RU172493U1 - High Efficiency Light Emitting Multilayer Semiconductor LED - Google Patents

High Efficiency Light Emitting Multilayer Semiconductor LED Download PDF

Info

Publication number
RU172493U1
RU172493U1 RU2016142787U RU2016142787U RU172493U1 RU 172493 U1 RU172493 U1 RU 172493U1 RU 2016142787 U RU2016142787 U RU 2016142787U RU 2016142787 U RU2016142787 U RU 2016142787U RU 172493 U1 RU172493 U1 RU 172493U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
led
multilayer semiconductor
refractive index
efficiency
Prior art date
Application number
RU2016142787U
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Олег Николаевич Гадомский
Игорь Александрович Щукарев
Original Assignee
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет" filed Critical федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный университет"
Priority to RU2016142787U priority Critical patent/RU172493U1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU172493U1 publication Critical patent/RU172493U1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots

Abstract

Полезная модель относится к оптоэлектронике. Высокоэффективный светоизлучающий многослойный полупроводниковый светодиод состоит из сапфировой подложки, многослойной полупроводниковой структуры, при этом в качестве верхнего слоя использована композитная структура из полиметилметакрилата с наночастицами серебра. Использование полезной модели позволяет увеличить эффективность выпускаемых светодиодов более чем в три раза. 4 ил.The utility model relates to optoelectronics. A highly efficient light-emitting multilayer semiconductor LED consists of a sapphire substrate, a multilayer semiconductor structure, and a composite structure of polymethyl methacrylate with silver nanoparticles is used as the upper layer. Using the utility model allows increasing the efficiency of the produced LEDs by more than three times. 4 ill.

Description

Полезная модель относится к оптоэлектронике и может быть использована для повышения эффективности цветных и белых выпускаемых в настоящее время светодиодов.The utility model relates to optoelectronics and can be used to increase the efficiency of color and white LEDs currently produced.

Эффективность светодиодов (lm/W) - величина, используемая для определения эффективности преобразования электрической энергии в свет.LED efficiency (lm / W) is a value used to determine the efficiency of converting electrical energy into light.

Наиболее близким аналогом заявляемой полезной модели является светодиод на длине волны 460 нм [Luo Yi, Bai Yiming, Han Yanjun Han, Li Hongtao Li, et. al, “Light extraction efficiency enhancement of GaN-based blue LEDs based on ITO/ InxO ohmic contacts with microstructure formed by annealing in oxygen,” OPTICS EXPRESS 24, A797-A809, 2016], который обладает относительно небольшой эффективностью, что является существенным недостатком. Он состоит из сапфировой подложки, многослойной полупроводниковой структуры и верхнего слоя из оксида индия-олова (ITO). В данной полезной модели будет показано, что замена внешнего слоя ITO в цветных и белых светодиодах на композитный слой из полиметилметакрилата с наночастицами серебра в полимерной матрице (PMMA+Ag) позволяет более чем в три раза увеличить их эффективность.The closest analogue of the claimed utility model is an LED at a wavelength of 460 nm [Luo Yi, Bai Yiming, Han Yanjun Han, Li Hongtao Li, et. al, “Light extraction efficiency enhancement of GaN-based blue LEDs based on ITO / InxO ohmic contacts with microstructure formed by annealing in oxygen,” OPTICS EXPRESS 24, A797-A809, 2016], which has relatively low efficiency, which is a significant drawback . It consists of a sapphire substrate, a multilayer semiconductor structure and an upper layer of indium tin oxide (ITO). In this utility model, it will be shown that replacing the external ITO layer in color and white LEDs with a composite layer of polymethylmethacrylate with silver nanoparticles in a polymer matrix (PMMA + Ag) can more than triple their efficiency.

На фигуре 1 схематично показана схема предлагаемой полезной модели, которая может быть использована для трехкратного увеличения эффективности многослойных полупроводниковых светоизлучающих светодиодов. Структура включает в себя следующие конструктивные элементы: 1 - подложка из сапфира, 2 - многослойная полупроводниковая структура, 3 - слой PMMA+Ag. Будем считать, что оптические свойства многослойного светодиода определяются оптическими свойствами верхнего слоя (слой ITO), а свет под различными углами падает с внутренней стороны светодиода, рассматривая ее как полубесконечную среду с показателем преломления

Figure 00000001
.Figure 1 schematically shows a diagram of the proposed utility model, which can be used to triple the efficiency of multilayer semiconductor light emitting LEDs. The structure includes the following structural elements: 1 - sapphire substrate, 2 - multilayer semiconductor structure, 3 - PMMA + Ag layer. We assume that the optical properties of a multilayer LED are determined by the optical properties of the upper layer (ITO layer), and light at different angles falls from the inside of the LED, considering it as a semi-infinite medium with a refractive index
Figure 00000001
 .

Характерные отличия заявляемой полезной модели от указанного аналога заключаются в том, что отражательная и пропускательная способности внешнего слоя светодиода из материала PMMA+Ag не зависят от:The characteristic differences of the claimed utility model from the indicated analogue are that the reflectance and transmittance of the outer layer of the LED from PMMA + Ag material are independent of:

a) угла падения,a) angle of incidence

b) толщины слоя,b) layer thickness

c) длины волны в интервале от 400 до 1200 нм,c) wavelengths in the range from 400 to 1200 nm,

d) оптических свойств обрамляющих сред.d) optical properties of framing media.

Для получения слоев на различных поверхностях нами разработана технология пневматического распыления наносуспензии с наночастицами серебра [O.N. Gadomsky, N.M. Ushakov, Nanocomposite antireflection coating in the form of thick film and the method of its making Ru, 2456710 from 20.07.2012; V. E. Katnov, O. N. Gadomsky, S. N. Stepin., R.R. Katnova, Method of the making of the antireflection coating Ru, 2554608 from 27.06.2015]. Этот метод нанесения слоев значительно дешевле метода вакуумного напыления слоев, применяемого в настоящее время для производства светодиодов.To obtain layers on various surfaces, we have developed a technology for pneumatic spraying of nanosuspensions with silver nanoparticles [O.N. Gadomsky, N.M. Ushakov, Nanocomposite antireflection coating in the form of thick film and the method of its making Ru, 2456710 from 07/20/2012; V. E. Katnov, O. N. Gadomsky, S. N. Stepin., R.R. Katnova, Method of the making of the antireflection coating Ru, 2554608 from 06/27/2015]. This method of applying layers is much cheaper than the method of vacuum deposition of layers, currently used for the production of LEDs.

Обозначим через

Figure 00000002
эффективность светодиода, верхний слой которого определяется детерминированным показателем преломления (
Figure 00000003
 для слоя ITO), а через
Figure 00000004
 - эффективность светодиода, верхний слой которого заменен на слой из полиметилметакрилата с наночастицами серебра в полимерной матрице. Данный материал обладает случайным квазинулевым показателем преломления, принимающим значения в интервале
Figure 00000005
, где
Figure 00000006
 и зависит от угла
Figure 00000007
, определяющим направления подсветки слоя со стороны активной области внутри светодиода [Гадомский О.Н., Гадомская И.В., Щукарев И.А. Оптика и Спектроскопия, Обтекание светом плоской границы раздела вакуум-оптическая среда с квазинулевым показателем преломления, Т. 120, №. 5, с. 831-838, 2016]. Активной областью в светодиоде, представленном на фиг. 1, является семь квантовых ям, генерирующих фотоны на длине волны
Figure 00000008
 нм.Denote by
Figure 00000002
 the efficiency of an LED whose top layer is determined by a determinate refractive index (
Figure 00000003
 for the ITO layer), and through
Figure 00000004
 - the efficiency of the LED, the top layer of which is replaced by a layer of polymethyl methacrylate with silver nanoparticles in the polymer matrix. This material has a random quasi-zero refractive index, taking values in the range
Figure 00000005
 where
Figure 00000006
 and depends on the angle
Figure 00000007
 determining the direction of illumination of the layer from the side of the active region inside the LED [Gadomsky ON, Gadomskaya IV, Schukarev IA Optics and Spectroscopy, Light flow around a flat interface vacuum-optical medium with a quasi-zero refractive index, T. 120, no. 5, p. 831-838, 2016]. The active area in the LED shown in FIG. 1, there are seven quantum wells generating photons at a wavelength
Figure 00000008
 nm

Известно, что относительная эффективность светодиода имеет вид:It is known that the relative efficiency of the LED has the form:

Figure 00000009
, (1)
Figure 00000009
 , (one)

где

Figure 00000010
- пропускательная способность слоя с детерминированным показателем преломления, вычисленным с помощью классической формулы [Born M., Wolf E., Principles of Optics, Pergamon Press, Oxford, 1969],
Figure 00000011
 - амплитуда напряженности электрического поля, имеющая гауссовую форму и определяющая излучение от активной области светодиода.Where
Figure 00000010
 - transmittance of a layer with a determinate refractive index calculated using the classical formula [Born M., Wolf E., Principles of Optics, Pergamon Press, Oxford, 1969],
Figure 00000011
 - the amplitude of the electric field, having a Gaussian shape and determining the radiation from the active region of the LED.

Известно, что пропускательная способность

Figure 00000012
композитного слоя со стороны подложки (среда 3) имеет вид:Bandwidth is known
Figure 00000012
 the composite layer from the side of the substrate (medium 3) has the form:

Figure 00000013
, (2)
Figure 00000013
 , (2)

где

Figure 00000014
- показатель преломления среды над внешним слоем светодиода,
Figure 00000015
 - угол падения света, исходящего из активной области светодиода,
Figure 00000016
 - угол, в направлении которого фиксируется свет от светодиода в среде 1,
Figure 00000017
 - область допустимых значений случайного показателя преломления композитного слоя,
Figure 00000018
 - площадь поперечного сечения потока фотонов из активной области светодиода,
Figure 00000019
 - площадь поперечного сечения потока фотонов во внешнюю среду. Отношение
Figure 00000020
 показывает, что площадь поперечного сечения потока фотонов в средах 1 и 3 неодинаковая из-за эффекта локализации фотонов. Сечение проходящего через слой с квазинулевым показателем преломления светового пучка всегда больше сечения падающего пучка, т.е.
Figure 00000021
. Это обусловлено фокусировкой фотонов на внешней границе слоя в соответствии с теоремой погашения [Гадомский О.Н., Гадомская И.В., Щукарев И.А. Оптика и Спектроскопия, Обтекание светом плоской границы раздела вакуум-оптическая среда с квазинулевым показателем преломления, Т. 120, №. 5, с. 831-838, 2016]. Локализация фотонов на внешней границе слоя, в соответствие с принципом неопределенностей, приводит к расширению пучка и на выходе из слоя формируется световой пучок с сечением
Figure 00000021
.Where
Figure 00000014
 - the refractive index of the medium above the outer layer of the LED,
Figure 00000015
 - angle of incidence of light emanating from the active region of the LED,
Figure 00000016
 - the angle in the direction of which the light from the LED in the medium 1 is fixed,
Figure 00000017
 - the range of acceptable values of the random refractive index of the composite layer,
Figure 00000018
 - the cross-sectional area of the photon flux from the active region of the LED,
Figure 00000019
 - the cross-sectional area of the photon flux into the environment. Attitude
Figure 00000020
 shows that the cross-sectional area of the photon flux in media 1 and 3 is not the same due to the effect of photon localization. The cross section of a light beam passing through a layer with a quasi-zero refractive index is always larger than the cross section of the incident beam, i.e.
Figure 00000021
 . This is due to the focusing of photons on the outer boundary of the layer in accordance with the extinction theorem [Gadomsky ON, Gadomskaya IV, Schukarev IA Optics and Spectroscopy, Light flow around a flat interface vacuum-optical medium with a quasi-zero refractive index, T. 120, no. 5, p. 831-838, 2016]. The localization of photons at the outer boundary of the layer, in accordance with the uncertainty principle, leads to beam expansion and a light beam with a cross section is formed at the exit from the layer
Figure 00000021
 .

На фигуре 2 изображены пропускательная (a) и отражательная (b) способности композитного PMMA+Ag слоя в зависимости от угла облучения слоя светом со стороны активной области светодиода. Пунктирной кривой обозначена пропускательная способность слоя ITO. Толщина слоя ITO и композитного слоя равна

Figure 00000022
нм, показатель преломления подстилающей среды
Figure 00000023
, показатель преломления среды 1 (воздух)
Figure 00000024
,
Figure 00000025
 нм.Figure 2 shows the transmittance (a) and reflectance (b) of the composite PMMA + Ag layer, depending on the angle of irradiation of the layer with light from the side of the active region of the LED. The dashed curve indicates the bandwidth of the ITO layer. The thickness of the ITO layer and the composite layer is
Figure 00000022
 nm, refractive index of the underlying medium
Figure 00000023
 , the refractive index of the medium 1 (air)
Figure 00000024
 ,
Figure 00000025
 nm

На фигуре 3 изображены пропускательная способность композитного PMMA+Ag слоя в зависимости от угла падения света со стороны активной области светодиода. Пунктирной линией обозначена пропускательная способность слоя ITO. Толщина слоя ITO и композитного слоя равна

Figure 00000026
нм,
Figure 00000027
,
Figure 00000028
. a)
Figure 00000029
 нм, b)
Figure 00000030
 нм.The figure 3 shows the transmittance of the composite PMMA + Ag layer depending on the angle of incidence of light from the side of the active region of the LED. The dashed line indicates the bandwidth of the ITO layer. The thickness of the ITO layer and the composite layer is
Figure 00000026
 nm
Figure 00000027
 ,
Figure 00000028
 . a)
Figure 00000029
 nm, b)
Figure 00000030
 nm

Фиг. 4 поясняет смысл эффекта локализации фотонов на границе композитного PMMA+Ag слоя со случайным квазинулевым показателем преломления при падении потока фотонов из активной области светодиода на нижнюю границу композитного слоя. Это означает, что композитный слой PMMA+Ag фокусирует поток фотонов и на выходе из светодиода будет распространяться направленный поток фотонов.

Figure 00000018
- площадь поперечного сечения потока фотонов из активной области светодиода,
Figure 00000019
 - площадь поперечного сечения потока фотонов во внешнюю среду.FIG. 4 illustrates the meaning of the photon localization effect at the boundary of the composite PMMA + Ag layer with a random quasi-zero refractive index when the photon flux from the active region of the LED falls onto the lower boundary of the composite layer. This means that the PMMA + Ag composite layer focuses the photon flux and a directed photon flux will propagate at the output of the LED.
Figure 00000018
 - the cross-sectional area of the photon flux from the active region of the LED,
Figure 00000019
 - the cross-sectional area of the photon flux into the environment.

Как видно из фиг. 2, 3, пропускательная способность светодиода достигает максимума, равного 87.5% при

Figure 00000031
, и быстро уменьшается до нуля при угле
Figure 00000032
 рад. При этом пропускательная способность верхнего слоя с квазинулевым показателем преломления при различных углах за исключением узкой области вблизи
Figure 00000033
 рад равна единице. Это означает, что относительная эффективность светодиода
Figure 00000034
, то есть применение композитного слоя PMMA+Ag позволяет более чем в три раза увеличить эффективность светодиодов.As can be seen from FIG. 2, 3, the transmittance of the LED reaches a maximum of 87.5% at
Figure 00000031
 , and rapidly decreases to zero at angle
Figure 00000032
 glad. In this case, the transmission capacity of the upper layer with a quasi-zero refractive index at various angles with the exception of a narrow region near
Figure 00000033
 glad is equal to one. This means that the relative efficiency of the LED
Figure 00000034
 , that is, the use of the PMMA + Ag composite layer allows more than three times to increase the efficiency of LEDs.

Излучаемые светодиодом световые фотоны могут выходить во внешнюю среду в заданном телесном угле около 5-45°, при этом площадь внешней поверхности активной области в светодиодах равна

Figure 00000035
Figure 00000036
. Это достигается за счет эффекта полного внутреннего отражения, когда свет из слоя с показателем преломления
Figure 00000037
 попадает в слой с меньшим показателем преломления. Благодаря этому эффекту достигается направленное излучение во внешнюю среду, однако, фотоны из активной области, падающие на границу 2-3 внешнего слоя под углами, превышающими предельный угол эффекта полного внутреннего отражения, направляются в обратную сторону из-за отражения, что значительно снижает эффективность светодиода.Light photons emitted by the LED can exit into the external environment at a given solid angle of about 5-45 °, while the external surface area of the active region in the LEDs is
Figure 00000035
Figure 00000036
 . This is achieved due to the effect of total internal reflection when light from a layer with a refractive index
Figure 00000037
 falls into a layer with a lower refractive index. Due to this effect, directed radiation to the external environment is achieved, however, photons from the active region incident on the boundary of 2-3 external layers at angles exceeding the maximum angle of the total internal reflection effect are sent in the opposite direction due to reflection, which significantly reduces the efficiency of the LED .

Принципиально иная физическая ситуация имеет место в светодиоде, где внешним слоем является композитный слой со случайным квазинулевым показателем преломления (PMMA+Ag). Внешней границей в светодиодах является граница 2-3 (фиг. 4). Фотоны из активной области падают под различными углами

Figure 00000038
, в общем случае, от нуля до
Figure 00000039
 на границу 2-3 композитного слоя и фокусируются в точке
Figure 00000040
. Как показано в [Гадомский О.Н., Гадомская И.В., Щукарев И.А. Оптика и Спектроскопия, Обтекание светом плоской границы раздела вакуум-оптическая среда с квазинулевым показателем преломления, Т. 120, №. 5, с. 831-838, 2016], с помощью теоремы погашения внешнее излучение погашается не на всей поверхности, как это имеет место во френелевской оптике [Борн М., Вольф Э. Основы оптики. М.: 1973, 719 с.], а в точке
Figure 00000040
 плоскости падения. Локализация фотонов в точке, благодаря принципу неопределенностей для координаты и импульса фотонов, приводит к расширению пучка фотонов с радиусом пучка
Figure 00000041
, где
Figure 00000042
 - толщина композитного слоя,
Figure 00000043
 - действительный угол преломления света в слое. Это означает, что с помощью композитного PMMA+Ag слоя достигается высокоэффективное преобразование фотонов из активной области светодиода в направленное внешнее излучение в пределах углов, не превышающих предельный угол, определяемый из соотношения
Figure 00000044
. На фиг. 2, 3 толщина слоя была выбрана такой же, как и толщина слоя ITO, то есть
Figure 00000045
 нм.A fundamentally different physical situation occurs in the LED, where the outer layer is a composite layer with a random quasi-zero refractive index (PMMA + Ag). The external boundary in the LEDs is the boundary 2-3 (Fig. 4). Photons from the active region fall at different angles
Figure 00000038
 generally from zero to
Figure 00000039
 to the border of 2-3 composite layers and focus at
Figure 00000040
 . As shown in [Gadomsky ON, Gadomskaya IV, Schukarev IA Optics and Spectroscopy, Light flow around a flat interface vacuum-optical medium with a quasi-zero refractive index, T. 120, no. 5, p. 831-838, 2016], using the extinction theorem, external radiation is not extinguished on the entire surface, as is the case in Fresnel optics [Born M., Wolf E. Fundamentals of optics. M .: 1973, 719 p.], And at the point
Figure 00000040
 fall planes. The localization of photons at a point, due to the uncertainty principle for the coordinate and momentum of photons, leads to the expansion of a photon beam with a beam radius
Figure 00000041
 where
Figure 00000042
 - the thickness of the composite layer,
Figure 00000043
 - the actual angle of refraction of light in the layer. This means that with the help of the composite PMMA + Ag layer, highly efficient photon conversion from the active region of the LED to directed external radiation is achieved within angles not exceeding the limiting angle determined from the relation
Figure 00000044
 . In FIG. 2, 3 the layer thickness was chosen the same as the ITO layer thickness, i.e.
Figure 00000045
 nm

Claims (1)

Высокоэффективный светоизлучающий многослойный полупроводниковый светодиод, состоящий из сапфировой подложки, многослойной полупроводниковой структуры, отличающийся тем, что в качестве верхнего слоя используется композитная структура из полиметилметакрилата с наночастицами серебра.A highly efficient light-emitting multilayer semiconductor LED, consisting of a sapphire substrate, a multilayer semiconductor structure, characterized in that a composite structure of polymethyl methacrylate with silver nanoparticles is used as the upper layer.
RU2016142787U 2016-10-31 2016-10-31 High Efficiency Light Emitting Multilayer Semiconductor LED RU172493U1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016142787U RU172493U1 (en) 2016-10-31 2016-10-31 High Efficiency Light Emitting Multilayer Semiconductor LED

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2016142787U RU172493U1 (en) 2016-10-31 2016-10-31 High Efficiency Light Emitting Multilayer Semiconductor LED

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU172493U1 true RU172493U1 (en) 2017-07-11

Family

ID=59498636

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2016142787U RU172493U1 (en) 2016-10-31 2016-10-31 High Efficiency Light Emitting Multilayer Semiconductor LED

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU172493U1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2701468C1 (en) * 2018-12-25 2019-09-26 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Transparent conductive oxide with gold nanoparticles

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2456710C1 (en) * 2011-01-18 2012-07-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) Nanocomposite antireflection coating in form of thick film and method of making said coating
US8912560B2 (en) * 2011-06-14 2014-12-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
RU2554608C2 (en) * 2013-07-01 2015-06-27 Общество с ограниченной ответственностью "Солар" Method for producing anti-reflective coating

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2456710C1 (en) * 2011-01-18 2012-07-20 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Саратовский государственный технический университет" (СГТУ) Nanocomposite antireflection coating in form of thick film and method of making said coating
US8912560B2 (en) * 2011-06-14 2014-12-16 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
RU2554608C2 (en) * 2013-07-01 2015-06-27 Общество с ограниченной ответственностью "Солар" Method for producing anti-reflective coating

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2701468C1 (en) * 2018-12-25 2019-09-26 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО) Transparent conductive oxide with gold nanoparticles

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kim et al. Light-extraction enhancement of GaInN light-emitting diodes by graded-refractive-index indium tin oxide anti-reflection contact
Zhu et al. Nanostructured photon management for high performance solar cells
Greiner Light extraction from organic light emitting diode substrates: simulation and experiment
TWI446018B (en) Light extraction film and light emitting device using the same
CN206975244U (en) Light guide plate, backlight module and display device
CN101567414B (en) Light-emitting diode chip and manufacturing method thereof
TWI547750B (en) Optical wavelength-converting device and illumination system using same
CN103069308A (en) Silicon multilayer anti-reflective film with gradually varying refractive index and manufacturing method therefor, and solar cell having same and manufacturing method therefor
RU172493U1 (en) High Efficiency Light Emitting Multilayer Semiconductor LED
CN104979457A (en) Packaging material and packaging structure for packaging photoelectric device
TW201340341A (en) Multiple light management textures
TWI544179B (en) Wavelength-converting device and illumination system using same
TWI481084B (en) Optical device and method for manufacturing the same
TW200718986A (en) Optical configuration for generating polarization conversion
TWI476144B (en) Method for preparing a periodic nanohole structure array and the use thereof
KR20160092635A (en) Nano imprint mold manufacturing method, light emitting diode manufacturing method and light emitting diode using the nano imprint mold manufactured by the method
Das et al. Optimization of nano-grating structure to reduce the reflection losses in GaAs solar cells
Dang et al. Light-extraction enhancement and directional emission control of GaN-based LED with transmission grating
Das et al. Analysis of incident light angles on nano-grating structure for minimizing reflection losses in GaAs solar cells
Minin et al. All-dielectric asymmetrical metasurfaces based on mesoscale dielectric particles with different optical transmissions in opposite directions through full internal reflection
CN204989639U (en) Optics beam splitting device
JP5962503B2 (en) Substrate for photoelectric conversion element and photoelectric conversion element
CN105428493B (en) A kind of GaN base LED and preparation method thereof
Santbergen et al. Towards Lambertian internal light scattering in solar cells using coupled plasmonic and dielectric nanoparticles as back reflector
CN212907774U (en) Periodic nano-structure LED with layered and gradually-changed refractive index