слоем, сформированным поверх многогранников 82.
25. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой имеет объемную постоянную abulk решетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки ain-plane, соответствующую постоянной кристаллической решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и (ain-plane-abulk)/abulk составляет менее чем 1%.
26. Способ по п.14, в котором толщина светоизлучающего слоя составляет более чем 50 Å.
27. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой легирован кремнием до концентрации примеси, составляющей 1·1018-1·1020 см-3.
28. Способ по п.14, дополнительно содержащий
размещение контактов 68, 70 поверх области n-типа и области p-типа и
размещение защитного покрытия 108 поверх полупроводниковой структуры на основе нитрида элемента III группы.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/615,479 | 2006-12-22 | ||
US11/615,479 US7663148B2 (en) | 2006-12-22 | 2006-12-22 | III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009128232/28A Division RU2457581C2 (ru) | 2006-12-22 | 2007-12-20 | Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями (варианты) |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2012103169A true RU2012103169A (ru) | 2013-08-10 |
RU2591246C2 RU2591246C2 (ru) | 2016-07-20 |
Family
ID=39387241
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009128232/28A RU2457581C2 (ru) | 2006-12-22 | 2007-12-20 | Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями (варианты) |
RU2012103169/28A RU2591246C2 (ru) | 2006-12-22 | 2012-01-30 | Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009128232/28A RU2457581C2 (ru) | 2006-12-22 | 2007-12-20 | Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями (варианты) |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7663148B2 (ru) |
EP (1) | EP2095436B1 (ru) |
JP (2) | JP5420419B2 (ru) |
KR (2) | KR101445810B1 (ru) |
CN (1) | CN101601140B (ru) |
AT (1) | ATE535027T1 (ru) |
BR (1) | BRPI0720931B1 (ru) |
ES (1) | ES2377487T3 (ru) |
RU (2) | RU2457581C2 (ru) |
TW (2) | TWI520371B (ru) |
WO (1) | WO2008078298A2 (ru) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101094913B1 (ko) * | 2006-06-09 | 2011-12-16 | 소이텍 | Iii-v 족 반도체 물질을 형성하기 위한 제조 공정 시스템 |
KR101390425B1 (ko) | 2006-11-22 | 2014-05-19 | 소이텍 | 화학기상증착 챔버용 온도제어 퍼지 게이트 밸브 |
JP5656184B2 (ja) | 2006-11-22 | 2015-01-21 | ソイテック | 三塩化ガリウムの噴射方式 |
KR101353334B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2014-02-18 | 소이텍 | 갈륨 질화물 증착에서의 반응 가스 감소 |
US9481943B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gallium trichloride injection scheme |
WO2008064077A2 (en) * | 2006-11-22 | 2008-05-29 | S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies | Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials |
KR101379410B1 (ko) * | 2006-11-22 | 2014-04-11 | 소이텍 | 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비 |
US20090223441A1 (en) * | 2006-11-22 | 2009-09-10 | Chantal Arena | High volume delivery system for gallium trichloride |
US9481944B2 (en) | 2006-11-22 | 2016-11-01 | Soitec | Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same |
US9331240B2 (en) * | 2008-06-06 | 2016-05-03 | University Of South Carolina | Utlraviolet light emitting devices and methods of fabrication |
KR101034053B1 (ko) * | 2010-05-25 | 2011-05-12 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지 |
JP5911856B2 (ja) * | 2010-06-18 | 2016-04-27 | グロ アーベーGlo Ab | ナノワイヤledの構造体およびそれを製作する方法 |
CN102447026B (zh) * | 2010-10-11 | 2014-11-05 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管磊晶结构 |
US9184344B2 (en) | 2012-01-25 | 2015-11-10 | Invenlux Limited | Lighting-emitting device with nanostructured layer and method for fabricating the same |
US10309037B2 (en) * | 2012-03-21 | 2019-06-04 | Freiberger Compound Materials Gmbh | Method for producing III-N templates and the reprocessing thereof and III-N template |
CN104205366B (zh) | 2012-03-30 | 2018-08-31 | 亮锐控股有限公司 | 密封的半导体发光器件 |
KR102337405B1 (ko) | 2014-09-05 | 2021-12-13 | 삼성전자주식회사 | 나노구조 반도체 발광소자 |
KR102335105B1 (ko) | 2014-11-14 | 2021-12-06 | 삼성전자 주식회사 | 발광 소자 및 그의 제조 방법 |
KR102376468B1 (ko) | 2014-12-23 | 2022-03-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 적색 발광소자 및 조명장치 |
CN105633229B (zh) | 2016-03-17 | 2020-05-12 | 天津三安光电有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
WO2017168012A1 (en) * | 2016-04-01 | 2017-10-05 | Hexagem Ab | Forming a planar surface of a iii-nitride material |
JP6911541B2 (ja) * | 2017-05-31 | 2021-07-28 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置およびプロジェクター |
RU2698574C1 (ru) * | 2018-11-28 | 2019-08-28 | Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" | Способ изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела |
US11637219B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-04-25 | Google Llc | Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate |
US11164844B2 (en) * | 2019-09-12 | 2021-11-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch |
US10847625B1 (en) | 2019-11-19 | 2020-11-24 | Opnovix Corp. | Indium-gallium-nitride structures and devices |
JP2023062213A (ja) * | 2020-03-23 | 2023-05-08 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2023519468A (ja) * | 2020-03-27 | 2023-05-11 | グーグル エルエルシー | 歪みが低減された窒化インジウムガリウム発光ダイオード |
Family Cites Families (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5779924A (en) * | 1996-03-22 | 1998-07-14 | Hewlett-Packard Company | Ordered interface texturing for a light emitting device |
JP3612985B2 (ja) * | 1998-02-02 | 2005-01-26 | 豊田合成株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法 |
US6091085A (en) * | 1998-02-19 | 2000-07-18 | Agilent Technologies, Inc. | GaN LEDs with improved output coupling efficiency |
US6046465A (en) * | 1998-04-17 | 2000-04-04 | Hewlett-Packard Company | Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same |
US6274924B1 (en) * | 1998-11-05 | 2001-08-14 | Lumileds Lighting, U.S. Llc | Surface mountable LED package |
RU2179353C2 (ru) * | 1999-11-15 | 2002-02-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП" | Полупроводниковый излучающий диод |
JP2001185493A (ja) * | 1999-12-24 | 2001-07-06 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体の製造方法及びiii族窒化物系化合物半導体素子 |
JP2001267242A (ja) * | 2000-03-14 | 2001-09-28 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体及びその製造方法 |
TW518767B (en) * | 2000-03-31 | 2003-01-21 | Toyoda Gosei Kk | Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element |
JP3841146B2 (ja) * | 2000-06-23 | 2006-11-01 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物系化合物半導体素子の製造方法 |
US6841808B2 (en) * | 2000-06-23 | 2005-01-11 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Group III nitride compound semiconductor device and method for producing the same |
JP3882539B2 (ja) * | 2000-07-18 | 2007-02-21 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置 |
US7053420B2 (en) * | 2001-03-21 | 2006-05-30 | Mitsubishi Cable Industries, Ltd. | GaN group semiconductor light-emitting element with concave and convex structures on the substrate and a production method thereof |
US6829281B2 (en) * | 2002-06-19 | 2004-12-07 | Finisar Corporation | Vertical cavity surface emitting laser using photonic crystals |
US7335908B2 (en) * | 2002-07-08 | 2008-02-26 | Qunano Ab | Nanostructures and methods for manufacturing the same |
US7085301B2 (en) * | 2002-07-12 | 2006-08-01 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Photonic crystal single transverse mode defect structure for vertical cavity surface emitting laser |
JP4748924B2 (ja) * | 2002-12-05 | 2011-08-17 | 日本碍子株式会社 | 半導体積層構造 |
US7071494B2 (en) * | 2002-12-11 | 2006-07-04 | Lumileds Lighting U.S. Llc | Light emitting device with enhanced optical scattering |
JP2004354617A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Sharp Corp | フォトニック結晶とその製造方法 |
US6847057B1 (en) * | 2003-08-01 | 2005-01-25 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Semiconductor light emitting devices |
US7122827B2 (en) * | 2003-10-15 | 2006-10-17 | General Electric Company | Monolithic light emitting devices based on wide bandgap semiconductor nanostructures and methods for making same |
KR100714639B1 (ko) * | 2003-10-21 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 발광 소자 |
WO2005069388A1 (ja) * | 2004-01-20 | 2005-07-28 | Nichia Corporation | 半導体発光素子 |
KR100601945B1 (ko) * | 2004-03-10 | 2006-07-14 | 삼성전자주식회사 | 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법 |
US7419912B2 (en) * | 2004-04-01 | 2008-09-02 | Cree, Inc. | Laser patterning of light emitting devices |
KR100552707B1 (ko) * | 2004-04-07 | 2006-02-20 | 삼성전자주식회사 | 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법 |
JP2005302980A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Rohm Co Ltd | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
ATE527571T1 (de) * | 2004-04-15 | 2011-10-15 | Univ Boston | Optische bauelemente mit texturierten halbleiterschichten |
US7442964B2 (en) * | 2004-08-04 | 2008-10-28 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Photonic crystal light emitting device with multiple lattices |
KR100649494B1 (ko) * | 2004-08-17 | 2006-11-24 | 삼성전기주식회사 | 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드 |
TWI500072B (zh) * | 2004-08-31 | 2015-09-11 | Sophia School Corp | 發光元件之製造方法 |
US7633097B2 (en) | 2004-09-23 | 2009-12-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates |
US20060223211A1 (en) * | 2004-12-02 | 2006-10-05 | The Regents Of The University Of California | Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays |
KR100580751B1 (ko) | 2004-12-23 | 2006-05-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US20060204865A1 (en) * | 2005-03-08 | 2006-09-14 | Luminus Devices, Inc. | Patterned light-emitting devices |
KR100669142B1 (ko) * | 2005-04-20 | 2007-01-15 | (주)더리즈 | 발광 소자와 이의 제조 방법 |
US8163575B2 (en) * | 2005-06-17 | 2012-04-24 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Grown photonic crystals in semiconductor light emitting devices |
KR100896576B1 (ko) * | 2006-02-24 | 2009-05-07 | 삼성전기주식회사 | 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
US20080149946A1 (en) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light |
-
2006
- 2006-12-22 US US11/615,479 patent/US7663148B2/en active Active
-
2007
- 2007-12-20 WO PCT/IB2007/055263 patent/WO2008078298A2/en active Application Filing
- 2007-12-20 BR BRPI0720931A patent/BRPI0720931B1/pt not_active IP Right Cessation
- 2007-12-20 ES ES07859487T patent/ES2377487T3/es active Active
- 2007-12-20 KR KR1020147003682A patent/KR101445810B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-20 RU RU2009128232/28A patent/RU2457581C2/ru active
- 2007-12-20 CN CN2007800474684A patent/CN101601140B/zh active Active
- 2007-12-20 EP EP07859487A patent/EP2095436B1/en active Active
- 2007-12-20 AT AT07859487T patent/ATE535027T1/de active
- 2007-12-20 JP JP2009542380A patent/JP5420419B2/ja active Active
- 2007-12-20 KR KR1020097015286A patent/KR101484467B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-21 TW TW096149562A patent/TWI520371B/zh active
- 2007-12-21 TW TW104119889A patent/TW201535780A/zh unknown
-
2012
- 2012-01-30 RU RU2012103169/28A patent/RU2591246C2/ru active
-
2013
- 2013-10-07 JP JP2013210291A patent/JP5726255B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200843150A (en) | 2008-11-01 |
CN101601140B (zh) | 2012-11-14 |
KR20090095656A (ko) | 2009-09-09 |
ES2377487T3 (es) | 2012-03-28 |
US20080149942A1 (en) | 2008-06-26 |
RU2009128232A (ru) | 2011-01-27 |
JP2014057076A (ja) | 2014-03-27 |
TW201535780A (zh) | 2015-09-16 |
EP2095436A2 (en) | 2009-09-02 |
US7663148B2 (en) | 2010-02-16 |
EP2095436B1 (en) | 2011-11-23 |
RU2457581C2 (ru) | 2012-07-27 |
KR101484467B1 (ko) | 2015-01-20 |
KR20140036022A (ko) | 2014-03-24 |
RU2591246C2 (ru) | 2016-07-20 |
CN101601140A (zh) | 2009-12-09 |
WO2008078298A2 (en) | 2008-07-03 |
ATE535027T1 (de) | 2011-12-15 |
BRPI0720931A2 (pt) | 2014-03-11 |
JP5420419B2 (ja) | 2014-02-19 |
WO2008078298A3 (en) | 2008-08-21 |
BRPI0720931B1 (pt) | 2018-12-11 |
JP2010514191A (ja) | 2010-04-30 |
JP5726255B2 (ja) | 2015-05-27 |
TWI520371B (zh) | 2016-02-01 |
KR101445810B1 (ko) | 2014-10-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2012103169A (ru) | Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями | |
RU2009128240A (ru) | Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный с возможностью излучения множества длин волн света | |
KR102255198B1 (ko) | 스트레처블 기판 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치 | |
JP6701205B2 (ja) | 発光ダイオードを含む光電デバイス | |
US8030666B2 (en) | Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate | |
US8129726B2 (en) | Light-emitting diode package having electrostatic discharge protection function and method of fabricating the same | |
JP4978014B2 (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
CN107787527B (zh) | 无转移的微led显示器 | |
US20180108705A1 (en) | Light-emitting diode device | |
RU2011116095A (ru) | Полупроводниковые светоизлучающие устройства, выращенные на композитных подложках | |
TW200644233A (en) | Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction | |
US20150079716A1 (en) | Light emitting diode and method for manufacturing the same | |
US20130313596A1 (en) | Light-emitting device having patterned interface and the manufacturing method thereof | |
JP2008047618A5 (ru) | ||
US9466642B2 (en) | Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same | |
US20230231075A1 (en) | Light-emitting device | |
CN107644947A (zh) | 阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
US20080157097A1 (en) | Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same | |
TW200802849A (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
TW201330314A (zh) | 發光元件 | |
CN215815879U (zh) | Led芯片结构、显示模组及电子设备 | |
CN102856481A (zh) | 半导体发光器件封装件 | |
JP2014107369A (ja) | 半導体発光装置 | |
US20080217628A1 (en) | Light emitting device | |
CN108550669A (zh) | 氮化物半导体结构及半导体发光元件 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
PD4A | Correction of name of patent owner | ||
PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190111 |
|
PD4A | Correction of name of patent owner |