RU2011140310A - Высокочастотная волоноводная структура - Google Patents
Высокочастотная волоноводная структура Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011140310A RU2011140310A RU2011140310/07A RU2011140310A RU2011140310A RU 2011140310 A RU2011140310 A RU 2011140310A RU 2011140310/07 A RU2011140310/07 A RU 2011140310/07A RU 2011140310 A RU2011140310 A RU 2011140310A RU 2011140310 A RU2011140310 A RU 2011140310A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- conductive lines
- conductive
- waveguide structure
- line
- frequency waveguide
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P3/00—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type
- H01P3/02—Waveguides; Transmission lines of the waveguide type with two longitudinal conductors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/49016—Antenna or wave energy "plumbing" making
Landscapes
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
1. Высокочастотная волноводная структура, содержащая:подложку (10);первую и вторую проводящие линии (11, 12), размещенные в первом слое (A) на подложке (10); итретью проводящую линию (13), размещенную в плоскости (G) симметрии между первой и второй проводящими линиями (11, 12), причем высота (h) каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12) больше, чем ширина (w) каждой линии из первой и второй проводящих линий (11, 12).2. Высокочастотная волноводная структура по п. 1, в которой третья проводящая линия (13) располагается во втором слое (B, C) выше или ниже первого слоя (A).3. Высокочастотная волноводная структура по любому из предшествующих пунктов, в которой первая и вторая проводящие линии (11, 12) образуют первый волновод для моды щелевой линии, и при этом третья проводящая линия (13) вместе с первой и второй проводящими линиями (11, 12) образуют второй волновод для моды планарного волновода или моды копланарного волновода.4. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой связь между первой и второй проводящими линиями (11, 12) сильнее, чем связь между первой или второй проводящими линиями (11, 12) по отношению к подложке (10).5. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии в основном ограничено в промежутке между первой и второй проводящими линиями (11, 12).6. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии является, по существу, нулевым в плоскости G симметрии первой и второй проводящих линий (11, 12).7. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой высокочастотная волноводная структура интегрирована в КМОП/БиКМОП устройство.8. Вы�
Claims (15)
1. Высокочастотная волноводная структура, содержащая:
подложку (10);
первую и вторую проводящие линии (11, 12), размещенные в первом слое (A) на подложке (10); и
третью проводящую линию (13), размещенную в плоскости (G) симметрии между первой и второй проводящими линиями (11, 12), причем высота (h) каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12) больше, чем ширина (w) каждой линии из первой и второй проводящих линий (11, 12).
2. Высокочастотная волноводная структура по п. 1, в которой третья проводящая линия (13) располагается во втором слое (B, C) выше или ниже первого слоя (A).
3. Высокочастотная волноводная структура по любому из предшествующих пунктов, в которой первая и вторая проводящие линии (11, 12) образуют первый волновод для моды щелевой линии, и при этом третья проводящая линия (13) вместе с первой и второй проводящими линиями (11, 12) образуют второй волновод для моды планарного волновода или моды копланарного волновода.
4. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой связь между первой и второй проводящими линиями (11, 12) сильнее, чем связь между первой или второй проводящими линиями (11, 12) по отношению к подложке (10).
5. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии в основном ограничено в промежутке между первой и второй проводящими линиями (11, 12).
6. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой электрическое поле моды щелевой линии является, по существу, нулевым в плоскости G симметрии первой и второй проводящих линий (11, 12).
7. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой высокочастотная волноводная структура интегрирована в КМОП/БиКМОП устройство.
8. Высокочастотная волноводная структура по п. 1 или 2, в которой первая и вторая проводящие линии (11, 12) образованы структурированным толстым металлическим слоем.
9. Структура диодного моста, соединяемая с высокочастотной волноводной структурой по любому из предшествующих пунктов, содержащая:
первую структуру (21) внутренних соединений между первой проводящей линией (11) и третьей проводящей линией (13), содержащую первый диод (23), соединенный своим катодом с третьей проводящей линией (13), и первый конденсатор (25), соединенный последовательно; и
вторую структуру (22) внутренних соединений между второй проводящей линией (12) и третьей проводящей линией (13), содержащей второй диод (24), соединенный своим анодом с третьей проводящей линией (13), и второй конденсатор (26), соединенный последовательно.
10. Структура диодного моста по п.9, в которой первый и второй конденсаторы (25, 26) расположены на двух промежуточных металлических слоях под первой и второй проводящими линиями (11, 12), соответственно.
11. Структура диодного моста по п. 9 или 10, в которой первый и второй диоды (23, 24) расположены в подложке (10) под первой и второй проводящими линиями (11, 12), соответственно.
12. Система формирования изображения/спектроскопии для анализа образца с использованием электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне, содержащая:
передатчик для осуществления передачи электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне на образец;
приемник (45), содержащий высокочастотный генератор (30) и структуру диодного моста (20) по любому из пп. 9-11, для приема электромагнитного излучения в субтерагерцовом и/или терагерцовом диапазоне от образца.
13. Система формирования изображения/спектроскопии по п. 12, в которой высокочастотный генератор (30) содержит нелинейную линию (32) передачи, чтобы генерировать сигнал с очень широким спектральным составом.
14. Система формирования изображения/спектроскопии по п. 12 или 13, в которой высокочастотный генератор (30) соединен с высокочастотной волноводной структурой (15) по любому из пп. 1-8.
15. Способ изготовления высокочастотной волноводной структуры, содержащий этапы:
обеспечения подложки (10);
обеспечения диэлектрического материала (14) на подложке (10);
обеспечения толстого металлического слоя в первом слое (A) на диэлектрическом материале (14),
обработки первой и второй проводящих линий (11, 12) путем структурирования толстого металлического слоя, причем высота каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12) превышает ширину каждой из первой и второй проводящих линий (11, 12); и
обработки третьей проводящей линии (13), размещенной в плоскости (G) симметрии между первой и второй проводящими линиями (11, 12), до или после обработки первой и второй проводящих линий (11, 12).
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161535410P | 2011-09-16 | 2011-09-16 | |
US61/535,410 | 2011-09-16 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011140310A true RU2011140310A (ru) | 2013-04-10 |
Family
ID=47880129
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011140310/07A RU2011140310A (ru) | 2011-09-16 | 2011-10-04 | Высокочастотная волоноводная структура |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130069743A1 (ru) |
RU (1) | RU2011140310A (ru) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11316275B2 (en) | 2017-01-19 | 2022-04-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electromagnetic wave radiator |
US10601140B2 (en) | 2017-01-19 | 2020-03-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electromagnetic wave radiator |
Family Cites Families (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5544268A (en) * | 1994-09-09 | 1996-08-06 | Deacon Research | Display panel with electrically-controlled waveguide-routing |
JP3241019B2 (ja) * | 1999-03-15 | 2001-12-25 | 日本電気株式会社 | コプレーナ線路 |
US7103245B2 (en) * | 2000-07-10 | 2006-09-05 | Massachusetts Institute Of Technology | High density integrated optical chip |
US6631225B2 (en) * | 2000-07-10 | 2003-10-07 | Massachusetts Institute Of Technology | Mode coupler between low index difference waveguide and high index difference waveguide |
US6839491B2 (en) * | 2000-12-21 | 2005-01-04 | Xponent Photonics Inc | Multi-layer dispersion-engineered waveguides and resonators |
US6816518B2 (en) * | 2001-03-20 | 2004-11-09 | Cyoptics (Israel) Ltd. | Wavelength tunable high repetition rate optical pulse generator |
US7011932B2 (en) * | 2001-05-01 | 2006-03-14 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polymer waveguide fabrication process |
US7177515B2 (en) * | 2002-03-20 | 2007-02-13 | The Regents Of The University Of Colorado | Surface plasmon devices |
US6810058B2 (en) * | 2002-04-23 | 2004-10-26 | Adc Telecommunications, Inc. | Semiconductor laser with gain waveguide layer providing transversal and longitudinal mode stability |
US6870987B2 (en) * | 2002-08-20 | 2005-03-22 | Lnl Technologies, Inc. | Embedded mode converter |
US7076135B2 (en) * | 2002-09-20 | 2006-07-11 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Optical module and manufacturing method therefor |
US20040145026A1 (en) * | 2003-01-29 | 2004-07-29 | Chi-Kuang Sun | Photonic transmitter |
US7149396B2 (en) * | 2003-06-16 | 2006-12-12 | The Regents Of The University Of California | Apparatus for optical measurements on low-index non-solid materials based on arrow waveguides |
EP1656573A1 (en) * | 2003-08-19 | 2006-05-17 | Ignis Technologies AS | Integrated optics spot size converter and manufacturing method |
US7359593B2 (en) * | 2003-10-09 | 2008-04-15 | Infinera Corporation | Integrated optical mode shape transformer and method of fabrication |
CA2544724A1 (en) * | 2003-11-12 | 2005-05-26 | Ignis Technologies As | A low loss silicon oxynitride optical waveguide, a method of its manufacture and an optical device |
WO2005064371A1 (en) * | 2003-12-29 | 2005-07-14 | Pirelli & C. S.P.A. | Optical coupling device |
US20050242287A1 (en) * | 2004-04-30 | 2005-11-03 | Hosain Hakimi | Optical terahertz generator / receiver |
JP3913253B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2007-05-09 | キヤノン株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
US7151380B2 (en) * | 2004-08-06 | 2006-12-19 | Voith Paper Patent Gmbh | Microwave water weight sensor and process |
US7519257B2 (en) * | 2004-11-24 | 2009-04-14 | Cornell Research Foundation, Inc. | Waveguide structure for guiding light in low-index material |
US7391949B2 (en) * | 2005-09-27 | 2008-06-24 | The Regents Of The University Of California | Low loss hollow core optical waveguide |
US7798817B2 (en) * | 2005-11-04 | 2010-09-21 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated circuit interconnects with coaxial conductors |
US20070101927A1 (en) * | 2005-11-10 | 2007-05-10 | Honeywell International Inc. | Silicon based optical waveguide structures and methods of manufacture |
KR100731544B1 (ko) * | 2006-04-13 | 2007-06-22 | 한국전자통신연구원 | 다층배선 코플래너 웨이브가이드 |
WO2008105888A2 (en) * | 2006-05-31 | 2008-09-04 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated sensing probes, methods of fabrication thereof, and methods of use thereof |
US7949031B2 (en) * | 2006-06-16 | 2011-05-24 | Pbc Lasers Gmbh | Optoelectronic systems providing high-power high-brightness laser light based on field coupled arrays, bars and stacks of semicondutor diode lasers |
GB0620955D0 (en) * | 2006-10-20 | 2006-11-29 | Speakman Stuart P | Methods and apparatus for the manufacture of microstructures |
US7565046B2 (en) * | 2006-12-13 | 2009-07-21 | Massachusetts Institute Of Technology | Mode transformers for low index high confinement waveguides |
US7659513B2 (en) * | 2006-12-20 | 2010-02-09 | Virgin Islands Microsystems, Inc. | Low terahertz source and detector |
US20110168891A1 (en) * | 2007-05-07 | 2011-07-14 | Tera-X, Llc | Systems, methods and devices for improved imaging and sensation of objects |
JP4975000B2 (ja) * | 2007-12-07 | 2012-07-11 | キヤノン株式会社 | 電磁波発生素子、電磁波集積素子、及び電磁波検出装置 |
JP5129350B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2013-01-30 | グーグル・インコーポレーテッド | 光ファイバおよび高インデックス差導波路を特にカップリングさせるための光モード変換器 |
WO2009106139A1 (en) * | 2008-02-29 | 2009-09-03 | Pirelli & C. S.P.A. | Optical mode transformer, in particular for coupling an optical fiber and a high-index contrast waveguide |
US8203127B2 (en) * | 2008-05-06 | 2012-06-19 | The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Army | Terahertz radiation device using polar semiconductor materials and method of generating terahertz radiation |
US8031991B2 (en) * | 2008-05-28 | 2011-10-04 | Lightwire Inc. | Low index, large mode field diameter optical coupler |
ATE510240T1 (de) * | 2008-07-15 | 2011-06-15 | Univ Danmarks Tekniske | Volloptische steuerung von thz-strahlung in wellenleitern mit parallelen platten |
JP5419411B2 (ja) * | 2008-10-08 | 2014-02-19 | キヤノン株式会社 | テラヘルツ波発生素子 |
FR2951321B1 (fr) * | 2009-10-08 | 2012-03-16 | St Microelectronics Sa | Dispositif semi-conducteur comprenant un guide d'ondes electro-magnetiques |
CN102762973B (zh) * | 2010-02-15 | 2015-10-07 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 用于使用太赫频率范围的辐射来分析样品的设备 |
US9040919B2 (en) * | 2010-10-25 | 2015-05-26 | Thomas E. Darcie | Photomixer-waveguide coupling tapers |
US20130154773A1 (en) * | 2011-12-15 | 2013-06-20 | Infineon Technologies Ag | Waveguide |
US9285554B2 (en) * | 2012-02-10 | 2016-03-15 | International Business Machines Corporation | Through-substrate optical coupling to photonics chips |
-
2011
- 2011-10-04 RU RU2011140310/07A patent/RU2011140310A/ru not_active Application Discontinuation
-
2012
- 2012-09-12 US US13/611,766 patent/US20130069743A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130069743A1 (en) | 2013-03-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Javadi et al. | Sensitivity of field-effect transistor-based terahertz detectors | |
Grzyb et al. | Real-time video rate imaging with a 1k-pixel THz CMOS focal plane array | |
Liu et al. | A Multichannel THz Detector Using Integrated Bow‐Tie Antennas | |
MY174515A (en) | Optical receiver and transceiver using the same | |
Gu et al. | Analysis and experiment on the modulation sensitivity of Doppler radar vibration measurement | |
Hao et al. | Coherent wideband microwave channelizer based on dual optical frequency combs | |
RU2011140310A (ru) | Высокочастотная волоноводная структура | |
CN103872461A (zh) | 一种基于CMOS制造工艺的Si基场效应晶体管太赫兹探测器天线 | |
Zhang et al. | Novel CMOS-based multi-band terahertz detector for passive imaging | |
Sengupta et al. | A terahertz imaging receiver in 0.13 μm SiGe BiCMOS technology | |
CN204925441U (zh) | 可调频率太赫兹分路器 | |
Yang et al. | Research progress on terahertz communication technology | |
Shang et al. | A− 78dBm sensitivity super-regenerative receiver at 96 GHz with quench-controlled metamaterial oscillator in 65nm CMOS | |
Ahmed et al. | Design of rectifying circuit and harmonic suppression antenna for RF energy harvesting | |
CN112289791B (zh) | 用于太赫兹频段结电容测试的肖特基二极管及半导体器件 | |
CN104332523A (zh) | 一种基于石墨烯的三模复合探测器 | |
KR20100073015A (ko) | 광전도 안테나에 실리콘 볼렌즈가 일체화된 테라헤르츠파 송수신 모듈 및 그 제조 방법 | |
CN104218308A (zh) | 一种混合压电材料的能量收集天线 | |
Qiao et al. | Multi-band terahertz active device with complementary metamaterial | |
FR3026850A1 (fr) | Procede de dosimetrie de rayonnements ionisants par mesure rpe directe sur le verre d'un ecran d'un appareil electronique | |
Yang et al. | A Ku-band miniaturized system-in-package using HTCC for radar transceiver module application | |
Leong et al. | Progress in InP HEMT submillimeter wave circuits and packaging | |
Yoon et al. | A wideband H-band image detector based on SiGe HBT technology | |
CN106653738B (zh) | 共射结构晶体管的地墙去耦合连接结构 | |
CN105334574A (zh) | 基于孔状镂空结构的太赫兹波分路器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20160328 |