RU172495U1 - OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC - Google Patents

OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC Download PDF

Info

Publication number
RU172495U1
RU172495U1 RU2017109009U RU2017109009U RU172495U1 RU 172495 U1 RU172495 U1 RU 172495U1 RU 2017109009 U RU2017109009 U RU 2017109009U RU 2017109009 U RU2017109009 U RU 2017109009U RU 172495 U1 RU172495 U1 RU 172495U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
heat dissipator
corrugation
crystal
powerful
flexible
Prior art date
Application number
RU2017109009U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Евгений Викторович Абашин
Константин Львович Афанасьев
Николай Александрович Брюхно
Александр Владимирович Минин
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" filed Critical Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ"
Priority to RU2017109009U priority Critical patent/RU172495U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU172495U1 publication Critical patent/RU172495U1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/27—Manufacturing methods
    • H01L2224/27011—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature
    • H01L2224/27013—Involving a permanent auxiliary member, i.e. a member which is left at least partly in the finished device, e.g. coating, dummy feature for holding or confining the layer connector, e.g. solder flow barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

Использование: для создания выводных рамок мощных интегральных схем. Сущность полезной модели заключается в том, что выводная рамка мощной интегральной микросхемы содержит теплорастекатель с участком присоединения кристалла с рифлением, и траверсы для присоединения гибких выводов, рифление теплорастекателя выполено виде сетки из канавок, расположенных в двух взаимоперпендикулярных направлениях с шагомпричем:где- наибольший диаметр гибкого вывода, соединяющий контактную площадку с теплорастекателем,наименьший линейный размер кристалла. Технический результат: обеспечение возможности повышения качества мощной микросхемы. 2 ил.Use: to create the output frames of powerful integrated circuits. The essence of the utility model lies in the fact that the output frame of a powerful integrated circuit contains a heat dissipator with a section for connecting a crystal with corrugation, and traverses for attaching flexible leads, the corrugation of the heat dissipator is made in the form of a grid of grooves located in two mutually perpendicular directions with a step, where: where is the largest diameter of the flexible output connecting the contact pad to the heat dissipator, the smallest linear crystal size. Effect: providing the possibility of improving the quality of a powerful chip. 2 ill.

Description

Предлагаемая полезная модель относится к области электронной техники, а именно - к конструкции выводных рамок мощных интегральных схем и полупроводниковых приборов, герметизируемых пластмассой.The proposed utility model relates to the field of electronic technology, namely, to the design of the output frames of powerful integrated circuits and semiconductor devices sealed with plastic.

Известна выводная рамка мощной интегральной микросхемы содержащая теплорастекатель с участком присоединения кристалла и траверсы для присоединения гибких выводов (см. патент США №6,114,750 класс. H01L 23/495). Теплорастекатель предназначен для отвода тепла от полупроводникового кристалла к радиатору, на котором закреплен теплорастекатель. Полупроводниковый кристалл присоединен к теплорастекателю закладной деталью из припоя (припойной прокладкой), толщиной 100-150 мкм для того чтобы нивелировать микронеровности паяемых кристалла и теплорастекателя. Толщина паянного шва после припайки обычно составляет 30-50 мкм. Таким образом количество припоя в закладной детали выбрано с запасом, для выравнивания микронеровностей.Known output frame of a powerful integrated circuit containing a heat dissipator with a section for connecting a crystal and a traverse for attaching flexible leads (see US patent No. 6,114,750 class. H01L 23/495). The heat dissipator is designed to remove heat from the semiconductor chip to the radiator on which the heat dissipator is mounted. The semiconductor crystal is connected to the heat dissipator by a embedded part made of solder (solder pad), 100-150 microns thick in order to level the microroughnesses of the soldered crystal and heat dissipator. The thickness of the soldered seam after soldering is usually 30-50 microns. Thus, the amount of solder in the embedded part is selected with a margin for aligning microroughness.

Недостатком данной выводной рамки является то, что при пайке кристалла на теплорастекатель излишки припоя могут за счет сил поверхностного натяжения выходить неравномерно на противоположную сторону теплорастекателя. При присоединении теплорастекателя мощной интегральной микросхемы к радиатору из-за наличия припоя на теплорастекателе между радиатором и теплорастекателем образуется зазор, который ухудшает отвод тепла. В этом случае кристалл микросхемы выходит из строя.The disadvantage of this output frame is that when soldering a crystal to a heat dissipator, excess solder can, due to surface tension forces, exit unevenly on the opposite side of the heat dissipator. When a heat integrated high-power integrated circuit is connected to the radiator, due to the presence of solder on the heat dissipator, a gap is formed between the radiator and the heat dissipator, which impairs heat removal. In this case, the chip chip fails.

Указанный недостаток частично устранен в выводной рамке мощной интегральной микросхемы содержащей теплорастекатель с участком присоединения кристалла с рифлением и траверсы для присоединения гибких выводов, в котором сформирован рельеф в виде канавок в расположенных в одном из направлений, по площади несколько большей размера кристалла (см. электронный документ http://www.z-mars.ru/docum/kt_28.pdf).This drawback was partially eliminated in the output frame of a powerful integrated circuit containing a heat dissipator with an attachment area of a corrugated crystal and a crosshead for attaching flexible leads, in which a relief is formed in the form of grooves in a direction located in one of the directions, with a slightly larger crystal area (see electronic document http://www.z-mars.ru/docum/kt_28.pdf).

Глубина рельефа составляет 30-50 мкм, шаг рельефа 100-150 мкм. Размер площадки с рельефом выбран с запасом таким образом, чтобы на выводную рамку микросхемы или полупроводникового прибора можно было присоединить кристалл максимального размера.The depth of the relief is 30-50 microns, the pitch of the relief is 100-150 microns. The size of the area with the relief is selected with a margin so that a maximum size crystal can be attached to the output frame of the microcircuit or semiconductor device.

Однако недостатком данной выводной рамки является то, что при изготовлении мощных микросхем или полупроводниковых приборов необходимо осуществить присоединение гибких выводов от контактных площадок полупроводниковых кристаллов на теплорастекатель. Такая необходимость возникает в мощных микросхемах, например, в стабилизаторах напряжения. Рабочие элементы стабилизатора электрически изолированы от подложки полупроводникового кристалла и необходимо для уменьшения стоимости изделия за счет уменьшения количества общих выводов в полупроводником приборе соединить мощных вход или выход стабилизатора с теплорастекателем (см. книгу Shankara K. Prasad, Advanced wirebond interconnection technology, стр. 5, рис 1.3 и 1.4). При этом рабочая поверхность теплорастекателя покрыта рельефом с мягким припоем, к которому очень сложно осуществить разварку гибких выводов, из-за того чтобы твердость учаска под разварку с припоем горазно меньше чем твердость материала гибкого вывода.However, the disadvantage of this output frame is that in the manufacture of powerful microcircuits or semiconductor devices, it is necessary to connect flexible leads from the contact pads of the semiconductor crystals to the heat dissipator. Such a need arises in powerful microcircuits, for example, in voltage stabilizers. The stabilizer working elements are electrically isolated from the semiconductor crystal substrate and it is necessary to reduce the number of common leads in the semiconductor device to reduce the power input or output of the stabilizer with a heat dissipator (see Shankara K. Prasad, Advanced wirebond interconnection technology, page 5, Fig 1.3 and 1.4). At the same time, the working surface of the heat dissipator is covered with a relief with soft solder, to which it is very difficult to weld the flexible leads, because the hardness of the pupil for welding with solder is much less than the hardness of the flexible lead material.

Наиболее близкой является выводная рамка мощной интегральной микросхемы содержащая теплорастекатель с участком присоединения кристалла, ограниченный рифлением в виде канавки, и траверсы для присоединения гибких выводов производства фирмы Kangqiang Electronics (см. фотографии на странице http://en.kangqiang.com/products_detail/productId=138.html и чертежи AMF’7.323.A.1B134 стр. 3 рис. 2). Рифление в виде канавки ограничивает растекание припоя по периметру площадки теплорастекателя для присоединения кристалла. Однако внутри площадки растеканию припоя ничего не препятствует, что приводит к необходимости увеличения длины гибкого вывода, соединяющего полупроводниковый кристалл с теплорастекателем, что ухудшает качество мощной микросхемы за счет дополнительных потерь электрической мощности на длинных выводах.The closest is the output frame of a powerful integrated circuit containing a heat dissipator with a crystal attachment area, limited by grooves in the form of a groove, and a traverse for attaching flexible leads manufactured by Kangqiang Electronics (see photos at http://en.kangqiang.com/products_detail/productId = 138.html and drawings AMF'7.323.A.1B134 p. 3 fig. 2). Corrugation in the form of a groove limits the spreading of solder around the perimeter of the heat-dissipating pad for attaching the crystal. However, nothing prevents the spreading of the solder inside the site, which leads to the need to increase the length of the flexible terminal connecting the semiconductor crystal to the heat dissipator, which worsens the quality of the powerful microcircuit due to additional losses of electric power at the long terminals.

Техническим результатом данной полезной модели является повышение качества мощной микросхемы за счет уменьшения длины гибкого вывода, соединяющего полупроводниковый кристалл и теплорастекатель, а, следовательно, уменьшения потерь электрической мощности.The technical result of this utility model is to improve the quality of a powerful microcircuit by reducing the length of the flexible output connecting the semiconductor chip and the heat dissipator, and, therefore, reducing the loss of electric power.

Указанный технический результат достигается тем, что в предлагаемой выводной рамке мощной интегральной микросхемы, содержащей теплорастекатель с участком присоединения кристалла с рифлением, и траверсы для присоединения гибких выводов рифление теплорастекателя выполено виде сетки из канавок, расположенных в двух взаимоперпендикулярных направлениях с шагом а, причем:The specified technical result is achieved by the fact that in the proposed output frame of a powerful integrated circuit containing a heat dissipator with an attachment area of the crystal with corrugation, and a traverse for attaching flexible leads, the heat exchanger corrugation is made in the form of a grid of grooves located in two mutually perpendicular directions with step a , and:

Figure 00000001
Figure 00000001

где d - наибольший диаметр гибкого вывода, соединяющий контактную площадку с теплорастекателем,where d is the largest diameter of the flexible terminal connecting the pad to the heat transfer agent,

В - наименьший линейный размер кристалла. B is the smallest linear crystal size.

Отличительной особенностью является то, что рифление выполнено в виде сетки, что значительно лучше, чем у прототипов ограничивает площадь растекания припоя. Минимальный размер шага гибкого вывода 4d выбран из условия обеспечения качества сварки: размер 3d необходим для формирования сварной точки, а дополнительный размер d необходим для компенсации неточности совмещения сварной точки с плоским участком теплорастекателя, ограниченным рифлением. Максимальный размер шага

Figure 00000002
выбран из условия минимизации площади растекания припоя вдоль минимальной длины стороны кристалла на длину не более его 1,5 длин, что значительно уменьшает длину гибкого вывода. Канавки рифления на теплорастекателе ближайшие к кристаллу остановят растекание припоя, и точка сварки гибкого вывода будет находиться не далее чем 0,5 длины минимального размер кристалла. Сетка канавок ограничивает растекание по обеим осям теплорастекателя.A distinctive feature is that the corrugation is made in the form of a grid, which is much better than the prototype limits the area of spreading of solder. The minimum step size of the flexible lead 4d is selected from the condition of ensuring the quality of welding: 3d size is necessary for the formation of the weld point, and an additional dimension d is necessary to compensate for the inaccuracy of combining the weld point with the flat portion of the heat dissipator, limited by corrugation. Maximum step size
Figure 00000002
selected from the condition of minimizing the area of spreading of solder along the minimum length of the side of the crystal to a length of not more than 1.5 lengths, which significantly reduces the length of the flexible output. The corrugation grooves on the heat dissipator closest to the crystal will stop the solder from spreading, and the flexible lead welding point will be no further than 0.5 times the minimum crystal size. A mesh of grooves limits spreading along both axes of the heat distributor.

Сущность полезной модели поясняется графически.The essence of the utility model is illustrated graphically.

На фиг. 1 изображен фрагмент сечения конструкции выводной рамки мощной интегральной микросхемы (линейного стабилизатора напряжения), содержащей теплорастекатель с участком присоединения кристалла с рифлением и траверс для присоединения гибких выводов.In FIG. Figure 1 shows a fragment of a section of the design of the output frame of a powerful integrated circuit (linear voltage stabilizer) containing a heat dissipator with a section for attaching a crystal with corrugation and a traverse for attaching flexible leads.

На фиг. 2 изображен вид сверху выводной рамки и размещенного на ней кристалла микросхемы.In FIG. 2 shows a top view of the output frame and the chip placed on it.

Позициями на фиг. 1 и фиг. 2 обозначены:With reference to FIG. 1 and FIG. 2 are indicated:

1 - полупроводниковый кристалл1 - semiconductor crystal

2 - закладная деталь из припоя2 - embedded part from solder

3 - теплорастекатель3 - heat dissipator

4 - рифление в виде сетки из канавок4 - grooved mesh

5 - траверсы5 - traverses

6 - гибкие выводы6 - flexible findings

Выводная рамка мощной интегральной микросхемы (линейного стабилизатора напряжения), содержащая теплорастекатель с участком присоединения кристалла с рифлением и траверсы для присоединения гибких выводов, представленная на фиг. 1 и фиг. 2, состоит из полупроводникового кристалла 1, присоединенного при помощи закладной детали из припоя 2 к теплорастекателю 3, на поверхности которого выполено рифление в виде сетки из канавок 4, а так же траверс 5, к которым гибкими выводами 6 присоединен полупроводниковый кристалл 1.The output frame of a powerful integrated circuit (linear voltage stabilizer) containing a heat dissipator with a section for attaching a crystal with corrugation and a crosshead for attaching flexible leads, shown in FIG. 1 and FIG. 2, consists of a semiconductor crystal 1 connected by means of a solder piece from solder 2 to a heat dissipator 3, on the surface of which there is a corrugation in the form of a grid of grooves 4, as well as a traverse 5, to which a semiconductor crystal 1 is attached by flexible leads 6.

Например для размера кристалла линейного стабилизатора напряжения 1,4×1,8 мм и диаметра гибкого вывода 100 мкм шаг рифления составляет не более 0,7 мм.For example, for a crystal size of a linear voltage stabilizer of 1.4 × 1.8 mm and a flexible output diameter of 100 μm, the corrugation pitch is not more than 0.7 mm.

Изготовление предлагаемого устройства осуществляется следующим образом. После вырубки выводной рамки из медной заготовки в области теплорастекателя, предназначенной для присоединения полупроводникового кристалла формируют рифление в виде сетки из канавок, расположенных в двух взаимоперпендикулярных направлениях с шагом а. Глубина канавок составляет 60-120 мкм, а угол клина канавок 90°.The manufacture of the proposed device is as follows. After cutting the output frame from the copper billet in the area of the heat dissipator, designed to attach a semiconductor crystal, corrugation is formed in the form of a grid of grooves located in two mutually perpendicular directions with a step a. The depth of the grooves is 60-120 μm, and the angle of the wedge of the grooves is 90 °.

Выводную рамку со сформированным рифлением нагревают, и в месте присоединения кристалла наносят закладную деталь из припоя. Затем присоединяют полупроводниковый кристалл, ориентированный относительно траверс необходимым образом. Площадь растекания припоя образовала прямоугольник, ограниченный рифлением и составила 2,1×2,5 мм. Максимальная проекция расстояния по горизонтали между местом приварки проволоки диаметром 100 мкм на теплорастекатель и кристаллом составила 0,6 мм. Таким образом, применение предлагаемой конструкции рифления позволяет минимизировать площадь растекания припоя по теплорастекателю и уменьшить длину гибкого вывода, что повышает надежность.The output frame with the formed corrugation is heated, and at the point of attachment of the crystal, a embedded part from the solder is applied. Then attach a semiconductor crystal, oriented relative to the traverse as necessary. The solder spreading area formed a rectangle limited by corrugation and amounted to 2.1 × 2.5 mm. The maximum projection of the horizontal distance between the place of welding of a wire with a diameter of 100 μm on the heat distributor and the crystal was 0.6 mm. Thus, the use of the proposed design of the corrugation allows you to minimize the spreading area of the solder on the heat sink and reduce the length of the flexible output, which increases reliability.

После этого производится операция соединения полупроводникового кристалла с теплорастекателем и траверсами ультразвуковой разваркой гибких выводов.After this, the operation of connecting the semiconductor crystal with a heat dissipator and traverses by ultrasonic welding of the flexible leads is performed.

В таблице 1 приведены значения длин гибкого вывода при осуществлении разварки гибкого вывода на поверхность теплорастекателя без рифления и с рифлением. Как видно из таблицы 1, сетчатое рифление теплорастекателя на 20-30% сокращает длину гибкого вывода, а, соответственно, потери электрической мощности на гибком выводе.Table 1 shows the values of the lengths of the flexible lead during the welding of the flexible lead to the surface of the heat distributor without corrugation and with corrugation. As can be seen from table 1, the mesh corrugation of the heat dissipator by 20-30% reduces the length of the flexible output, and, accordingly, the loss of electric power on the flexible output.

Figure 00000003
Figure 00000003

Claims (4)

Выводная рамка мощной интегральной микросхемы, содержащая теплорастекатель с участком присоединения кристалла с рифлением и траверсы для присоединения гибких выводов, отличающаяся тем, что рифление теплорастекателя выполнено в виде сетки из канавок, расположенных в двух взаимоперпендикулярных направлениях с шагом а, причем:The output frame of a powerful integrated circuit containing a heat dissipator with a section for connecting a crystal with corrugation and a traverse for attaching flexible leads, characterized in that the corrugation of the heat dissipator is made in the form of a grid of grooves located in two mutually perpendicular directions with step a , and:
Figure 00000004
Figure 00000004
 где d - диаметр гибкого вывода, соединяющий контактную площадку с теплорастекателем,where d is the diameter of the flexible output connecting the pad to the heat dissipator, В - наименьший линейный размер кристалла.B is the smallest linear crystal size.
RU2017109009U 2017-03-17 2017-03-17 OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC RU172495U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017109009U RU172495U1 (en) 2017-03-17 2017-03-17 OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2017109009U RU172495U1 (en) 2017-03-17 2017-03-17 OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU172495U1 true RU172495U1 (en) 2017-07-11

Family

ID=59498726

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017109009U RU172495U1 (en) 2017-03-17 2017-03-17 OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU172495U1 (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU180845U1 (en) * 2018-02-06 2018-06-28 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" OUTPUT FRAME OF PLASTIC CASE OF POWERFUL SEMICONDUCTOR DEVICE
RU187926U1 (en) * 2019-01-10 2019-03-25 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" SEMICONDUCTOR OUTPUT FRAME

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5299091A (en) * 1991-03-20 1994-03-29 Hitachi, Ltd. Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same
RU2040075C1 (en) * 1993-04-30 1995-07-20 Кравченко Людмила Леопольдовна Method for manufacturing output frames
US5633528A (en) * 1994-05-25 1997-05-27 Texas Instruments Incorporated Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion
RU2193260C1 (en) * 2001-10-31 2002-11-20 Сасов Юрий Дмитриевич Method for manufacturing three-dimensional multicomponent electronic module
RU2222074C1 (en) * 2002-12-17 2004-01-20 Сасов Юрий Дмитриевич Method for manufacturing hybrid electronic module

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5299091A (en) * 1991-03-20 1994-03-29 Hitachi, Ltd. Packaged semiconductor device having heat dissipation/electrical connection bumps and method of manufacturing same
RU2040075C1 (en) * 1993-04-30 1995-07-20 Кравченко Людмила Леопольдовна Method for manufacturing output frames
US5633528A (en) * 1994-05-25 1997-05-27 Texas Instruments Incorporated Lead frame structure for IC devices with strengthened encapsulation adhesion
RU2193260C1 (en) * 2001-10-31 2002-11-20 Сасов Юрий Дмитриевич Method for manufacturing three-dimensional multicomponent electronic module
RU2222074C1 (en) * 2002-12-17 2004-01-20 Сасов Юрий Дмитриевич Method for manufacturing hybrid electronic module

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU180845U1 (en) * 2018-02-06 2018-06-28 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" OUTPUT FRAME OF PLASTIC CASE OF POWERFUL SEMICONDUCTOR DEVICE
RU187926U1 (en) * 2019-01-10 2019-03-25 Закрытое акционерное общество "ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ" SEMICONDUCTOR OUTPUT FRAME

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI311807B (en) Leadframe, plastic-encapsulated semiconductor device, and method for fabricating the same
TWI450373B (en) Dual side cooling integrated power device package and module and methods of manufacture
JP4651153B2 (en) Semiconductor device
JP6780635B2 (en) Semiconductor module
JP2008153432A (en) Semiconductor device and its manufacturing method
RU172495U1 (en) OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC
JP2015056638A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2009009957A (en) Semiconductor device
TWI452662B (en) Dual side cooling integrated power device package and module and methods of manufacture
KR20170092112A (en) Resin-encapsulated semiconductor device
WO2022233240A1 (en) Packaging structure of power semiconductor device, and power module
TW510158B (en) Heat dissipation structure for semiconductor device
JP2015176871A (en) Semiconductor device and method of manufacturing the same
US9171817B2 (en) Semiconductor device
JP2008251671A (en) Heat dissipating substrate, manufacturing method therefor, and electronic component module
JP2011199161A (en) Semiconductor device
RU172797U1 (en) OUTPUT FRAME OF A POWERFUL INTEGRAL IC
JP5826234B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device
JP4797492B2 (en) Semiconductor device
US20190181083A1 (en) Vertical and horizontal circuit assemblies
JP2006196765A (en) Semiconductor device
JP2015201505A (en) semiconductor device
JP2005310844A (en) Power semiconductor module
JP5362658B2 (en) Semiconductor device
JP2660732B2 (en) Semiconductor device