RU159472U1 - Полупроводниковый лазерный резонатор - Google Patents

Полупроводниковый лазерный резонатор Download PDF

Info

Publication number
RU159472U1
RU159472U1 RU2015123549/28U RU2015123549U RU159472U1 RU 159472 U1 RU159472 U1 RU 159472U1 RU 2015123549/28 U RU2015123549/28 U RU 2015123549/28U RU 2015123549 U RU2015123549 U RU 2015123549U RU 159472 U1 RU159472 U1 RU 159472U1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
line
reflection coefficient
resonator
generation
laser
Prior art date
Application number
RU2015123549/28U
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Петрович Якунин
Владислав Анатольевич Фунтиков
Роман Геннадьевич Дьячков
Original Assignee
Владимир Петрович Якунин
Владислав Анатольевич Фунтиков
Роман Геннадьевич Дьячков
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Владимир Петрович Якунин, Владислав Анатольевич Фунтиков, Роман Геннадьевич Дьячков filed Critical Владимир Петрович Якунин
Priority to RU2015123549/28U priority Critical patent/RU159472U1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU159472U1 publication Critical patent/RU159472U1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

Полупроводниковый лазерный резонатор, содержащий размещенные по ходу лазерного луча линейку лазерных одномодовых диодов, линейку микролинз, согласующую линзу, дифракционную решетку, установленную в резонаторе под определенным углом, и выходное зеркало с селективным по спектру генерации коэффициентом отражения, обладающее низким коэффициентом отражения на центральной длине волны генерации и возрастающим коэффициентом отражения к краям полосы усиления.

Description

Известен резонатор с линейкой одномодовых лазерных диодов, содержащий, в частности, модуль лазерного диода, линзу и дифракционную решетку, при этом линза может перемещаться вдоль оптической оси и фиксироваться в выбранном положении (RU 243516 C2, H01S 5/06, 10.11.2011). В этом устройстве используется когерентное сложение излучения, при этом необходимо осуществлять фазировку волновых фронтов излучения на одной длине волны десятков отдельных лазерных диодов в линейке на уровне приблизительно λ/10 при одной и той же поляризации излучения. Когерентное сложение пучков требует разработки систем анализа и управления волновым фронтом отдельных излучателей в реальном времени, обеспечения надежной пространственной фазировки отдельных излучателей, поляризационной стабильности и общей разности хода лучей отдельных лазерных диодов, кратной длине волны излучения, поэтому такие системы оказываются очень сложными в реализации.
Известен полупроводниковый лазерный резонатор, содержащий линейку одномодовых лазерных диодов, согласующую линзу, дифракционную решетку и выходное зеркало с одинаковым коэффициентом по всему спектру усиления, что приводит к потерям энергосъема с линейки лазерных диодов (US 20110216417 A1, H01S 5/405, 08.09.2011). Указанный резонатор принят в качестве наиболее близкого аналога полезной модели.
Задачей создания полезной модели является увеличение энергосъема с одной линейки лазерных диодов путем, повышения добротности резонаторов лазерных диодов находящихся на краях линейки резонатора при обеспечении коллективной генерации лазерных диодов линейки.
Для этого полупроводниковый лазерный резонатор содержит размещенные по ходу лазерного луча линейку лазерных одномодовых диодов, линейку микролинз, согласующую линзу, дифракционную решетку, установленную в резонаторе под углом, и выходное зеркало с селективным по спектру генерации коэффициентом отражения.
На фиг. 1 представлена оптическая схема резонатора.
На фиг. 2 представлена зависимость коэффициента отражения выходного зеркала от длины волны генерации лазерных диодов линейки
Резонатор состоит из расположенных по ходу лазерного излучения линейки лазерных одномодовых диодов 1, линейки микролинз 2, согласующей линзы 3, дифракционной решетки 4 и выходного зеркала 5 с селективным по спектру генерации коэффициентом отражения (см. фиг. 2). Линейка одномодовых лазерных диодов 1, выходная грань, которой просветлена (т.е. имеет коэффициент отражения <0,1%), а на задней нанесено высокоотражающее покрытие, генерирует излучение, имеющее преимущественно (т.е. на >98%) «S» поляризацию. Для предотвращения перекрывания и разделения пучков одномодовых лазерных диодов в линейке 1, сразу после нее установлена линейка микролинз 2. Согласующая линза 3 расположена на фокусном расстоянии по ходу лазерного излучения сразу после линейки микролинз 2 и выполняет согласующую функцию. После прохождения согласующей линзы 3 излучение направляется на дифракционную решетку 4, расположенную в фокальной плоскости согласующей линзы 3 и установленную в резонаторе под определенным углом. При этом совокупность пучков с разными длинами волн под разными углами падает на дифракционную решетку 4 так, что отражаясь от нее все пучки идут по одному и тому же направлению и являются как бы вложенными друг в друга. Таким образом, излучение, собранное в один пучок при помощи дифракционной решетки 4, попадает на выходное зеркало 5, имеющее селективный по спектру генерации коэффициент отражения и обладающее низким коэффициентом отражения на центральной длине волны генерации и возрастающим коэффициентом отражения к краям полосы усиления, где часть его проходит, а часть отражается. При этом каждый одномодовый лазерный диод в линейке представляет собой в предложенной схеме активную среду, помещенную в отдельный резонатор, работающий на собственной длине волны и имеющий добротность соответствующую коэффициенту отражения зеркала в зависимости от своего пространственного расположения в линейке.
В данной конструкции диодного лазерного резонатора используется принцип спектрального (в пределах спектра генерации на определенной центральной длине волны) некогерентного сложения по одному направлению излучения нескольких десятков отдельных лазерных диодов с отличающимися длинами волн генерации общей шириной спектра Δλген, причем Δλген<<λген, каждый мощностью около ватта и с дифракционной расходимостью излучения. В результате такого сложения в едином резонаторе суммарный пучок имеет практически те же характеристики, что и излучение отдельного лазерного диода. Выходное зеркало 5 обладает селективным по спектру генерации коэффициентом отражения (т.е. зеркало имеет специализированный профиль отражения с низким коэффициентом отражения на центральной длине волны генерации, где коэффициент усиления максимален и возрастающим коэффициентом отражения к краям полосы усиления) для увеличения добротности резонаторов каждого отдельного диода в линейке. Технический результат заключается в увеличении энергосъема с одной линейки лазерных диодов путем повышения добротности резонаторов лазерных диодов находящихся на краях линейки в данной схеме резонатора при обеспечении коллективной генерации лазерных диодов линейки.

Claims (1)

  1. Полупроводниковый лазерный резонатор, содержащий размещенные по ходу лазерного луча линейку лазерных одномодовых диодов, линейку микролинз, согласующую линзу, дифракционную решетку, установленную в резонаторе под определенным углом, и выходное зеркало с селективным по спектру генерации коэффициентом отражения, обладающее низким коэффициентом отражения на центральной длине волны генерации и возрастающим коэффициентом отражения к краям полосы усиления.
    Figure 00000001
RU2015123549/28U 2015-06-18 2015-06-18 Полупроводниковый лазерный резонатор RU159472U1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015123549/28U RU159472U1 (ru) 2015-06-18 2015-06-18 Полупроводниковый лазерный резонатор

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015123549/28U RU159472U1 (ru) 2015-06-18 2015-06-18 Полупроводниковый лазерный резонатор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU159472U1 true RU159472U1 (ru) 2016-02-10

Family

ID=55313959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015123549/28U RU159472U1 (ru) 2015-06-18 2015-06-18 Полупроводниковый лазерный резонатор

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU159472U1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU217510U1 (ru) * 2022-12-15 2023-04-04 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) Оптический составной резонатор для твердотельных и диодных лазеров

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU217510U1 (ru) * 2022-12-15 2023-04-04 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН) Оптический составной резонатор для твердотельных и диодных лазеров

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9596034B2 (en) High brightness dense wavelength multiplexing laser
US7636376B2 (en) Method and apparatus for wavelength tuning laser diodes
US7724789B2 (en) Method and apparatus for optical mode multiplexing of multimode lasers and arrays
US20160094016A1 (en) Increasing the spatial and spectral brightness of laser diode arrays
WO2018006559A1 (zh) 一种激光阵列合束装置
CN101859975B (zh) 双波长可调谐掺铥光纤激光器
JP2010522437A (ja) 角度走査及び分散手順を用いて波長掃引レーザを利用するための方法、構成及び装置
JPWO2017022142A1 (ja) 半導体レーザ装置
JP2015508227A5 (ru)
US20110063701A1 (en) Digital optical, planar holography system and method for improving brightness of light beams
JP2009026834A (ja) 外部共振器型の波長可変光源
RU159472U1 (ru) Полупроводниковый лазерный резонатор
CN102868089A (zh) 利用单光栅外腔反馈实现多半导体激光合束的装置及方法
JP5228616B2 (ja) 波長可変光源
RU157894U1 (ru) Полупроводниковый лазерный резонатор
JPWO2018146819A1 (ja) レーザ発振装置
JP2006128656A (ja) 外部共振型半導体レーザ
RU157895U1 (ru) Полупроводниковый лазерный резонатор
US20170201067A1 (en) Method for improvement of the beam quality of the laser light generated by systems of coherently coupled semiconductor diode light sources
Hengesbach et al. Design of a DFB/DBR diode laser module including spectral multiplexing based on VBGs
CN202840237U (zh) 利用单光栅外腔反馈实现多半导体激光合束的装置
CN106785855B (zh) 一种高效率氟化氢激光光栅非稳腔
US20080298404A1 (en) Radiation Beam Source Device
CN114813050B (zh) 一种多模蓝光单管激光模式测量装置
RU192951U1 (ru) Твердотельный лазер высокой яркости с управляемыми спектральными свойствами

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Utility model has become invalid (non-payment of fees)

Effective date: 20160619