RU1082284C - Threshold device - Google Patents

Threshold device

Info

Publication number
RU1082284C
RU1082284C SU3479730A RU1082284C RU 1082284 C RU1082284 C RU 1082284C SU 3479730 A SU3479730 A SU 3479730A RU 1082284 C RU1082284 C RU 1082284C
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
transistor
collector
output
base
emitter
Prior art date
Application number
Other languages
Russian (ru)
Inventor
Э.И. Капля
В.И. Абрамов
Original Assignee
Kaplya E I
Abramov V I
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kaplya E I, Abramov V I filed Critical Kaplya E I
Priority to SU3479730 priority Critical patent/RU1082284C/en
Application granted granted Critical
Publication of RU1082284C publication Critical patent/RU1082284C/en

Links

Images

Landscapes

  • Dc Digital Transmission (AREA)

Description

Изобретение относится к импульсной технике и может найти применение в радиоэлектронной аппаратуре с низким уровнем потpебления энергии от источников питания при работе в условиях воздействия поля на линии связи и является усовершенствованием известного устройства, описанного в авторском свидетельстве N 785980. The invention relates to a pulsed technique and can find application in electronic equipment with a low level of energy consumption from power sources when operating under the influence of a field on a communication line and is an improvement of the known device described in the copyright certificate N 785980.

Пороговое устройство по авт. св. N 785980 содержит входной транзистор n-p-n типа, база и эмиттер которого через первый и второй резисторы подключены к общей шине, а коллектор через резистор коллекторной нагрузки к шине источника питания и базе выходного транзистора p-n-p типа, эмиттер которого соединен с шиной питания, а коллектор через два последовательно соединенные третий и четвертый резисторы к общей шине, и через резистор связи к эмиттеру входного транзистора и к коллектору транзистора обратной связи, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к общей точке третьего и четвертого резисторов. Threshold device according to ed. St. N 785980 contains an input npn type transistor, the base and emitter of which is connected to a common bus through the first and second resistors, and the collector through the collector load resistor to the power supply bus and the base of the pnp type output transistor, the emitter of which is connected to the power bus, and the collector through two the third and fourth resistors connected in series to the common bus, and through the communication resistor to the emitter of the input transistor and to the collector of the feedback transistor, the emitter of which is connected to the common bus, and the base is connected to the common point retego and fourth resistors.

Недостатком известного порогового устройства является низкая помехоустойчивость при работе в условиях воздействия помех на линию связи. A disadvantage of the known threshold device is the low noise immunity when operating under the influence of interference on the communication line.

Целью изобретения является повышение помехоустойчивости. The aim of the invention is to increase noise immunity.

Для достижения указанной цели в устройство по авт. свид. 785980 введены диод и транзистор p-n-p типа, коллектор которого соединен с общей шиной, эмиттер с выходом устройства, база с коллектором выходного транзистора и анодом дополнительного диода, катод которого подключен к выходу устройства. To achieve this goal in the device by ed. testimonial. 785980 introduced a p-n-p type diode and transistor, the collector of which is connected to a common bus, the emitter with the output of the device, the base with the collector of the output transistor and the anode of the additional diode, the cathode of which is connected to the output of the device.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема устройства. The drawing shows a circuit diagram of a device.

Устройство содержит входной транзистор 1, база которого через резистор 2, а эмиттер через резистор 3 соединены с общей шиной, а коллектор через резистор 4 коллекторной нагрузки подключен к шине источника питания и базе выходного транзистора 5, коллектор которого через два соединенных последовательно резистора 6, 7 и через резистор связи 8 к эмиттеру входного транзистора 1, к коллектору дополнительного транзистора 9, эмиттер которого соединен с общей шиной, а база подключена к общей точке третьего и четвертого резисторов, эмиттер через диод 10 соединен с коллектором выходного транзистора 5. Коллектор транзистора 5 через резистор 6 соединен с базой транзистора 11 обратной связи. The device contains an input transistor 1, the base of which is connected through a resistor 2, and the emitter is connected to a common bus through a resistor 3, and the collector through a collector load resistor 4 is connected to the power supply bus and the base of the output transistor 5, the collector of which is connected through two resistors 6, 7 connected in series and through a communication resistor 8 to the emitter of the input transistor 1, to the collector of the additional transistor 9, the emitter of which is connected to a common bus, and the base is connected to a common point of the third and fourth resistors, the emitter through a diode 10 s one with the collector of the output transistor 5. The collector of the transistor 5 through the resistor 6 is connected to the base of transistor 11 feedback.

Устройство работает следующим образом. В исходном состоянии все транзисторы закрыты, так что потребляемая энергия от источника питания определяется тепловыми токами транзисторов. Входной сигнал положительной полярности поступает в цепь базы входного транзистора и открывает его, вызывая открывание выходного, а затем и транзистора 11 обратной связи. При этом транзисторы 1, 5, 11 оказываются насыщенными. The device operates as follows. In the initial state, all transistors are closed, so that the energy consumed from the power source is determined by the thermal currents of the transistors. An input signal of positive polarity enters the base circuit of the input transistor and opens it, causing the output, and then the feedback transistor 11 to open. In this case, the transistors 1, 5, 11 are saturated.

При уменьшении величины входного сигнала его мгновенные значения становятся меньше порога срабатывания устройства, ток в цепи коллектора транзистора 1 уменьшается, вызывая выход из насыщенного состояния транзистора 5 и обуславливая тем самым уменьшение тока базы транзистора 11. Из-за действия положительной обратной связи процесс развивается лавинообразно и происходит обратное опрокидывание устройства. Транзисторы закрываются и устройство возвращается в исходное состояние. With a decrease in the value of the input signal, its instantaneous values become lower than the threshold of the device, the current in the collector circuit of transistor 1 decreases, causing the saturation of transistor 5 to exit and thereby reduce the base current of transistor 11. Due to the positive feedback, the process develops like an avalanche the device backs up. Transistors are closed and the device returns to its original state.

Таким образом, при подаче на вход устройства входного сигнала с амплитудой Uвх>Uпор на коллекторе выходного транзистора 5 напряжение соответствует Епит и через диод 10 передается на нагрузку. При наличии помехи Uном на линии связи Uномпит дополнительный транзистор 9 открывается и ограничивает амплитуду помехи до уровня напряжения Епит.Thus, when an input signal with an amplitude U I > U pores is applied to the input of the device at the collector of the output transistor 5, the voltage corresponds to E pit and is transmitted to the load through the diode 10. In the presence of interference U nom on the communication line U nom > E pit, the additional transistor 9 opens and limits the amplitude of the interference to the voltage level E pit .

При подаче на вход устройства входного сигнала с амплитудой Uвх<Uпор на коллекторе выходного транзистора 5 напряжение соответствует нулевому потенциалу. При действии помехи на линию связи Uномпит дополнительный транзистор 9 открыт и ограничивает напряжение помехи на выходе устройства до уровня 0,5-2 B.When applying to the input of the device an input signal with an amplitude U I <U then on the collector of the output transistor 5, the voltage corresponds to the zero potential. Under the action of interference on the communication line U nom > E pit additional transistor 9 is open and limits the voltage of the noise at the output of the device to a level of 0.5-2 B.

Таким образом, введение дополнительного транзистора и подсоединение его коллектором к шине нулевого потенциала, эмиттером к выходной шине и катоду дополнительного диода, а базой к коллектору выходного транзистора и аноду дополнительного диода в схему устройства позволяет резко уменьшить уровень наводимых сигналов без увеличения потребляемой мощности, с сохранением основных положительных свойств прототипа. Thus, the introduction of an additional transistor and connecting it with a collector to the bus of zero potential, an emitter to the output bus and the cathode of the additional diode, and the base to the collector of the output transistor and the anode of the additional diode in the device circuit allows you to sharply reduce the level of induced signals without increasing the power consumption, while maintaining the main positive properties of the prototype.

Сравнение устройства с базовым образцом, за который выбран блок МБСУ-01 де 2 008.024, в котором выходной каскад выполнен на базе схемы прототипа, показывает, что предлагаемое устройство позволяет уменьшить уровень 20-100В наводимых сигналов на линию связи до величины 0,5-2В, т. е. ослабить его примерно на 30-40 дб, при формировании выходных сигналов с амплитудой 40-60 В. Comparison of the device with the base sample, for which the MBSU-01 de 2 008.024 block is selected, in which the output stage is based on the prototype circuit, shows that the proposed device allows to reduce the level of 20-100V of induced signals to the communication line to a value of 0.5-2V , i.e., weaken it by about 30-40 dB, when generating output signals with an amplitude of 40-60 V.

Claims (1)

ПОРОГОВОЕ УСТРОЙСТВО по авт. св. N 785980, отличающееся тем, что, с целью повышения помехоустойчивости, в него дополнительно введены диод и транзистор p-n-p-типа, коллектор которого соединен с общей шиной, эмиттер с выходом устройства, база с коллектором выходного транзистора и анодом дополнительного диода, катод которого подключен к выходу устройства. THRESHOLD DEVICE by ed. St. N 785980, characterized in that, in order to increase noise immunity, a pnp-type diode and transistor are added to it, the collector of which is connected to a common bus, an emitter with the output of the device, a base with a collector of the output transistor and an anode of an additional diode, the cathode of which is connected to device output.
SU3479730 1982-07-30 1982-07-30 Threshold device RU1082284C (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3479730 RU1082284C (en) 1982-07-30 1982-07-30 Threshold device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SU3479730 RU1082284C (en) 1982-07-30 1982-07-30 Threshold device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU1082284C true RU1082284C (en) 1995-12-27

Family

ID=21025424

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU3479730 RU1082284C (en) 1982-07-30 1982-07-30 Threshold device

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU1082284C (en)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Авторское свидетельство СССР N 785980, кл. H 03K 5/22, G 05B 1/01, 1978. *

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920020847A (en) Sample Band-Gap Voltage Reference Circuit
KR850006783A (en) Switching circuit
KR930015345A (en) Integrated Circuit with Complementary Input Buffer
KR870009238A (en) High voltage detection circuit
US3626209A (en) Square wave generating circuit
KR910010850A (en) Current detection circuit in MOS type power transistor
RU1082284C (en) Threshold device
KR970028930A (en) Bi-Mouse Constant Voltage Generation Circuit
KR910003930A (en) Voltage repeater and its circuit
GB1261737A (en) Variable resistance circuit
KR920003640A (en) Low Noise CMOS Driver
KR930006692Y1 (en) Switching time reducted circuit used for short diode
SU1145474A1 (en) Transistor switch
SU1718369A1 (en) Periodic two-polar voltage double-sided limiter
SU1401573A1 (en) Variable-hysteresis flip-flop
RU2065663C1 (en) Generator of bipolar pulses of reference current
SU754647A1 (en) Power amplifier
SU1732460A1 (en) Logic gate
JPS56119531A (en) Level converting circuit
SU1171974A1 (en) Amplifier
KR0171853B1 (en) The lowest voltage control circuit of electric signal
SU1322445A2 (en) Selector of bipolar pulses
SU1681396A2 (en) Telegraph unipolar-to-bipolar signals trasnducer
SU1582349A1 (en) Ac signal switch
SU1714794A1 (en) Former of logic levels with third state