RU2009143902A - Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией - Google Patents
Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009143902A RU2009143902A RU2009143902/28A RU2009143902A RU2009143902A RU 2009143902 A RU2009143902 A RU 2009143902A RU 2009143902/28 A RU2009143902/28 A RU 2009143902/28A RU 2009143902 A RU2009143902 A RU 2009143902A RU 2009143902 A RU2009143902 A RU 2009143902A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- metal
- light emitting
- shunt
- organic light
- Prior art date
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 title 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 42
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 42
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000007743 anodising Methods 0.000 claims abstract 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/814—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80516—Anodes combined with auxiliary electrodes, e.g. ITO layer combined with metal lines
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80522—Cathodes combined with auxiliary electrodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
1. Органическое светоизлучающее устройство (100), содержащее подложку (101), первый электропроводный слой (102), светоизлучающий слой (103) и второй электропроводный слой (104), причем указанное светоизлучающее устройство (100) также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт (105), который находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (102), отличающееся тем, что указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) изолирован от указанного второго электропроводного слоя (104), по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя (106); указанное устройство содержит первый металлический шунт (303) и второй металлический шунт (304), причем указанный первый металлический шунт (303) находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (302) и указанный второй металлический шунт (304) находится в электрическом контакте с указанным вторым электропроводным слоем (104). ! 2. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) содержит первый металлический слой (107), покрытый указанным диэлектрическим оксидным слоем (106). ! 3. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1 или 2, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) представляет собой оксидный слой, сформированный из указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105). ! 4. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) сформирован посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указан�
Claims (11)
1. Органическое светоизлучающее устройство (100), содержащее подложку (101), первый электропроводный слой (102), светоизлучающий слой (103) и второй электропроводный слой (104), причем указанное светоизлучающее устройство (100) также содержит, по меньшей мере, один металлический шунт (105), который находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (102), отличающееся тем, что указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) изолирован от указанного второго электропроводного слоя (104), по меньшей мере, посредством диэлектрического оксидного слоя (106); указанное устройство содержит первый металлический шунт (303) и второй металлический шунт (304), причем указанный первый металлический шунт (303) находится в электрическом контакте с указанным первым электропроводным слоем (302) и указанный второй металлический шунт (304) находится в электрическом контакте с указанным вторым электропроводным слоем (104).
2. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) содержит первый металлический слой (107), покрытый указанным диэлектрическим оксидным слоем (106).
3. Органическое светоизлучающее устройство (100) по п.1 или 2, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) представляет собой оксидный слой, сформированный из указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
4. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106) сформирован посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
5. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический слой (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105) отобран из группы, состоящей из алюминия, циркония, титана и галлия.
6. Органическое светоизлучающее устройство (100) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный, по меньшей мере, один металлический шунт (105) также содержит, по меньшей мере, один дополнительный металлический слой (108), нанесенный для улучшения электрического контакта между указанным первым электропроводным слоем (102) и указанным, по меньшей мере, одним металлическим шунтом (105), причем указанный дополнительный металлический слой (слои) (108) может быть отобран из группы, состоящей из молибдена, алюминия, хрома, нитрида титана, меди, серебра, золота, вольфрама, циркония, титана, гафния или их комбинаций или сплавов.
7. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный второй металлический шунт (304) расположен поверх указанного первого металлического шунта (303).
8. Органическое светоизлучающее устройство (300) по любому из предшествующих пунктов, в котором указанный первый металлический шунт (303) отделен от указанного второго металлического шунта (304) вторым диэлектрическим слоем (305).
9. Органическое светоизлучающее устройство (300) по п.8, в котором указанный второй диэлектрический слой (305) отобран из группы, состоящей из Si02, Si3N4 и Al2O3.
10. Способ изготовления органического светоизлучающего устройства (100) по п.1, содержащий:
a) обеспечение подложки (101);
b) расположение первого электропроводного слоя (102) на указанной подложке (101);
c) расположение первого металлического слоя (107) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102);
d) структурирование указанного первого металлического слоя (107) для формирования, по меньшей мере, одного металлического шунта (105);
e) формирование диэлектрического оксидного слоя (106) на указанном первом металлическом слое (107) указанного металлического шунта (105);
расположение светоизлучающего слоя (103) на указанном первом электропроводном слое (102) и
f) расположение второго электропроводного слоя (104) на указанном светоизлучающем слое (103);
указанный способ также содержит этап расположения, по меньшей мере, одного дополнительного металлического слоя (108) на указанной подложке (101) или указанном первом электропроводном слое (102) до этапа c) и также содержит этап структурирования указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107) с использованием диэлектрического оксидного слоя (108), сформированного на этапе e) в качестве маски для травления указанного дополнительного металлического слоя (слоев) (107).
11. Способ по п.10, в котором указанный диэлектрический оксидный слой (106), сформированный на указанном этапе e), формируют посредством анодирования указанного первого металлического слоя (107) указанного, по меньшей мере, одного металлического шунта (105).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP07107086 | 2007-04-27 | ||
| EP07107086.6 | 2007-04-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2009143902A true RU2009143902A (ru) | 2011-06-10 |
| RU2457584C2 RU2457584C2 (ru) | 2012-07-27 |
Family
ID=39580124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2009143902/28A RU2457584C2 (ru) | 2007-04-27 | 2008-04-21 | Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8004188B2 (ru) |
| EP (1) | EP2145355B1 (ru) |
| JP (1) | JP5063778B2 (ru) |
| CN (1) | CN101669228B (ru) |
| RU (1) | RU2457584C2 (ru) |
| WO (1) | WO2008132655A2 (ru) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2202819A1 (en) * | 2008-12-29 | 2010-06-30 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Electro-optic device and method for manufacturing the same |
| EP2394315B1 (en) * | 2009-02-05 | 2019-05-15 | Beijing Xiaomi Mobile Software Co., Ltd. | Electroluminescent device |
| US8334651B2 (en) | 2009-02-05 | 2012-12-18 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electroluminescent device with electrical shunt |
| JP5553518B2 (ja) * | 2009-03-19 | 2014-07-16 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 画像表示装置 |
| WO2012086758A1 (ja) * | 2010-12-24 | 2012-06-28 | Ｎｅｃライティング株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス照明装置 |
| US11152582B2 (en) * | 2013-09-30 | 2021-10-19 | Lg Display Co., Ltd. | Laminate and manufacturing method therefor |
| KR102119453B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2020-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| RU2567118C1 (ru) * | 2014-07-10 | 2015-11-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова | Способ изготовления полупроводникового прибора |
| US9978674B2 (en) * | 2016-04-05 | 2018-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Chip-on-film semiconductor packages and display apparatus including the same |
| US20230269969A1 (en) * | 2020-08-21 | 2023-08-24 | Applied Materials, Inc. | Metal overhang for advanced patterning |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01134895A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Nec Corp | 薄膜ｅｌパネル |
| US5707745A (en) * | 1994-12-13 | 1998-01-13 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor organic light emitting devices |
| JPH08180974A (ja) * | 1994-12-26 | 1996-07-12 | Nippondenso Co Ltd | Ｅｌ素子およびその製造方法 |
| TW364275B (en) * | 1996-03-12 | 1999-07-11 | Idemitsu Kosan Co | Organic electroluminescent element and organic electroluminescent display device |
| JP2000082588A (ja) * | 1997-09-22 | 2000-03-21 | Fuji Electric Co Ltd | 有機発光素子およびその製造方法 |
| US6858847B1 (en) | 1998-10-08 | 2005-02-22 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Circuit and method for energy discrimination of coincident events in coincidence detecting gamma camera system |
| JP2004519719A (ja) * | 2001-03-06 | 2004-07-02 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 表示装置 |
| KR100404203B1 (ko) * | 2001-08-21 | 2003-11-03 | 엘지전자 주식회사 | 트리플 스캔 구조의 유기 ｅｌ 소자 |
| SG143063A1 (en) * | 2002-01-24 | 2008-06-27 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2003255857A (ja) | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機ｅｌディスプレイ |
| KR100504472B1 (ko) * | 2002-09-05 | 2005-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법 |
| JP2004134282A (ja) * | 2002-10-11 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 照明装置及びそれを用いた画像読取装置 |
| DE10324880B4 (de) * | 2003-05-30 | 2007-04-05 | Schott Ag | Verfahren zur Herstellung von OLEDs |
| WO2005053053A1 (en) | 2003-11-26 | 2005-06-09 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Light-emitting device comprising an etch-protective layer |
| US7622338B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-11-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| CN100542363C (zh) * | 2005-09-27 | 2009-09-16 | 铼宝科技股份有限公司 | 有机发光装置及电极基板 |
-
2008
- 2008-04-21 CN CN2008800138052A patent/CN101669228B/zh active Active
- 2008-04-21 JP JP2010504937A patent/JP5063778B2/ja active Active
- 2008-04-21 EP EP08737937.6A patent/EP2145355B1/en active Active
- 2008-04-21 RU RU2009143902/28A patent/RU2457584C2/ru active
- 2008-04-21 US US12/596,862 patent/US8004188B2/en active Active
- 2008-04-21 WO PCT/IB2008/051530 patent/WO2008132655A2/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101669228B (zh) | 2012-06-20 |
| JP2010525539A (ja) | 2010-07-22 |
| CN101669228A (zh) | 2010-03-10 |
| RU2457584C2 (ru) | 2012-07-27 |
| JP5063778B2 (ja) | 2012-10-31 |
| EP2145355B1 (en) | 2013-06-19 |
| WO2008132655A3 (en) | 2009-02-05 |
| EP2145355A2 (en) | 2010-01-20 |
| US8004188B2 (en) | 2011-08-23 |
| US20100084963A1 (en) | 2010-04-08 |
| WO2008132655A2 (en) | 2008-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2009143902A (ru) | Органическое светоизлучающее устройство с анодированной металлизацией | |
| JP5450397B2 (ja) | 半導体ウェハアセンブリの処理方法 | |
| CN101752486B (zh) | 发光器件及其制造方法 | |
| US9570653B2 (en) | Light-emitting semiconductor structure and method for fabricating light-emitting diode device | |
| US8754439B2 (en) | Light-emitting element and the manufacturing method thereof | |
| CN108133999B (zh) | 一种led芯片结构及其制备方法 | |
| CN110085620B (zh) | 一种微阵列集成led芯片及其制备方法 | |
| CN110010752A (zh) | 微led构造体及其制造方法 | |
| CN102169943A (zh) | Ito/氧化锌基复合透明电极发光二极管及其制备方法 | |
| CN104064642A (zh) | 垂直型led的制作方法 | |
| CN104681675A (zh) | 一种石墨烯/氧化锌异质结发光二极管及其制造方法 | |
| CN106684223A (zh) | 一种发光二极管的芯片及其制作方法 | |
| CN103035808A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| TW200637048A (en) | Method for manufacturing and OLED or a blank for forming an OLED as well as such a blank or OLED | |
| CN102460743A (zh) | 发光半导体器件及其制造方法 | |
| US9461211B2 (en) | Method for producing a connection region of an optoelectronic semiconductor chip | |
| KR100630306B1 (ko) | 질화물 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 | |
| TWI427822B (zh) | 發光二極體及其製作方法 | |
| CN108365056A (zh) | 一种垂直结构发光二极管及其制造方法 | |
| CN106299073B (zh) | 发光二极管晶圆及其形成方法 | |
| CN106531861A (zh) | 半导体发光装置 | |
| CN109285924A (zh) | 一种半导体芯片的制造方法 | |
| TW201010131A (en) | Structure and method for manufacturing GaN LED with highly reflective film | |
| CN114122227A (zh) | 一种倒装柔性GaN基LED及其制备方法 | |
| CN103730558B (zh) | 采用复合透明导电层的发光二极管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20190313 |