RU2008145802A - Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида iii группы и полупроводниковый прибор - Google Patents

Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида iii группы и полупроводниковый прибор Download PDF

Info

Publication number
RU2008145802A
RU2008145802A RU2008145802/28A RU2008145802A RU2008145802A RU 2008145802 A RU2008145802 A RU 2008145802A RU 2008145802/28 A RU2008145802/28 A RU 2008145802/28A RU 2008145802 A RU2008145802 A RU 2008145802A RU 2008145802 A RU2008145802 A RU 2008145802A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
group iii
iii nitride
crystalline substrate
semiconductor crystalline
nitride according
Prior art date
Application number
RU2008145802/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Такудзи ОКАХИСА (JP)
Такудзи ОКАХИСА
Томохиро КАВАСЕ (JP)
Томохиро КАВАСЕ
Томоки УЕМУРА (JP)
Томоки УЕМУРА
Мунейюки НИСИОКА (JP)
Мунейюки НИСИОКА
Сатоси АРАКАВА (JP)
Сатоси АРАКАВА
Original Assignee
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp)
Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp), Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. filed Critical Сумитомо Электрик Индастриз, Лтд. (Jp)
Publication of RU2008145802A publication Critical patent/RU2008145802A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
    • C30B29/403—AIII-nitrides

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

1. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы, имеющая диаметр по меньшей мере 25 мм и не более чем 160 мм, которая имеет ! удельное электрическое сопротивление по меньшей мере 1·10-4 Ом·см и не более чем 0,1 Ом·см, ! распределение удельного электрического сопротивления в диаметральном направлении по меньшей мере -30% и не более чем 30%, и ! распределение удельного электрического сопротивления в направлении толщины по меньшей мере -16% и не более чем 16%. ! 2. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой ! указанное распределение удельного электрического сопротивления в диаметральном направлении составляет по меньшей мере -20% и не более чем 20%, и ! указанное распределение удельного электрического сопротивления в направлении толщины составляет по меньшей мере -10% и не более чем 10%. ! 3. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, имеющая толщину по меньшей мере 2 мм и не более чем 160 мм. ! 4. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, имеющая толщину по меньшей мере 100 мкм и не более чем 1000 мкм. ! 5. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой указанное удельное электрическое сопротивление составляет по меньшей мере 1·10-3 Ом·см и не более чем 8·10-3 Ом·см. !6. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 5·1016 см-3 и не более чем 5·1020 см-3. ! 7. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 3·1018 см-3 и не более чем 5·1019 см-3. ! 8. Полупроводниковая кристаллич

Claims (13)

1. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы, имеющая диаметр по меньшей мере 25 мм и не более чем 160 мм, которая имеет
удельное электрическое сопротивление по меньшей мере 1·10-4 Ом·см и не более чем 0,1 Ом·см,
распределение удельного электрического сопротивления в диаметральном направлении по меньшей мере -30% и не более чем 30%, и
распределение удельного электрического сопротивления в направлении толщины по меньшей мере -16% и не более чем 16%.
2. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой
указанное распределение удельного электрического сопротивления в диаметральном направлении составляет по меньшей мере -20% и не более чем 20%, и
указанное распределение удельного электрического сопротивления в направлении толщины составляет по меньшей мере -10% и не более чем 10%.
3. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, имеющая толщину по меньшей мере 2 мм и не более чем 160 мм.
4. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, имеющая толщину по меньшей мере 100 мкм и не более чем 1000 мкм.
5. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой указанное удельное электрическое сопротивление составляет по меньшей мере 1·10-3 Ом·см и не более чем 8·10-3 Ом·см.
6. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 5·1016 см-3 и не более чем 5·1020 см-3.
7. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой концентрация кремния составляет по меньшей мере 3·1018 см-3 и не более чем 5·1019 см-3.
8. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой плотность дислокаций составляет не более чем 1·107 см-2.
9. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, в которой основная поверхность расположена под углом по меньшей мере -5° и не более чем 5 градусов по отношению к любой из (0001) плоскости, (1-100) плоскости, (11-20) плоскости и (11-22) плоскости.
10. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, для которой полная ширина на половине высоты кривой качания при дифракции рентгеновского излучения составляет по меньшей мере 10 угловых секунд и не более чем 500 угловых секунд.
11. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, сформированная из AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y≤1) кристалла.
12. Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида III группы по п.1, сформированная из кристалла нитрида галлия.
13. Полупроводниковый прибор, содержащий
полупроводниковую кристаллическую подложку нитрида III группы по п.1, и
эпитаксиальный слой, сформированный на указанной полупроводниковой кристаллической подложке нитрида III группы.
RU2008145802/28A 2007-11-20 2008-11-19 Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида iii группы и полупроводниковый прибор RU2008145802A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007300460A JP5018423B2 (ja) 2007-11-20 2007-11-20 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板および半導体デバイス
JP2007-300460 2007-11-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2008145802A true RU2008145802A (ru) 2010-05-27

Family

ID=40456253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008145802/28A RU2008145802A (ru) 2007-11-20 2008-11-19 Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида iii группы и полупроводниковый прибор

Country Status (7)

Country Link
US (2) US8698282B2 (ru)
EP (1) EP2065491B1 (ru)
JP (1) JP5018423B2 (ru)
KR (1) KR101444954B1 (ru)
CN (1) CN101442030B (ru)
RU (1) RU2008145802A (ru)
TW (1) TWI429797B (ru)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5045388B2 (ja) * 2007-11-20 2012-10-10 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法
JP5045955B2 (ja) * 2009-04-13 2012-10-10 日立電線株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体自立基板
JP5251893B2 (ja) * 2010-01-21 2013-07-31 日立電線株式会社 導電性ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法及び導電性ｉｉｉ族窒化物基板の製造方法
JP2011199187A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Hitachi Cable Ltd 窒化ガリウム系半導体ダイオード
JP2011213557A (ja) * 2010-04-01 2011-10-27 Hitachi Cable Ltd 導電性ｉｉｉ族窒化物単結晶基板の製造方法
JP2012012292A (ja) * 2010-05-31 2012-01-19 Mitsubishi Chemicals Corp Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法、および該製造方法により得られるｉｉｉ族窒化物結晶、ｉｉｉ族窒化物結晶基板
JP5921089B2 (ja) * 2011-06-01 2016-05-24 三菱電機株式会社 エピタキシャルウエハの製造方法及び半導体装置の製造方法
CN103361735B (zh) * 2012-03-26 2017-07-28 北京通美晶体技术有限公司 一种iiia‑va族半导体单晶衬底及其制备方法
US9917004B2 (en) 2012-10-12 2018-03-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device
JP6322890B2 (ja) 2013-02-18 2018-05-16 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物複合基板およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスの製造方法
US9136337B2 (en) 2012-10-12 2015-09-15 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, laminated group III nitride composite substrate, and group III nitride semiconductor device and method for manufacturing the same
CN104995713A (zh) 2013-02-18 2015-10-21 住友电气工业株式会社 Iii族氮化物复合衬底及其制造方法,层叠的iii族氮化物复合衬底,以及iii族氮化物半导体器件及其制造方法
US9929310B2 (en) 2013-03-14 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices
WO2014153734A1 (en) * 2013-03-27 2014-10-02 Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. Controllable oxygen concentration in semiconductor substrate
JP5818853B2 (ja) 2013-10-15 2015-11-18 株式会社トクヤマ ｎ型窒化アルミニウム単結晶基板を用いた縦型窒化物半導体デバイス
JP6176069B2 (ja) 2013-11-13 2017-08-09 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物複合基板およびその製造方法、積層ｉｉｉ族窒化物複合基板、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
JP6688109B2 (ja) * 2016-02-25 2020-04-28 日本碍子株式会社 面発光素子、外部共振器型垂直面発光レーザー、および面発光素子の製造方法
DE102016111234B4 (de) * 2016-06-20 2018-01-25 Heraeus Noblelight Gmbh Vorrichtung für die thermische Behandlung eines Substrats sowie Trägerhorde und Substrat-Trägerelement dafür
JP6994835B2 (ja) * 2017-03-03 2022-01-14 株式会社サイオクス 窒化物半導体基板の製造方法および窒化物半導体基板
JP6512369B1 (ja) * 2017-09-21 2019-05-15 住友電気工業株式会社 半絶縁性化合物半導体基板および半絶縁性化合物半導体単結晶
WO2019140445A2 (en) * 2018-01-15 2019-07-18 Alliance For Sustainable Energy, Llc Hydride enhanced growth rates in hydride vapor phase epitaxy
JP7141849B2 (ja) 2018-05-16 2022-09-26 株式会社サイオクス 窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法
EP3839108A4 (en) * 2018-08-17 2021-10-20 Mitsubishi Chemical Corporation N-TYPE GAN CRYSTAL, GAN SLICE, AND GAN CRYSTAL, AND PROCESS FOR THE PRODUCTION OF A NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE USING GAN SLICES

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0379769A (ja) 1989-08-19 1991-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 窒化ホウ素の作製方法
JPH0379770A (ja) 1989-08-19 1991-04-04 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 窒化ホウ素の作製方法
JP2623466B2 (ja) 1990-02-28 1997-06-25 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5306662A (en) * 1991-11-08 1994-04-26 Nichia Chemical Industries, Ltd. Method of manufacturing P-type compound semiconductor
US6617235B2 (en) * 1995-03-30 2003-09-09 Sumitomo Chemical Company, Limited Method of manufacturing Group III-V compound semiconductor
US7578582B2 (en) * 1997-07-15 2009-08-25 Silverbrook Research Pty Ltd Inkjet nozzle chamber holding two fluids
TW417315B (en) * 1998-06-18 2001-01-01 Sumitomo Electric Industries GaN single crystal substrate and its manufacture method of the same
JP3279528B2 (ja) 1998-09-07 2002-04-30 日本電気株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の製造方法
JP2000138168A (ja) * 1998-10-29 2000-05-16 Shin Etsu Handotai Co Ltd 半導体ウェーハ及び気相成長装置
JP4145437B2 (ja) 1999-09-28 2008-09-03 住友電気工業株式会社 単結晶ＧａＮの結晶成長方法及び単結晶ＧａＮ基板の製造方法と単結晶ＧａＮ基板
JP3659101B2 (ja) * 1999-12-13 2005-06-15 富士ゼロックス株式会社 窒化物半導体素子及びその製造方法
DE10205323B4 (de) * 2001-02-09 2011-03-24 Fuji Electric Systems Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP3838979B2 (ja) * 2001-03-19 2006-10-25 信越半導体株式会社 太陽電池
JP4734786B2 (ja) 2001-07-04 2011-07-27 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体基板、及びその製造方法
US6835947B2 (en) * 2002-01-31 2004-12-28 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Emitter and method of making
US7494904B2 (en) * 2002-05-08 2009-02-24 Btu International, Inc. Plasma-assisted doping
US7786503B2 (en) * 2002-12-27 2010-08-31 Momentive Performance Materials Inc. Gallium nitride crystals and wafers and method of making
TWI240969B (en) 2003-06-06 2005-10-01 Sanken Electric Co Ltd Nitride semiconductor device and method for manufacturing same
JP4423011B2 (ja) * 2003-06-23 2010-03-03 日本碍子株式会社 高比抵抗ＧａＮ層を含む窒化物膜の製造方法
JP2005101475A (ja) * 2003-08-28 2005-04-14 Hitachi Cable Ltd Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法
US7323256B2 (en) 2003-11-13 2008-01-29 Cree, Inc. Large area, uniformly low dislocation density GaN substrate and process for making the same
JP2005223243A (ja) 2004-02-09 2005-08-18 Hitachi Cable Ltd Ｉｉｉ族窒化物系半導体結晶の製造方法及びハイドライド気相成長装置
KR100541102B1 (ko) * 2004-02-13 2006-01-11 삼성전기주식회사 오믹 접촉을 개선한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP4301564B2 (ja) * 2004-04-27 2009-07-22 株式会社山寿セラミックス 圧電性酸化物単結晶の帯電抑制処理方法、および帯電抑制処理装置
JP2005333090A (ja) * 2004-05-21 2005-12-02 Sumco Corp Ｐ型シリコンウェーハおよびその熱処理方法
JP4936653B2 (ja) * 2004-08-30 2012-05-23 京セラ株式会社 サファイア基板とそれを用いた発光装置
JP2006193348A (ja) * 2005-01-11 2006-07-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体基板およびその製造方法
JP4849296B2 (ja) * 2005-04-11 2012-01-11 日立電線株式会社 ＧａＮ基板
US7405430B2 (en) * 2005-06-10 2008-07-29 Cree, Inc. Highly uniform group III nitride epitaxial layers on 100 millimeter diameter silicon carbide substrates
JP4529846B2 (ja) 2005-09-06 2010-08-25 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物系半導体基板及びその製造方法
JP4720441B2 (ja) 2005-11-02 2011-07-13 日立電線株式会社 青色発光ダイオード用ＧａＮ基板
JP4187175B2 (ja) 2006-03-13 2008-11-26 国立大学法人東北大学 窒化ガリウム系材料の製造方法
US7518216B2 (en) * 2006-03-20 2009-04-14 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Gallium nitride baseplate, epitaxial substrate, and method of forming gallium nitride
JP5656401B2 (ja) * 2006-05-08 2015-01-21 フライベルガー・コンパウンド・マテリアルズ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツングＦｒｅｉｂｅｒｇｅｒ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｇｍｂｈ Ｉｉｉ−ｎバルク結晶及び自立型ｉｉｉ−ｎ基板の製造方法、並びにｉｉｉ−ｎバルク結晶及び自立型ｉｉｉ−ｎ基板
US8853065B2 (en) * 2006-05-16 2014-10-07 Cree, Inc. Methods for fabricating semiconductor devices having reduced implant contamination
US7772097B2 (en) * 2007-11-05 2010-08-10 Asm America, Inc. Methods of selectively depositing silicon-containing films
JP2009126723A (ja) 2007-11-20 2009-06-11 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法、ｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板
JP5045388B2 (ja) 2007-11-20 2012-10-10 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶の成長方法およびｉｉｉ族窒化物半導体結晶基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5018423B2 (ja) 2012-09-05
KR101444954B1 (ko) 2014-09-26
EP2065491A3 (en) 2009-06-10
EP2065491B1 (en) 2019-06-19
EP2065491A2 (en) 2009-06-03
JP2009126722A (ja) 2009-06-11
CN101442030A (zh) 2009-05-27
US20100164070A1 (en) 2010-07-01
TWI429797B (zh) 2014-03-11
US20090127662A1 (en) 2009-05-21
US8698282B2 (en) 2014-04-15
KR20090052288A (ko) 2009-05-25
CN101442030B (zh) 2012-08-08
TW200946724A (en) 2009-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2008145802A (ru) Полупроводниковая кристаллическая подложка нитрида iii группы и полупроводниковый прибор
Fu et al. Demonstration of AlN Schottky barrier diodes with blocking voltage over 1 kV
JP5344037B2 (ja) 炭化珪素基板および半導体装置
TWI707975B (zh) 半導體元件用磊晶基板、半導體元件以及半導體元件用磊晶基板之製造方法
RU2008145801A (ru) Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii руппы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii руппы
RU2008145803A (ru) Способ выращивания полупроводникового кристалла нитрида iii группы, способ получения полупроводниковой кристаллической подложки из нитрида iii группы и полупроводниковая кристаллическая подложка из нитрида iii группы
JP6063035B2 (ja) 成膜方法、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置
JP2011243770A (ja) 炭化珪素基板、半導体装置、炭化珪素基板の製造方法
JP2009088223A (ja) 炭化珪素半導体基板およびそれを用いた炭化珪素半導体装置
JPWO2011046021A1 (ja) 炭化珪素基板の製造方法および炭化珪素基板
WO2011142158A1 (ja) 炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置
TW201123268A (en) Silicon carbide substrate production method and silicon carbide substrate
JPWO2010131571A1 (ja) 半導体装置
WO2011077797A1 (ja) 炭化珪素基板
JPWO2011092893A1 (ja) 炭化珪素基板の製造方法
WO2012127748A1 (ja) 炭化珪素基板
US20110262681A1 (en) Silicon carbide substrate and method for manufacturing silicon carbide substrate
JP6760556B2 (ja) 半導体基板の製造方法
Leszczynski et al. Comparison of Si, Sapphire, SiC, and GaN Substrates for HEMT Epitaxy
JP2011243617A (ja) 炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置
Lin et al. Characterization of quaternary AlInGaN films obtained by incorporating Al into InGaN film with the RF reactive magnetron sputtering technology
JP2011243640A (ja) 炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置
Dharmarasu et al. Realization of two‐dimensional electron gas in AlGaN/GaN HEMT structure grown on Si (111) by PA‐MBE
JP2011071204A (ja) 半導体基板の製造方法
US20110233561A1 (en) Semiconductor substrate