NO336978B1 - Strømretterkobling med fordelte energilagre - Google Patents

Strømretterkobling med fordelte energilagre Download PDF

Info

Publication number
NO336978B1
NO336978B1 NO20081557A NO20081557A NO336978B1 NO 336978 B1 NO336978 B1 NO 336978B1 NO 20081557 A NO20081557 A NO 20081557A NO 20081557 A NO20081557 A NO 20081557A NO 336978 B1 NO336978 B1 NO 336978B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
connection
switchable semiconductor
subsystem
series
rectifier
Prior art date
Application number
NO20081557A
Other languages
English (en)
Other versions
NO20081557L (no
Inventor
March Hiller
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of NO20081557L publication Critical patent/NO20081557L/no
Publication of NO336978B1 publication Critical patent/NO336978B1/no

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/02—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal
    • H02M7/04—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/12—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/21—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
    • H02M7/217—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
    • H02M7/25—Conversion of ac power input into dc power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only arranged for operation in series, e.g. for multiplication of voltage
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00—Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/42—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal
    • H02M7/44—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters
    • H02M7/48—Conversion of dc power input into ac power output without possibility of reversal by static converters using discharge tubes with control electrode or semiconductor devices with control electrode
    • H02M7/483—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels
    • H02M7/4835—Converters with outputs that each can have more than two voltages levels comprising two or more cells, each including a switchable capacitor, the capacitors having a nominal charge voltage which corresponds to a given fraction of the input voltage, and the capacitors being selectively connected in series to determine the instantaneous output voltage

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Abstract

Oppfinnelsen vedrører en strømretterkobling med minst én fasemodul (100) med en øvre og en nedre strømretterventil (TI, ..., T6), idet hver strømretterventil (TI, ..., T6) har minst ett topolet subsystem. Ifølge oppfinnelsen har hvert topolede subsystem (14) fire utsjaltbare halvledersjaltere (21, 23, 25, 27) som er elektrisk seriekoblet, fire dioder (22, 24, 26, 28), som er elektrisk antiparallellkoblet med en respektiv utsjaltbar halvledersjalter (21, 23, 25, 27), to unipolare lagringskondensatorer (29, 30), som er elektrisk seriekoblet og parallellkoblet med halvledersjalternes (21, 23, 25, 27) seriekobling, og en elektronikk (32), hvis referansepotensialstilkobling (M) er elektrisk ledende forbundet med et felles potensial (Po). På denne måten oppnås et subsystem (14), hvor det ved tilkoblingsklemmene (X2, X1) kan genereres en klemmespenning (UX21) med fire potensialtrinn, hvilket subsystem bare trenger en elektronikk (32) hvis energiforsyning er symmetrisk, og det ikke er nødvendig med spesielle tiltak for en potensialskilling.

Description

Oppfinnelsen vedrører en strømretterkobling som angitt i innledningen til patentkrav 1.
En slik strømretterkobling er kjent fra DE 101 03 031 Al, og et koblingsskjema for en slik strømretterkobling er vist i fig. 1. Ifølge dette koblingsskjemaet har denne kjente strømretterkoblingen tre fasemoduler, som hver er betegnet med 100. Disse fasemodulene 100 er på likespenningssiden elektrisk ledende forbundet med en positiv og en negativ likespenningssamleskinne Po og No. Mellom disse to likespenningssamleskinnene Po og No ligger det en ikke nærmere betegnet likespenning. Hver fasemodul 100 har en øvre og en nedre strømretterventil Tl henholdsvis T3 henholdsvis T5 og T2 henholdsvis T4 henholdsvis T6. Hver av disse strømretterventilene T1-T6 har et antall elektrisk seriekoblede topolede subsystemer 11.1 dette koblingsskjemaet er det vist fire slike subsystemer 11. Istedenfor de topolede subsystemer 11 (fig. 2) kan det også brukes seriekoblede topolede subsystemer 12 (fig. 3). Hvert tilknytningspunkt mellom to strømretterventil er Tl og T2 henholdsvis T3 og T4 henholdsvis T5 og T6 i en fasemodul 100, utgjør en vekselspenningssidig tilkobling LI henholdsvis L2 henholdsvis L3 for denne fasemodul en 100. Da i denne utførelsen strømretterkoblingen har tre fasemoduler 100, kan det til tilkoblingene LI, L2 og L3, som også betegnes som lasttilkoblinger, tilknyttes en trefaselast, eksempelvis en dreiestrømmotor.
Fig. 2 viser et koblingsskjema for en kjent utførelse av et topolet subsystem 11. Koblingsanordningen i fig. 1 representerer en funksjonsmessig helt likeverdig variant, som likeledes er kjent fra DE 101 03 031 Al. Disse kjente topolede subsystemer 11 og 12 har hver to utsjaltbare halvledersjaltere 1, 3 og 5, 7, to dioder 2, 4 og 6, 8, og en unipolar lagringskondensator 9 og 10. De to utsjaltbare halvledersj alterne 1 og 3 henholdsvis 5 og 7, er elektrisk seriekoblet, og disse seriekoblingene er elektrisk parallellkoblet med en lagringskondensator 9 henholdsvis 10. Til hver utsjaltbar halvledersj alter 1 og 3 henholdsvis 5 og 7 er det elektrisk parallellkoblet én av de to diodene 2, 4 og 6, 8, slik at disse er antiparallellkoblet med den korresponderende utsjaltbare halvledersjalteren 1, 3, 5 eller 7. Den unipolare lagringskondensatoren 9 i subsystemet 11 henholdsvis 12 består enten av en kondensator eller av et kondensatorbatteri med flere slike kondensatorer, med en resulterende kapasitet Co. Forbindelsespunktet mellom den utsjaltbare halvledersj al terens 1 henholdsvis 5 emitter og anoden til dioden 2 henholdsvis 6, utgjør en tilkoblingsklemme XI for subsystemet 11 henholdsvis 12. Forbindelsespunktet for de to utsjaltbare halvledersj alterne 1 og 2 med de to diodene 2 og 4, danner en andre tilkoblingsklemme X2 for subsystemet 11. Forbindelsespunktet mellom den utsjaltbare halvledersj al terens 5 kollektortilkobling og diodens 6 katode, utgjør en andre tilkoblingsklemme X2 for subsystemet 12.
I begge de viste utførelsesformer av de to subsystemene 11 og 12, er det som utsjaltbare halvledersj altere 1 og 3 vist Insulated-Gate-bipolar-transistorer (IGBT) i fig. 2 og 3. Dessuten kan det brukes MOS-felteffekttransistorer, også benevnt MOS- FET. Likeledes kan det som utsjaltbare halvledersj altere 1 og 3 brukes Gate-Turn-Off-tyristorer, også benevnt GTO-tyristorer, eller Integrated-Gate-Commutated tyristorer (IGCT).
I DE 101 03 031 Al kan subsystemene 11 henholdsvis 12 i hver fasemodul 100 i strømretterkoblingen i fig. 1, styres til en koblingstilstand I og II. I koblingstilstand I er den utsjaltbare halvledersjalteren 1 henholdsvis 5 innkoblet mens den utsjaltbare halvledersj alteren 3 henholdsvis 7 for subsystemet 11 henholdsvis 12, er utkoblet. Derved vil en på tilkoblingsklemmene XI og X2 liggende klemmespenning Ux2ifor subsystemet 11 henholdsvis 12 være lik null. I koblingstilstand II er den utsjaltbare halvledersj alteren 1 henholdsvis 5 utkoblet og den utsjaltbare halvledersj alteren 3 henholdsvis 7 for subsystemet 11 henholdsvis 12, er innkoblet. I denne koblingstilstand II er klemmespenningen Ux2ilik kondenstaorspenningen Uc som ligger på lagringskondensatoren 9 henholdsvis 10.
I koblingsskjemaet for strømretterkoblingen i fig. 1, har denne pr. fasemodul 100 åtte topolede subsystemer 11 henholdsvis 12, fire pr. strømretterventil Tl, T2 henholdsvis T3, T4 henholdsvis T5, T6, som er elektrisk seriekoblet ved hjelp av tilkoblingsklemmene XI og X2. Antall elektrisk seriekoblede topolede subsystemer II henholdsvis 12 vil på den ene side være avhengig av en likespenning mellom de to likespenningssamleskinnene Po og No og på den annen side være avhengig av de anvendte, utsjaltbare halvledersj alterne 1, 3, 5 og 7. Dessuten spiller det en rolle hvor nøyaktig en sinusformet veksel spenning som ligger på de
vekselspenningssidige tilkoblinger LI, L2 henholdsvis L3, skal følge et sinusforløp.
For oppbyggingen og driften av en strømretterkobling som i fig. 1, er det nødvendig at de utsjaltbare halvledersj alterne 1, 3 henholdsvis 5, 7 for hvert topolet system 11 henholdsvis 12 kan styres med en egnet kobling, og at ulike måleverdier for det topolede subsystemet 11 henholdsvis 12, eksempelvis den kondensatorspenningen UC som ligger på lagringskondensatoren 9 henholdsvis 11, kan registreres og videreføres til en overordnet strømretterregulering. Derfor har hvert topolede subsystem 11 henholdsvis 12 en elektronikk, som i de viste subsystemer 11 og 21 i fig. 2 og 3 ikke er nærmere vist, for derved å lette oversikten. Denne elektronikken, som også benevnes som en elektronikkomponentgruppe, har følgende oppgaver:
- birettet kommunikasjon med den overordnede strømretterreguleringen,
- registrering av ulike måleverdier og status- henholdsvis feilsignaler,
- styring av de utsjaltbare halvledersj alterne 1, 3 henholdsvis 5, 7,
- bearbeidelse av samtlige innkommende og utgående signaler.
Dessuten vil det være fordelaktig, men ikke absolutt nødvendig, å kunne utkoble energien for driften av elektronikkomponentgruppen for et topolet subsystem 11 henholdsvis 12 direkte fra lagringskondensatoren 9 henholdsvis 10. Dersom det mellom elektronikkomponentgruppen for hvert topolet subsystem 11 henholdsvis 12 og den overordnede strømretterreguleringen benyttes to lysbølgeledere for dataoverføringen, så vil driften være potensialfri. Referansepotensialet til elektronikkomponentgruppen for hvert topolet subsystem 11 henholdsvis 12, er generelt forbundet med en negativ pol på den unipolare lagringskondensatoren 9 henholdsvis 10.
Ved seriekoblingen av flere topolede subsystemer 11 henholdsvis 12 for en fasemodul i en strømretterkobling, blir det generelt anvendt subsystemer 11 henholdsvis 12 av én utførelsesform. Det vil si at fasemodulene 100 i strømretterkoblingen i fig. 1 enten bruker subsystemer i den utførelsesform en som er vist i fig. 2, eller subsystemer i den utførelsesform en som er vist i fig. 3. For en trefase-strømretterkobling som i fig. 1, må det legges 48 lysbølgeledere mellom en overordnet strømretterregulering og de 24 topolede subsystemene 11 henholdsvis 12. Økes antall anvendte topolede subsystemer 11 henholdsvis 12 med ett subsystem pr. strømrettersystem T1,...,T6, så vil antall lysbølgeledere øke med tolv.
For å forenkle dette, må antall elektronikkomponentgrupper pr. strømretterventil T1,...T6 reduseres. Slik redusering kan oppnås dersom eksempelvis to topolede subsystemer 11 henholdsvis 12 sammenfattes i en subsystemmodul, idet da to elektronikkomponentgrupper kan sammenfattes til én. Ved anvendelsen av en elektronikkomponentgruppe for minst to i en subsystemmodul sammenfattede topolede subsystemer 11 henholdsvis 12, så må man ta hensyn til energiforsyningen for denne elektronikkomponentgruppen. Blir den nødvendige energien bare utkoblet fra en unipolar lagringskondensator for minst to i en subsystemmodul sammenfattede topolede subsystemer 11 henholdsvis 12, så vil energiforsyningen være usymmetrisk. Dette vil stille større krav til en potensiallskilling ved styringen av de utsjaltbare halvledersj alterne 1, 3 henholdsvis 5, 7 i de sammenfattede subsystemer 11 henholdsvis 12, og til registreringen av kondensatorspenningen Uc, og man får en uønsket, usymmetrisk spenningsoppdeling.
Ved en slik sammenfatning av minst to topolede subsystemer 11 henholdsvis 12 i en subsystemmodul, vil antall anvendte lysbølgeledere halveres, men dette skjer på bekostning av større krav til potensialskillingen, og man må regne med en usymmetrisk energiforsyning. To enkelt oppbygde subsystemer erstattes med en mer kompleks subsystemmodul.
Hensikten med oppfinnelsen er å tilveiebringe et topolet subsystem for en strømretterkobling, hvormed man kan unngå de nevnte ulemper og hvormed man kan redusere kompleksiteten til en slik strømretterkobling.
Denne hensikt oppnås ifølge oppfinnelsen med de kjennetegnende trekk som er angitt i kravene 1-4.
Ved at fire utsjaltbare halvledersj altere ifølge oppfinnelsen kobles med tilhørende antiparallelt koblede dioder og to unipolare kondensatorer, kan det benyttes én felles elektronikkomponentgruppe for styring av disse utsjaltbare halvledersj alterne og for registrering av kondensatorspenningene, uten at det stilles større krav til potensialskillingen. Også energiutkoblingen kan skje symmetrisk. Utad vil et slikt subsystem ifølge oppfinnelsen ha to tilkoblingsklemmer og to tilknytninger for to lysbølgeledere. Tilkoblingsteknisk vil derfor et subsystem ifølge oppfinnelsen tilsvare et kjent system. Ved de to tilkoblingsklemmene kan det ved styring av dette subsystemet genereres en klemmespenning, som istedenfor bare to potensialtrinn nå har fire potensialtrinn. Således vil man for en strømretterkobling for en på forhånd bestemt høy spenning bare trenge halvparten så mange subsystemer, sammenlignet med en kjent utførelsesform, idet likeledes også antallet nødvendige lysbølgeledere halveres.
For ytterligere belysning av oppfinnelsen skal det nå vises til tegningen, hvor det er vist flere utførelsesformer av et topolet system ifølge oppfinnelsen. På den skjematiske tegningen viser
Fig. 1 viser et koblingsskjema for en kjent strømretterkobling med fordelte energilagre, Fig. 2 og 3 viser et respektivt koblingsskjema for en første og andre utførelsesform av et kjent topolet subsystem, Fig. 4 viser et koblingsskjema for en første utførelsesform av et topolet subsystem ifølge oppfinnelsen, Fig. 5 er et koblingsskjema for en andre utførelsesform av et topolet subsystem ifølge oppfinnelsen, og Fig. 6 viser et koblingsskjema for en tredje utførelsesform av et topolet subsystem ifølge oppfinnelsen, mens Fig. 7 viser et koblingsskjema for en fjerde utførelsesform av et topolet subsystem ifølge oppfinnelsen. Fig. 4 viser et koblingsskjema for en første utførelsesform av et subsystem 14 ifølge oppfinnelsen. Dette topolede subsystemet 14 har fire utsjaltbare halvledersj altere 21, 23, 25 og 27, fire dioder 22, 24, 26 og 28, to unipolare kondensatorer 29 og 30, og en elektronikk 32, i det etterfølgende også benevnt elektronikkomponentgruppe 32. De fire utsjaltbare halvledersj alterne 21, 23, 25 og 27 er elektrisk seriekoblet. Til hver av disse halvledersj alterne 21, 23, 25 og 27 er det elektrisk antiparallellkoblet en diode 22, 24, 26 og 28. En respektiv unipolar kondensator 29 henholdsvis 30 er elektrisk parallellkoblet med to respektive, utsjaltbare halvledersj altere 21, 23 henholdsivs 25, 27. Den unipolare kondensatoren 29 henholdsvis 30 i dette subsystemet 14, består enten av en kondensator eller av et kondensatorbatteri med flere slike kondensatorer, med en resulterende kapasitet Co. Forbindelsespunktet mellom de to utsjaltbare halvledersj alterne 21 og 23 og de to diodene 22 og 24, danner en andre tilkoblingsklemme X2 for subsystemet 14. Forbindelsespunktet mellom de to utsjaltbare halvledersj alterne 25 og 27 og de to
diodene 26 og 28, danner en første tilkoblingsklemme XI for dette subsystemet 14. Forbindelsespunktet mellom den utsjaltbare halvledersj al terens 23 emitter, den utsjaltbare halvledersjalterens 25 kollektor, diodens 24 anode, diodens 26 katode, den negative tilkoblingen til den unipolare kondensatoren 29, og den positive tilkoblingen til den unipolare kondensatoren 30, danner et felles potensial Po, som er elektrisk ledende forbundet med en referansepotensialtilkobling M for elektronikkomponentgruppen 32. Denne elektronikkomponentgruppen 32 er signalteknisk tilordnet en ikke nærmere vist, overordnet strømretterregulering ved hjelp av to lysbølgeledere 34 og 36. Det felles potensialet Po tjener som referansepotensial for elektronikkomponentgruppen 32.1 utgangspunktet velger man som referansepotensialer slike som ikke tilveiebringer unødvendig høye spenningspåkjenninger for driverkomponenter i de utsjaltbare halvledersj alterne 21, 23, 25 og 27 henholdsvis modulhusene til disse utsjaltbare halvledersj alterne 21, 23, 25 og 27.
Subsystemet 14 ifølge oppfinnelsen kan styres i fire koblingstilstander I, II, III og IV. I koblingstil standen I er de utsjaltbare halvledersj alterne 21 og 25 innkoblet og de utsjaltbare halvledersj alterne 23 og 27 er utkoblet. En ved tilkoblingskl emmen X2 og XI liggende klemmespenning Ux2ifor subsystemet 14 er lik kondensatorspenningen Uc som ligger på kondensatoren 29.1 koblingstilstanden II er de utsjaltbare halvledersj alterne 21 og 27 innkoblet, mens derimot de utsjaltbare halvledersj alterne 23 og 25 er utkoblet. Subsystemets 14 klemmespenning Ux2itilsvarer nå summen av kondensatorspenningene Uc ved de unipolare kondensatorene 29 og 30.1 koblingstilstanden III er de utsjaltbare halvledersj alterne 23 og 25 innkoblet og de utsjaltbare halvledersj alterne 21 og 27 er utkoblet. I denne koblingstilstanden er subsystemets 14 klemmespenning Ux2ilik null. I koblingstilstanden IV er de utsjaltbare halvledersj alterne 23 og 27 innkoblet, mens de utsjaltbare halvledersj alterne 21 og 25 er utkoblet. Derved vil subsystemets 14 klemmespenning Ux2iveksle fra potensialtrinnet "null" og til potensialtrinnet "kondensatorspenning Uc", som ligger på den unipolare kondensatoren 30. I koblingstilstanden I henholdsvis IV vil energilagreren 29 henholdsvis 30 oppta eller avgi energi i avhengighet av klemmestrømretningen. I koblingstilstanden II vil kondensatorene 29 og 30 levere eller motta energi i avhengighet av en klemmestrømretning. I en koblingstilstand III ("null") vil energien i kondensatorene 29 og 30 være konstant. Funksjonsmessig vil således subsystemet 14 ifølge oppfinnelsen tilsvare seriekoblingen av det kjente subsystemet 11 med det kjente subsystemet 12. Til forskjell har imidlertid subsystemet 14 ifølge oppfinnelsen ikke de ulemper som hefter ved en slik seriekobling.
I seriekoblingen av de to kjente subsystemene 11 og 12, har hvert subsystem 11 og 12 et eget referansepotensial og en egen elektronikkomponentgruppe. Dersom det bare brukes én av disse to elektronikkomponentgruppene og energien for denne bare skal kobles fra en korresponderende kondensator, så vil energiutkoblingen være usymmetrisk og gi usymmetri i spenningsoppdelingen. Dessuten må det da ved styringen av den utsjaltbare halvledersj alteren og registreringen av kondensatorspenningene benyttes en større ytelse for potensialskillingen. Disse ulempene har man ikke ved det topolede subsystemet 14 ifølge oppfinnelsen.
Fig. 5 viser et koblingsskjema for en andre utførelsesform av et topolet subsystem 16 ifølge oppfinnelsen. Dette subsystemet 16 atskiller seg fra subsystemet 14 i fig. 4 ved at bare hver gang to utsjaltbare halvledersj altere 21, 23 og 25, 27 er elektrisk seriekoblet. Til hver utsjaltbare halvledersj alter 21, 23, 25 og 27 er det som i subsystemet 14 elektrisk antiparallellkoblet en diode 22, 24, 26 og 28. Elektrisk parallelt med hver seriekobling er det parallellkoblet en unipolar kondensator 29 henholdsvis 30. Forbindelsespunktet mellom den utsjaltbare halvledersj alteren 23 emitter, diodens 24 anode og den negative tilknytningen til den unipolare kondensatoren 29, er ved et forbindelsespunkt elektrisk ledende forbundet med de to elektrisk seriekoblede, utsjaltbare halvledersj alterne 25, 27. Dette forbindelsespunktet danner et felles potensial Po, hvormed
referansepotensialtilkoblingen M for elektronikkomponentgruppen 32 er elektrisk ledende forbundet. Dessuten danner forbindelsespunktet mellom den utsjaltbare halvledersj alters 27 emitter, diodens 28 anode og den negative tilkoblingen til den unipolare kondensatoren 30, tilkoblingsklemmen XI for subsystemet 16. Således vil denne utførelsesform en av det topolede subsystemet 16 funksjonsmessig tilsvare seriekoblingen av to kjente subsystemer 11. Istedenfor en anvendelse av kondensatorens 29 negative tilkobling som referansepotensial for elektronikkomponentgruppen 32, kan også andre tilslutninger brukes som referansepotensial. I utgangspunktet velges også her slike potensialer som referansepotensial som ikke gir unødig høy spenningspåkjenning for driverkomponentene i den utsjaltbare halvledersj alteren 21, 23, 25 og 27 henholdsvis dets modulhus.
I en tredje utførelsesform, vist i fig. 6, av det topolede subsystemet 18 ifølge oppfinnelsen er som i subsystemet 16 i fig. 5, hver gang to utsjaltbare halvledersj altere 21, 23 og 25, 27 elektrisk seriekoblet. Sammenlignet med subsystemet 16 er nå forbindelsespunktet mellom de to elektrisk seriekoblede, utsjaltbare halvledersj alterne 21 og 23 elektrisk ledende forbundet med et forbindelsespunkt mellom den utsjaltbare halvledersjalterens 25 kollektor, diodens 26 katode og kondensatorens 30 positive tilkobling. Forbindelsespunktet mellom de to elektrisk seriekoblede, utsjaltbare halvledersj altere 25 og 27, danner nå en første tilkoblingsklemme XI, mens forbindelsespunktet mellom den utsjaltbare halvledersj alterens 21 kollektor, diodens 22 katode og kondensatorens 29 positive tilkobling, danner en andre tilkoblingsklemme X2 for subsystemet 18. Som referansepotensial for elektronikkomponentgruppen 32 i dette subsystemet 18, brukes den negative tilkoblingen av den unipolare kondensatoren 29, på samme måte som i subsystemet 16. Subsystemet 18 tilsvarer funksjonsmessig en seriekobling av to kjente subsystemer 12.
I det topolede subsystemet 30 tilsvarende koblingsskjemaet i fig. 7, er likeledes hver gang to av fire utsjaltbare halvledersj altere 21, 23 og 25, 27 elektrisk seriekoblet, idet det til hver utsjaltbare halvledersj alter 21,..., 27 er antiparallellkoblet en diode 22, 24, 26 og 28. En respektiv kondensator 29 henholdsvis 30 er elektrisk parallellkoblet med en seriekobling av de utsjaltbare halvledersj alterne 21, 23 henholdsvis 25, 27. Forbindelsespunktet mellom de to elektrisk seriekoblede, utsjaltbare halvledersj alterne 21 og 23, er elektrisk ledende forbundet med forbindelsespunktet mellom de to elektrisk seriekoblede, utsjaltbare halvledersj alterne 25 og 27. Forbindelsespunktet mellom den utsjaltbare halvledersj alterens 21 kollektor, diodens 22 katode og kondensatorens 29 positive tilkobling, vil i dette subsystemet 20 utgjøre en andre tilkoblingsklemme X2. Forbindelsespunktet mellom den utsjaltbare halvledersj alterens 27 emitter, diodens 28 anode og kondensatorens 30 negative tilkobling, danner en første tilkoblingsklemme XI for subsystemet 20. Funksjonsmessig vil dette subsystemet 20 tilsvare en seriekobling av et kjent subsystem 12 med et kjent subsystem 11.
Ved hjelp av utformingen av subsystemene 14, 16, 28 og 20 ifølge oppfinnelsen, for en strømretterkobling for høye spenninger, vil, særlig innenfor driv- og enegiteknikken, antall lysbølgeledere mellom en strømretterkobling, bestående av et antall seriekoblede subsystemer og en overordnet strømretterregulering, halveres sammenlignet med forholdene ved en kjent strømretterkobling for høye spenninger. Hvert subsystem kan styres slik at det ved tilkoblingsklemmene X2, XI vil ligge en klemmespenning Ux2i, hvilken klemmespenning kan innta fire ulike potensialtrinn. En slik klemmespenning Ux2ikan man bare oppnå med de vanlige subsystemene 11 og 12 dersom det anvendes to seriekoblede subsystemer 11, 12 henholdsvis 12, 12 henholdsvis 11, 11 henholdsvis 12, 11. Sammenlignet med en ren seriekobling av to kjente subsystemer 11 og 12, hvilke subsystemer er anordnet i en modul, krever subsystemet 14 henholdsvis 16 henholdsvis 18 henholdsvis 20 ifølge oppfinnelsen bare én elektronikkomponentgruppe 32, og dets energiforsyning fra kondensatorene 29 og 30 kan skje symmetrisk. Derved vil det ved styringen og registreringen av en kondensatorspenning Uc, ikke være nødvendig med større tiltak for potensialskilling.

Claims (8)

1. Strømretterkobling med minst én fasemodul (100) med en øvre og en nedre strømretterventil (Tl, ..., T6), hvor hver strømretterventil (Tl, ..., T6) har minst ett topolet subsystem, karakterisert vedat hvert topolede subsystem (14) har fire utsjaltbare halvledersj altere (21, 23, 25, 27), fire dioder (22, 24, 26, 28), to unipolare lagringskondensatorer (29, 30), og en elektronikk (32), at hver utsjaltbar halvledersj alter (21, 23, 25, 27) er elektrisk antiparallellkoblet med en diode (22, 24, 26, 28), at disse fire utsjaltbare halvledersj alterne (21, 23, 25, 27) er elektrisk seriekoblet, at de to unipolare lagringskondensatorene (29, 30) er elektrisk seriekoblet, idet denne seriekoblingen er elektrisk parallellkoblet med de utsjaltbare halvledersj alterne (21, 23, 25, 27), at et respektivt forbindelsespunkt mellom to utsjaltbare halvledersj altere (21, 23, 25, 27) danner en respektiv tilkoblingsklemme (X2, XI) for det topolede subsystemet (14), og at et forbindelsespunkt for de to elektrisk seriekoblede lagringskondensatorene (29, 30) er elektrisk ledende forbundet med en referansepotensialtilkobling (M) til elektronikken (32).
2. Strømretterkobling med minst én fasemodul (100) med en øvre og en nedre strømretterventil (Tl, ..., T6), hvor hver strømretterventil (Tl, ..., T6) har minst ett topolet subsystem, karakterisert vedat hvert topolet subsystem (14) har fire utsjaltbare halvledersj altere (21, 23, 25, 27), fire dioder (22, 24, 26, 28), to unipolare lagringskondensatorer (29, 30) og en elektronikk (32), at hver utsjaltbar halvledersj alter (21, 23, 25, 27) er elektrisk antiparallellkoblet med en diode (22, 24, 26, 28), at hver gang to utsjaltbare halvledersj altere (21, 23, 25, 27) er elektrisk seriekoblet, at hver seriekobling er elektrisk parallellkoblet med en unipolar lagringskondensator (29 henholdsvis 30), at et forbindelsespunkt mellom to utsjaltbare halvledersj altere (21, 23) i en første seriekobling danner en tilkoblingsklemme (X2) for det topolede subsystemet (16), idet en emitter i en andre utsjaltbar halvledersj alter (27) av de to utsjaltbare halvledersj alterne (25, 27) i en andre seriekobling danner en andre tilkoblingsklemme (XI) for det topolede subsystemet (16), at et forbindelsespunkt mellom to utsjaltbare halvledersj altere (25, 27) i den andre seriekoblingen er elektrisk ledende forbundet med en emitter i en andre utsjaltbar halvledersj alter (23) av de to utsjaltbare halvledersj alterne (21, 23) i den første seriekoblingen, og at dette forbindelsespunktet er elektrisk ledende forbundet med en referansepotensialtilkobling (M) til elektronikken (32).
3. Strømretterkobling med minst én fasemodul (100) med en øvre og en nedre strømretterventil (Tl, ..., T6), hvor hver strømretterventil (Tl, ..., T6) har minst ett topolet subsystem, karakterisert vedat hvert topolet subsystem (18) har fire utsjaltbare halvledersj altere (21, 23, 25, 27), fire dioder (22, 24, 26, 28), to unipolare lagringskondensatorer (29, 30), og en elektronikk (32), at hver utsjaltbar halvledersj alter (21, 23, 25, 27) er elektrisk parallellkoblet med en diode (22, 24, 26, 28), at hver gang to utsjaltbare halvledersj altere (21, 23 henholdsvis 25, 27) er elektrisk seriekoblet, at hver seriekobling er elektrisk parallellkoblet med en unipolar lagringskondensator (29 henholdsvis 30), at et forbindelsespunkt mellom to utsjaltbare halvledersj altere (25, 27) i en andre seriekobling danner en tilkoblingsklemme (XI) for det topolede subsystemet (18), idet en kollektor i en første utsjaltbar halvledersj alter (21) av de to utsjaltbare halvledersj alterne (21, 23) i en første seriekobling danner en andre tilkoblingsklemme (X2) for subsystemet (18), og at et forbindelsespunkt mellom to utsjaltbare halvledersj altere (21, 23) i den første seriekoblingen er elektrisk ledende forbundet med en kollektor i en første utsjaltbar halvledersj alter (25) av de to utsjaltbare halvledersj alterne (25, 27) i den andre seriekoblingen, og at dette forbindelsespunktet er elektrisk ledende forbundet med den positive tilkoblingen til den unipolare lagringskondensatoren (29).
4. Strømretterkobling med minst én fasemodul (100) med en øvre og en nedre strømretterventil (Tl, ..., T6), hvor hver strømretterventil (Tl, ..., T6) har minst ett topolet subsystem, karakterisert vedat hvert topolet subsystem (20) har fire utsjaltbare halvledersj altere (21, 23, 25, 27), fire dioder (22, 24, 26, 28), to unipolare kondensatorer (29, 30), og en elektronikk (32), at hver utsjaltbar halvledersj alter (21, 23, 25, 27) er elektrisk antiparallellkoblet med en diode (22, 24, 26, 28), at hver gang to utsjaltbare halvledersj altere (21, 23 henholdsvis 25, 27) er elektrisk seriekoblet, at hver seriekobling er elektrisk parallellkoblet med en unipolar lagringskondensator (29 henholdsvis 30), at forbindelsespunktene mellom to respektive, utsjaltbare halvledersj altere (21, 23 henholdsvis 25, 27) er innbyrdes forbundne, at en kollektor i en første utsjaltbar halvledersj alter (21) i en første seriekobling og en emitter i en andre utsjaltbar halvledersj alter (27) i en andre seriekobling danner en respektiv tilkoblingsklemme (X2, XI) for det topolede subsystemet (20), og at en referansepotensialtilkobling (M) til elektronikken (32) er elektrisk ledende forbundet med en emitter i en andre utsjaltbar halvledersj alter (23) i den første seriekoblingen.
5. Strømretterkobling ifølge et av de foregående krav, karakterisert vedat det som utsjaltbare halvledersj altere (21, 23, 25, 27) benyttes en Insulated-Gate-Bipolar-Transistor.
6. Strømretterkobling ifølge et av kravene 1-4, karakterisert vedat det som utsjaltbar halvledersj alter (21, 23, 25, 27) benyttes en MOS-felteffekttransistor.
7. Strømretterkobling ifølge et av kravene 1-4, karakterisert vedat det som utsjaltbar halvledersj alter (21, 23, 25, 27) benyttes en Gate-Turn-Off-tyristor.
8. Strømretterkobling ifølge et av kravene 1-4, karakterisert vedat det som utsjaltbar halvledersj alter (21, 23, 25, 27) benyttes en Integrated-Gate-Commutated-tyristor.
NO20081557A 2005-08-30 2008-03-28 Strømretterkobling med fordelte energilagre NO336978B1 (no)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102005041087A DE102005041087A1 (de) 2005-08-30 2005-08-30 Stromrichterschaltung mit verteilten Energiespeichern
PCT/EP2006/064925 WO2007025828A1 (de) 2005-08-30 2006-08-02 Stromrichterschaltung mit verteilten energiespeichern

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NO20081557L NO20081557L (no) 2008-03-28
NO336978B1 true NO336978B1 (no) 2015-12-07

Family

ID=37102601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO20081557A NO336978B1 (no) 2005-08-30 2008-03-28 Strømretterkobling med fordelte energilagre

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7577008B2 (no)
EP (1) EP1920526B1 (no)
JP (1) JP4850910B2 (no)
CN (1) CN101253675B (no)
CA (1) CA2620441C (no)
DE (2) DE102005041087A1 (no)
NO (1) NO336978B1 (no)
WO (1) WO2007025828A1 (no)

Families Citing this family (77)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102005045091B4 (de) 2005-09-21 2007-08-30 Siemens Ag Steuerverfahren zur Redundanznutzung im Störungsfall eines mehrphasigen Stromrichters mit verteilten Energiespeichern
DE102005045090B4 (de) * 2005-09-21 2007-08-30 Siemens Ag Verfahren zur Steuerung eines mehrphasigen Stromrichters mit verteilten Energiespeichern
DE112007003408A5 (de) * 2007-01-17 2009-12-24 Siemens Aktiengesellschaft Ansteuerung eines Phasenmodulzweiges eines Multilevel-Stromrichters
JP5214169B2 (ja) * 2007-05-17 2013-06-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
DE102008007659A1 (de) 2008-02-06 2009-02-19 Siemens Aktiengesellschaft Umrichter
DE102008014898B4 (de) 2008-03-19 2018-09-27 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Steuerung eines mehrphasigen Stromrichters mit verteilten Energiespeichern bei niedrigen Ausgangsfrequenzen
DE102008022617A1 (de) * 2008-05-07 2009-11-19 Siemens Aktiengesellschaft Windenergiepark mit einer Vielzahl von Windenergieanlagen
DE102008036810A1 (de) * 2008-08-07 2010-02-18 Siemens Aktiengesellschaft Steuerverfahren zur Redundanznutzung im Störungsfall eines mehrphasigen Stromrichters mit verteilten Energiespeichern
EP2254233B1 (de) * 2009-04-02 2011-08-10 ABB Schweiz AG Verfahren zum Betrieb einer Umrichterschaltung sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
EP2443733A1 (en) * 2009-06-15 2012-04-25 Alstom Grid UK Limited Converter control
CN102577077B (zh) * 2009-10-15 2015-02-25 Abb瑞士有限公司 用于运行变换器电路的方法以及用于实施该方法的装置
WO2011073466A1 (es) * 2009-12-18 2011-06-23 Ingeteam Technology, S.A. Convertidor modular basado en circuitos distribuidos multinivel de punto medio capacitivo
EP2360819B1 (de) * 2010-02-11 2012-06-06 ABB Schweiz AG Aktive Dämpfung von Stromharmonischen in einem Mehrstufen-Umrichter
JP5378274B2 (ja) * 2010-03-15 2013-12-25 株式会社日立製作所 電力変換装置
WO2011154049A1 (de) * 2010-06-11 2011-12-15 Siemens Aktiengesellschaft Doppelmodul für einen modularen mehrstufenumrichter
WO2011160678A1 (en) * 2010-06-22 2011-12-29 Areva T&D Uk Limited Cascaded multilevelconverter for hvdc application
CN103119531B (zh) * 2010-08-04 2015-08-05 柯蒂斯-赖特机电公司 耦联到电流源电源上的m2lc***
WO2012033958A1 (en) 2010-09-09 2012-03-15 Curtiss-Wright Electro-Mechanical Corporation System and method for controlling a m2lc system
DE102010046142A1 (de) 2010-09-15 2012-03-15 Converteam Gmbh Modularer Schalter für einen elektrischen Umrichter, elektrischer Umrichter sowie Verfahren zum Betreiben eines elektrischen Umrichters
WO2012040257A1 (en) * 2010-09-21 2012-03-29 Curtiss-Wright Electro-Mechanical Corporation Two terminal multilevel converter
JP5941922B2 (ja) * 2010-11-04 2016-06-29 ベンショウ・インコーポレイテッド 整流装置に接続されるモジュール式多電圧値出力変換器装置
DE102010064311A1 (de) * 2010-12-29 2012-07-05 Robert Bosch Gmbh Steuerbarer Energiespeicher und Verfahren zum Betreiben eines steuerbaren Energiespeichers
DE102011006345A1 (de) * 2011-03-29 2012-10-04 Siemens Aktiengesellschaft Modularer Mehrfachumrichter mit rückwärts leitfähigen Leistungshalbleiterschaltern
DE102011006987A1 (de) 2011-04-07 2012-10-11 Siemens Aktiengesellschaft Modulares Stromrichterschranksystem
DE102011006988B4 (de) 2011-04-07 2021-09-30 Siemens Aktiengesellschaft Zweiteilige Stromrichterzelle
EP2608398A1 (de) * 2011-12-19 2013-06-26 Siemens Aktiengesellschaft Modulare Stromrichterschaltung
IN2014DN08268A (no) 2012-03-09 2015-05-15 Curtiss Wright Electro Mechanical Corp
WO2014005634A1 (en) 2012-07-05 2014-01-09 Abb Ab Three-level submodule for a voltage source converter
EP2762347A1 (de) 2013-01-31 2014-08-06 Siemens Aktiengesellschaft Modularer Hochfrequenz-Umrichter und Verfahren zum Betrieb desselben
JP6009651B2 (ja) * 2013-03-18 2016-10-19 三菱電機株式会社 電力変換装置
JP6180825B2 (ja) * 2013-07-02 2017-08-16 株式会社日立製作所 電力変換装置および電気・機械エネルギ変換システム
JP6206118B2 (ja) * 2013-08-02 2017-10-04 株式会社明電舎 マルチレベル電力変換装置
EP2913925B1 (en) 2014-02-26 2021-03-31 General Electric Technology GmbH Balancing and/or discharge resistor arrangements
EP3002866B1 (de) * 2014-09-30 2021-09-08 Siemens Aktiengesellschaft Spannungszwischenkreis-Stromrichter in Fünfpunkttopologie
US10270328B2 (en) 2015-02-04 2019-04-23 Abb Schweiz Ag Multilevel converter with energy storage
US10122261B2 (en) 2015-06-15 2018-11-06 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial System Corporation Power conversion device
WO2016203517A1 (ja) 2015-06-15 2016-12-22 東芝三菱電機産業システム株式会社 電力変換装置
CN209134292U (zh) * 2016-01-19 2019-07-19 西门子股份公司 模块化的多级变换器
US10608752B2 (en) 2016-01-19 2020-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Multilevel converter
EP3381116B1 (de) 2016-01-19 2020-03-25 Siemens Aktiengesellschaft Modularer multilevelumrichter
EP3197038B1 (en) * 2016-01-25 2018-12-05 North China Electric Power University Modular multilevel converter (mmc) topologies with voltage self-balancing capability
CN105471304A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 华北电力大学 基于不等式约束的无辅助电容式单箝位mmc自均压拓扑
CN105634318A (zh) * 2016-01-25 2016-06-01 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容分布式半桥mmc自均压拓扑
CN105515424B (zh) * 2016-01-25 2018-10-30 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容集中式全桥mmc自均压拓扑
CN105471307A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/单箝位混联mmc自均压拓扑
CN105471305A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容集中式半桥mmc自均压拓扑
CN105471302A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容集中式半桥mmc自均压拓扑
CN105515425A (zh) * 2016-01-25 2016-04-20 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联mmc自均压拓扑
CN105471306B (zh) * 2016-01-25 2018-10-30 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容分布式全桥mmc自均压拓扑
CN105450048A (zh) * 2016-01-25 2016-03-30 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容分布式半桥/单箝位混联mmc自均压拓扑
CN105450070A (zh) * 2016-01-25 2016-03-30 华北电力大学 基于不等式约束的无辅助电容式半桥/全桥混联mmc自均压拓扑
CN105450071A (zh) * 2016-01-25 2016-03-30 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联mmc自均压拓扑
CN105450069B (zh) * 2016-01-25 2018-10-30 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容集中式全桥mmc自均压拓扑
CN105471259A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容集中式半桥/单箝位混联mmc自均压拓扑
CN105429491A (zh) * 2016-01-25 2016-03-23 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容集中式单箝位mmc自均压拓扑
CN105450049A (zh) * 2016-01-25 2016-03-30 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联mmc自均压拓扑
CN105610340A (zh) * 2016-01-25 2016-05-25 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容分布式半桥/全桥混联mmc自均压拓扑
CN105515426A (zh) * 2016-01-25 2016-04-20 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容集中式单箝位mmc自均压拓扑
CN105471303A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容分布式单箝位mmc自均压拓扑
CN105634316B (zh) * 2016-01-25 2018-10-30 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容分布式全桥mmc自均压拓扑
CN105515428A (zh) * 2016-01-25 2016-04-20 华北电力大学 基于不等式约束的无辅助电容式半桥mmc自均压拓扑
CN105450072A (zh) * 2016-01-25 2016-03-30 华北电力大学 基于不等式约束的辅助电容分布式单箝位mmc自均压拓扑
CN105634317A (zh) * 2016-01-25 2016-06-01 华北电力大学 基于不等式约束的无辅助电容式半桥/单箝位混联mmc自均压拓扑
CN105471301A (zh) * 2016-01-25 2016-04-06 华北电力大学 基于等式约束的辅助电容集中式半桥/全桥混联mmc自均压拓扑
CN105515427B (zh) * 2016-01-25 2018-10-30 华北电力大学 基于不等式约束的无辅助电容式全桥mmc自均压拓扑
JP6341222B2 (ja) * 2016-03-31 2018-06-13 トヨタ自動車株式会社 電源システム
JP6552113B2 (ja) * 2016-04-19 2019-07-31 東芝三菱電機産業システム株式会社 電力変換装置
CN105897019A (zh) * 2016-05-26 2016-08-24 华北电力大学 一种基于等式约束的mmc自均压拓扑
EP3618257B8 (en) 2017-04-28 2022-10-12 Toshiba Mitsubishi-Electric Industrial Systems Corporation Power conversion device
EP3413455A1 (en) 2017-06-06 2018-12-12 General Electric Technology GmbH Converters and methods of operation thereof
EP3462479B1 (en) 2017-10-02 2020-12-09 General Electric Technology GmbH Semiconductor assembly with fault protection
EP3547526A1 (en) 2018-03-28 2019-10-02 General Electric Technology GmbH Converter controller
WO2020001764A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 General Electric Technology Gmbh Converters and methods of operation thereof
JP7023986B2 (ja) 2019-08-09 2022-02-22 東芝三菱電機産業システム株式会社 電力変換装置
WO2021028976A1 (ja) 2019-08-09 2021-02-18 東芝三菱電機産業システム株式会社 電力変換装置
CN116584028A (zh) * 2020-09-28 2023-08-11 阿尔法能源技术公司 基于多相模块的能量***框架及其相关方法
EP4160900A1 (de) 2021-09-29 2023-04-05 Siemens Aktiengesellschaft Submodul mit bremsstellerfunktion für einen modularen multilevel-stromrichter

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10103031A1 (de) * 2001-01-24 2002-07-25 Rainer Marquardt Stromrichterschaltungen mit verteilten Energiespeichern

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE511219C2 (sv) * 1998-01-27 1999-08-23 Asea Brown Boveri Omriktare där klampningsdioderna ersatts av en aktiv klampningskrets
US5986909A (en) * 1998-05-21 1999-11-16 Robicon Corporation Multiphase power supply with plural series connected cells and failed cell bypass
SE512795C2 (sv) * 1998-09-18 2000-05-15 Abb Ab VSC-strömriktare
US6519169B1 (en) * 1999-03-29 2003-02-11 Abb Ab Multiphase inverter with series of connected phase legs
SE521885C2 (sv) * 2001-04-11 2003-12-16 Abb Ab Strömriktare
US6972972B2 (en) * 2002-04-15 2005-12-06 Airak, Inc. Power inverter with optical isolation
DE10217889A1 (de) * 2002-04-22 2003-11-13 Siemens Ag Stromversorgung mit einem Direktumrichter
DE10323220B4 (de) * 2003-05-22 2014-07-17 Siemens Aktiengesellschaft Kurzschluss-Schaltung für einen Teilumrichter
JP2006320103A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Fuji Electric Systems Co Ltd 直列多重電力変換装置の制御装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10103031A1 (de) * 2001-01-24 2002-07-25 Rainer Marquardt Stromrichterschaltungen mit verteilten Energiespeichern

Also Published As

Publication number Publication date
DE102005041087A1 (de) 2007-03-01
CN101253675A (zh) 2008-08-27
CA2620441C (en) 2013-06-18
CA2620441A1 (en) 2007-03-08
CN101253675B (zh) 2010-05-26
NO20081557L (no) 2008-03-28
US20080198630A1 (en) 2008-08-21
JP4850910B2 (ja) 2012-01-11
WO2007025828A1 (de) 2007-03-08
US7577008B2 (en) 2009-08-18
EP1920526B1 (de) 2010-02-17
DE502006006191D1 (de) 2010-04-01
JP2009506746A (ja) 2009-02-12
EP1920526A1 (de) 2008-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO336978B1 (no) Strømretterkobling med fordelte energilagre
US7443698B2 (en) Converter circuit for switching of a multiplicity of switching voltage levels
CN108475999B (zh) 单相五电平有源嵌位变换器单元及变换器
CN101268606B (zh) 故障情况下用于实现带有分布储能器的多相变流器的冗余工作模式的控制方法
US11108338B2 (en) Dual submodule for a modular multilevel converter and modular multilevel converter including the same
US10560019B2 (en) Bipolar high-voltage network and method for operating a bipolar high-voltage network
US9899948B2 (en) Electric drive system
US20170358999A1 (en) Low loss double submodule for a modular multi-level converter and modular multi-level converter having same
US20140362628A1 (en) Modular multiple converter comprising reverse conductive power semiconductor switches
US9590489B2 (en) Converter
US9276499B2 (en) Procedures for the operation of an electrical circuit
US20140347898A1 (en) Modular multi-level power conversion system with dc fault current limiting capability
US20140001842A1 (en) Energy Converter for Outputting Electrical Energy
US20160352239A1 (en) Power electronic converter
EP2747268B1 (en) Voltage source current controlled multilevel power converter
US10523017B2 (en) Switch module and converter with at least one switch module
CA2898934A1 (en) Modular multi-level power conversion system with dc fault current limiting capability
CN113824344B (zh) 一种双箝位自阻断自平衡子模块和模块化多电平换流器
RU107422U1 (ru) Ячейка высоковольтного многоуровневого преобразователя частоты
CN110999054B (zh) 用于变流器的功率模块和多电平变流器
US20230208315A1 (en) Submodule as a hybrid cell for a modular multilevel converter
CN112564528A (zh) 一种自平衡的模块化多电平换流器
KR101030947B1 (ko) 다수의 스위칭 전압 레벨의 스위칭용 변환기 회로
US20130293169A1 (en) Polyphase Energy Converter for Outputting Electrical Energy
KR20170041221A (ko) 전압 소스 서브모듈을 위한 전기 조립체에서의 또는 전기 조립체에 관한 향상

Legal Events

Date Code Title Description
CHAD Change of the owner's name or address (par. 44 patent law, par. patentforskriften)

Owner name: INNOMOTICS GMBH, DE