RU180845U1 - OUTPUT FRAME OF PLASTIC CASE OF POWERFUL SEMICONDUCTOR DEVICE - Google Patents
OUTPUT FRAME OF PLASTIC CASE OF POWERFUL SEMICONDUCTOR DEVICE Download PDFInfo
- Publication number
- RU180845U1 RU180845U1 RU2018104622U RU2018104622U RU180845U1 RU 180845 U1 RU180845 U1 RU 180845U1 RU 2018104622 U RU2018104622 U RU 2018104622U RU 2018104622 U RU2018104622 U RU 2018104622U RU 180845 U1 RU180845 U1 RU 180845U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- technological
- semiconductor
- plastic
- plastic case
- frame
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 6
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 2
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
- H01L2224/05554—Shape in top view being square
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
Полезная модель относится к области электронной техники, а именно к конструкции выводных рамок мощных полупроводниковых приборов и интегральных схем, герметизируемых пластмассой. Техническим результатом данной полезной модели является улучшение герметичных свойств пластикового корпуса мощного полупроводникового прибора.Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемой выводной рамке пластикового корпуса мощного полупроводникового прибора, состоящей из проводящей пластины, в которой сформированы технологическая рамка для удержания элементов корпуса при его сборке, площадка под посадку полупроводниковых кристаллов с продолговатым отверстием и боковыми вырезами, которые расположены параллельно одной из сторон полупроводникового кристалла, выводы с участками для присоединения гибких выводов к контактным площадкам полупроводниковых кристаллов, расположенные с противоположной стороны от продолговатого отверстия и боковых вырезов, и технологические связи площадки со стороны продолговатого отверстия и боковых вырезов с материалом пластины, причем зазор между краями продолговатого отверстия и боковыми вырезами, а также технологические связи имеют ширину, определяемую по предложенной формуле. 1 ил.The utility model relates to the field of electronic technology, namely to the design of the output frames of powerful semiconductor devices and integrated circuits, sealed with plastic. The technical result of this utility model is to improve the hermetic properties of the plastic case of a powerful semiconductor device. The technical result is achieved by the fact that in the proposed output frame of the plastic case of a powerful semiconductor device, consisting of a conductive plate in which a technological frame is formed to hold the housing elements during its assembly, a landing area for semiconductor crystals with an elongated hole and side cutouts that are located a couple on one side of the semiconductor crystal, the findings with sections for attaching the flexible leads to the contact pads of the semiconductor crystals located on the opposite side of the oblong hole and the side cuts, and the technological connections of the pad on the side of the oblong hole and the side cuts with the plate material, with a gap between the edges oblong holes and side cutouts, as well as technological connections have a width determined by the proposed formula. 1 ill.
Description
Предполагаемая полезная модель относится к области электронной техники, а именно - к конструкции выводных рамок мощных полупроводниковых приборов и интегральных схем, герметизируемых пластмассой.The proposed utility model relates to the field of electronic technology, namely, to the design of the output frames of powerful semiconductor devices and integrated circuits, sealed with plastic.
Известна выводная рамка пластикового корпуса мощного полупроводникового прибора, состоящая из проводящей пластины, в которой сформированы площадка под посадку полупроводниковых кристаллов с боковыми вырезами, которые расположены параллельно одной из сторон полупроводникового кристалла, выводы с участками для присоединения гибких выводов к контактным площадкам полупроводниковых кристаллов, расположенные с противоположной стороны от боковых вырезов (см. чертежи на выводную рамку AMF'7.323.А.1С003).A known output frame of the plastic case of a powerful semiconductor device, consisting of a conductive plate in which a landing area for semiconductor crystals with side cutouts are formed, which are parallel to one side of the semiconductor crystal, leads with sections for attaching flexible leads to the contact pads of the semiconductor crystals, located with opposite side of the side cutouts (see drawings for the output frame AMF'7.323.A.1C003).
В процессе сборки полупроводниковых приборов и интегральных микросхем площадку с посаженным на нее полупроводниковым кристаллом и выводы корпуса, соединенные с полупроводниковым кристаллом гибкими выводами, необходимо герметизировать пластмассой. Технологическая рамка предназначена для удержания элементов корпуса при его сборке. Технологические связи, входящие в состав технологической рамки, предотвращают колебания элементов выводной рамки в процессе герметизации.In the process of assembling semiconductor devices and integrated circuits, a pad with a semiconductor chip planted on it and case leads connected to the semiconductor chip by flexible leads must be sealed with plastic. The technological frame is designed to hold the elements of the housing during its assembly. Technological connections that make up the technological framework prevent oscillations of the elements of the output frame during the sealing process.
Ширину выводов пластикового корпуса выбирают в основном исходя из необходимой плотности тока (для меди плотность тока лежит в пределах 10-20 А/мм2).The width of the conclusions of the plastic case is chosen mainly on the basis of the required current density (for copper, the current density lies in the range of 10-20 A / mm 2 ).
Недостатком данной выводной рамки является отсутствие в ней технологических связей со стороны площадки под посадку полупроводниковых кристаллов. В процессе герметизации это может привести к покрытию обратной стороны площадки слоем пластика (облоем), что ухудшает теплоотвод от полупроводниковых кристаллов.The disadvantage of this output frame is the lack of technological connections from the side of the landing pad for semiconductor crystals. During the sealing process, this can lead to the coating of the back side of the site with a plastic layer (flake), which affects the heat removal from semiconductor crystals.
Указанный недостаток частично устранен в выводной рамке пластикового корпуса мощного полупроводникового прибора, состоящей из проводящей пластины, в которой сформированы технологическая рамка для удержания элементов корпуса при его сборке, площадка под посадку полупроводниковых кристаллов с боковыми вырезами, которые расположены параллельно одной из сторон полупроводникового кристалла, выводы с участками для присоединения гибких выводов к контактным площадкам полупроводниковых кристаллов, расположенные с противоположной стороны от боковых вырезов, и технологические связи площадки со стороны боковых вырезов с материалом пластины (см чертежи на выводную рамку AMF'7.323.A.1C008).This drawback was partially eliminated in the output frame of the plastic case of a powerful semiconductor device, consisting of a conductive plate, in which a technological frame is formed to hold the housing elements during its assembly, a landing area for semiconductor crystals with side cutouts that are parallel to one of the sides of the semiconductor crystal, the conclusions with sections for attaching flexible leads to the pads of semiconductor crystals located on the opposite side by lateral notches and technological connection pad by the side plates with cutouts pictures (see drawings on the leadframe AMF'7.323.A.1C008).
Приведенная выводная рамка, в отличие от предыдущей имеет технологические связи площадки под посадку полупроводниковых кристаллов с технологической рамкой.The given output frame, unlike the previous one, has technological connections between the landing area for semiconductor crystals and the technological frame.
Уязвимыми местами для проникновения влаги в пластиковых корпусах являются плоские поверхности раздела материала проводящей пластины и пластика. На плоских поверхностях имеет место риск возникновения пор. Чем шире участок площадки для монтажа кристалла, на котором есть такая плоская поверхность, тем выше вероятность проникновения влаги.Vulnerabilities for moisture penetration in plastic cases are flat interfaces between the material of the conductive plate and the plastic. On flat surfaces, there is a risk of pores. The wider the area of the site for mounting the crystal, on which there is such a flat surface, the higher the probability of moisture penetration.
Вырезы и углубления на площадке под посадку кристалла служат для надежного закрепления пластика на выводной рамке. Кроме того, они сокращают ширину описанного участка, и, следовательно, уменьшают вероятность проникновения влаги.Cutouts and indentations at the landing site for the crystal serve to securely fasten the plastic to the lead frame. In addition, they reduce the width of the described area, and, therefore, reduce the likelihood of moisture penetration.
В приведенных выводных рамках пластик закрепляется в боковых вырезах, которые также несколько сокращают ширину участка с плоской поверхностью. Однако, ширина участка с плоской поверхностью в данных выводных рамках достаточно велика.In the given lead frames, the plastic is fixed in the side cutouts, which also slightly reduce the width of the area with a flat surface. However, the width of the area with a flat surface in these output frames is quite large.
Наиболее близкой является выводная рамка пластикового корпуса мощного полупроводникового прибора, состоящая из проводящей пластины, в которой сформированы технологическая рамка для удержания элементов корпуса при его сборке, площадка под посадку полупроводниковых кристаллов с продолговатым отверстием и боковыми вырезами, которые расположены параллельно одной из сторон полупроводникового кристалла, выводы с участками для присоединения гибких выводов к контактным площадкам полупроводниковых кристаллов, расположенные с противоположной стороны от продолговатого отверстия и боковых вырезов, и технологические связи площадок со стороны продолговатого отверстия и боковых вырезов с материалом пластины (см. патент США №7,759,775 класс.H01L 23/495).The closest is the output frame of the plastic case of a powerful semiconductor device, consisting of a conductive plate, in which a technological frame is formed to hold the housing elements during its assembly, a landing pad for semiconductor crystals with an elongated hole and side cutouts that are parallel to one of the sides of the semiconductor crystal, pins with sections for attaching flexible pins to the pads of semiconductor crystals located opposite zhnoy side of the elongated hole and the side notches and technological connection pads from the elongated holes and recesses with the lateral plate material (see. U.S. Patent №7,759,775 klass.H01L 23/495).
Продолговатое отверстие и боковые вырезы надежно закрепляют пластик на выводной рамке и существенно сокращают ширину участка с плоской поверхностью.The elongated hole and side cutouts securely fasten the plastic to the lead frame and significantly reduce the width of the area with a flat surface.
После герметизации пластмассой пластиковый корпус необходимо отделить от технологической рамки. Отделение пластикового корпуса от выводной рамки осуществляется путем вырубки. При этом вырубной штамп давит режущими элементами в определенных местах технологической рамки. На величину давящего усилия влияет ширина технологических связей в месте вырубки: чем шире технологические связи в месте вырубки, тем большее усилие требуется приложить, чтобы вырубить пластиковый корпус. С другой стороны, технологические связи должны обладать необходимой жесткостью (определяемой шириной технологической связи).After sealing with plastic, the plastic case must be separated from the technological frame. The separation of the plastic housing from the output frame is carried out by cutting. In this case, the die cut presses with cutting elements in certain places of the technological frame. The magnitude of the pressing force is affected by the width of the technological ties at the cutting site: the wider the technological ties at the cutting site, the greater the force required to cut the plastic case. On the other hand, technological communications must have the necessary rigidity (determined by the width of the technological communications).
Ширина технологических связей приведенной выводной рамки не регламентируется.The width of the technological links of the given output frame is not regulated.
Техническим результатом данной полезной модели является улучшение герметичных свойств пластикового корпуса мощного полупроводникового прибора.The technical result of this utility model is to improve the sealed properties of the plastic case of a powerful semiconductor device.
Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемой выводной рамке пластикового корпуса мощного полупроводникового прибора, состоящей из проводящей пластины, в которой сформированы технологическая рамка для удержания элементов корпуса при его сборке, площадка под посадку полупроводниковых кристаллов с продолговатым отверстием и боковыми вырезами, которые расположены параллельно одной из сторон полупроводникового кристалла, выводы с участками для присоединения гибких выводов к контактным площадкам полупроводниковых кристаллов, расположенные с противоположной стороны от продолговатого отверстия и боковых вырезов, и технологические связи площадки со стороны продолговатого отверстия и боковых вырезов с материалом пластины, причем зазор между краями продолговатого отверстия и боковыми вырезами, а также технологические связи имеют ширину, определяемую по формуле:The specified technical result is achieved by the fact that in the proposed output frame of the plastic case of a powerful semiconductor device, consisting of a conductive plate, in which a technological frame is formed to hold the housing elements during its assembly, a landing area for semiconductor crystals with an elongated hole and side cutouts that are parallel one side of a semiconductor chip, pins with sections for attaching flexible pins to the pads of semiconductors crystals, located on the opposite side from the oblong hole and side cuts, and the technological connection of the site from the oblong hole and side cuts with the plate material, and the gap between the edges of the oblong hole and side cuts, as well as technological ties, have a width determined by the formula:
а≤b≤d,a≤b≤d,
где а - толщина проводящей пластины;where a is the thickness of the conductive plate;
b - ширина зазора между краями продолговатого отверстия и боковыми вырезами, а также технологических связей;b is the width of the gap between the edges of the oblong hole and side cutouts, as well as technological connections;
d - минимальная ширина вывода пластикового корпуса.d is the minimum output width of the plastic case.
В случае, если ширина зазора между краями продолговатого отверстия и боковыми вырезами, а также технологических связей b меньше толщины проводящей пластины а, в процессе вырубки возможны их пластические деформации в виде скручивания, что ухудшает точность изготовления выводной рамки.If the width of the gap between the edges of the elongated hole and the side cuts, as well as the technological connections b is less than the thickness of the conductive plate a, plastic deformations in the form of twisting are possible during cutting, which impairs the accuracy of manufacturing the lead frame.
При ширине зазора между краями продолговатого отверстия и боковыми вырезами, а также технологических связей более минимальной ширины вывода d требуется приложить большее усилие при вырубке, которое может привести к отслоению и растрескиванию пластика в местах технологических связей. Отслоение и растрескивание пластика ухудшает герметичные свойства пластикового корпуса.If the gap between the edges of the oblong hole and the side cutouts, as well as technological ties is more than the minimum output width d, more force is required when cutting, which can lead to delamination and cracking of the plastic in the places of technological ties. Peeling and cracking of the plastic worsens the leakproof properties of the plastic case.
Таким образом, с одной стороны обеспечивается минимизация ширины технологических связей для облегчения вырубки и уменьшения отслоений и растрескивания пластика, а с другой стороны технологические связи обладают необходимой жесткостью для обеспечения требуемой точности изготовления.Thus, on the one hand, minimization of the width of technological ties is provided to facilitate felling and reduction of delamination and cracking of plastic, and on the other hand, technological ties have the necessary rigidity to ensure the required manufacturing accuracy.
Сущность изобретения поясняется фигурой.The invention is illustrated by the figure.
На фиг. 1 изображен фрагмент выводной рамки мощного полупроводникового прибора.In FIG. 1 shows a fragment of the output frame of a powerful semiconductor device.
Позициями на фиг. 1 обозначеныWith reference to FIG. 1 marked
1 - пластиковый корпус1 - plastic case
2 - технологическая рамка2 - technological frame
3 - площадка под посадку кристалла3 - landing area for the crystal
4 - полупроводниковый кристалл4 - semiconductor crystal
5 - продолговатое отверстие5 - oblong hole
6 - боковые вырезы6 - side cutouts
7 - выводы с участками для присоединения гибких выводов7 - conclusions with sections for attaching flexible findings
8 - гибкие выводы8 - flexible findings
9 - технологические связи9 - technological communications
а - толщина проводящей пластиныa is the thickness of the conductive plate
b - ширина зазора между краями продолговатого отверстия и боковыми вырезами, а также технологических связейb - the width of the gap between the edges of the oblong holes and side cutouts, as well as technological connections
d - минимальная ширина вывода пластикового корпусаd - minimum width of the output of the plastic housing
Выводная рамка пластикового корпуса 1 мощного полупроводникового прибора состоит из технологической рамки 2 для удержания элементов корпуса при его сборке, площадки 3 под посадку полупроводниковых кристаллов 4 с продолговатым отверстием 5 и боковыми вырезами 6, которые расположены параллельно одной из сторон полупроводникового кристалла, выводов 7 с участками для присоединения гибких выводов 8 к контактным площадкам полупроводниковых кристаллов, и технологических связей 9 площадки под посадку кристалла со стороны продолговатого отверстия и боковых вырезов с материалом пластины.The output frame of the
Например, предполагаемое устройство изготовлено из пластины меди толщиной 0,5 мм. Минимальная ширина вывода составляет 0,7-0,85 мм, а ширина технологических связей 0,6 мм.For example, the proposed device is made of a 0.5 mm thick copper plate. The minimum output width is 0.7-0.85 mm, and the width of technological connections is 0.6 mm.
Изготовление предлагаемого устройства осуществляется следующим образом. Выводную рамку вырубают из проводящей пластины, после чего ее формуют. Затем на площадку под посадку полупроводникового кристалла в месте присоединения кристалла наносят закладную деталь из припоя, монтируют полупроводниковый кристалл, ориентированный относительно выводов необходимым образом, и нагревают выводную рамку. После этого производится операция соединения контактных площадок полупроводникового кристалла с выводами корпуса ультразвуковой разваркой гибких выводов. Выводную рамку с присоединенным полупроводниковым кристаллом герметизируют пластмассой. Затем проводится операция вырубки пластикового корпуса из технологической рамки.The manufacture of the proposed device is as follows. The output frame is cut out from the conductive plate, after which it is molded. Then, a embedded part made of solder is applied to the landing pad of the semiconductor crystal at the point of attachment of the crystal, a semiconductor crystal, oriented in relation to the terminals as necessary, is mounted, and the output frame is heated. After this, the operation of connecting the pads of the semiconductor chip with the findings of the housing by ultrasonic welding of the flexible leads is performed. An output frame with an attached semiconductor chip is sealed with plastic. Then, the operation of cutting down the plastic case from the technological frame is carried out.
Предполагаемое устройство проходит проверку на герметичность в камере с повышенным давлением, погруженное в спиртовой раствор родамина. Предполагаемое устройство считается прошедшим проверку в случае, если после вскрытия пластикового корпуса на площадке под посадку полупроводниковых кристаллов отсутствуют следы родамина. Экспериментально было подтверждено, что при использовании выводной рамки приведенной конструкции, пластиковые корпуса выдерживают проверку на герметичность.The proposed device is tested for leaks in a chamber with high pressure, immersed in an alcohol solution of rhodamine. The proposed device is considered tested if, after opening the plastic case at the landing site for semiconductor crystals, there are no traces of rhodamine. It was experimentally confirmed that when using the lead-out frame of the above design, plastic cases can withstand a leak test.
Claims (5)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018104622U RU180845U1 (en) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | OUTPUT FRAME OF PLASTIC CASE OF POWERFUL SEMICONDUCTOR DEVICE |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2018104622U RU180845U1 (en) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | OUTPUT FRAME OF PLASTIC CASE OF POWERFUL SEMICONDUCTOR DEVICE |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU180845U1 true RU180845U1 (en) | 2018-06-28 |
Family
ID=62813371
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2018104622U RU180845U1 (en) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | OUTPUT FRAME OF PLASTIC CASE OF POWERFUL SEMICONDUCTOR DEVICE |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU180845U1 (en) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714792A (en) * | 1994-09-30 | 1998-02-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a reduced die support area and method for making the same |
| RU2191492C2 (en) * | 2000-04-17 | 2002-10-20 | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | Terminal strip for microwave and extremely-highfrequency semiconductor devices |
| US6593622B2 (en) * | 2001-05-02 | 2003-07-15 | International Rectifier Corporation | Power mosfet with integrated drivers in a common package |
| US6794738B2 (en) * | 2002-09-23 | 2004-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe-to-plastic lock for IC package |
| US7759775B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-07-20 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | High current semiconductor power device SOIC package |
| RU172495U1 (en) * | 2017-03-17 | 2017-07-11 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC |
-
2018
- 2018-02-06 RU RU2018104622U patent/RU180845U1/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5714792A (en) * | 1994-09-30 | 1998-02-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a reduced die support area and method for making the same |
| RU2191492C2 (en) * | 2000-04-17 | 2002-10-20 | Государственное научно-производственное предприятие "Исток" | Terminal strip for microwave and extremely-highfrequency semiconductor devices |
| US6593622B2 (en) * | 2001-05-02 | 2003-07-15 | International Rectifier Corporation | Power mosfet with integrated drivers in a common package |
| US6794738B2 (en) * | 2002-09-23 | 2004-09-21 | Texas Instruments Incorporated | Leadframe-to-plastic lock for IC package |
| US7759775B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-07-20 | Alpha And Omega Semiconductor Incorporated | High current semiconductor power device SOIC package |
| RU172495U1 (en) * | 2017-03-17 | 2017-07-11 | Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" | OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11394362B2 (en) | Electronic component housing package, electronic apparatus, and electronic module | |
| US7855464B2 (en) | Semiconductor device having a semiconductor chip and resin sealing portion | |
| US7768105B2 (en) | Pre-molded clip structure | |
| US20080054438A1 (en) | Semiconductor package structure having multiple heat dissipation paths and method of manufacture | |
| KR20080073735A (en) | Device and method for assembling a top and bottom exposed packaged semiconductor | |
| JP6398270B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR20150095586A (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPWO2020071185A1 (en) | Semiconductor devices and manufacturing methods for semiconductor devices | |
| US20130228908A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device, and semiconductor device | |
| JP2008160163A (en) | Semiconductor device and method for manufacturing it, and electronic device | |
| WO2020241346A1 (en) | Semiconductor device | |
| US20220115283A1 (en) | Semiconductor package, electronic device, and method for manufacturing semiconductor package | |
| JP2002368028A (en) | Semiconductor package and method of manufacturing the same | |
| RU180845U1 (en) | OUTPUT FRAME OF PLASTIC CASE OF POWERFUL SEMICONDUCTOR DEVICE | |
| US9691697B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP4334335B2 (en) | Method for manufacturing hybrid integrated circuit device | |
| JP2016146457A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| US9646907B2 (en) | Mold package and manufacturing method thereof | |
| JP2003133329A (en) | Semiconductor device | |
| JP6098467B2 (en) | Manufacturing method of electronic device | |
| US12009333B2 (en) | Semiconductor device | |
| KR20120138984A (en) | Power module package and method for manufacturing the same | |
| TWI689063B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JP2010010567A (en) | Semiconductor device and its nethod for manufacturing | |
| JP2003007933A (en) | Resin-sealing semiconductor device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM9K | Utility model has become invalid (non-payment of fees) |
Effective date: 20200207 |