RU2005129551A - Способ изготовления подложки с резистом - Google Patents
Способ изготовления подложки с резистом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2005129551A RU2005129551A RU2005129551/04A RU2005129551A RU2005129551A RU 2005129551 A RU2005129551 A RU 2005129551A RU 2005129551/04 A RU2005129551/04 A RU 2005129551/04A RU 2005129551 A RU2005129551 A RU 2005129551A RU 2005129551 A RU2005129551 A RU 2005129551A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- resist
- layer
- resist layer
- conductive layer
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 18
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 claims 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/08—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means
- G06K19/10—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards
- G06K19/16—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code using markings of different kinds or more than one marking of the same kind in the same record carrier, e.g. one marking being sensed by optical and the other by magnetic means at least one kind of marking being used for authentication, e.g. of credit or identity cards the marking being a hologram or diffraction grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/18—Diffraction gratings
- G02B5/1847—Manufacturing methods
- G02B5/1857—Manufacturing methods using exposure or etching means, e.g. holography, photolithography, exposure to electron or ion beams
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0005—Production of optical devices or components in so far as characterised by the lithographic processes or materials used therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2059—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
- G03F7/2061—Electron scattering (proximity) correction or prevention methods
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/02—Details of features involved during the holographic process; Replication of holograms without interference recording
- G03H1/024—Hologram nature or properties
- G03H1/0244—Surface relief holograms
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
- G03H1/08—Synthesising holograms, i.e. holograms synthesized from objects or objects from holograms
- G03H1/0891—Processes or apparatus adapted to convert digital holographic data into a hologram
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H1/00—Holographic processes or apparatus using light, infrared or ultraviolet waves for obtaining holograms or for obtaining an image from them; Details peculiar thereto
- G03H1/04—Processes or apparatus for producing holograms
- G03H1/0476—Holographic printer
- G03H2001/0478—Serial printer, i.e. point oriented processing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2224/00—Writing means other than actinic light wave
- G03H2224/04—Particle beam, e.g. e-beam
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2260/00—Recording materials or recording processes
- G03H2260/14—Photoresist
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03H—HOLOGRAPHIC PROCESSES OR APPARATUS
- G03H2260/00—Recording materials or recording processes
- G03H2260/50—Reactivity or recording processes
- G03H2260/63—Indirect etching, e.g. lithography
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/143—Electron beam
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
Claims (30)
1. Способ изготовления подложки, снабженной слоем (3, 11, 15, 22-25, 30-32) резиста с рельефной структурой (7), воспроизводящей дифракционную структуру, и примыкающим к слою резиста по меньшей мере на отдельных участках проводящим слоем (2, 12, 19, 20, 23, 31), который при экспонировании слоя (3, 11, 15, 22-25, 30-32) резиста электронным лучом (4) рассеивает первичные электроны и/или эмиттирует вторичные электроны, отличающийся тем, что материал слоя (3, 11, 15, 22-25, 30-32) резиста и материал проводящего слоя (2, 12, 19, 20, 23, 31), а также параметры экспонирования согласуют между собой с таким расчетом, чтобы слой (3, 11, 15, 22-25, 30-32) резиста подвергался экспонированию и вне зоны (5) воздействия электронного луча (4) таким образом, чтобы у получаемой таким путем рельефной структуры (7) образующие ее рельефные элементы имели наклонные боковые поверхности.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что создают рельефную структуру (7), у которой угол (8) наклона боковых поверхностей образующих ее рельефных элементов составляет менее 89°.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящий слой (2, 12, 19, 20, 23, 31) выполняют из материала, содержащего по меньшей мере один металл с атомным номером больше 50.
4. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящий слой (2, 12, 19, 20, 23, 31) содержит по меньшей мере один элемент из группы, включающей вольфрам, золото, палладий, хром и алюминий, или сплавы этих элементов.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что проводящий слой (2, 20, 23) располагают между слоем (3, 22, 24) резиста и подложкой (1).
6. Способ по п.5, отличающийся тем, что между проводящим слоем (20) и слоем (22) резиста располагают противоотражающий слой (21), поглощающий оптическое излучение.
7. Способ по п.5 или 6, отличающийся тем, что слой (3, 22, 24) резиста выполняют из негативного резиста.
8. Способ по п.5, отличающийся тем, что на слой (24) резиста наносят другой слой (25) резиста, чувствительного к электромагнитному излучению.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что проводящий слой (12, 19, 31) располагают в направлении излучения перед слоем (11, 15, 30) резиста.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что слой (11, 15, 30) резиста выполняют из позитивного резиста.
11. Способ по п.9 или 10, отличающийся тем, что поверх слоя (11, 15, 30) резиста располагают другой слой резиста.
12. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящим слоем является подложка.
13. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что проводящий слой располагают на отдельной пленке.
14. Способ по п.1, отличающийся тем, что для выполнения слоя (15, 22) резиста используют резистный материал, чувствительный к экспонированию электромагнитным излучением и электронным лучом, и часть слоя (15, 22) резиста подвергают воздействию электромагнитного излучения с использованием маски (17).
15. Способ по п.8, отличающийся тем, что часть другого слоя (25, 32) резиста экспонируют электромагнитным излучением, а расположенный в направлении излучения позади этого другого слоя (25, 32) резиста слой (24, 30) резиста экспонируют электронным лучом (4).
16. Способ по п.14 или 15, отличающийся тем, что в экспонированной электромагнитным излучением части слоя (15, 22) резиста или другого слоя (25, 32) резиста создают истинную голограмму.
17. Способ по п.14 или 15, отличающийся тем, что путем экспонирования слоя (15, 22) резиста или другого слоя (25, 32) резиста электромагнитным излучением создают дифракционную решетку.
18. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что в слое (3, 11, 15, 22, 24, 30) резиста путем его экспонирования электронным лучом создают дифракционную решетку.
19. Резистная матрица, изготовленная способом по одному из пп.1-18.
20. Применение резистной матрицы по п.19 для изготовления штампов для тиснения, прежде всего цилиндров для тиснения.
21. Применение резистной матрицы по п.19 для изготовления защитных элементов.
22. Подложка с резистом, снабженная слоем (3, 11, 15, 22, 24, 30) электронорезиста и проводящим слоем, который при экспонировании слоя (3, 11, 15, 22, 24, 30) резиста электронным лучом (4) рассеивает электроны и/или эмиттирует вторичные электроны, отличающаяся тем, что проводящий слой содержит по меньшей мере один металл с атомным номером, большим или равным 50.
23. Подложка по п.22, отличающаяся тем, что проводящий слой (2, 12, 19, 20, 23, 31) содержит по меньшей мере один элемент из группы, включающей вольфрам, золото, палладий, хром и алюминий, или сплавы этих элементов.
24. Подложка по п.22, отличающаяся тем, что проводящий слой (2, 20, 23) расположен между слоем (3, 22, 24) резиста и подложкой (1).
25. Подложка по п.24, отличающаяся тем, что между проводящим слоем (20) и слоем (22) резиста расположен противоотражающий слой (21), поглощающий оптическое излучение.
26. Подложка по п.24 или 25, отличающаяся тем, что слой (3, 22, 24) резиста выполнен из негативного резиста.
27. Подложка по п.24 или 25, отличающаяся тем, что на слой (24) резиста нанесен другой слой (25) резиста, чувствительного к электромагнитному излучению.
28. Подложка по п.22 или 23, отличающаяся тем, что проводящий слой (12, 19, 31) расположен в направлении излучения перед слоем (11, 15, 30) резиста.
29. Подложка по п.28, отличающаяся тем, что слой (11, 15, 30) резиста выполнен из позитивного резиста.
30. Подложка по п.28, отличающаяся тем, что поверх слоя (11, 15, 30) резиста расположен другой слой резиста.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE10308317.0 | 2003-02-26 | ||
| DE10308317A DE10308317A1 (de) | 2003-02-26 | 2003-02-26 | Verfahren zur Herstellung eines Resistsubstrats |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005129551A true RU2005129551A (ru) | 2007-04-20 |
| RU2334261C2 RU2334261C2 (ru) | 2008-09-20 |
Family
ID=32841923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005129551/04A RU2334261C2 (ru) | 2003-02-26 | 2004-02-24 | Способ изготовления подложки с резистом |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7655381B2 (ru) |
| EP (1) | EP1599764A2 (ru) |
| CN (1) | CN1754128B (ru) |
| AU (1) | AU2004214638B2 (ru) |
| DE (1) | DE10308317A1 (ru) |
| RU (1) | RU2334261C2 (ru) |
| WO (1) | WO2004077161A2 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2462784C1 (ru) * | 2011-03-31 | 2012-09-27 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" | Способ электронной литографии |
| US9177817B2 (en) * | 2011-08-23 | 2015-11-03 | The Research Foundation For The State University Of New York | Methods for fabricating three-dimensional nano-scale structures and devices |
| CN105655233A (zh) * | 2014-12-02 | 2016-06-08 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 一种亚微米双台阶图形的制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3961102A (en) * | 1974-09-13 | 1976-06-01 | Cornwell Research Foundation, Inc. | Scanning electron microscope fabrication of optical gratings |
| JPS57162331A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-06 | Fujitsu Ltd | Forming method for wiring pattern |
| JPS58124230A (ja) * | 1982-01-20 | 1983-07-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 微細パタ−ン形成方法 |
| JPS62235305A (ja) * | 1986-04-04 | 1987-10-15 | Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd | 高分子量アクリル系重合体の製法 |
| JP2938920B2 (ja) * | 1990-01-31 | 1999-08-25 | 住友精化株式会社 | 吸水性樹脂の製造方法 |
| JP3391763B2 (ja) * | 2000-03-03 | 2003-03-31 | 沖電気工業株式会社 | マスクの製造方法 |
| JP3686573B2 (ja) | 2000-05-12 | 2005-08-24 | パイオニア株式会社 | スタンパ形成用電極材料およびスタンパ形成用薄膜 |
-
2003
- 2003-02-26 DE DE10308317A patent/DE10308317A1/de not_active Withdrawn
-
2004
- 2004-02-24 EP EP04713886A patent/EP1599764A2/de not_active Withdrawn
- 2004-02-24 AU AU2004214638A patent/AU2004214638B2/en not_active Ceased
- 2004-02-24 RU RU2005129551/04A patent/RU2334261C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2004-02-24 WO PCT/EP2004/001817 patent/WO2004077161A2/de active Application Filing
- 2004-02-24 CN CN2004800050715A patent/CN1754128B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-02-24 US US10/545,261 patent/US7655381B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2004214638B2 (en) | 2009-07-23 |
| US20060257583A1 (en) | 2006-11-16 |
| WO2004077161A3 (de) | 2005-01-27 |
| EP1599764A2 (de) | 2005-11-30 |
| RU2334261C2 (ru) | 2008-09-20 |
| CN1754128B (zh) | 2011-09-28 |
| WO2004077161A2 (de) | 2004-09-10 |
| US7655381B2 (en) | 2010-02-02 |
| AU2004214638A1 (en) | 2004-09-10 |
| CN1754128A (zh) | 2006-03-29 |
| DE10308317A1 (de) | 2004-09-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101052921B (zh) | 在样品上生成周期性和/或准周期性图形的***和方法 | |
| CN1200289C (zh) | 衍射光的二元光栅结构 | |
| TWI235270B (en) | Plane light source unit and method for manufacturing holographic light-guide plate used for flat panel display | |
| RU2379193C2 (ru) | Металлизированный элемент защиты | |
| TW538455B (en) | Photomask and its manufacturing method, pattern formation method using the photomask | |
| DE102019200698A1 (de) | EUV-Kollektor zum Einsatz in einer EUV-Projektionsbelichtungsanlage | |
| US20170217242A1 (en) | Security Element for Producing Value Documents | |
| US10852640B2 (en) | Optical diffraction component for suppressing at least one target wavelength by destructive interference | |
| WO2004038462A1 (en) | Diffractive structures for the redirection and concentration of optical radiation | |
| DE1924695A1 (de) | Holografisches Abbildungsverfahren | |
| US20060183030A1 (en) | Photomask, method of generating mask pattern, and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2005157375A (ja) | シャドーイング要素を含むフォトマスク、及びそれに関連した方法とシステム | |
| US5637424A (en) | Fine pattern lithography with positive use of interference | |
| RU2005129549A (ru) | Способ изготовления экспонированной подложки | |
| KR20230034325A (ko) | Euv 집광기 | |
| CN1495532A (zh) | 光刻投射装置及用于所述装置中的反射器组件 | |
| RU2005129551A (ru) | Способ изготовления подложки с резистом | |
| CN107367904B (zh) | 极紫外光的光刻光罩 | |
| RU2005100757A (ru) | Способ получения решетчатого изображения, решетчатое изображение и защитный документ | |
| KR100506938B1 (ko) | 2차원적으로 반복하는 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한포토마스크 및 그것을 제조하는 방법 | |
| JPH0882551A (ja) | 凹面エシェレットグレーティングの製造方法 | |
| US6555275B2 (en) | Technique of exposing a resist using electron beams having different accelerating voltages, and method of manufacturing a photomask using the technique | |
| US10416562B2 (en) | Increasing and controlling sensitivity of non-linear metallic thin-film resists | |
| EP0571929A2 (en) | Dummy diffraction mask | |
| KR100555531B1 (ko) | 광학 장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140225 |