PT1828848E

PT1828848E - Composições de limpeza para microelectrónica, não aquosas e não corrosivas, contendo inibidores da corrosão poliméricos

Info

Publication number: PT1828848E
Application number: PT05712395T
Authority: PT
Inventors: Seiji Inaoka
Original assignee: Mallinckrodt Baker Inc
Priority date: 2004-12-10
Filing date: 2005-02-01
Publication date: 2010-05-21
Also published as: NO20073497L; CN101076760B; DE602005020499D1; IL183699A; CA2591477A1; WO2006065256A1; PL1828848T3; MY143658A; JP4272677B2; BRPI0518420A2; TWI353380B; IL183699A0; CN101076760A; US20090156453A1; TW200619379A; ATE463763T1; US7947639B2; EP1828848A1; EP1828848B1; ZA200704704B

Description

ΡΕ1828848 1

DESCRIÇÃO

"COMPOSIÇÕES DE LIMPEZA PARA MICROELECTRÓNICA, NÃO AQUOSAS E NÃO CORROSIVAS, CONTENDO INIBIDORES DA CORROSÃO POLIMÉRICOS"

CAMPO DA INVENÇÃO

Esta invenção relaciona-se com métodos e com composições de limpeza não aquosas, essencialmente não corrosivas, para limpar substratos para microelectrónica, e particularmente com tais composições de limpeza úteis e tendo compatibilidade melhorada para com os substratos para microelectrónica caracterizados pela metalização por cobre bem como com substratos caracterizados pela metalização por alumínio. A invenção também se relaciona com a utilização de tais composições de limpeza para decapar resina fotos-sensível, e limpar resíduos de compostos orgânicos, orga-nometálicos e inorgânicos provenientes dos processos de fotogravura e plasmáticos.

ANTECEDENTES DA INVENÇÃO Têm sido propostos muitos decapantes de resina fotossensível e removedores de resíduos para utilização no campo da microelectrónica como produtos de limpeza a jusante ou de acabamento na linha de fabrico. No processo 2 ΡΕ1828848 de fabrico é depositada uma película fina de resina fotossensível numa bolacha de substrato, e então é formada uma imagem do desenho do circuito sobre a película fina. A seguir à cura, a resina não polimerizada é removida com um revelador da resina fotossensível. A imagem resultante é então transferida para o material subjacente, que é geralmente um dieléctrico ou metal, por meio de gases plas-máticos de fotogravura ou de soluções químicas para foto-gravura. Os gases ou as soluções químicas para fotogravura atacam selectivamente a área do substrato não protegida pela resina fotossensível.

Adicionalmente, a seguir ao final do passo de fotogravura, a máscara de resina deve ser removida da área protegida da bolacha para que a operação final de acabamento possa ter lugar. Isto pode ser alcançado num passo de calcinação por plasma pela utilização de gases de plasma de calcinação adequados ou por decapantes químicos em húmido. Tem-se também verificado ser problemática a busca de uma composição de limpeza adequada para remover este material de máscara de resina sem afectar adversamente, por exemplo corroendo, dissolvendo ou enfraquecendo, os circuitos de metal. À medida que os níveis de integração no fabrico na microelectrónica têm aumentado e as dimensões dos dispositivos microelectrónicos desenhados têm diminuído até às dimensões de átomos, o calor formado pela passagem da corrente através dos circuitos tem-se tornado um problema 3 ΡΕ1828848 sério. Tem-se tornado cada vez mais vulgar na arte utilizar metalizações em cobre como o material condutor, em vez de alumínio, dado que o cobre é mais benéfico na redução da formação de calor. Estes materiais de microelectrónica contendo cobre têm apresentado desafios adicionais para se encontrarem composições de limpeza aceitáveis. Muitas das composições para a tecnologia de produção que têm sido desenvolvidas anteriormente para os dispositivos semicondutores "tradicionais" ou "convencionais" contendo estruturas de Al/Si02 ou Al(Cu)/Si02 não podem ser utilizadas com estruturas metalizadas com cobre. Por exemplo, as composições de decapante ou removedoras de resíduos baseadas em hidroxilamina são utilizadas com sucesso para limpar dispositivos com metalizações em alumínio, mas são praticamente inadequadas para aquelas com metalizações em cobre. De forma similar, muitas metalizações em cobre não são adequadas para os dispositivos metalizados com alumínio a menos que sejam efectuados ajustamentos significativos nas composições. A remoção destes resíduos de fotogravura e/ou de calcinação a seguir à fotogravura por plasma e/ou ao processo de calcinação para tais estruturas microelectró-nicas metalizadas com cobre e alumínio tem demonstrado ser problemática, particularmente para substratos metalizados com cobre. A falha na remoção ou neutralização completa destes resíduos pode resultar na absorção de humidade e na formação de materiais indesejáveis que podem originar a

Os materiais dos corrosão das estruturas de metal. 4 ΡΕ1828848 circuitos são corroídos pelos materiais indesejáveis e produzem descontinuidades nos circuitos e aumentos indesejáveis na resistência eléctrica. 0 documento WO 03/007085 A divulga uma composição não aquosa para limpar resina fotossensível de substratos em cobre incluindo de 5% a 50% em peso de uma pirrolidona substituída com alquilo, uma piperidona substituída com alquilo ou uma mistura delas; de 50% a 94% em peso de sulfóxido, sulfoxona, ou uma mistura delas; 0,2% a 20% em peso de uma ou mais alcanolaminas; e 1 ppm a 500 ppm de poliálcool vinílico ou polietilenoimina.

Até agora, os decapantes de resina fotossensível continham frequentemente aminas dado que elas apresentam geralmente uma capacidade de limpeza superior no ataque a resina fotossensível endurecida e na capacidade para decapar tal resina fotossensível endurecida da superfície dos substratos para microelectrónica. No entanto, o cobre é geralmente também gravemente atacado pelas aminas e pode ocorrer uma significativa corrosão do metal se for utilizado um tal decapante convencional de resina fotossensível sem modificação. Portanto, é altamente desejável proporcionar um decapante ou produto de limpeza de resina fotossensível compatível com o cobre para utilização na indústria da microelectrónica, particularmente para materiais metalizados com cobre. É também altamente desejável proporcionar um decapante ou produto de limpeza de resina fotossensível compatível com o cobre para 5 ΡΕ1828848 utilização na indústria da microelectrónica, particularmente para materiais metalizados com cobre, que seja também compatível com a utilização com materiais metalizados com alumínio. Dado que a mesma mudança na tecnologia da metalização de alumínio para o cobre tem sido observada no desenvolvimento de ecrãs de painel plano, é também desejável proporcionar um decapante/produto de limpeza que possa ser utilizado na produção de tais ecrãs de painel plano.

BREVE SUMÁRIO DA INVENÇÃO São proporcionadas composições desta invenção de decapante e de limpeza de resina fotossensível para o acabamento como composições de limpeza não aquosas e não corrosivas, como evidenciado na presente Reivindicação 1, que são essencialmente não corrosivas em relação ao cobre bem como para o alumínio e que incluem pelo menos um solvente orgânico polar, pelo menos uma amina orgânica hidroxilada, e pelo menos um inibidor da corrosão que é um polímero tendo múltiplos grupos funcionais amino ou hidroxilo pendentes da estrutura principal do polímero. As composições desta invenção podem também conter um número de outros componentes opcionais. As composições de limpeza desta invenção podem ser utilizadas sobre uma larga gama de condições de pH e temperatura de processamento/operação, e podem ser utilizadas para remover eficazmente resina fotossensível, resíduos de fotogravura/calcinação pós plasma, materiais absorventes de luz sacrificiais e 6 ΡΕ1828848 revestimentos anti-reflectores (ARC). Adicionalmente, tem sido descoberto que amostras muito difíceis de limpar, tais como resinas fotossensíveis altamente reticuladas ou endurecidas e estruturas que contenham titânio (tais como titânio, óxido de titânio e nitreto de titânio) ou tântalo (tais como tântalo, óxido de tântalo e nitreto de tântalo) podem ser facilmente limpas com as composições de limpeza desta invenção.

As composições decapantes/de limpeza para microelectrónica não aquosas, essencialmente não corrosivas desta invenção incluirão geralmente desde 80% ou mais do componente de solvente orgânico polar, desde 1% a 15% do componente de amina orgânica hidroxilada, e uma quantidade inibidora da corrosão do componente de polímero inibidor da corrosão de desde 0,1% a 10% do componente de polímero inibidor da corrosão com múltiplos grupos funcionais amino ou hidroxilo pendentes. As percentagens em peso proporcionadas nesta especificação estão baseadas no peso total da composição de limpeza.

As composições decapantes/de limpeza não aquosas, essencialmente não corrosivas, desta invenção podem também conter opcionalmente outros componentes compatíveis, incluindo, mas não limitados a, componentes tais como agentes de quelação, co-solventes orgânicos contendo hidroxilo, agentes estabilizantes e quelantes ou complexantes de metais, outros inibidores da corrosão de metais, e agentes tensioactivos. 7 ΡΕ1828848

DESCRIÇÃO DETALHADA DA INVENÇÃO E FORMAS DE REALIZAÇÃO

PREFERIDAS

As composições decapantes e de limpeza de resina fotossensivel para acabamento desta invenção são proporcionadas como composições não aquosas que são essencialmente não corrosivas em relação ao cobre bem como ao alumínio e que incluem um ou mais solventes orgânicos polares, uma ou mais aminas hidroxiladas orgânicas, e um ou mais polímeros inibidores da corrosão tendo múltiplos grupos hidroxilo ou amino pendentes da estrutura principal do polímero. Por " não aquoso" quer entender-se que as composições estão substancialmente livres de água e geralmente apenas terão água presente como impurezas provenientes dos outros componentes, e então em quantidades geralmente até não mais do que 3% em peso da composição, e preferencialmente menos.

As composições de limpeza desta invenção podem ser utilizadas sobre uma larga gama de condições de pH e temperatura de processamento/operação, e podem ser utilizadas para remover eficientemente resina fotossensivel, resíduos de fotogravura/calcinação pós plasma, materiais absorventes de luz sacrificiais, e revestimentos anti-reflectores (ARC). Adicionalmente, tem sido descoberto que amostras muito difíceis de limpar, tais como resinas fotossensíveis altamente reticuladas ou endurecidas e estruturas que contenham titânio (tais como titânio, óxido ΡΕ1828848 de titânio e nitreto de titânio) ou tântalo (tais como tântalo, óxido de tântalo e nitreto de tântalo), podem ser facilmente limpas com as composições de limpeza desta invenção.

As composições decapantes/de limpeza para microelectrónica não aquosas, essencialmente não corrosivas desta invenção incluem desde 80% ou mais, preferencialmente desde 85% ou mais, e com a máxima preferência desde 90% ou mais, do componente de solvente orgânico polar; desde 1% a 15%, preferencialmente desde 2% a 10%, e mais preferencialmente desde 2% a 5%, do componente de amina orgânica hidroxilada, e uma quantidade inibidora da corrosão do componente de polímero inibidor da corrosão de desde 0,1% a 10%, preferencialmente desde 0,3% a 5%, e mais preferencialmente desde 0,3% a 3%. As percentagens em peso proporcionadas nesta especificação estão baseadas no peso total da composição de limpeza.

As composições desta invenção podem conter um ou mais de qualquer solvente orgânico polar adequado, preferencialmente solventes orgânicos polares que incluem ami-das, sulfonas, sulfóxidos, álcoois saturados. Tais solventes orgânicos polares incluem, mas não estão limitados a, solventes polares orgânicos tais como sulfolano (tetra-hidrotiofeno-1,1-dióxido) , 3-metilsulfolano, n-propilsul-fona, dimetilsulfóxido (DMSO), metilsulfona, n-butilsul-fona, 3-metilsulfolano, amidas tais como 1-(2-hidroxietil)-2-pirrolidona (HEP), dimetilpiperidona (DMPD), N-metil-2- 9 ΡΕ1828848 pirrolidona (NMP), dimetilacetamida (DMAc), e dimetilfor-mamida (DMF) e misturas delas. São especialmente preferidos como o solvente orgânico polar, N-metilpirrolidona, sulfo-lano, DMSO e misturas de dois ou mais destes três solventes . 0 componente de amina orgânica hidroxilada pode ser uma ou mais de quaisquer aminas hidroxiladas adequadas, preferencialmente hidroxilamina ou uma alcanolamina, preferencialmente uma alcanolamina. As aminas orgânicas hidroxiladas úteis nas composições desta invenção incluem, mas não estão limitadas a hidroxilamina, monoetanolamina, dietanolamina, trietanolamina, e, particularmente, 2-ami-noetanol, l-amino-2-propanol, l-amino-3-propanol, 2—(2— aminoetoxi)etanol, dietanolamina, 2-(2-aminoetilamino)eta-nol, 2-(2-aminoetilamino)etilamina, e misturas delas. Com a máxima preferência, o componente de amina orgânica hidroxilada é monoetanolamina, dietanolamina, trietanolamina, 2-(2-aminoetilamino)etanol, e l-amino-2-propanol e misturas delas.

Os compostos inibidores da corrosão nas composições de limpeza desta invenção são polímeros tendo múltiplos grupos amina ou hidroxilo pendentes da estrutura de base do polímero. Os exemplos de polímeros inibidores da corrosão adequados incluem, mas não estão limitados a, polímeros e copolímeros de polietilenoimina, polímeros e copolímeros de álcool polivinílico, polímeros e copolímeros de polistireno, polímeros e copolímeros de poli(hidro- 10 ΡΕ1828848 xialquilacrilato ou metacrilato). Os polímeros são preferencialmente polímeros de polietilenoimina, polímeros de álcool polivinílico, e copolímeros de álcool poli-vinílico-etileno.

As composições desta invenção podem também conter opcionalmente um ou mais de quaisquer compostos orgânicos alifáticos contendo hidroxilo ou poli-hidroxilo adequados como um co-solvente. Pode ser empregue nas composições desta invenção qualquer co-solvente orgânico adequado contendo hidroxilo. Os exemplos de tais co-solventes orgânicos adequados contendo hidroxilo incluem, mas não estão limitados a, Os exemplos de inibidores da corrosão adequados incluem, mas não estão limitados a: arabitol, eritritol, xilitol, manitol, sorbitol, etilenoglicol, glicerol, 1,4-butanodiol, 1,2-ciclopentanodiol, 1,2-ciclo-hexanodiol, e metilpentanodiol, frutose, éteres mono- e dialquilo de dietilenoglicol, conhecidos como Carbitol (2-(2-etoxietoxi)etanol) e derivados de Carbitol, e álcoois saturados tais como etanol, propanol, butanol, hexanol, e hexafluoroisopropanol, e misturas deles. É especialmente preferido como um co-solvente o 2-(2-etoxietoxi)etanol (Carbitol). Um co-solvente pode estar presente nas composições desta invenção numa quantidade, com base no peso total da composição, de desde 0% a 10% em peso, preferencialmente desde 0,1% a 10% em peso, com a máxima preferência desde 0,5% a 5% em peso, com base no peso da composição. 11 ΡΕ1828848

As composições desta invenção podem também conter um ou mais de quaisquer outros agentes inibidores da corrosão adequados, preferencialmente compostos arilo contendo dois ou mais grupos OH, 0R6, e/ou SO2R6R7 ligados directamente ao anel aromático, onde R6, R7 e R8 são cada um independentemente alquilo, preferencialmente alquilo com desde 1 a 6 átomos de carbono, ou arilo, preferencialmente arilo com desde 6 a 14 átomos de carbono. Como exemplos de tais agentes inibidores da corrosão preferidos podem ser mencionados o catecol, pirogalol, ácido gálico, resorcinol. Tais outros agentes inibidores da corrosão podem estar presentes numa quantidade de desde 0% a 10% em peso, preferencialmente desde 0,1% a 10% em peso, com a máxima preferência desde 0,5% a 5% em peso com base no peso da composição. Não são exigidos agentes orgânicos ou inorgânicos de quelação ou complexantes de metais, mas oferecem benefícios substanciais, tais como por exemplo, estabilidade do produto melhorada. Podem ser empregues nas composições desta invenção um ou mais de tais agentes inorgânicos de quelação ou complexantes de metais. Os exemplos de agentes de quelação ou complexantes adequados incluem, mas não estão limitados a, ácido trans-1,2-ciclo-hexanodiamina tetra-acético (CyDTA), ácido etilenodiamina tetra-acético (EDTA), estanatos, pirofosfatos, derivados do ácido alquilideno-difosfónico (por exemplo etano-l-hidroxi-1,1-difosfonato), fosfonatos contendo etilenodiamina, espécies funcionais dietilenotriamina ou trietilenotetramina, por 12 ΡΕ1828848 exemplo, ácido etilenodiamina tetra-metilenofosfónico (EDTMP), ácido dietilenotriamina penta-metilenofosfónico, e ácido trietilenotetramina hexa-metilenofosfónico, e misturas deles. 0 agente de quelação estará presente na composição numa quantidade de desde 0% a 5% em peso, preferencialmente desde 0,1% a 2% em peso, com base no peso da composição. Os agentes quelantes ou complexantes de vários fosfonatos, tais como o ácido etilenodiamina tetra metilenofosfónico (EDTMP) oferecem uma estabilização muito melhorada das composições de limpeza das composições de limpeza desta invenção contendo agentes oxidantes em condições acidicas e alcalinas e, assim, são geralmente preferidas.

Opcional: podem ser empregues outros inibidores da corrosão do metal diferentes, tais como o benzotriazol, numa quantidade de desde 0% a 5% em peso, preferencialmente desde 0,1% a 2% em peso, com base no peso da composição.

As composições de limpeza podem opcionalmente conter também um ou mais agentes tensioactivos, tais como, por exemplo, dimetil-hexinol (Surfynol-61), tetrametil-decinodiol etoxilado (Surfynol-465), politetrafluoroetileno cetoxipropilbetaina (Zonyl FSK), Zonyl FSH. O agente tensioactivo estará geralmente presente numa quantidade de desde 0% a 5% em peso, preferencialmente de 0,1% a 3% em peso, com base no peso da composição.

Os exemplos de composiçoes de limpeza desta 13 ΡΕ1828848 invenção incluem, mas não estão limitados, às composições postas em evidência no seguinte Quadro 1 e composições comparativas sem os inibidores de corrosão poliméricos como posto em evidência no Quadro 2. Nos Quadros 1 e 2, as abreviaturas empregues são como se segue: NMP = N-metilpirolidinona SFL = sulfolano DMSO = dimetilsulfóxido AMP = l-amino-2-propanol DEA = dietanolamina PEI = polietilenoimina, anidra, de elevado peso molecular - Aldrich 2003-2004 catálogo #40 872-7. PVA-E = poli(álcool vinilico-co-etileno) , conteúdo em etileno 445 - Aldrich 2003-2004 catálogo # 41 407-7.

Quadro 1

Composições/Partes em Peso

Componentes 1 2 NMP 64,67 60 SFL 32,33 15 DMSO 15 AMP 2,7 DEA 5 PEI 0,3 PVA-E 1 ΡΕ1828848 14

Quadro 2

Composições/Partes em Peso

Componentes A B NMP 64,67 60 SFL 32,33 15 DMSO 15 AMP 3 DEA 5 PE I PVA-E

Os resultados de anti-corrosão obtidos com as composições de limpeza contendo polímeros inibidores da corrosão desta invenção, foram obtidos no seguinte teste para composições desta invenção:

Foi preparado para a experiência um pedaço de bolacha de silício revestida a cobre (aproximadamente 2 0 x 2 0 mm) . O pedaço foi limpo num óxido de fotogravura tamponado (que continha 35% peso/peso de NH4F e 6% peso/peso de HF) durante 1 minuto, seguido de enxaguamento em água desionizada durante 1 minuto, e secagem em vapor de azoto. Depois o pedaço de bolacha foi imerso num copo que continha 100 g de solução de teste, e a solução foi aquecida a 60 °C, agitada com um agitador magnético a 200 rpm e, 62 ou 63 minutos mais tarde, o pedaço foi removido da solução de teste, enxaguado com água desionizada durante 1 minuto, e secado com vapor de azoto. A espessura da camada 15 ΡΕ1828848 de cobre (antes e após a experiência) foi determinada pelo sistema de sonda de 4 pontos ResMap (fabricado por Creative Design Engineering, Sunnyvale, CA).

As soluções de teste (composições de limpeza) foram as Composições 1 e 2 da invenção do Quadro 1 e as composições para comparação foram as Composições A e B do Quadro 2. As composições para comparação eram similares às composições da invenção mas não continham os polímeros inibidores da corrosão da invenção.

Quadro 3

Composição N.2 Tempo de Tratamento (minutos) Taxa de remoção de Cu (Â/min.) 1 63 7,2 A 63 56, 7 2 62 6,5 B 62 12,3

Para a decapagem da resina fotossensível, foram utilizadas as mesmas composições de teste desta invenção à mesma temperatura (60 °C) com a mesma taxa de agitação (200 rpm) . Um pedaço de vidro tendo uma camada de resina fotossensível positiva (cerca de 1000 angstrom) nela depositada foi imersa na solução de teste para determinar que a resina fotossensível era removida pelas composições da invenção. 16 ΡΕ1828848

Adicionalmente às composições de limpeza desta invenção serem essencialmente não corrosivas para os substratos para microelectrónica metalizados com cobre e serem capazes de limpar a resina fotossensivel, resíduos de plasma e de fotogravura de tais substratos, tais composições são também capazes de similarmente limparem substratos para microelectrónica metalizados com alumínio de uma forma não corrosiva similar.

Lisboa, 14 de Maio de 2010

Claims

ΡΕ1828848 1 REIVINDICAÇÕES 1. Composição de limpeza não aquosa para limpar resina fotossensivel e residuos provenientes de substratos para microelectrónica, incluindo as ditas composições de limpeza: 80% ou mais, em peso da composição, de um ou mais solventes polares orgânicos; 1% a 15%, em peso da composição, de uma ou mais aminas orgânicas hidroxiladas; e 0,1% a 10%, em peso da composição, de uma quantidade inibidora da corrosão de um ou mais polímeros inibi-dores da corrosão tendo múltiplos grupos funcionais pendentes da estrutura principal do polímero e em que os grupos funcionais pendentes são seleccionados a partir de grupos amino e hidroxilo.
2. Composição de limpeza da Reivindicação 1, em que o solvente polar orgânico é seleccionado a partir do grupo consistindo de sulfolano, 3-metilsulfolano, n-propil-sulfona, dimetilsulfóxido, metilsulfona, n-butilsulfona, sulfolano, 3-metilsulfolano, 1-(2-hidroxietil)-2-pirroli-dona (HEP), dimetilpiperidona, N-metil-2-pirrolidona, dimetilacetamida e dimetilformamida. 2 ΡΕ1828848
3. Composição de limpeza da Reivindicação 1, em que a amina hidroxilada é seleccionada a partir do grupo consistindo de hidroxilamina e alcanolaminas.
4. Composição de limpeza da Reivindicação 3, em que a amina hidroxilada é seleccionada a partir do grupo consistindo de hidroxilamina, monoetanolamina, dietanol-amina, trietanolamina, 2-aminoetanol, l-amino-2-propanol, l-amino-3-propanol, 2-(2-aminoetoxi)etanol, 2-(2-aminoetil-amino)etanol e 2-(2-aminoetilamino)etilamina, e misturas delas.
5. Composição de limpeza da Reivindicação 4, em que a amina hidroxilada é seleccionada a partir do grupo consistindo de dietanolamina, e l-amino-2-propanol.
6. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 1, em que o solvente polar orgânico é selec-cionado a partir do grupo consistindo de N-metil-pirrolidona, sulfolano, dimetilsulfóxido e misturas deles, a amina hidroxilada é seleccionada a partir do grupo consistindo de dietanolamina, e l-amino-2-propanol.
7. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 1, em que o inibidor da corrosão polimérico é seleccionado a partir do grupo consistindo de poli-etilenoimina e poli(álcool vinílico-co-etileno). Composição de limpeza de acordo com a 3 ΡΕ1828848 Reivindicação 6, em que o inibidor da corrosão polimérico é seleccionado a partir do grupo consistindo de polietileno-imina e poli(álcool vinilico-co-etileno).
9. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 1, em que o inibidor da corrosão polimérico é a polietilenoimina.
10. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 6, em que o inibidor da corrosão polimérico é a polietilenoimina.
11. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 1, em que o inibidor da corrosão polimérico é poli(álcool vinilico-co-etileno).
12. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 6, em que o inibidor da corrosão polimérico é poli(álcool vinilico-co-etileno).
13. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 1, incluindo N-metilpirrolidona, sulfolano, dimetilsulfóxido, dietanolamina e poli(álcool vinilico-co-etileno) .
14. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 1, incluindo N-metilpirrolidona, sulfolano, dimetilsulfóxido, l-amino-2-propanol e polietilenoimina. 4 ΡΕ1828848
15. Composição de limpeza de acordo com a Reivindicação 1, incluindo um ou mais componentes adicionais seleccionados a partir do grupo consistindo de: (a) co-solvente alifático contendo hidroxilo ou poli-hidroxilo, (b) composto arilo inibidor da corrosão contendo dois ou mais grupos OH, 0R6, e/ou SO2R6R7 ligados direc-tamente ao anel aromático, onde R6, R7 e Rs são cada um independentemente seleccionados a partir do grupo consistindo de alquilo e arilo, (c) agente de complexante de metal, (d) composto diferente inibidor da corrosão do metal, e (e) agente tensioactivo.
16. Processo para limpar resina fotossensivel ou resíduo de um substrato para microelectrónica, incluindo o processo pôr em contacto o substrato com uma composição de limpeza durante um tempo suficiente para limpar a resina fotossensivel ou resíduo do substrato, em que a composição de limpeza inclui uma composição de qualquer uma das Reivindicações 1 ou 8 a 15.
17. Processo para limpar resina fotossensivel ou 5 ΡΕ1828848 resíduo de um substrato para microelectrónica, incluindo o processo pôr em contacto o substrato com uma composição de limpeza durante um tempo suficiente para limpar a resina fotossensível ou resíduo do substrato, em que a composição de limpeza inclui uma composição de qualquer uma das Reivindicações 2 a 7.
18. Processo de acordo com a Reivindicação 16, em que o substrato para microelectrónica a ser limpo é caracterizado pela presença de metalização em cobre. Lisboa, 14 de Maio de 2010 1 ΡΕ1828848 REFERÊNCIAS CITADAS NA DESCRIÇÃO Esta lista de referências citadas pelo requerente é apenas para conveniência do leitor. A mesma não faz parte do documento da patente Europeia. Ainda que tenha sido tomado o devido cuidado ao compilar as referências, podem não estar excluídos erros ou omissões e o IEP declina quaisquer responsabilidades a esse respeito. Documentos de patentes citadas na Descrição * smiXMxmmt