RU2012103169A - Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями - Google Patents

Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями Download PDF

Info

Publication number
RU2012103169A
RU2012103169A RU2012103169/28A RU2012103169A RU2012103169A RU 2012103169 A RU2012103169 A RU 2012103169A RU 2012103169/28 A RU2012103169/28 A RU 2012103169/28A RU 2012103169 A RU2012103169 A RU 2012103169A RU 2012103169 A RU2012103169 A RU 2012103169A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emitting layer
layer
light emitting
columns
light
Prior art date
Application number
RU2012103169/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2591246C2 (ru
Inventor
Сунгсоо И
Орельен Дж. Ф. ДЭВИД
Натан Ф. ГАРДНЕР
Майкл Р. КРЕЙМС
Линда Т. РОМАНО
Original Assignee
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи, Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Publication of RU2012103169A publication Critical patent/RU2012103169A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2591246C2 publication Critical patent/RU2591246C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

1. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапывыращивания светоизлучающего слоя 12 между областью 11 n-типа и областью 13 p-типа и текстурирование поверхности внутри 1000 Å светоизлучающего слоя.2. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 является смежным с текстурированной поверхностью.3. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность расположена внутри области 11 n-типа.4. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность содержит элементы, литографически сформированные на слое нитрида элемента III группы так, что элементы имеют в поперечном сечении профиль, напоминающий выступы, разделенные углублениями.5. Способ по п.4, в котором наибольшее горизонтальное расстояние между двумя соседними выступами составляет менее чем 200 нм.6. Способ по п.1, в котором текстурированный слой содержит слой изоляционного материала 15, расположенный внутри полупроводниковой структуры, причем множество отверстий 16 расположено в этом изоляционном материале.7. Способ по п.6, в котором изоляционный материал 15 содержит, по меньшей мере, один нитрид кремния.8. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий 16 составляет менее чем 200 нм.9. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий составляет менее 100 нм.10. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 имеет объемную постоянную aрешетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки a, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и

Claims (28)

1. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапы
выращивания светоизлучающего слоя 12 между областью 11 n-типа и областью 13 p-типа и текстурирование поверхности внутри 1000 Å светоизлучающего слоя.
2. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 является смежным с текстурированной поверхностью.
3. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность расположена внутри области 11 n-типа.
4. Способ по п.1, в котором текстурированная поверхность содержит элементы, литографически сформированные на слое нитрида элемента III группы так, что элементы имеют в поперечном сечении профиль, напоминающий выступы, разделенные углублениями.
5. Способ по п.4, в котором наибольшее горизонтальное расстояние между двумя соседними выступами составляет менее чем 200 нм.
6. Способ по п.1, в котором текстурированный слой содержит слой изоляционного материала 15, расположенный внутри полупроводниковой структуры, причем множество отверстий 16 расположено в этом изоляционном материале.
7. Способ по п.6, в котором изоляционный материал 15 содержит, по меньшей мере, один нитрид кремния.
8. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий 16 составляет менее чем 200 нм.
9. Способ по п.6, в котором наибольший горизонтальный размер одного из отверстий составляет менее 100 нм.
10. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 имеет объемную постоянную abulk решетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки ain-plane, соответствующую постоянной решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и (ain-plane-abulk)/abulk составляет менее чем 1%.
11. Способ по п.1, в котором толщина светоизлучающего слоя 12 составляет более чем 50 Å.
12. Способ по п.1, в котором светоизлучающий слой 12 легирован кремнием до концентрации примеси между 1·1018 и 1·1020 см-3.
13. Способ по п.1, дополнительно содержащий
размещение контактов 68, 70, электрически соединенных с областью 11 n-типа и областью 13 p-типа, и размещение покрытия 108, расположенного поверх полупроводниковой структуры на основе нитрида элемента III группы.
14. Способ формирования полупроводниковой структуры, содержащий этапы
размещения светоизлучающего слоя между областью n-типа и областью p-типа;
обеспечение маскирующего слоя 24, имеющего множество отверстий; и
размещение множества столбиков 26 из полупроводникового материала, соответствующих отверстиям в маскирующем слое 24, причем это множество столбиков разделено изоляционным материалом 25; при этом, по меньшей мере, 90% поперечного сечения множества столбиков в плоскости, параллельной поверхности маскирующего слоя, занято столбиками.
15. Способ по п.14, в котором маскирующий слой 24 содержит кремний и азот.
16. Способ по п.14, в котором диаметр каждого из столбиков 26 составляет менее чем 150 нм.
17. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой 28 расположен внутри столбиков.
18. Способ по п.14, дополнительно содержащий расположение планарного слоя из полупроводникового материала 32 p-типа поверх множества столбиков 26.
19. Способ по п.14, дополнительно содержащий расположение планарного слоя из полупроводникового материала 34 n-типа поверх столбиков 26.
20. Способ по п.14, в котором столбики имеют высоту между 50 нм и 3 мкм.
21. Способ по п.14, в котором изоляционный материал 25 представляет собой воздух, резистивный нитрид элемента III группы или оксид кремния.
22. Способ по п.14, в котором столбики имеют форму усеченных многогранников.
23. Способ по п.14, в котором столбики имеют форму многогранников 82.
24. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой 84 является конформным слоем, сформированным поверх многогранников 82.
25. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой имеет объемную постоянную abulk решетки, соответствующую постоянной решетки самостоятельного материала того же самого состава, что и светоизлучающий слой; светоизлучающий слой имеет плоскостную постоянную решетки ain-plane, соответствующую постоянной кристаллической решетки светоизлучающего слоя как выращенного в структуре, и (ain-plane-abulk)/abulk составляет менее чем 1%.
26. Способ по п.14, в котором толщина светоизлучающего слоя составляет более чем 50 Å.
27. Способ по п.14, в котором светоизлучающий слой легирован кремнием до концентрации примеси, составляющей 1·1018-1·1020 см-3.
28. Способ по п.14, дополнительно содержащий
размещение контактов 68, 70 поверх области n-типа и области p-типа и
размещение защитного покрытия 108 поверх полупроводниковой структуры на основе нитрида элемента III группы.
RU2012103169/28A 2006-12-22 2012-01-30 Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями RU2591246C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/615,479 2006-12-22
US11/615,479 US7663148B2 (en) 2006-12-22 2006-12-22 III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009128232/28A Division RU2457581C2 (ru) 2006-12-22 2007-12-20 Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями (варианты)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012103169A true RU2012103169A (ru) 2013-08-10
RU2591246C2 RU2591246C2 (ru) 2016-07-20

Family

ID=39387241

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009128232/28A RU2457581C2 (ru) 2006-12-22 2007-12-20 Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями (варианты)
RU2012103169/28A RU2591246C2 (ru) 2006-12-22 2012-01-30 Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009128232/28A RU2457581C2 (ru) 2006-12-22 2007-12-20 Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями (варианты)

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7663148B2 (ru)
EP (1) EP2095436B1 (ru)
JP (2) JP5420419B2 (ru)
KR (2) KR101445810B1 (ru)
CN (1) CN101601140B (ru)
AT (1) ATE535027T1 (ru)
BR (1) BRPI0720931B1 (ru)
ES (1) ES2377487T3 (ru)
RU (2) RU2457581C2 (ru)
TW (2) TWI520371B (ru)
WO (1) WO2008078298A2 (ru)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101094913B1 (ko) * 2006-06-09 2011-12-16 소이텍 Iii-v 족 반도체 물질을 형성하기 위한 제조 공정 시스템
KR101390425B1 (ko) 2006-11-22 2014-05-19 소이텍 화학기상증착 챔버용 온도제어 퍼지 게이트 밸브
JP5656184B2 (ja) 2006-11-22 2015-01-21 ソイテック 三塩化ガリウムの噴射方式
KR101353334B1 (ko) * 2006-11-22 2014-02-18 소이텍 갈륨 질화물 증착에서의 반응 가스 감소
US9481943B2 (en) 2006-11-22 2016-11-01 Soitec Gallium trichloride injection scheme
WO2008064077A2 (en) * 2006-11-22 2008-05-29 S.O.I.Tec Silicon On Insulator Technologies Methods for high volume manufacture of group iii-v semiconductor materials
KR101379410B1 (ko) * 2006-11-22 2014-04-11 소이텍 3-5족 반도체 재료들의 대량생산을 위한 설비
US20090223441A1 (en) * 2006-11-22 2009-09-10 Chantal Arena High volume delivery system for gallium trichloride
US9481944B2 (en) 2006-11-22 2016-11-01 Soitec Gas injectors including a funnel- or wedge-shaped channel for chemical vapor deposition (CVD) systems and CVD systems with the same
US9331240B2 (en) * 2008-06-06 2016-05-03 University Of South Carolina Utlraviolet light emitting devices and methods of fabrication
KR101034053B1 (ko) * 2010-05-25 2011-05-12 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
JP5911856B2 (ja) * 2010-06-18 2016-04-27 グロ アーベーＧｌｏ Ａｂ ナノワイヤｌｅｄの構造体およびそれを製作する方法
CN102447026B (zh) * 2010-10-11 2014-11-05 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管磊晶结构
US9184344B2 (en) 2012-01-25 2015-11-10 Invenlux Limited Lighting-emitting device with nanostructured layer and method for fabricating the same
US10309037B2 (en) * 2012-03-21 2019-06-04 Freiberger Compound Materials Gmbh Method for producing III-N templates and the reprocessing thereof and III-N template
CN104205366B (zh) 2012-03-30 2018-08-31 亮锐控股有限公司 密封的半导体发光器件
KR102337405B1 (ko) 2014-09-05 2021-12-13 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
KR102335105B1 (ko) 2014-11-14 2021-12-06 삼성전자 주식회사 발광 소자 및 그의 제조 방법
KR102376468B1 (ko) 2014-12-23 2022-03-21 엘지이노텍 주식회사 적색 발광소자 및 조명장치
CN105633229B (zh) 2016-03-17 2020-05-12 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法
WO2017168012A1 (en) * 2016-04-01 2017-10-05 Hexagem Ab Forming a planar surface of a iii-nitride material
JP6911541B2 (ja) * 2017-05-31 2021-07-28 セイコーエプソン株式会社 発光装置およびプロジェクター
RU2698574C1 (ru) * 2018-11-28 2019-08-28 Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" Способ изготовления полупроводниковой структуры, выступающей из монолитного кремниевого тела
US11637219B2 (en) 2019-04-12 2023-04-25 Google Llc Monolithic integration of different light emitting structures on a same substrate
US11164844B2 (en) * 2019-09-12 2021-11-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Double etch stop layer to protect semiconductor device layers from wet chemical etch
US10847625B1 (en) 2019-11-19 2020-11-24 Opnovix Corp. Indium-gallium-nitride structures and devices
JP2023062213A (ja) * 2020-03-23 2023-05-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2023519468A (ja) * 2020-03-27 2023-05-11 グーグル エルエルシー 歪みが低減された窒化インジウムガリウム発光ダイオード

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5779924A (en) * 1996-03-22 1998-07-14 Hewlett-Packard Company Ordered interface texturing for a light emitting device
JP3612985B2 (ja) * 1998-02-02 2005-01-26 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体素子及びその製造方法
US6091085A (en) * 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
US6046465A (en) * 1998-04-17 2000-04-04 Hewlett-Packard Company Buried reflectors for light emitters in epitaxial material and method for producing same
US6274924B1 (en) * 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
RU2179353C2 (ru) * 1999-11-15 2002-02-10 Федеральное государственное унитарное предприятие "НИИПП" Полупроводниковый излучающий диод
JP2001185493A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法及びｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
JP2001267242A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
TW518767B (en) * 2000-03-31 2003-01-21 Toyoda Gosei Kk Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element
JP3841146B2 (ja) * 2000-06-23 2006-11-01 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子の製造方法
US6841808B2 (en) * 2000-06-23 2005-01-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device and method for producing the same
JP3882539B2 (ja) * 2000-07-18 2007-02-21 ソニー株式会社 半導体発光素子およびその製造方法、並びに画像表示装置
US7053420B2 (en) * 2001-03-21 2006-05-30 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. GaN group semiconductor light-emitting element with concave and convex structures on the substrate and a production method thereof
US6829281B2 (en) * 2002-06-19 2004-12-07 Finisar Corporation Vertical cavity surface emitting laser using photonic crystals
US7335908B2 (en) * 2002-07-08 2008-02-26 Qunano Ab Nanostructures and methods for manufacturing the same
US7085301B2 (en) * 2002-07-12 2006-08-01 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Photonic crystal single transverse mode defect structure for vertical cavity surface emitting laser
JP4748924B2 (ja) * 2002-12-05 2011-08-17 日本碍子株式会社 半導体積層構造
US7071494B2 (en) * 2002-12-11 2006-07-04 Lumileds Lighting U.S. Llc Light emitting device with enhanced optical scattering
JP2004354617A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Sharp Corp フォトニック結晶とその製造方法
US6847057B1 (en) * 2003-08-01 2005-01-25 Lumileds Lighting U.S., Llc Semiconductor light emitting devices
US7122827B2 (en) * 2003-10-15 2006-10-17 General Electric Company Monolithic light emitting devices based on wide bandgap semiconductor nanostructures and methods for making same
KR100714639B1 (ko) * 2003-10-21 2007-05-07 삼성전기주식회사 발광 소자
WO2005069388A1 (ja) * 2004-01-20 2005-07-28 Nichia Corporation 半導体発光素子
KR100601945B1 (ko) * 2004-03-10 2006-07-14 삼성전자주식회사 탑에미트형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
KR100552707B1 (ko) * 2004-04-07 2006-02-20 삼성전자주식회사 나노와이어 발광소자 및 그 제조방법
JP2005302980A (ja) * 2004-04-12 2005-10-27 Rohm Co Ltd 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法
ATE527571T1 (de) * 2004-04-15 2011-10-15 Univ Boston Optische bauelemente mit texturierten halbleiterschichten
US7442964B2 (en) * 2004-08-04 2008-10-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Photonic crystal light emitting device with multiple lattices
KR100649494B1 (ko) * 2004-08-17 2006-11-24 삼성전기주식회사 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드
TWI500072B (zh) * 2004-08-31 2015-09-11 Sophia School Corp 發光元件之製造方法
US7633097B2 (en) 2004-09-23 2009-12-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates
US20060223211A1 (en) * 2004-12-02 2006-10-05 The Regents Of The University Of California Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays
KR100580751B1 (ko) 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20060204865A1 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Luminus Devices, Inc. Patterned light-emitting devices
KR100669142B1 (ko) * 2005-04-20 2007-01-15 (주)더리즈 발광 소자와 이의 제조 방법
US8163575B2 (en) * 2005-06-17 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Grown photonic crystals in semiconductor light emitting devices
KR100896576B1 (ko) * 2006-02-24 2009-05-07 삼성전기주식회사 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20080149946A1 (en) * 2006-12-22 2008-06-26 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light

Also Published As

Publication number Publication date
TW200843150A (en) 2008-11-01
CN101601140B (zh) 2012-11-14
KR20090095656A (ko) 2009-09-09
ES2377487T3 (es) 2012-03-28
US20080149942A1 (en) 2008-06-26
RU2009128232A (ru) 2011-01-27
JP2014057076A (ja) 2014-03-27
TW201535780A (zh) 2015-09-16
EP2095436A2 (en) 2009-09-02
US7663148B2 (en) 2010-02-16
EP2095436B1 (en) 2011-11-23
RU2457581C2 (ru) 2012-07-27
KR101484467B1 (ko) 2015-01-20
KR20140036022A (ko) 2014-03-24
RU2591246C2 (ru) 2016-07-20
CN101601140A (zh) 2009-12-09
WO2008078298A2 (en) 2008-07-03
ATE535027T1 (de) 2011-12-15
BRPI0720931A2 (pt) 2014-03-11
JP5420419B2 (ja) 2014-02-19
WO2008078298A3 (en) 2008-08-21
BRPI0720931B1 (pt) 2018-12-11
JP2010514191A (ja) 2010-04-30
JP5726255B2 (ja) 2015-05-27
TWI520371B (zh) 2016-02-01
KR101445810B1 (ko) 2014-10-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012103169A (ru) Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями
RU2009128240A (ru) Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный с возможностью излучения множества длин волн света
KR102255198B1 (ko) 스트레처블 기판 및 이를 구비한 유기 발광 표시 장치
JP6701205B2 (ja) 発光ダイオードを含む光電デバイス
US8030666B2 (en) Group-III nitride epitaxial layer on silicon substrate
US8129726B2 (en) Light-emitting diode package having electrostatic discharge protection function and method of fabricating the same
JP4978014B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
CN107787527B (zh) 无转移的微led显示器
US20180108705A1 (en) Light-emitting diode device
RU2011116095A (ru) Полупроводниковые светоизлучающие устройства, выращенные на композитных подложках
TW200644233A (en) Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction
US20150079716A1 (en) Light emitting diode and method for manufacturing the same
US20130313596A1 (en) Light-emitting device having patterned interface and the manufacturing method thereof
JP2008047618A5 (ru)
US9466642B2 (en) Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same
US20230231075A1 (en) Light-emitting device
CN107644947A (zh) 阵列基板及其制备方法、显示装置
US20080157097A1 (en) Light-emitting diode structure and method for manufacturing the same
TW200802849A (en) Semiconductor device and manufacturing method of the same
TW201330314A (zh) 發光元件
CN215815879U (zh) Led芯片结构、显示模组及电子设备
CN102856481A (zh) 半导体发光器件封装件
JP2014107369A (ja) 半導体発光装置
US20080217628A1 (en) Light emitting device
CN108550669A (zh) 氮化物半导体结构及半导体发光元件

Legal Events

Date Code Title Description
PD4A Correction of name of patent owner
PD4A Correction of name of patent owner
PC41 Official registration of the transfer of exclusive right

Effective date: 20190111

PD4A Correction of name of patent owner