Claims (6)
1. Полупроводниковый фотопреобразователь, содержащий рабочую поверхность, на которую падает излучение, базовую область, выполненную в виде пластины полупроводникового материала р- или п-типа проводимости и легированные слои с высокой проводимостью п+- и р+-типа, расположенные с двух сторон пластины, контакты к указанным легированным слоям и просветляющее покрытие на рабочей поверхности, отличающийся тем, что на поверхности базовой области, свободной от легированных слоев п+- и р+-типа, выполнены микроуглубления, один, два или три линейных размера которых соизмеримы с одной четвертой длины волны, соответствующей максимальной спектральной плотности излучения, участки базовой области между микроуглублениями содержат легированные слои, поверхность которых покрыта металлическими контактами, ширина легированного слоя и контактов между микроуглублениями 5-10 нм, микроуглубления содержат просветляющее покрытие с пассивирующими свойствами со следующими параметрами: коэффициент поглощения излучения 0,94-0,99, скорость эффективной поверхностной рекомбинации 1-20 см/с.1. A semiconductor photoconverter containing a working surface on which radiation is incident, a base region made in the form of a plate of a semiconductor material of p- or p-type conductivity and doped layers with high conductivity of p + and p + type, located on both sides of the plate , contact to said doped layers and antireflection coating on the working surface, characterized in that on the surface of the base region free of doped layers p + - and p + -type are formed micropitting, one, two or three linear The sizes of which are commensurate with one fourth wavelength corresponding to the maximum spectral radiation density, sections of the base region between microdeeps contain alloyed layers, the surface of which is covered with metal contacts, the width of the doped layer and contacts between microdeeps is 5-10 nm, microdepths contain an antireflection coating with passivating properties with the following parameters: radiation absorption coefficient 0.94-0.99, effective surface recombination rate 1-20 cm / s.
2. Полупроводниковый фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что базовая область из кремния содержит на рабочей и тыльной поверхностях микроуглубления в виде половинок микросфер с радиусом 0,2-0,3 мкм, просветляющее покрытие выполнено из нитрида кремния с водородной пассивацией.2. The semiconductor photoconverter according to claim 1, characterized in that the silicon base region contains microspheres in the form of halves of microspheres with a radius of 0.2-0.3 μm on the working and back surfaces, the antireflection coating is made of silicon nitride with hydrogen passivation.
3. Полупроводниковый фотопреобразователь по п.1 или 2, отличающийся тем, что микроуглубления на рабочей и тыльной поверхности выполнены в форме квадратов, установленных в виде ячеек в центрах прямоугольной контактной сетки.3. The semiconductor photoconverter according to claim 1 or 2, characterized in that the microdeeps on the working and back surfaces are made in the form of squares installed in the form of cells in the centers of a rectangular contact grid.
4. Полупроводниковый фотопреобразователь по п.1, отличающийся тем, что микроуглубления в форме полуцилиндров и контактные слои выполнены в виде чередующихся протяженных структур, длина которых в 10-106 раз превышает их ширину.4. The semiconductor photoconverter according to claim 1, characterized in that the microcavities in the form of half cylinders and contact layers are made in the form of alternating extended structures, the length of which is 10-10 6 times their width.
5. Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя путем создания в базовой области легированных слоев п+- и р+-типа на противоположных поверхностях полупроводниковой пластины, нанесения контактных полос и просветляющего покрытия, отличающийся тем, что после создания легированных областей п+- и p+-типа и нанесения контактных слоев производят селективное вскрытие окон в легированном и металлизированных слоях, формируют микроуглубления в базовой области методом плазмохимического или химического травления и создают на поверхности микроуглублений просветляющее и пассивирующее покрытие.5. A method of manufacturing a semiconductor photoconverter by creating in the base region of the doped layers of p + and p + type on opposite surfaces of the semiconductor wafer, applying contact strips and an antireflection coating, characterized in that after creating the doped regions of p + and p + type and applying the contact layers, selectively open the windows in the alloyed and metallized layers, form microdepths in the base region by the method of plasma chemical or chemical etching and create on erhnosti-pits antireflection and passivation coating.
6. Способ изготовления полупроводникового фотопреобразователя по п.5, отличающийся тем, что вскрытие окон проводят методом лазерной или алмазной гравировки.
6. A method of manufacturing a semiconductor photoconverter according to claim 5, characterized in that the opening of the windows is carried out by laser or diamond engraving.