RU2010101434A - METAL NETWORK STRUCTURE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE - Google Patents

METAL NETWORK STRUCTURE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE Download PDF

Info

Publication number
RU2010101434A
RU2010101434A RU2010101434/28A RU2010101434A RU2010101434A RU 2010101434 A RU2010101434 A RU 2010101434A RU 2010101434/28 A RU2010101434/28 A RU 2010101434/28A RU 2010101434 A RU2010101434 A RU 2010101434A RU 2010101434 A RU2010101434 A RU 2010101434A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
chemical
ring
metal mesh
resistive
Prior art date
Application number
RU2010101434/28A
Other languages
Russian (ru)
Other versions
RU2421833C2 (en
Inventor
Александр Николаевич Генцелев (RU)
Александр Николаевич Генцелев
Александр Георгиевич Зелинский (RU)
Александр Георгиевич Зелинский
Владимир Иванович Кондратьев (RU)
Владимир Иванович Кондратьев
Original Assignee
Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) (RU)
Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) (RU), Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) filed Critical Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) (RU)
Priority to RU2010101434/28A priority Critical patent/RU2421833C2/en
Publication of RU2010101434A publication Critical patent/RU2010101434A/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2421833C2 publication Critical patent/RU2421833C2/en

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

1. Перфорированная металлическая сеточная структура (МСС), представляющая собой гальванически выращенную металлическую сетку, отличающаяся тем, что она выполнена самоподдерживающейся, т.е. крепящейся своими краями к массивному опорному металлическому кольцу, входящему в состав исходной подложки. ! 2. Способ изготовления перфорированной металлической сеточной структуры, включающий в себя процессы формирования литографическими способами на исходной электропроводящей (или содержащей верхний электропроводящий слой) подложке резистивной маски, электрохимического осаждения на рабочую поверхность подложки через резистивную маску металлической пленки, удаления резистивной маски, отличающийся тем, что исходную подложку изготавливают из двух выполненных из различных материалов деталей: опорного кольца и центрального диска, который полностью удаляют на одном из последних этапов формирования МСС посредством травления (химического, плазмохимического и т.п.). ! 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что на рабочую поверхность исходной подложки, в случае необходимости блокирования химического взаимодействия материалов диска или кольца с электролитом, напыляют тонкий слой электрохимически осаждаемого металла. 1. A perforated metal mesh structure (MSS), which is a galvanically grown metal mesh, characterized in that it is made self-supporting, i.e. fastened by its edges to a massive support metal ring, which is part of the original substrate. ! 2. A method of manufacturing a perforated metal mesh structure, including the processes of forming lithographic methods on the initial conductive (or containing the upper conductive layer) resistive mask substrate, electrochemical deposition on the working surface of the substrate through a resistive metal film mask, removing the resistive mask, characterized in that the initial substrate is made of two parts made of different materials: a support ring and a central disk, which Using the fully removed one of the last steps of forming the MCC by etching (chemical, plasma-chemical, etc.). ! 3. The method according to claim 2, characterized in that a thin layer of electrochemically deposited metal is sprayed onto the working surface of the original substrate, if necessary, blocking the chemical interaction of the materials of the disk or ring with the electrolyte.

Claims (3)

1. Перфорированная металлическая сеточная структура (МСС), представляющая собой гальванически выращенную металлическую сетку, отличающаяся тем, что она выполнена самоподдерживающейся, т.е. крепящейся своими краями к массивному опорному металлическому кольцу, входящему в состав исходной подложки.1. A perforated metal mesh structure (MSS), which is a galvanically grown metal mesh, characterized in that it is made self-supporting, i.e. fastened by its edges to a massive support metal ring, which is part of the original substrate. 2. Способ изготовления перфорированной металлической сеточной структуры, включающий в себя процессы формирования литографическими способами на исходной электропроводящей (или содержащей верхний электропроводящий слой) подложке резистивной маски, электрохимического осаждения на рабочую поверхность подложки через резистивную маску металлической пленки, удаления резистивной маски, отличающийся тем, что исходную подложку изготавливают из двух выполненных из различных материалов деталей: опорного кольца и центрального диска, который полностью удаляют на одном из последних этапов формирования МСС посредством травления (химического, плазмохимического и т.п.).2. A method of manufacturing a perforated metal mesh structure, including the processes of forming lithographic methods on the initial conductive (or containing the upper conductive layer) resistive mask substrate, electrochemical deposition on the working surface of the substrate through a resistive metal film mask, removing the resistive mask, characterized in that the initial substrate is made of two parts made of different materials: a support ring and a central disk, which Using the fully removed one of the last steps of forming the MCC by etching (chemical, plasma-chemical, etc.). 3. Способ по п.2, отличающийся тем, что на рабочую поверхность исходной подложки, в случае необходимости блокирования химического взаимодействия материалов диска или кольца с электролитом, напыляют тонкий слой электрохимически осаждаемого металла. 3. The method according to claim 2, characterized in that a thin layer of electrochemically deposited metal is sprayed onto the working surface of the original substrate, if necessary, blocking the chemical interaction of the materials of the disk or ring with the electrolyte.
RU2010101434/28A 2010-01-18 2010-01-18 Metal mesh structure and method of making said structure RU2421833C2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010101434/28A RU2421833C2 (en) 2010-01-18 2010-01-18 Metal mesh structure and method of making said structure

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2010101434/28A RU2421833C2 (en) 2010-01-18 2010-01-18 Metal mesh structure and method of making said structure

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010101434A true RU2010101434A (en) 2010-04-10
RU2421833C2 RU2421833C2 (en) 2011-06-20

Family

ID=42670969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010101434/28A RU2421833C2 (en) 2010-01-18 2010-01-18 Metal mesh structure and method of making said structure

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2421833C2 (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2548945C2 (en) * 2013-05-06 2015-04-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН) Microstructural elements selecting electromagnetic emission and method of their manufacturing
RU2636575C1 (en) * 2016-07-01 2017-11-24 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Method of manufacturing of plastic radioelectronic nodes and interconnections
RU2764017C1 (en) * 2020-11-12 2022-01-12 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН) Method for manufacturing self-supporting metal mesh structures for selection of electromagnetic emission

Also Published As

Publication number Publication date
RU2421833C2 (en) 2011-06-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Liang et al. Self‐assembly of colloidal spheres toward fabrication of hierarchical and periodic nanostructures for technological applications
RU2013129238A (en) PHOTO-DETERMINED HOLID PLATE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
RU2012118394A (en) THE FORM AND METHOD OF ITS MANUFACTURE, AND THE ENLIGHTENING FILM
CN106094445B (en) Method for manufacturing nano-scale metal structure with large height-width ratio
GB201122315D0 (en) Etched silicon structures, method of forming etched silicon structures and uses thereof
Wang et al. Nanopatterning of ultrananocrystalline diamond nanowires
KR20120085042A (en) Method for manufacturing shadow mask for forming a thin layer
RU2010101434A (en) METAL NETWORK STRUCTURE AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE
CN103199161A (en) Method for preparing cone-shaped structure on gallium phosphide (GaP) surface
JP2015004129A (en) Vapor deposition mask assembly
CN104986725A (en) Periodic bowl-shaped structural template and preparation method thereof
CN105261555A (en) Method for preparing metal electrode on diamond anvil cell
Singh et al. Universal method for the fabrication of detachable ultrathin films of several transition metal oxides
CN109563460B (en) Cell filtering filter
TW200917333A (en) Manufacturing method of micro-structured stamping mold
JP6339976B2 (en) Method for producing carbon microelectrode
RU2012103664A (en) MICROMECHANICAL DETAIL OF COMPLEX FORM WITH HOLE
DE602006001518D1 (en) PROCESS FOR THE FORMATION OF MINIATURIZED GETTER DEPOSITS AND THUS OBTAINED GETTER DEPOSITS
KR101221965B1 (en) Method for forming three dimensional graphene pattern
KR101215464B1 (en) Micro-membrane filter and method manufacturing the same
JP5642362B2 (en) Anodized porous alumina and method for producing the same
JP5018580B2 (en) Self-supporting bandpass filter and manufacturing method thereof
WO2015008141A2 (en) Micro-and/or nano-scale patterned porous membranes, methods of making membranes, and methods of using membranes
US9805946B2 (en) Photoresist removal
CN106154744A (en) A kind of preparation method of metal nanometer line

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210119