RU2009576C1 - Способ изготовления структур кремний на диэлектрике - Google Patents
Способ изготовления структур кремний на диэлектрике Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009576C1 RU2009576C1 SU4934813A RU2009576C1 RU 2009576 C1 RU2009576 C1 RU 2009576C1 SU 4934813 A SU4934813 A SU 4934813A RU 2009576 C1 RU2009576 C1 RU 2009576C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- applying
- layer
- dielectric
- circuit
- Prior art date
Links
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Element Separation (AREA)
Abstract
Использование: способ изготовления структур кремний на диэлектрике, используемый в микроэлектронике при изготовлении полупроводниковых микросхем. Сущность изобретения: в качестве связующего материала между поверхностью полупроводниковой пластины и несущей диэлектрической подложки используют слой гидролизнополиконденсированной двуокиси кремния, для этого на поверхность полупроводниковой пластины, в которой сформированы элементы схемы, наносят пленкообразующий раствор кремнийорганического соединения, накладывают диэлектрическую несущую подложку и проводят одновременно отжиг и термообработку при 400С.
Description
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, в частности к изготовлению полупроводниковых структур, и может быть использовано в электронной, электротехнической и других областях техники при изготовлении полупроводниковых микросхем.
Известен способ изготовления полупроводниковых структур, включающий формирование на пластине кремния структур элементов схемы и разводку вольфрамом, поверх разводки наносят буферный слой нитрида кремния, на поверхность которого накладывается пластина, стекла, имеющего близкий коэффициент температурного расширения к кремнию, прикладывают давление, нагревают до 700. . . 800оС, затем свободную сторону пластины кремния шлифуют и полируют до толщины 15. . . 25 мкм, на полированную поверхность кремния наносят методом вакуумного напыления пленку хрома толщиной 500 А, изготавливают маску, травят до SiO2, разделяя элементы схемы, вскрывают окна в SiO2 над контактными площадками и напыляют алюминий или никель, фотолитографией формируют контактные площадки [1] .
Известен способ изготовления структур интегральной схемы, включающий эпитаксиальное наращивание слоя кремния на пластине монокристаллического кремния двухсторонней полировки, формирование элементов схемы, нанесение маски, травление канавок до поверхности пластины, окисление, нанесение на поверхность схемы слоя жидкого бесщелочного стекла, наложение на эту поверхность стекла, нагрев до температуры не более 550оС, охлаждение, шлифовка и полировка пластины кремния, нанесение металлической маски со стороны пластины, травление канавок до слоя стекла [2] .
Недостатком известного способа изготовления структур интегральной схемы является сложность технологии, обусловленная применением порошка стекла и растворителя.
Изобретение направлено на упрощение технологии за счет использования связующего слоя из гидролизнополиконденсационной двуокиси кремния.
Согласно изобретению, в способе изготовления структур кремний на диэлектрике, включающем эпитаксиальное наращивание слоя кремния на пластине монокристаллического кремния с двухсторонней полировкой, формирование элементов схемы, нанесение маски, травление канавок до поверхности пластины кремния, нанесение на поверхность схемы связующего материала, отжиг, наложение на эту поверхность диэлектрической несущей подложки, термообработку, охлаждение, шлифовку и полировку пластины кремния, нанесение металлической маски со стороны пластины кремния, травление канавок до связующего слоя, в качестве связующего материала на поверхность схемы наносят пленкообразующий раствор кремнийорганического соединения, накладывают диэлектрическую несущую подложку, а затем одновременно проводят отжиг и термообработку при 400оС.
Проведение экспериментальных исследований изготовления структур кремний на диэлектрике показало, что при температуре до 400оС формируется стекло из гидролизнополиконденсационной двуокиси кремния при наложении на него пластины стекла, обладающее механической прочностью и минимальностью внутренних напряжений. При температуре свыше 400оС резко увеличиваются внутренние напряжения в стекле и в структуре.
Способ изготовления структур на диэлектрике иллюстрируется примером.
На кремниевую пластину (марка кремния КЭФ 4, 5, плоскость кристаллографической ориентации 100) двухсторонней полировки эпитаксиально наращивается слой кремния. Затем в эпитаксиальном слое кремния формируются элементы схемы известными способами. На поверхность схемы наносится маска. Затем производят глубокое травление известным способом. Травление канавок производят до поверхности пластины. Приготавливают пленкообразующий раствор гидролизнополиконденсационной двуокиси кремния. Пластину со сформированной схемой закрепляют в приспособлении для нанесения стекла. Наносят на поверхность схемы методом пульверизации или центрифугирования слой пленкообразующего раствора гидролизнополиконденсационной двуокиси кремния. Накладывают пластину стекла на нанесенный раствор, нагревают до 400оС, выдерживают, охлаждают, т. е. производят одновременно отжиг и термообработку. Со стороны пластины кремния наносят металлическую маску и производят травление канавок до стекла, т. е. разделяют друг от друга воздушным зазором элементы схемы.
Из приведенного примера видно, что технико-экономическими преимуществами способа изготовления структур кремний на диэлектрике является, по сравнению с известными:
упрощение технологии изготовления структур, обусловленное нанесением пленкообразующего раствора гидролизнополиконденсационной двуокиси кремния вместо порошка стекла и растворителя;
совмещение операции отжига и термообработки;
сокращение одной операции - окисления, т. е. уменьшение температурного воздействия на структуру;
уменьшение температуры с 550 до 400оС;
уменьшение внутренних напряжений в структуре. (56) 1. Горяинов С. А. Диэлектрическая изоляция элементов интегральных схем. М. : Советское радио, 1975, с. 45-46.
упрощение технологии изготовления структур, обусловленное нанесением пленкообразующего раствора гидролизнополиконденсационной двуокиси кремния вместо порошка стекла и растворителя;
совмещение операции отжига и термообработки;
сокращение одной операции - окисления, т. е. уменьшение температурного воздействия на структуру;
уменьшение температуры с 550 до 400оС;
уменьшение внутренних напряжений в структуре. (56) 1. Горяинов С. А. Диэлектрическая изоляция элементов интегральных схем. М. : Советское радио, 1975, с. 45-46.
2. Патент США N 3489961, кл. H 01 L 7/00, 1970.
Claims (1)
- СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СТРУКТУР КРЕМНИЙ НА ДИЭЛЕКТРИКЕ, включающий эпитаксиальное наращивание слоя кремния на пластине монокристаллического кремния с двусторонней полировкой, формирование элементов схемы, нанесение маски, травление канавок до поверхности пластины кремния, нанесение на поверхность схемы связующего материала, отжиг, наложение на эту поверхность диэлектрической несущей подложки, термообработку, охлаждение, шлифовку и полировку пластины кремния, нанесение металлической маски со стороны пластины кремния, травление канавок до связующего слоя, отличающийся тем, что, с целью упрощения технологии путем использования связующего слоя из гидролизно-поликонденсированной двуокиси кремния, в качестве связующего материала на поверхность схемы наносят пленкообразующий раствор кремнийорганического соединения, накладывают диэлектрическую несущую подложку, а затем одновременно проводят отжиг и термообработку при 400oС.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4934813 RU2009576C1 (ru) | 1991-05-12 | 1991-05-12 | Способ изготовления структур кремний на диэлектрике |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU4934813 RU2009576C1 (ru) | 1991-05-12 | 1991-05-12 | Способ изготовления структур кремний на диэлектрике |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009576C1 true RU2009576C1 (ru) | 1994-03-15 |
Family
ID=21573749
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU4934813 RU2009576C1 (ru) | 1991-05-12 | 1991-05-12 | Способ изготовления структур кремний на диэлектрике |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2009576C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6491835B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Metal mask etching of silicon |
-
1991
- 1991-05-12 RU SU4934813 patent/RU2009576C1/ru active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6491835B1 (en) | 1999-12-20 | 2002-12-10 | Applied Materials, Inc. | Metal mask etching of silicon |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2680801B2 (ja) | 集積装置を製造するための半導体材料のウェハ、およびその製造方法 | |
US5755914A (en) | Method for bonding semiconductor substrates | |
JP2685819B2 (ja) | 誘電体分離半導体基板とその製造方法 | |
JP2608351B2 (ja) | 半導体部材及び半導体部材の製造方法 | |
EP0969500B1 (en) | Single crystal silicon on polycrystalline silicon integrated circuits | |
KR101026387B1 (ko) | 표층 및 기판을 연결하는 구역들을 포함하는 부분적 soi구조들을 생성하기 위한 방법 | |
JPH02290045A (ja) | 非珪素半導体層を絶縁層に形成する方法 | |
EP0845803A4 (en) | SiC ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME | |
EP1130135B1 (en) | Silicon carbide film and method for manufacturing the same | |
US7119400B2 (en) | Isotopically pure silicon-on-insulator wafers and method of making same | |
CA2030484A1 (en) | Semiconductor pressure sensor and method for manufacturing the same | |
RU2009576C1 (ru) | Способ изготовления структур кремний на диэлектрике | |
US3698947A (en) | Process for forming monocrystalline and poly | |
KR20040107375A (ko) | Soi 웨이퍼 및 그 제조방법 | |
JPS6155252B2 (ru) | ||
JPH10223870A (ja) | 半導体装置製造用ウェーハ | |
US11380577B2 (en) | Method for transferring a thin layer using a filled preceramic polymer | |
KR930008994A (ko) | 웨이퍼 결합 기술 | |
JPH01302740A (ja) | 誘電体分離半導体基板およびその製造方法 | |
JPS60149146A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0324719A (ja) | 単結晶膜の形成方法及び結晶物品 | |
EP0366208A2 (en) | Method for bonding silicon wafers together, for manufacturing semiconductor devices | |
JPS61144037A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPS61144036A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JPH0677446A (ja) | Soi型半導体装置およびその製造方法 |