PL211099B1 - Sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu DLC i sposób wytwarzania wyrobu powlekanego - Google Patents

Sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu DLC i sposób wytwarzania wyrobu powlekanego

Info

Publication number
PL211099B1
PL211099B1 PL377259A PL37725904A PL211099B1 PL 211099 B1 PL211099 B1 PL 211099B1 PL 377259 A PL377259 A PL 377259A PL 37725904 A PL37725904 A PL 37725904A PL 211099 B1 PL211099 B1 PL 211099B1
Authority
PL
Poland
Prior art keywords
dlc
layer
voltage
ion
inclusive layer
Prior art date
Application number
PL377259A
Other languages
English (en)
Other versions
PL377259A1 (pl
Inventor
Vijayen S. Veerasamy
Scott V. Thomsen
Original Assignee
Guardian Industries
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guardian Industries filed Critical Guardian Industries
Publication of PL377259A1 publication Critical patent/PL377259A1/pl
Publication of PL211099B1 publication Critical patent/PL211099B1/pl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0605—Carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/221—Ion beam deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Description

Rzeczypospolitej Polskiej (21) Numer zgłoszenia: 377259 (22) Data zgłoszenia: 04.02.2004 (86) Data i numer zgłoszenia międzynarodowego:
04.02.2004, PCT/US04/003311 (87) Data i numer publikacji zgłoszenia międzynarodowego:
26.08.2004, WO04/071981 (11) 211099 (13) B1 (51) Int.Cl.
C03C 17/22 (2006.01) C23C 14/46 (2006.01) B32B 17/06 (2006.01)
Sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, (54) wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu DLC i sposób wytwarzania wyrobu powlekanego
(30) Pierwszeństwo: 06.02.2003, US, 10/359,298 (73) Uprawniony z patentu: GUARDIAN INDUSTRIES CORP., Auburn Hills, US
(43) Zgłoszenie ogłoszono: 23.01.2006 BUP 02/06 (72) Twórca(y) wynalazku: VIJAYEN S. VEERASAMY, Ann Arbor, US SCOTT V. THOMSEN, Milford, US
(45) O udzieleniu patentu ogłoszono: 30.04.2012 WUP 04/12 (74) Pełnomocnik: rzecz. pat. Krystyna Krajewska
PL 211 099 B1
Opis wynalazku
Przedmiotem wynalazku jest sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu (DLC) i sposób wytwarzania wyrobu powlekanego. Bardziej szczegółowo wynalazek jest nakierowany na sposób osadzania DLC na podłożu, przy czym pierwsza część DLC jest osadzana za pomocą wiązki jonowej, przy zastosowaniu pierwszego napięcia (napięć), a druga, kolejna część DLC jest osadzana za pomocą wiązki jonowej, przy zastosowaniu drugiego, wyższego napięcia (napięć) tak, że druga część DLC posiada gęstość wyższą od gęstości pierwszej części.
Techniki osadzania DLC za pomocą wiązki jonowej są znane. Zwykle, warstwa DLC, którą osadza się na podłożu szklanym za pomocą wiązki jonowej, jest osadzana przy użyciu stałego napięcia (albo energii jonów, która jest związana, jednakże inna niż napięcie anoda-katoda jako takie, jak zostanie to wyjaśnione poniżej), skutkiem czego warstwa DLC posiada stałą gęstość.
Na przykład, rozważając sytuację, w której warstwa DLC jest osadzana za pomocą wiązki jonowej bezpośrednio na podłożu szklanym, przy zastosowaniu napięcia około 3000 V. Wysokie napięcie pomiędzy anodą i katodą źródła jonów powoduje, że jony przyspieszają w kierunku podłoża przeznaczonego do powlekania, z tak wysoką energią, że może przebiegać znaczne mieszanie jonów na powierzchni międzyfazowej szkło/DLC. W szczególności, na powierzchni międzyfazowej przebiega znaczne mieszanie jonów pomiędzy Si i C, prowadząc w ten sposób do wielu wiązań Si-C. Niestety, uważa się, że takie wiązania Si-C w warstwie DLC są bardziej podatne na zerwanie po wystawieniu na działanie promieniowania nadfioletowego (UV) i wody (to jest, QUV) niż wiązania C-C i C-H. Zatem, obecność wielu wiązań Si-C w warstwie DLC, zwłaszcza bardzo cienkiej warstwie DLC, takiej jak warstwa mająca grubość od 2-10 nm (20-100 A), może prowadzić do przedwczesnego zniszczenia warstwy na skutek wystawienia na działanie warunków środowiskowych (to jest, zmniejszonej długowieczności).
Zatem, można zauważyć, że warstwy DLC, które osadzono stosując stałe napięcie (zwłaszcza wysokie napięcie, stosowane do osadzenia cienkiej warstwy DLC) są przyczyną kłopotów, w ten sposób, że ich czas życia jest dość krótki wskutek wysokiego stopnia mieszania jonów na powierzchni międzyfazowej szkło/DLC. Ten wysoki stopień mieszania jonów, i duża liczba uzyskiwanych w ten sposób wiązań Si-C, czyni warstwę DLC bardziej podatną na zniszczenie wskutek wystawienia na działanie warunków środowiskowych.
Z powyższego punktu widzenia, fachowcy docenią, że istnieje zapotrzebowanie na opracowanie techniki osadzania warstwy (warstw) zawierającej DLC, która jest bardziej trwała i/lub posiada poprawioną długowieczność.
Opis patentowy 02/38515 ujawnia warstwy DLC posiadające różne gęstości, przy czym aby uzyskać różne gęstości opis ten sugeruje użycie różnych gazów zasilających. Jednakże w tym celu stosuje niskie napięcie (i/lub niską energię wiązanki jonowej).
Zaskakująco, stwierdzono, że trwałość i/lub długowieczność warstwy węgla typu diamentu (DLC) można ulepszyć przez zmianę napięcia (i/lub energii jonów) zastosowanego do osadzania warstwy DLC za pomocą wiązki jonowej. W szczególności, niskie napięcie (napięcie pomiędzy anodą i katodą źródła jonów) stosuje się do osadzenia, za pomocą wiązki jonowej, pierwszej części warstwy DLC na podłożu, i następnie napięcie zwiększa się do drugiego, wyższego napięcia (napięć), które stosuje się do osadzenia, za pomocą wiązki jonowej, drugiej części warstwy DLC ponad pierwszą częścią warstwy DLC. W taki sposób, można zmniejszyć mieszanie jonów na spodzie warstwy DLC, i poprawić długowieczność i/lub trwałość DLC. Ponadto, zastosowanie wyższego napięcia (napięć) do osadzenia drugiej części warstwy DLC umożliwia tej części warstwy posiadanie wysokiej gęstości i zatem lepszej twardości/odporności na zarysowanie w porównaniu z pierwszą częścią warstwy DLC.
Przedmiotem wynalazku jest sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, polegający na tym, że:
stosuje się pierwsze napięcie anoda-katoda do osadzenia za pomocą wiązki jonowej pierwszej części warstwy zawierającej DLC na podłożu; i stosuje się drugie napięcie anoda-katoda, wyższe od pierwszego napięcia, do osadzenia za pomocą wiązki jonowej drugiej części warstwy zawierającej DLC ponad co najmniej pierwszą częścią warstwy zawierającej DLC, przy czym druga część warstwy zawierającej DLC posiada gęstość wyższą od pierwszej części warstwy zawierającej DLC, i przy czym jako gaz zasilający podczas osadzania zarówno pierwszej i drugiej części warstwy zawierającej DLC stosuje się zwłaszcza acetylen C2H2.
PL 211 099 B1
Korzystnie stosuje się drugie napięcie co najmniej 10% większe od pierwszego napięcia, i w którym pierwsza część warstwy zawierająca DLC jest najniższą częścią warstwy zawierającej DLC, albo alternatywnie drugie napięcie co najmniej 25% większe od pierwszego napięcia, i w którym pierwsze napięcie stosuje się w pierwszym źródle jonów i drugie napięcie stosuje się w drugim źródle jonów, przy czym drugie napięcie jest co najmniej 50% większe od pierwszego napięcia.
Korzystnie część warstwy zawierającej DLC umieszcza się pomiędzy pierwszą i drugą częścią warstwy zawierającej DLC, przy czym część pośrednia posiada gęstość wyższą od pierwszej części ale niższą od drugiej części, a powłokę niskoemisyjną umieszcza się pomiędzy podłożem i warstwą zawierającą DLC, przy czym stosuje się podłoże zawierające szkło sodowo-wapniowo-kwarcowe.
Według korzystnej postaci wykonania stosuje się pierwsze napięcie nie większe od 1200 V, a drugie napięcie wynoszące co najmniej 1500 V, jeszcze korzystniej drugie napięcie wynoszące co najmniej 2500 V.
3
Druga część warstwy zawierającej DLC posiada gęstość większą od 2,4 g/cm3 i pierwsza część warstwy zawierającej DLC posiada gęstość mniejszą od 2,4 g/cm3, przy czym korzystnie pierwsze i drugie części warstwy zawierającej DLC znajdują się w bezpośrednim kontakcie ze sobą, oraz w pierwszym źródle jonów stosuje się pierwsze napięcie, a że w innym drugim źródle jonów stosuje się drugie napięcie.
Korzystnie w tym samym źródle jonów stosuje się pierwsze i drugie napięcie do formowania co najmniej części warstwy zawierającej DLC.
Pierwsza część warstwy zawierającej DLC ma grubość co najmniej 25 A (2,5 nm).
Druga część warstwy zawierającej DLC obejmuje co najmniej 10% więcej wiązań węgiel-węgiel typu sp3, niż pierwsza część warstwy zawierającej DLC, korzystniej druga część warstwy zawierającej DLC obejmuje co najmniej 20% więcej wiązań węgiel-węgiel typu sp3, niż pierwsza część warstwy zawierającej DLC.
Korzystna warstwa zawierająca DLC posiada grubość od 30-100 A (3-10 nm) i obejmuje od 5 do 20% atomowych wodoru.
Przedmiotem wynalazku jest również wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu (DLC), osadzony na co najmniej podłożu szklanym, charakteryzujący się tym, że zawiera:
warstwę zawierającą DLC, obejmującą pierwszą część warstwy i drugą część warstwy, przy czym pierwsza część warstwy jest umieszczona pomiędzy drugą częścią warstwy i podłożem, przy czym druga część warstwy posiada gęstość większą niż 2,4 g/cm3, a pierwsza część warstwy posiada gęstość mniejszą niż 2,4 g/cm3.
Korzystnie w wyrobie według że wynalazku warstwa zawierająca DLC obejmuje od 5-20% atomowych wodoru.
Kolejnym przedmiotem wynalazku jest również sposób wytwarzania wyrobu powlekanego, polegający na tym, że zawiera osadza się za pomocą wiązki jonowej pierwszą część warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC), przy użyciu pierwszej energii jonów; i kolejno osadza się za pomocą wiązki jonowej drugą część warstwy zawierającej DLC, przy użyciu drugiej energii jonów, która jest wyższa od pierwszej energii jonów, przy czym jako gaz zasilający podczas osadzania zarówno pierwszej i drugiej części warstwy zawierającej DLC stosuje się zwłaszcza węglowodór.
Korzystnie w sposobie według wynalazku druga energia jonów jest co najmniej 10% wyższa od pierwszej energii jonów, przy czym pierwszą energię jonów stosuje się w pierwszym źródle jonów, a drugą energię jonów stosuje się w co najmniej drugim źródle jonów.
Druga część warstwy zawierającej DLC posiada średnią gęstość większą niż 2,4 g/cm3, a pierwsza część warstwy zawierającej DLC posiada średnią gęstość mniejszą niż 2,4 g/cm3.
Pierwsza energia jonów jest nie większa od 300 eV na jon C, i druga energia jonów wynosi co najmniej 375 eV na jon C, przy czym korzystnie druga energia jonów jest co najmniej 10% większa od pierwszej energii jonów, a pierwsza część warstwy zawierającej DLC jest najniższą częścią warstwy zawierającej DLC.
Według korzystnego sposobu według wynalazku stosuje się pierwszą i drugą energię jonową z tego samego źródła jonów.
PL 211 099 B1
W pewnych postaciach wykonania niniejszego wynalazku, warstwę DLC można osadzić bezpośrednio na podłożu szklanym. W innych postaciach wykonania niniejszego wynalazku, pomiędzy podłożem i warstwą DLC można dostarczyć powłokę, taką jak powłoka niskoemisyjna.
Pewne postacie wykonania według wynalazku, dostarczają sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, przy czym sposób obejmuje: zastosowanie pierwszego napięcia do osadzenia, za pomocą wiązki jonowej, pierwszej części warstwy zawierającej DLC na podłożu; i zastosowanie drugiego napięcia, wyższego niż pierwsze napięcie, do osadzenia, za pomocą wiązki jonowej, drugiej części warstwy zawierającej DLC ponad co najmniej pierwszą częścią warstwy zawierającej DLC.
Inne postacie wykonania według wynalazku, dostarczają wyrób powlekany obejmujący DLC, osadzony na co najmniej podłożu szklanym, przy czym wyrób powlekany obejmuje: warstwę zawierającą DLC, obejmującą pierwszą część warstwy i drugą część warstwy, przy czym pierwsza część warstwy jest umieszczona pomiędzy drugą częścią warstwy i podłożem oraz posiada średnią gęstość mniejszą od gęstości drugiej części warstwy. W pewnych przykładowych sytuacjach, druga część warstwy może posiadać gęstość większą od 2,4 g/cm3, a pierwsza część warstwy mniejszą od 2,4 g/cm3.
Jeszcze inne postacie wykonania według wynalazku dostarczają sposób wytwarzania wyrobu powlekanego, przy czym sposób obejmuje: osadzanie za pomocą wiązki jonowej pierwszej części warstwy zawierającej DLC, przy zastosowaniu pierwszej energii jonów; i następnie osadzanie za pomocą wiązki jonowej drugiej części warstwy zawierającej DLC, przy zastosowaniu drugiej energii jonów, wyższej od pierwszej energii jonów.
Figura 1 przedstawia przekrój poprzeczny wyrobu powlekanego według przykładowej postaci wykonania niniejszego wynalazku.
Figura 2 przedstawia schemat blokowy, ilustrujący pewne etapy podejmowane w przykładowej postaci wykonania niniejszego wynalazku.
Figura 3 przedstawia schematyczny rysunek ilustrujący aparaturę do osadzania za pomocą wiązki jonowej warstwy DLC według przykładowej postaci wykonania niniejszego wynalazku.
Figura 4 przedstawia przekrój poprzeczny przykładowego źródła jonów, które można zastosować do osadzania DLC według przykładowej postaci wykonania niniejszego wynalazku.
Figura 5 przedstawia rzut perspektywiczny źródła jonów z fig. 4.
Według pewnych przykładowych postaci wykonania niniejszego wynalazku, stwierdzono, że można poprawić trwałość i/lub długowieczność warstwy węgla typu diamentu (DLC) przez zmianę napięcia i/lub energii jonów, zastosowanych do osadzenia za pomocą wiązki jonowej warstwy DLC. Niskie napięcie (i/lub niską energię jonów) stosuje się do osadzania za pomocą wiązki jonowej pierwszej części warstwy DLC na podłożu, i następnie drugie, wyższe napięcie (napięcia) (i/lub drugą energię (energie) jonów) stosuje się do osadzenia za pomocą wiązki jonowej drugiej części warstwy DLC ponad pierwszą częścią warstwy DLC. W taki sposób, można zmniejszyć mieszanie się jonów na spodzie warstwy DLC, i poprawić długowieczność i/lub trwałość DLC. Ponadto, zastosowanie wyższego napięcia (napięć) w drugiej części warstwy DLC umożliwia tej części warstwy posiadanie wysokiej gęstości i zatem lepszej twardości/odpornoś ci na zarysowanie niż w przypadku pierwszej części warstwy DLC.
Umożliwia to osadzenie, grubszej powłoki z niższą całkowitą wartością współczynnika ekstynkcji k. W szczególności, skoro niższe napięcie i niższa gęstość części warstwy DLC daje niższą wartość k (np., około jednej trzeciej w pewnych przykładowych postaciach wykonania), umożliwia to osadzenie grubszej warstwy DLC, bez poświęceń związanych ze stratami absorpcji. Dane eksperymentalne wykazały, że warstwy DLC o grubości powyżej 4,5 nm (45 A) posiadają poprawioną długowieczność w QUV (połączeniu wystawienia na działanie UV i wody, które naśladuje wystawienie na działanie elementów środowiskowych).
W pewnych postaciach wykonania wynalazku, warstwę DLC można osadzić bezpośrednio na podłożu szklanym. W innych postaciach wykonania wynalazku, warstwę albo powłokę (np., powłokę niskoemisyjną, albo warstwę (warstwy) dielektryczną) można dostarczyć pomiędzy podłożem i warstwą DLC.
Figura 1 przedstawia przekrój poprzeczny wyrobu powlekanego według przykładowej postaci wykonania wynalazku, w której warstwa DLC jest bezpośrednio osadzona na podłożu szklanym (szkło sodowo-wapniowo-kwarcowe). Można zaobserwować, że pierwsza część warstwy DLC, osadzona przy zastosowaniu niskiego napięcia względem drugiej części warstwy, posiada niską gęstość (np., mniejszą niż 2,4 g/cm3, korzystniej od 2,0 do 2,35 g/cm3).
PL 211 099 B1
Tymczasem, wyższa albo druga część warstwy DLC, osadzona za pomocą wyższego napięcia (napięć) (albo energii jonów), posiada wyższą gęstość średnią (np., wyższą od albo równą 2,4 g/cm3, korzystniej od 2,5 do 3,0 g/cm3). Im wyższe napięcie anoda-katoda, zastosowane w osadzaniu DLC za pomocą wiązki jonowej, tym wyższa uzyskana gęstość. Ponadto, druga część warstwy DLC o wyższej gęstości posiada średnią twardość co najmniej 10 GPa, korzystniej co najmniej 20 GPa, i najkorzystniej co najmniej 40 GPa, Szacuje się, że pierwsza część warstwy o niskiej gęstości jest w mniejszym stopniu typu diamentu, niż druga część o wyższej gęstości i wyższej twardości.
Część warstwy DLC o niskiej gęstości i część warstwy DLC o wyższej gęstości mogą znajdować się bezpośrednio obok siebie w pewnych postaciach wykonania według wynalazku. Inaczej, w innych postaciach wykonania według wynalazku, te dwie części warstwy mogą być rozdzielone inną częścią warstwy DLC, taką jak część warstwy o pośredniej gęstości.
Względnie niskie napięcie (i/lub energia jonów) zastosowane do osadzania części warstwy DLC o niskiej gęstości redukuje się mieszanie jonów na powierzchni międzyfazowej DLC/szkło. Zatem, ta niska energia jonów albo napięcie zmniejsza ilość wiązań Si-C utworzonych w DLC. W wyniku tego, część warstwy DLC o niskiej gęstości, sąsiednia względem podłoża, działa jako bariera redukująca takie mieszanie jonów. Po osadzeniu za pomocą wiązki jonów tej części bariery DLC o niskiej gęstości, wyższe napięcie (i/lub energię jonów) stosuje się do osadzania części warstwy DLC o wyższej (wyższych) gęstości). Wysokie napięcie (napięcia) umożliwia uzyskanie bardziej gęstej części warstwy DLC, która jest twardsza i bardziej trwała od części warstwy DLC o niskiej gęstości.
3
Część warstwy DLC o wysokiej gęstości posiada więcej wiązań węgiel-węgiel typu sp3, niż część warstwy DLC o niskiej gęstości. W pewnych przykładowych postaciach wykonania, część warstwy DLC o wysokiej gęstości może mieć co najmniej 10% więcej wiązań węgiel-węgiel tupu sp3 niż część warstwy DLC o niskiej gęstości, jeszcze korzystniej co najmniej 20% więcej wiązań węgiel-węgiel typu sp3. W pewnych przykł adowych postaciach wykonania niniejszego wynalazku, co najmniej 40% wią zań węgiel-węgiel w części warstwy DLC o wysokiej gęstości jest typu sp3 (w przeciwieństwie do typu sp2), korzystniej co najmniej 50% wiązań węgiel-węgiel w części warstwy DLC o wysokiej gęstości jest typu sp3 i czasem aż 60% albo wię cej wiązań węgiel-węgiel w części warstwy DLC o wysokiej gęstości jest typu sp3.
Warstwa DLC może być uwodorniona w pewnych postaciach wykonania wynalazku. W takich postaciach wykonania, warstwa DLC może zawierać od 2-25% wodoru, korzystniej od 5-20% wodoru. Wodór można wprowadzić za pomocą osadzania DLC przy użyciu wiązki jonowej, stosując gaz węglowodorowy, taki jak acetylen. W warstwie DLC można także dostarczyć inny środek (środki) domieszkujące.
Warstwa DLC pokazana na fig. 1 może mieć jakąkolwiek, odpowiednią grubość w różnorodnych postaciach wykonania wynalazku. Jednakże, w pewnych korzystnych postaciach wykonania, warstwa DLC może mieć grubość od około 3-10 nm (30-100 A), korzystniej od około 4-10 nm (40-100 A). Stwierdzono, że zastosowanie zmiennych energii jonów jak rozważono w niniejszym zgłoszeniu patentowym, jest w szczególności korzystne dla warstw DLC o tak niskich grubościach pod względem długowieczności i trwałości.
Zaskakująco, stwierdzono również, że grubość części warstwy DLC o niskiej gęstości powinna wynosić co najmniej 2,5 nm (25 A) w pewnych przykładowych postaciach wykonania niniejszego wynalazku, korzystniej co najmniej 3 nm (30 A). Jeśli warstwa DLC o niskiej gęstości nie jest co najmniej tak cienka, gdy górna część (części) warstwy DLC o wyższej gęstości narasta/narastają, energetyczne jony C mogą przechodzić przez warstwę DLC o niskiej gęstości i powodować mieszanie jonów na powierzchni międzyfazowej szkło/DLC przez gwałtowne wybijanie większej ilości Si, prowadząc w ten sposób do tworzenia dodatkowych, niepożądanych wiązań Si-C.
W pewnych przykładowych postaciach wykonania wynalazku, nie więcej niż 2500 V (korzystniej nie więcej niż 1200 V, i najkorzystniej nie więcej niż 1100 V) stosuje się do wytworzenia części warstwy DLC o niskiej gęstości, która jest położoną najbardziej na spodzie częścią warstwy DLC. W pewnych przykładowych postaciach wykonania, napięcie co najmniej około 1500 V stosuje się do wytworzenia położonej najbardziej na zewnątrz części warstwy DLC o wysokiej gęstości (korzystniej co najmniej 2500 V, i najkorzystniej co najmniej 2800 V). Zatem, w pewnych przykładowych postaciach wykonania niniejszego wynalazku, napięcie (i/lub energia jonów w pewnych postaciach wykonania) zastosowane do wytworzenia położonej najbardziej na zewnątrz części warstwy DLC o wysokiej gęstości jest co najmniej 10% wyższe od tego, zastosowanego do wytworzenia położonej najniżej części war6
PL 211 099 B1 stwy DLC o niskiej gęstości (korzystniej co najmniej około 25% wyższe, i jeszcze korzystniej co najmniej
50% wyższe).
Wymienione powyżej „napięcie” (albo napięcie przyspieszania) odnośnie do tego, które stosuje się do wytworzenia części warstwy DLC, oznacza napięcie pomiędzy anodą i katodą źródła jonów. Jak wspomniano powyżej, energia jonów jest związana z napięciem, ale nie jest tożsama. Energia jonowa fragmentu molekularnego jest połową (1/2) napięcia przyspieszania dla cząsteczkowego acetylenu albo jakiejkolwiek innej substancji. Zatem, energia jonowa fragmentu molekularnego, dla danego napięcia równego 3000 V wynosiłaby 3000/2 = 1500 V. Ponadto, w przypadku jonów C, utworzonych z acetylenu (C2H2), zastosowanego jako gaz zasilają cy w źródle jonów, dwa atomy wę gla przypadają na fragment molekularny (każdy fragment molekularny posiada dwa atomy węgla). Zatem, energia na jon węgla jest energią jonową fragmentu molekularnego, podzieloną w tym wypadku przez 2. Innymi słowy, dla danego napięcia równego 2500 V, energia na jon węgla wynosi 3000/4 = 750 eV (750 eV na jon C).
Figura 2 przedstawia schemat blokowy, ilustrujący pewne etapy podejmowane zgodnie z przykładową postacią wykonania niniejszego wynalazku. W etapie A, położona najbardziej na spodzie część warstwy DLC jest osadzana za pomocą wiązki jonowej, tak aby mieć względnie niską gęstość, przy zastosowaniu niskiej energii jonów albo napięcia. Po osadzeniu części warstwy DLC o niskiej gęstości za pomocą wiązki jonowej, napięcie wzrasta w etapie B, zarówno przy zastosowaniu tego samego źródła jonów, albo innego źródła (źródeł) jonów. Po zwiększeniu napięcia, część warstwy DLC o wyższej gęstości jest osadzana za pomocą wiązki jonowej przy wyższym napięciu w etapie C.
Figura 3 ilustruje przykładową aparaturę, zastosowaną do osadzania warstwy DLC o różnej gęstości według przykładowej postaci wykonania wynalazku. Aparatura obejmuje n źródeł jonów. Liczba źródeł jonów n może dowolnie zawierać się w zakresie od 1 do 10 w różnych postaciach wykonania niniejszego wynalazku, jednakże, można teoretycznie zastosować większą ich ilość. Wiązki jonów mogą być rozproszone, skolimowane, i/lub skupione w różnorodnych postaciach wykonania według wynalazku.
Jedynie dla przykładu, wciąż odnosząc się do fig. 3, założono, że w przykładowej postaci wykonania niniejszego wynalazku zastosowano cztery źródła jonów do osadzenia warstwy DLC (to jest, n = 4). Pierwsze źródło jonów może osadzać najniższą część warstwy DLC o niskiej gęstości, przy zastosowaniu napięcia 1000 V (1000/4 eV na jon C, gdy zastosowano acetylen jako gaz zasilający). Drugie źródło jonów może osadzać część warstwy DLC o pośredniej gęstości (która ma wyższą gęstość od części o niskiej gęstości, ale niższą gęstość niż część warstwy DLC o najwyższej gęstości) bezpośrednio ponad częścią warstwy DLC o niskiej gęstości, przy zastosowaniu napięcia 1500 V. Następnie, trzecie i czwarte źródło jonów może osadzać położoną najwyżej część warstwy DLC o wysokiej gęstości ponad częściami o niskiej i pośredniej gęstości, przy zastosowaniu napięcia 3000 V. Oczywiście, zastosowane odpowiednie energie jonów są w odpowiedni sposób rozłożone w czasie. Wynikiem jest warstwa DLC, która jest stopniowana pod względem gęstości; warstwa DLC posiada względnie niską gęstość w pobliżu podłoża, i wyższą gęstość w położeniu dalszym od podłoża. Ilość niepożądanych wiązań Si-C w warstwie DLC jest zmniejszona dzięki niskiemu napięciu i energii jonów, zastosowanych do osadzenia części warstwy o niskiej gęstości. Jednakże, warstwa DLC jest wciąż bardzo trwała i odporna na zarysowanie dzięki wysokiemu napięciu (napięciom) i energii (energiom) jonów, zastosowanym do osadzenia części warstwy DLC o wyższych gęstościach.
Wspomniany powyżej przykład, w którym n = 4 (cztery źródła jonów) odpowiadał sytuacji, w której źródła jonów były nieruchome i podłoże przeznaczone do powleczenia przesuwano pod źródłami w kierunku D. Jednakże, w innych postaciach wykonania według wynalazku, w celu osadzenia całoś ci albo części warstwy DLC, źródło (źródła) jonów może poruszać się w poprzek podłoża, podczas gdy podłoże pozostaje nieruchome.
Figury 4-5 ilustrują przykładowe źródło liniowej wiązki jonowej 25, które można zastosować do osadzania DLC. Źródło wiązki jonowej 25 obejmuje wlot gazu/mocy 26, anodę 27, uziemioną część magnesu katody 28, część magnesu katody 29, i izolatory 30. W pewnych postaciach wykonania, w źródle 25 można zastosować 3 kV (albo inną ilość dostarczanej mocy) źródło zasilania prądem stałym i/lub prądem zmiennym. Napięcia opisane powyżej dostarcza się pomiędzy anodą 27 i katodą 29 źródła jonów najbliżej przerwy elektrycznej w pobliżu szczeliny w kształcie toru wyścigowego w katodzie.
Odnosząc się wciąż do fig. 4-5, wiązka jonów B ze źródła może być skupiona albo nieskupiona (np. rozproszona) w różnorodnych postaciach wykonania niniejszego wynalazku. Źródło wiązki jonowej 25 jest oparte na znanym projekcie bezsiatkowego źródła jonów. Źródło jonów obejmuje liniową powłokę (która jest katodą i jest uziemiona), wewnątrz której znajduje się koncentryczna anoda (która
PL 211 099 B1 ma potencjał dodatni). Ta geometria katody-anody i pole magnetyczne 33 umożliwia powstanie warunków zamkniętego dryfu. Warstwa anodowa źródła jonów może także pracować w sposób reaktywny. Źródło obejmuje metalową obudowę ze szczeliną w kształcie toru wyścigowego jak pokazano na fig. 4-5. Wnęka obudowy jest uziemiona. Elektroda anody 27 jest umieszczona wewnątrz korpusu katody 28, 29 (chociaż jest izolowana elektrycznie) i jest umieszczona nieco poniżej szczeliny. Anoda 27 może być połączona z potencjałem dodatnim, tak wysokim jak 3000 albo więcej voltów (V) (albo innym, potrzebnym dla zmiennych energii jonów zastosowanych w niniejszym zgłoszeniu patentowym). Obie elektrody mogą być chłodzone wodą w pewnych postaciach wykonania. Jeden albo więcej gazów zasilających albo prekursorowych (np., acetylen, inny gaz węglowodorowy, albo jakikolwiek inny odpowiedni gaz) jest/są podawany przez wnękę pomiędzy anodą i katodą (albo inaczej może być dostarczany do źródła w inny sposób). Liniowe źródło jonów zawiera także układ labiryntu, który rozprowadza gaz (gazy) prekursorowy równomiernie wzdłuż jego długości, i który umożliwia mu rozprężenie wewnątrz przestrzeni anoda-katoda. Energia elektryczna powoduje następnie rozpad gazu (gazów) w celu wytworzenia plazmy w źródle. Jony są wyrzucane na zewnątrz z energiami rzędu eVc-a/2, gdy napięcie wynosi Vc-a. Wiązka jonów emitowana ze szczeliny jest w przybliżeniu jednorodna w kierunku wzdłużnym i ma profil krzywej Gaussa w kierunku poprzecznym. Na fig. 4 pokazano przykładowe jony 34 w wiązce jonów B. Można wykonać źródło o długości rzędu 1-4 metrów, jednakże przewiduje się źródła o różnorodnych długościach w różnych postaciach wykonania według wynalazku. Warstwa elektronowa 35 zamyka obwód, umożliwiając w ten sposób prawidłowe działanie źródła wiązki jonowej. Odnosząc się wciąż do fig. 4-5, gaz (gazy) zasilający może być podawany przez źródło wiązki jonowej poprzez przestrzeń 42 aż osiągnie on/one powierzchnię w pobliżu szczeliny 44, gdzie jest on/one jonizowany.
Źródło wiązki jonów z fig. 4-5 jest przede wszystkim przykładowe. Zatem, w innych postaciach wykonania według wynalazku, można zastosować urządzenie albo aparaturę źródła wiązki jonowej, taką jak opisana i pokazana na figurach 1-3 z patentu amerykańskiego o numerze US 6,002,208 (włączonego do niniejszego zgłoszenia patentowego jako odnośnik w całej swej rozciągłości). Można także zastosować jakikolwiek inny typ źródła jonów.
Podczas gdy wynalazek opisano w połączeniu z tym, co jest obecnie rozważane jako najbardziej praktyczna i korzystna postać wykonania, należy rozumieć, że wynalazek nie jest w ten sposób ograniczony do ujawnionej postaci wykonania, ale wprost przeciwnie, jest przeznaczony do pokrycia różnorodnych zmian i równoważnych ustaleń, zawartych w zakresie idei i zakresu załączonych zastrzeżeń.
Zastrzeżenia patentowe

Claims (28)

1. Sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, znamienny tym, że:
stosuje się pierwsze napięcie anoda-katoda do osadzenia za pomocą wiązki jonowej pierwszej części warstwy zawierającej DLC na podłożu; i stosuje się drugie napięcie anoda-katoda, wyższe od pierwszego napięcia, do osadzenia za pomocą wiązki jonowej drugiej części warstwy zawierającej DLC ponad co najmniej pierwszą częścią warstwy zawierającej DLC, przy czym druga część warstwy zawierającej DLC posiada gęstość wyższą od pierwszej części warstwy zawierającej DLC, i przy czym jako gaz zasilający podczas osadzania zarówno pierwszej i drugiej części warstwy zawierającej DLC stosuje się zwłaszcza acetylen (C2H2).
2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się drugie napięcie co najmniej 10% większe od pierwszego napięcia, i w którym pierwsza część warstwy zawierająca DLC jest najniższą częścią warstwy zawierającej DLC.
3. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się drugie napięcie co najmniej 25% większe od pierwszego napięcia, i w którym pierwsze napięcie stosuje się w pierwszym źródle jonów i drugie napięcie stosuje się w drugim źródle jonów.
4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że drugie napięcie jest co najmniej 50% większe od pierwszego napięcia.
5. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że pośrednią część warstwy zawierającej DLC umieszcza się pomiędzy pierwszą i drugą częścią warstwy zawierającej DLC, przy czym część pośrednia posiada gęstość wyższą od pierwszej części ale niższą od drugiej części.
PL 211 099 B1
6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że powłokę niskoemisyjną umieszcza się pomiędzy podłożem i warstwą zawierającą DLC.
7. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się podłoże zawierające szkło sodowo-wapniowo-kwarcowe.
8. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się pierwsze napięcie nie większe od 1200 V.
9. Sposób wedł ug zastrz. 1, znamienny tym, ż e stosuje się drugie napię cie wynoszą ce co najmniej 1500 V.
10. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że stosuje się drugie napięcie wynoszące co najmniej 2500 V.
11. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że druga część warstwy zawierającej DLC posiada gęstość większą od 2,4 g/crn3 i pierwsza część warstwy zawierającej DLC posiada gęstość mniejszą od 2,4 g/crn3.
12. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że pierwsze i drugie części warstwy zawierającej DLC znajdują się w bezpośrednim kontakcie ze sobą.
13. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że w pierwszym źródle jonów stosuje się pierwsze napięcie, i że w innym drugim źródle jonów stosuje się drugie napięcie.
14. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że w tym samym źródle jonów stosuje się pierwsze i drugie napięcie do formowania co najmniej części warstwy zawierającej DLC.
15. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że pierwsza część warstwy zawierającej DLC ma grubość co najmniej 25 A (2,5 nm).
16. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że druga część warstwy zawierającej DLC obejmuje co najmniej 10% więcej wiązań węgiel-węgiel typu sp3, niż pierwsza część warstwy zawierającej DLC.
17. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że druga część warstwy zawierającej DLC obejmuje co najmniej 20% więcej wiązań węgiel-węgiel typu sp3, niż pierwsza część warstwy zawierającej DLC.
18. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwa zawierająca DLC ma grubość od 30-100 A (3-10 nm).
19. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że warstwa zawierająca DLC obejmuje od 5 do 20% atomowych wodoru.
20. Wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu (DLC), osadzony na co najmniej podłożu szklanym, znamienny tym, że zawiera:
warstwę zawierającą DLC, obejmującą pierwszą część warstwy i drugą część warstwy, przy czym pierwsza część warstwy jest umieszczona pomiędzy drugą częścią warstwy i podłożem, przy czym druga część warstwy posiada gęstość większą niż 2,4 g/cm3, a pierwsza część warstwy posiada gęstość mniejszą niż 2,4 g/cm3.
21. Wyrób według zastrz. 20, znamienny tym, że warstwa zawierająca DLC obejmuje od 5-20% atomowych wodoru.
22. Sposób wytwarzania wyrobu powlekanego, znamienny tym, że osadza się za pomocą wiązki jonowej pierwszą część warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC), przy użyciu pierwszej energii jonów; i kolejno osadza się za pomocą wiązki jonowej drugą część warstwy zawierającej DLC, przy użyciu drugiej energii jonów, która jest wyższa od pierwszej energii jonów, przy czym jako gaz zasilający podczas osadzania zarówno pierwszej i drugiej części warstwy zawierającej DLC stosuje się zwłaszcza węglowodór.
23. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że druga energia jonów jest co najmniej 10% wyższa od pierwszej energii jonów.
24. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że pierwszą energię jonów stosuje się w pierwszym źródle jonów, a drugą energię jonów stosuje się w co najmniej drugim źródle jonów.
25. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że druga część warstwy zawierającej DLC posiada średnią gęstość większą niż 2,4 g/cm3, a pierwsza część warstwy zawierającej DLC posiada średnią gęstość mniejszą niż 2,4 g/cm3.
26. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że pierwsza energia jonów jest nie większa od 300 eV na jon C, i druga energia jonów wynosi co najmniej 375 eV na jon C.
PL 211 099 B1
27. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że druga energia jonów jest co najmniej 10% większa od pierwszej energii jonów, i w którym pierwsza część warstwy zawierającej DLC jest najniższą częścią warstwy zawierającej DLC.
28. Sposób według zastrz. 22, znamienny tym, że stosuje się pierwszą i drugą energię jonową z tego samego źródła jonów.
PL377259A 2003-02-06 2004-02-04 Sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu DLC i sposób wytwarzania wyrobu powlekanego PL211099B1 (pl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/359,298 US6878404B2 (en) 2003-02-06 2003-02-06 Method of depositing DLC on substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
PL377259A1 PL377259A1 (pl) 2006-01-23
PL211099B1 true PL211099B1 (pl) 2012-04-30

Family

ID=32823799

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PL377259A PL211099B1 (pl) 2003-02-06 2004-02-04 Sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu DLC i sposób wytwarzania wyrobu powlekanego

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6878404B2 (pl)
EP (1) EP1595004A4 (pl)
CA (1) CA2513935C (pl)
PL (1) PL211099B1 (pl)
WO (1) WO2004071981A2 (pl)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6261693B1 (en) 1999-05-03 2001-07-17 Guardian Industries Corporation Highly tetrahedral amorphous carbon coating on glass
US6827977B2 (en) * 2002-03-07 2004-12-07 Guardian Industries Corp. Method of making window unit including diamond-like carbon (DLC) coating
US7060322B2 (en) * 2003-09-02 2006-06-13 Guardian Industries Corp. Method of making heat treatable coated article with diamond-like carbon (DLC) coating
JP2006107607A (ja) * 2004-10-05 2006-04-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands Bv 磁気ヘッド及びその製造方法
JP2006107673A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Shinka Jitsugyo Kk 磁気ヘッド及びその製造方法、並びにヘッドサスペンションアセンブリ
CN101058894B (zh) * 2006-04-19 2010-08-25 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 去除类金刚石碳膜的方法
TWI320432B (en) * 2006-06-16 2010-02-11 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Apparatus and method for synthesizing carbon nanotube film
DE102006029415B4 (de) * 2006-06-27 2023-07-06 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Verschleißfeste Beschichtung sowie Herstellverfahren hierfür
US7632543B2 (en) * 2006-12-05 2009-12-15 Guardian Industries Corp. Method of making IG window unit and forming silicon oxide based hydrophilic coating using chlorosilane vapor deposition
US8029875B2 (en) 2007-05-23 2011-10-04 Southwest Research Institute Plasma immersion ion processing for coating of hollow substrates
US9175381B2 (en) * 2008-07-09 2015-11-03 Southwest Research Institute Processing tubular surfaces using double glow discharge
US20100261058A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-14 Applied Materials, Inc. Composite materials containing metallized carbon nanotubes and nanofibers
US8753725B2 (en) 2011-03-11 2014-06-17 Southwest Research Institute Method for plasma immersion ion processing and depositing coatings in hollow substrates using a heated center electrode
US9121540B2 (en) 2012-11-21 2015-09-01 Southwest Research Institute Superhydrophobic compositions and coating process for the internal surface of tubular structures
CN108315701A (zh) * 2017-01-16 2018-07-24 中国南玻集团股份有限公司 镀膜基材以及离子束源沉积制备镀膜基材的方法
WO2019020481A1 (de) 2017-07-26 2019-01-31 Saint-Gobain Glass France Beschichtung mit diamantähnlichem kohlenstoff über ein pecvd-magnetron-verfahren
CN110914474A (zh) 2017-07-26 2020-03-24 法国圣戈班玻璃厂 包含类金刚石碳的可回火涂层
FR3124805B1 (fr) 2021-06-30 2024-03-22 Saint Gobain Substrat revêtu d’au moins une couche de carbone de type diamant protégée par une couche temporaire à base de germanium ou à base d’oxyde de germanium
WO2023161080A1 (de) 2022-02-23 2023-08-31 Saint-Gobain Glass France Verfahren zur herstellung eines mit einer diamantähnlichen beschichtung versehenen wärmebehandelten substrats
WO2023198554A1 (de) 2022-04-11 2023-10-19 Saint-Gobain Glass France Verglasung mit kommunikationsfenster für sensoren und kamerasysteme
WO2024008565A1 (de) 2022-07-04 2024-01-11 Saint-Gobain Glass France Verbundscheibe für eine projektionsanordnung
DE202023103844U1 (de) 2023-07-11 2023-08-01 Saint-Gobain Glass France Beheizbare Verbundscheibe

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5104684A (en) * 1990-05-25 1992-04-14 Massachusetts Institute Of Technology Ion beam induced deposition of metals
US5455081A (en) 1990-09-25 1995-10-03 Nippon Steel Corporation Process for coating diamond-like carbon film and coated thin strip
US5637353A (en) * 1990-09-27 1997-06-10 Monsanto Company Abrasion wear resistant coated substrate product
BR9204887A (pt) * 1991-12-23 1993-06-29 Comision Nac Energ Atom Processo para formar sobre um substrato solido uma pelicula de propriedade similares as do diamante,os corpos solidos assim revestidos e a pelicula revestida assim obtida
US5455258A (en) * 1993-01-06 1995-10-03 Ciba-Geigy Corporation Arylsulfonamido-substituted hydroxamic acids
US5846649A (en) * 1994-03-03 1998-12-08 Monsanto Company Highly durable and abrasion-resistant dielectric coatings for lenses
US5618619A (en) * 1994-03-03 1997-04-08 Monsanto Company Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates
US5635258A (en) * 1995-04-03 1997-06-03 National Science Council Method of forming a boron-doped diamond film by chemical vapor deposition
US6020677A (en) * 1996-11-13 2000-02-01 E. I. Du Pont De Nemours And Company Carbon cone and carbon whisker field emitters
US6086962A (en) * 1997-07-25 2000-07-11 Diamonex, Incorporated Method for deposition of diamond-like carbon and silicon-doped diamond-like carbon coatings from a hall-current ion source
US6046758A (en) * 1998-03-10 2000-04-04 Diamonex, Incorporated Highly wear-resistant thermal print heads with silicon-doped diamond-like carbon protective coatings
US6277480B1 (en) * 1999-05-03 2001-08-21 Guardian Industries Corporation Coated article including a DLC inclusive layer(s) and a layer(s) deposited using siloxane gas, and corresponding method
US6335086B1 (en) * 1999-05-03 2002-01-01 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6461731B1 (en) * 1999-05-03 2002-10-08 Guardian Industries Corp. Solar management coating system including protective DLC
US6261693B1 (en) * 1999-05-03 2001-07-17 Guardian Industries Corporation Highly tetrahedral amorphous carbon coating on glass
US6338901B1 (en) * 1999-05-03 2002-01-15 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC on substrate
US6280834B1 (en) * 1999-05-03 2001-08-28 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating including DLC and/or FAS on substrate
US6312808B1 (en) * 1999-05-03 2001-11-06 Guardian Industries Corporation Hydrophobic coating with DLC & FAS on substrate
JP4102515B2 (ja) * 1999-05-24 2008-06-18 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ 磁気記録媒体、この製造方法及びこの媒体を用いた磁気記憶装置
US6761736B1 (en) * 1999-11-10 2004-07-13 St. Jude Medical, Inc. Medical article with a diamond-like carbon coated polymer
US6660340B1 (en) * 2000-02-08 2003-12-09 Epion Corporation Diamond-like carbon film with enhanced adhesion

Also Published As

Publication number Publication date
CA2513935A1 (en) 2004-08-26
WO2004071981A3 (en) 2005-03-17
EP1595004A2 (en) 2005-11-16
CA2513935C (en) 2012-12-18
US6878404B2 (en) 2005-04-12
PL377259A1 (pl) 2006-01-23
EP1595004A4 (en) 2008-04-23
US20040157058A1 (en) 2004-08-12
WO2004071981A2 (en) 2004-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
PL211099B1 (pl) Sposób formowania warstwy zawierającej węgiel typu diamentu (DLC) na podłożu, wyrób powlekany obejmujący węgiel typu diamentu DLC i sposób wytwarzania wyrobu powlekanego
US7052585B2 (en) Coated article including titanium oxycarbide and method of making same
US11875976B2 (en) Plasma source utilizing a macro-particle reduction coating and method of using a plasma source utilizing a macro-particle reduction coating for deposition of thin film coatings and modification of surfaces
CN104498898B (zh) 通过等离子体增强的化学气相沉积形成涂层的方法
EP0687748B1 (en) Boron nitride films and process of making same
EP1899496B1 (en) Hydrophilic dlc on substrate with barrier discharge pyrolysis treatment
EP2245647B1 (en) Method for treatment of a substrate with atmospheric pressure glow discharge electrode configuration
KR101948013B1 (ko) 전류 절연 베어링 부품 및 베어링
US20160138154A1 (en) Methods of forming layers
CA2466639C (en) Buffing diamond-like carbon (dlc) to improve scratch resistance
PL212074B1 (pl) Sposoby wytwarzania wyrobu powlekanego i wyrób powlekany
EP1982348A1 (en) Short pulse atmospheric pressure glow discharge method and apparatus
EP1843859A2 (en) Hydrophilic dlc on substrate with flame pyrolysis treatment
KR100436565B1 (ko) 실리콘을 함유한 초경질 다이아몬드상 탄소박막 및 그제조방법
US8030219B1 (en) Dielectric coatings and use in capacitors
KR101701731B1 (ko) 층들을 형성하는 방법들
CN110343998B (zh) 一种印刷电路板钻针ta-C涂层及其制备方法
JPH07102362A (ja) 被膜形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Decisions on the lapse of the protection rights

Effective date: 20140204