NO313353B1 - Piezoelektrisk resonator og fremgangsmåte for innstilling av dens resonatorfrekvens - Google Patents

Piezoelektrisk resonator og fremgangsmåte for innstilling av dens resonatorfrekvens Download PDF

Info

Publication number
NO313353B1
NO313353B1 NO19983118A NO983118A NO313353B1 NO 313353 B1 NO313353 B1 NO 313353B1 NO 19983118 A NO19983118 A NO 19983118A NO 983118 A NO983118 A NO 983118A NO 313353 B1 NO313353 B1 NO 313353B1
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
resonator
swing core
core
swing
electrodes
Prior art date
Application number
NO19983118A
Other languages
English (en)
Other versions
NO983118L (no
Inventor
Kiyoshi Iyama
Toshihiko Unami
Original Assignee
Murata Manufacturing Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co filed Critical Murata Manufacturing Co
Publication of NO983118L publication Critical patent/NO983118L/no
Publication of NO313353B1 publication Critical patent/NO313353B1/no

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1007Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/178Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of a laminated structure of multiple piezoelectric layers with inner electrodes
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414Resonance frequency
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/02535Details of surface acoustic wave devices
    • H03H9/02543Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
    • H03H9/02574Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of combined substrates, multilayered substrates, piezoelectrical layers on not-piezoelectrical substrate
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/10Mounting in enclosures
    • H03H9/1064Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
    • H03H9/1092Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H03H9/172Means for mounting on a substrate, i.e. means constituting the material interface confining the waves to a volume
    • H03H9/175Acoustic mirrors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
  • Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)

Description

Dette konsept, som i det følgende vil bli kalt oppfinnelsen, gjelder piezoelektriske resonatorer og fremgangsmåter for innstilling av deres resonansfrekvens, og nærmere bestemt en slik resonator som tilrettelegges for optimal utnyttelse av et piezoelektrisk svingeelement med mekanisk resonans, så vel som elektroniske kretskomponenter som er bygget opp med en slik resonator, eventuelt flere, idet disse komponenter kan være oscillatorer, diskriminatorer og filtere. Oppfinnelsen gjelder likeledes fremgangsmåter for å innstille slike komponenters resonansfrekvens.
I en konvensjonell piezoelektrisk resonator ligger elektroder på begge sider av et substrat som har piezoelektriske egenskaper og gjerne rektangulær eller kvadratisk plateform. Substratet er polarisert i tykkelsesretningen. Når et signal påtrykkes elektrodene settes et elektrisk felt opp i substratet i polarisasjonsretningen, hvorved substratet kommer i mekaniske vibrasjoner med vibrasjonsretning parallell med substratets hovedflater.
En slik piezoelektrisk resonator benevnes "ikke stiv", og med dette forstås av vibra-sjonsretningen er en annen enn polarisasjonsretningen og retningen for påtrykket av det elektriske felt. Den elektromekaniske koplingskoeffisient for en slik "ustiv" piezoelektrisk resonator vil være mindre enn for en tilsvarende stiv piezoelektrisk resonator hvor vibra-sjonsretningen, polarisasjonsretningen og den retning som et utvendig elektrisk felt påtrykkes langs er den samme. Av denne grunn får en ustiv resonator relativt liten frekvensforskjell AF mellom sin parallell- og serieresonansfrekvens. Dette kan gi et problem ved at båndbredden blir liten når en slik resonator brukes i en oscillator eller et filter, og konstruktøren får mindre frihet både når det gjelder resonatoren selv og den kretskomponent som skal inneholde en eller flere slike.
Piezoelektriske resonatorer som bruker en svingekjerne i form av en rektangulær plate (betraktet ovenfra) har såkalt longitudinal svingningsmodus for sine førsteordens svingninger ved eller nær en av resonansfrekvensene. Platekonstruksjonen tilsier imidlertid også relativt store parasittsvingninger (uønskede, forstyrrende resonansfenomener) ved harmoniske av resonansfrekvensene, særlig de odde harmoniske som tilsier svingning ved tredjeordens og femteordens svingningsmodus, og svingninger i bredderetningen (tverrmodussvingninger).
En slik piezoelektrisk resonator på et substrat med kvadratisk plateform har altså sin førsteordens resonans ved svingning i lengdemodus. Også denne resonator vil imidlertid ha tendens til å kunne svinge i uønskede modi, så som den tverrsvingningsmodus som går i tykkelsesretningen og ved den tredje harmoniske i kvadratisk svingemodus.
Man har foreslått en laminert oppbygging av svingekjemen i en piezoelektrisk resonator for å redusere tendensene til uønskede svingninger og samtidig få en større frekvensforskjell AF mellom hver modus' to resonansfrekvenser. Fig. 20 i tegningene viser en slik laminert resonator 1 med sin svingekjerne 2 av langstrakt type (med stavform) og delt opp i en rekke segmenter 3 med innskutte indre tverrelektroder 4 mellom. Segmentene 3 er polarisert i kjernens 2 lengderetning slik det er indikert med pilene, henholdsvis mot venstre og høyre på tegningen, og resonatoren 1 er av stiv type hvor altså polarisasjonsretningen, svingeretningen for hvert enkelt segment 3 og feltretningen for det påtrykte elektriske felt er den samme. Sammenliknet med en resonator som ikke er stivt konfigurert får man altså i en slik resonator større elektromekanisk koplingskoeffisient og likeledes større frekvensforskjell mellom resonansfrekvensene. Svingetendenser i andre modi, så som bredde-og tykkelsesmodusen vil også være redusert. I denne viste resonator 1 blottlegges samtlige fire kanter av tverrelektrodene 4 i svingekjemens 2 fire sideflater. På den ene av disse sideflater dekker en elektrisk isolerende film 5a den ene ende av kanten av annenhver tverrelektrode 4, og en første ytre elektrode 6a er lagt på denne sideflate for elektrisk sammenkopling av de mellomliggende tverrelektroder 4 (også annenhver elektrode). En andre elektrisk isolerende film 5b dekker motsatt ende på disse annenhver tverrelektroder 4, for å tillate at en andre ytre elektrode 6b også kan tilkoples annenhver elektrode 4.
Når man imidlertid skal masseprodusere en slik resonator 1 som vist på fig. 20, vil ikke alltid ønsket parallell- og serieresonansfrekvens falle på riktig sted, som følge av produksjonsvariasjoner. Hvis man far noe for lav resonansfrekvens, kan denne økes ved å skjære bort noe av svingekjernen 2 slik at totallengden avtar, men hvis frekvensen skulle være noe for høy, kan man ikke redusere frekvensen på tilsvarende måte, og av denne grunn kan man få en relativt stor vrakprosent ved fremstillingen.
For å unngå dette problem foreslås i og med oppfinnelsen en resonator som i tillegg til å ha liten tendens til uønskede svingninger og en stor frekvensforskjell mellom resonansfrekvensene i den ønskede svingemodus, også har en parallellresonansfrekvens som kan innjusteres til en noe lavere verdi.
De foretrukne utførelser av oppfinnelsen tilsier hvordan man kan innstille resonansfrekvensen i en slik. resonator hvor altså tendensen til falske svingninger er liten og hvor frekvensforskjellen mellom parallell- og serieresonans er stor.
I en foretrukket utførelse av oppfinnelsen er det således skaffet til veie en piezoelektrisk elektrisk resonator som omfatter:
en svingekjerne med hovedutstrekning i lengderetningen,
flere indre tverrelektroder som er anordnet i alt vesentlig normalt på svingekjemens lengderetning og med innbyrdes avstand i denne retning, og
en første og en andre ytre elektrode på en av sideflatene på svingekjernen og koplet til bestemte av tverrelektrodene, og hvor: svingekjernen er laminert oppbygget og har flere piezoelektriske segmenter, segmentene er polarisert i svingekjemens lengderetning, og hvor
de indre tverrelektroder er lagt inn mot hovedflatene på svingekjemens segmenter, hvorved denne resonators resonansfrekvens i dette tilfelle kan reduseres ved at man fjerner en større eller mindre sentral del av den laminerte svingekjerne.
I resonatoren i denne utførelse kan den del som fjernes - og som i det følgende blant annet vil bli kalt en kuttet del - ha samme eller varierende kuttedybde over svingekjemens lengderetning, for eksempel kan det midtre parti av delen være dypere (høyere) enn på sidene.
Den foretrukne utførelse av oppfinnelsen er videre knyttet til en fremgangsmåte for å innstille resonansfrekvensen av en piezoelektrisk elektrisk resonator som omfatter:
en svingekjerne med hovedutstrekning i lengderetningen,
flere indre tverrelektroder som er anordnet i alt vesentlig normalt på svingekjemens lengderetning og med innbyrdes avstand i denne retning, og
en første og en andre ytre elektrode på en av sideflatene på svingekjernen og koplet til bestemte av tverrelektrodene, og hvor: svingekjernen er laminert oppbygget og har flere piezoelektriske segmenter, segmentene er polarisert i svingekjemens lengderetning, og hvor
de indre tverrelektroder er lagt inn mot hovedflatene på svingekjemens segmenter. Denne fremgangsmåte omfatter på tilsvarende måte som ovenfor fjerning av en sentral del, regnet i svingekjemens lengderetning, hvorved resonansfrekvensen kan innstilles etter hvor stor del som fjernes.
I fremgangsmåten ifølge denne foretrukne utførelse omfatter fjerningen av den kuttede del et trinn med kutting av denne i svingedelens lengderetning ved en jevn dybde (høyde) eller ved varierende dybde (høyde). Kuttetrinnet omfatter for eksempel at det kuttes dypere ved midten enn ved sidene.
Resonatoren ifølge den foretrukne utførelse av oppfinnelsen er av stiv type og har sine piezoelektriske segmenter i svingekjernen anordnet slik at deres svingeretning, polari-sasjonsretning og retningen for et elektrisk påtrykt felt blir den samme. Ved at produksjonen legges til rette for at resonansfrekvensen i utgangspunktet er noe høy, men kan innstilles nedover i frekvens ved å fjerne materiale fra svingekjernen, vil man få langt mindre vrakprosent under produksjonen. Dersom oppfinnelsens resonator som er oppdelt i segmenter totalt sett danner en mindre brikkeformet komponent (chip) kan man lett fremstille kretser og større komponenter ved å montere resonatoren på et kretskort.
Andre trekk ved og fordeler med oppfinnelsen vil fremgå av den detaljbeskrivene som er satt opp nedenfor og som støtter seg til tegningene, hvor fig. 1 viser en typisk resonator ifølge en foretrukket utførelse av oppfinnelsen og med en fjernet del på undersiden, fig.
2 viser en kuttemaskin for å fjerne en slik del fra resonatorens svingekjerne, fig. 3 viser et diagram over denne resonators impedans som funksjon av frekvensen, henholdsvis før en del er kuttet ut (stiplet kurve) og etter fjerning av en kuttet del (heltrukket kurve), fig. 4 viser hvordan radien r for en sylindrisk kuttet del påvirker resonansfrekvensen Fr av resonatoren, fig. 5 viser den tilsvarende sammenheng mellom den kuttede dels dybde (høyde) d og resonansfrekvensen, fig. 6 viser en resonator i en andre utførelse, fig. 7 viser det tilsvarende impedansforløp før kutting og etter kutting av en del med bredde (lengde) w på undersiden av svingekjernen, fig. 8 viser sammenhengen mellom denne bredde w og resonansfrekvensen, fig. 9 viser tilsvarende fig. 5 sammenhengen mellom dybde og resonansfrekvens, fig. 10 viser sammenhengen mellom parallellresonansfrekvensen (som ofte rett og slett benevnes resonansfrekvensen) Fr, serieresonansfrekvensen Fa og frekvensforskj ellen AF mellom disse i resonatoren vist på fig. 6, som tre kurver i et diagram over denne frekvensforskjell eller -endring som funksjon av dybden d, fig. 11 viser et tilsvarende diagram over frekvensendringen som funksjon av dybden d for flere påfølgende kutt for å fjerne materiale fra svingekjernen, idet antallet kutt er angitt med henholdsvis 1, 2, 3 og 5, idet frekvensendringen her er relatert til resonansfrekvensen Fr, fig. 12 viser den tilsvarende sammenheng mellom reduksjonen i serieresonansfrekvens som funksjon av dybden d, for 1-5 kutt, fig. 13 viser forholdet mellom den spesifiserte kuttedybde d og den aktuelle bredde w av den kuttede del, fig. 14 viser sammenhengen mellom målt og spesifisert kuttedybde for et forskjellig antall kutt, fig. 15 viser en resonator i en tredje utførelse, fig. 16 viser sammenhengen mellom impedansen av denne resonator og fjerningen av en del ved kutting, fig. 17 viser en elektronisk kretskomponent som bruker en piezoelektrisk resonator ifølge en annen foretrukket utførelse av oppfinnelsen, fig. 18 viser en monteringsdetalj for resonatoren i denne komponent, fig. 19 viser to planriss for modifikasjon av de indre tverrelektroder i resonatoren, og fig. 20 viser en typisk laminert piezoelektrisk resonator av kjent type, som basis for utviklingen av oppfinnelsens resonatorer.
Fig. 1 viser således en piezoelektrisk resonator i en første utførelse av oppfinnelsen. Resonatoren 10 vist her omfatter fortrinnsvis en hovedsakelig rektangulær og prismeformet svingekjerne 12 som kan ha dimensjoner 4,8 mm som lengde og 1 x 1 mm i tverrsnitt. Svingekjernen er laminert oppdelt og består for eksempel av i alt 20 segmenter 12a av et egnet piezoelektrisk keramisk materiale. Segmentene 12a har helst identisk dimensjon. De er polarisert i svingekjemens lengderetning, men annethvert i motsatt retning slik det er indikert med pilene på fig. 1.
Indre tverrelektroder 14 er lagt inn mellom hvert av segmentene 12a i svingekjernen, slik at også disse elektroder 14 blir stående normalt på kjernens lengderetning. Ved at segmentene 12a har samme dimensjon far tverrelektrodene samme innbyrdes avstand. De dekker hele ende- eller hovedflaten på begge sider av hvert segment 12a og blir derved blottlagt i svingekjemens 12 samtlige fire sideflater.
På den ene av kjernens 12 sideflater er den ene ende av annenhver tverrelektrode 14 dekket av en første elektrisk isolerende film 16, mens den motsatte ende av de mellomliggende elektroder 14 er dekket av en andre elektrisk isolerende film 18, tilsvarende det som er gjennomgått tidligere i forbindelse med fig. 20.
På denne sideflate hvor filmene 16, 18 er avsatt er også to ytre elektroder 20, 22 anordnet, nemlig en første ytre elektrode 20 som er lagt oppå den første film 16 og er galvanisk forbundet med annenhver tverrelektrode, og en andre ytre elektrode 22 som er lagt på filmen 18 og forbundet med de resterende tverrelektroder 14 (annenhver mellomliggende elektrode). Derved oppnås en gjensidig inngripende kamelektrodestruktur (interdigital).
I et midtparti, regnet i lengderetningen av den av svingekjemens fire sideflater som ligger på motsatt side av sideflaten med elektrodene, er det fjernet en kuttet del 24 med for eksempel bueformet kontur, slik det er vist på fig. 1. På figuren er vist hvordan denne manglende del 24 er kuttet dypest inn ved midten og følger en kontur hvis krumningsradius er r. Fjerningen av en slik kuttet del av svingekjernen 12 bevirker at både parallell- og serieresonansfrekvensen Fr henholdsvis Fa blir redusert.
Utkuttingen av delen 24 kan for eksempel utføres med en kuttemaskin av den type som er vist på fig. 2. Den har i dette tilfelle to festeplater 102, 104 og en holdekloss 106 for å holde resonatoren 10 på plass, for eksempel ved hjelp av et adhesiv. To pressplater 112 og 114 er skrudd fast til festeplatene med bolter 108, 110, slik at holdeklossen 106 blir presset ned, i den viste kuttemaskin på en flens på den ene festeplate 102. Et diamantsagblad 116 brukes for utkutting av materialet fra resonatoren 10, og i tillegg til å kunne rotere, kan også diamantsagbladet 116 forskyves sideveis. Selve utkuttingen skjer ved at sagbladet 116 føres ned til ønsket kuttedybde d i resonatoren 10.
Resonatoren bruker de ytre elektroder 20, 22 som henholdsvis inngangs- og utgangselektrode, og når et signal påtrykkes disse blir svingekjernen 12 piezoelektrisk aktiv, siden et elektrisk felt er påtrykt mellom to og to indre tverrelektroder 14. Svingekjemens aktivering gjelder samtlige segmenter 12a med unntak av de to som ligger ytterst i endene av kjernene. Siden spenning påtrykkes i motsatt retning over segmentene 12a som på sin side også, annethvert er polarisert i motsatt retning, vil den piezoelektriske svingning av hvert enkelt segment skje samtidig som en ekspansjon i tykkelsesretningen og en sammenpressing i samme retning, hvorved hele svingekjernen far longitudinal svingnings-bevegelse ved summen av de enkelte segmenters svingebevegelse. Hvis med andre ord et elektrisk vekselfelt påtrykkes kjernen i lengderetningen blir dette felt også påtrykt hvert enkelt segment 12a via de indre tverrelektroder 14 som på sin side er koplet til den ene eller den andre av de ytre elektroder 20, 22. På denne måte frembringes en drivkraft for ekspansjon og sammentrykking av segmentene, og den totale resonatorsvingning vil foregå i den longitudinale grunnmodus og hvor midten (egentlig det midtre plan normalt på lengdeaksen) tjener som et knutepunkt (stillestående plan).
I resonatoren 10 fører det faktum at polarisasjonsretningen, det påtrykte felts retning og svingeretningen i kjernen alle har samme retning til at man far de fordeler som er nevnt tidligere, nemlig større elektromagnetisk koplingskoeffisient, større frekvensforskjell AF mellom parallell- og resonansfrekvens, og derved bredere båndkarakteristikk enn tilsvarende konvensjonelle piezoelektriske resonatorer av ikke stiv type.
I resonatoren vist på fig. 1 er den kuttede del 24 tatt ut midt under, på den ene av sideflatene, og ved dette reduseres resonatorens resonansfrekvens i forhold til en resonator hvor ingen del er fjernet i dette område (fig. 20). Fig. 3 viser skjematisk hvordan impedansforløpet arter seg som funksjon av frekvensen før henholdsvis etter at den kuttede del 24 er maskinert ut. Impedanskurvene viser serieresonansfrekvensen ved en noe lavere frekvens enn parallellresonansfrekvensen.
Fig. 4 viser hvordan parallellresonansfrekvensen Fr reduseres noe etter hvert som den kuttede dels 24 radius øker. Fig. 5 viser den tilsvarende sammenheng mellom parallellresonansfrekvensen og hvor dypt den kuttede del er tatt inn i kjernen (høyden eller dybden d). Serieresonansfrekvensen Fa og andre karakteristiske frekvenser i et impedansdiagram vil variere på tilsvarende måte med radien r og dybden d av den kuttede del 24.
I resonatoren 10 kan også den elektriske kapasitet mellom de ytre elektroder endres noe ved for eksempel å endre arealet av de indre tverrelektroder 14, antallet piezoelektriske segmenter 12a eller indre tverrelektroder 14, eller tykkelsen av de enkelte segmenter. Total kapasitet kan derved økes ved å øke det motstående areal av tverrelektrodene 14, antallet segmenter 12a, antallet tverrelektroder 14 eller ved å redusere tykkelsen av segmentene 12a. Tilsvarende kan kapasiteten reduseres ved å gå motsatt vei. Man får altså flere muligheter for konstruksjon av en resonator med ønsket kapasitet. Derved kan også impedanstilpasning lettere oppnås overfor ytre kretser, for eksempel når resonatoren 10 er montert på et kretskort.
Fig. 6 viser en annen utførelse av en resonator 10 ifølge oppfinnelsen. Den kuttede del 24 er i dette tilfelle ikke sylindrisk, men prismatisk og har en dimensjon i svingekjemens 12 lengderetning benevnt delens bredde og angitt med w. Kuttedybden er som før angitt med d. Også denne type del 24 kan utføres med kuttemaskinen 100 vist på fig. 2, ved hjelp av diamantsagbladet.
Med en slik utførelse av delen 24 kan man oppnå samme reduksjon i resonansfrekvens som med resonatoren vist på fig. 1, ved halvparten av dybden d. Fig. 7 illustrerer på ny hvordan impedanskurven forskyves mot lavere frekvenser når delen 24 er skåret ut, fig. 8 viser sammenhengen mellom bredden w og parallellresonansfrekvensen Fr, og fig. 9 viser sammenhengen mellom dybden d og samme resonansfrekvens. Andre karakteristiske frekvenser, blant annet serieresonansfrekvensen Fa vil endres på tilsvarende måte med både w ogd. Fig. 10 viser forholdet mellom parallell- og serieresonansfrekvensen Fr henholdsvis Fa, og frekvensforskjellen AF mellom dem, for resonatoren vist på fig. 6. Tre kurver for disse verdier er avsatt i et diagram for frekvensreduksjonen man oppnår når man øker en spesifisert kuttedybden d. Fig. 11 viser den tilsvarende frekvensendring som funksjon av kuttedybden når den kuttede del 24 har forskjellig bredde w, ved at bredden fastlegges ved å la diamantsagbladet foreta ett, to, tre eller fem kutt. Fig. 12 viser den tilsvarende reduksjon i serieresonansfrekvensen Fa som funksjon av dybden ved forskjellige antall kutt, fig. 13 viser forholdet mellom bredden w og spesifisert kuttedybde d slik det er illustrert på fig. 11 og 12, og fig.
14 viser forholdet mellom målt og spesifisert kuttedybde for forskjellige antall kutt.
Fig. 15 viser en resonator 10 i en tredje utførelse, også ifølge oppfinnelsen. Den kuttede del 24 er i utgangspunktet slik det er vist på fig. 1, men i tillegg er skåret ut en utsparing 26 med rektangulært tverrsnitt, oppover på den sideflate som er vist forrest, i den midtre del av svingekjernen 12. Også utsparingen 26 kan maskineres av kuttemaskinen 100 vist på fig. 2.
Siden de utsparinger som dannes av delen 24 med tillegg av utsparingen 26 i dette tilfelle ikke ligger konsentrert på den ene sideflate på kjernen får man en ytterligere fordel med øket styrke av resonatoren. Fig. 16 viser impedansforløpet som funksjon av frekvensen for denne resonator 10, før henholdsvis etter at fjerning av materialet for den kuttede del 24 og utsparingen 26 er utført.
De viste og beskrevne piezoelektriske resonatorer 10 kan brukes til å bygge opp elektroniske komponenter så som oscillatorer og diskriminatorer, og fig. 17 viser forenklet en slik kretskomponent 60 med et substrat 62 av elektrisk isolasjonsmateriale for å tjene som underlag for ledningsføring og interne elementer. På to motliggende endekanter av substratet 62 er det to utsparinger 64 for avslutning av sin respektive mønsterelektrode 66, 68. Elektrodene strekker seg mellom sine to tilhørende utsparinger 64 og går L-formet inn mot den midtre del av substratet, nær sentrum av dette. En utvinklet gren av elektrodene er ved sentrum ført inn mot hverandre slik det vist, med 180° symmetri og ender i sin respektive festebrikke 70 for feste av resonatoren 10, for eksempel med lim. Festet av resonatoren er gjeme slik at midten av svingekjernen 12 blir anordnet på festebrikkene 70. Fig. 18 viser hvordan dette er gjort ved at en festebrikke 70 på hver side blir liggende under sin respektive ytre elektrode 20 eller 22. Festebrikkene 70 kan være utformet på forhånd på resonatoren 10, like gjeme som på substratet.
Et metallokk 70 er lagt på substratet 62, og for å hindre at lokket kortslutter deler av mønsterelektrodene 66 og 68 kan et isolasjonslag, for eksempel av harpiks være lagt på substratet 62 og disse elektroder. Metallokket 74 legges på for å komplettere kretskomponenten 60, og den bruker mønsterelektrodene 66 og 68 som inngangs- og utgangselektrode for tilkopling til ytre kretser, idet elektrodene 66 og 68 er utformet slik at de også går over på motsatt hovedflate, rundt utsparingene 64 i endekantene. Siden festebrikkene 70 er utformet ved midten av resonatoren 10 vil svingekjemens ender holdes i en avstand fra overflaten av substratet 62, slik at ikke kjernens svingninger hindres. De langsgående svingninger i kjernen vil helles ikke svekkes nevneverdig ved oppspenningen på festebrikkene 70, siden festet til disse er i området ved svingningsknutepunktet.
Kretskomponentene 60 er montert på et kretskort sammen med andre komponenter på brikkeform slik at det for eksempel bygges opp en oscillator eller diskriminator. Ved at komponenten 60 forsegles og beskyttes av metallokket 74 kan også den brukes som en separat brikkekomponent som er egnet for montering i et loddebad.
Når komponenten 60 brukes i en oscillator undertrykkes uønskede svingninger til et lav nivå, og anormale svingninger hindres likeledes. God impedanstilpasning kan oppnås overfor eksterne kretser siden resonatorens 10 kapasitet kan innreguleres slik som nevnt ovenfor. Særlig når komponenten brukes i en oscillator for spenningsstyrt sving-ningsgenerering kan oppfinnelsens resonator egne seg, siden dens store frekvensomfang utnyttes på basis av den relativt store frekvensforskjell AF mellom parallell- og seriereso-nansen.
Når komponenten 60 i stedet brukes i en diskriminator, kan man få et bredt diskrimineringsområde av samme grunn. Også her er mulighetene for impedanstilpasning gode.
Komponenten kan for øvrig også anta andre former enn den viste, og utførelsen behøver ikke være rettet mot brikkeplassering på kretskort.
I samtlige av resonatorene 10 som er vist og beskrevet her dekker de indre tverrelektroder 14 hele den tilgjengelige flate mellom to og to segmenter 12a i svingekjernen 12. Noe av arealet kan imidlertid være fjernet for å redusere den innbyrdes kapasitet mellom to og to tverrelektroder, for eksempel slik som det er vist på fig. 19a og b. Annenhver indre elektrode kan for eksempel være redusert på den ene øvre kant, mens annenhver mellomliggende elektrode kan være redusert i motsatt ende av samme øvre kant. På denne måte blir annenhver tverrelektrode ikke lenger blottlagt langs den ene sideflate på kjernen, på den ene side, og annenhver tverrelektrode blir trukket tilbake langs samme sideflate, på motsatt side. Isolerende filmer 16, 18 blir derfor unødvendig i en slik løsning.
Polarisasjonsretningen for de enkelte segmenter 12a kan være annerledes enn det som er forklart ovenfor, og tykkelsen av segmentene kan også være innbyrdes forskjellig. Likeledes kan flere enn ett segment være lagt inn mellom to og to motstående indre tverrelektroder 14. endelig kan de ytre elektroder 20, 22 være annerledes koplet enn til annenhver tverrelektrode 14.
Andre endringer og modifikasjoner vil også kunne tenkes, men oppfinnelsens ramme vil være bestemt av de gjeldende patentkrav slik de er satt opp nedenfor.

Claims (8)

1. Piezoelektrisk elektrisk resonator som omfatter: en svingekjerne med hovedutstrekning i lengderetningen, flere indre tverrelektroder som er anordnet i alt vesentlig normalt på svingekjemens lengderetning og med innbyrdes avstand i denne retning, og en første og en andre ytre elektrode på en av sideflatene på svingekjernen og koplet til bestemte av tverrelektrodene, og hvor: svingekjernen er laminert oppbygget og har flere piezoelektriske segmenter, segmentene er polarisert i svingekjemens lengderetning, og hvor de indre tverrelektroder er lagt inn mot hovedflatene på svingekjemens segmenter, karakterisert ved at den piezoelektriske resonators (10) resonansfrekvens kan innstilles ved å fjerne en større eller mindre del (24) av svingekjernen (12), særlig en sentral del av denne.
2. Resonator ifølge krav 1, karakterisert ved at den del (24) som er fjernet har samme dybde (d) over hele sin lengde.
3. Resonator ifølge krav 1, karakterisert ved at den del (24) som er fjernet har varierende dybde (d) over sin lengde.
4. Resonator ifølge krav 3, karakterisert ved at den største dybde av den del (24) som er fjernet er ved midten av svingekjernen (12).
5. Fremgangsmåte for innstilling av en resonansfrekvens i en piezoelektrisk elektrisk resonator som omfatter: en svingekjerne med hovedutstrekning i lengderetningen, flere indre tverrelektroder som er anordnet i alt vesentlig normalt på svingekjemens lengderetning og med innbyrdes avstand i denne retning, og en første og en andre ytre elektrode på en av sideflatene på svingekjernen og koplet til bestemte av tverrelektrodene, og hvor: svingekjernen er laminert oppbygget og har flere piezoelektriske segmenter, segmentene er polarisert i svingekjemens lengderetning, og hvor de indre tverrelektroder er lagt inn mot hovedflatene på svingekjemens segmenter, karakterisert ved fjerning av en del (24) som strekker seg i lengderetningen av svingekjernen (12), i den hensikt å innstille en resonansfrekvens for den piezoelektriske resonator (10).
6. Fremgangsmåte ifølge krav 5, karakterisert ved at fjerningen av delen (24) skjer over samme dybde (d) over en viss lengde av svingekjernen (12).
7. Fremgangsmåte ifølge krav 5, karakterisert ved at fjerningen skjer ved varierende dybde (d) over en midtre del i lengderetningen av svingekjernen (12).
8. Fremgangsmåte ifølge krav 7, karakterisert ved at fjerningen gir størst fjernet dybde ved midten av svingekjernen (12).
NO19983118A 1997-07-07 1998-07-06 Piezoelektrisk resonator og fremgangsmåte for innstilling av dens resonatorfrekvens NO313353B1 (no)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19782497A JP3378775B2 (ja) 1997-07-07 1997-07-07 圧電共振子およびその周波数調整方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NO983118L NO983118L (no) 1999-01-08
NO313353B1 true NO313353B1 (no) 2002-09-16

Family

ID=16380956

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO19983118A NO313353B1 (no) 1997-07-07 1998-07-06 Piezoelektrisk resonator og fremgangsmåte for innstilling av dens resonatorfrekvens

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6111480A (no)
EP (1) EP0892494A3 (no)
JP (1) JP3378775B2 (no)
KR (1) KR100303635B1 (no)
CN (1) CN1190890C (no)
NO (1) NO313353B1 (no)

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1124266A3 (en) * 2000-02-08 2005-04-06 Seiko Epson Corporation Piezoelectric vibrator unit, liquid jet head, manufacturing method of piezoelectric vibrator unit, and manufacturing method of liquid jet head
JP3729103B2 (ja) * 2001-08-28 2005-12-21 株式会社村田製作所 圧電装置、ラダー型フィルタ及び圧電装置の製造方法
US7275292B2 (en) 2003-03-07 2007-10-02 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method for fabricating an acoustical resonator on a substrate
US6946928B2 (en) 2003-10-30 2005-09-20 Agilent Technologies, Inc. Thin-film acoustically-coupled transformer
US7400217B2 (en) 2003-10-30 2008-07-15 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Decoupled stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwith
US7332985B2 (en) 2003-10-30 2008-02-19 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte Ltd. Cavity-less film bulk acoustic resonator (FBAR) devices
US7019605B2 (en) 2003-10-30 2006-03-28 Larson Iii John D Stacked bulk acoustic resonator band-pass filter with controllable pass bandwidth
EP1528677B1 (en) 2003-10-30 2006-05-10 Agilent Technologies, Inc. Film acoustically-coupled transformer with two reverse c-axis piezoelectric elements
US7615833B2 (en) 2004-07-13 2009-11-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator package and method of fabricating same
US7388454B2 (en) 2004-10-01 2008-06-17 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using alternating frame structure
US8981876B2 (en) 2004-11-15 2015-03-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters having frame elements
US7202560B2 (en) 2004-12-15 2007-04-10 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Wafer bonding of micro-electro mechanical systems to active circuitry
US7791434B2 (en) 2004-12-22 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator performance enhancement using selective metal etch and having a trench in the piezoelectric
US7427819B2 (en) 2005-03-04 2008-09-23 Avago Wireless Ip Pte Ltd Film-bulk acoustic wave resonator with motion plate and method
US7369013B2 (en) 2005-04-06 2008-05-06 Avago Technologies Wireless Ip Pte Ltd Acoustic resonator performance enhancement using filled recessed region
US7436269B2 (en) 2005-04-18 2008-10-14 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically coupled resonators and method of making the same
US7868522B2 (en) 2005-09-09 2011-01-11 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Adjusted frequency temperature coefficient resonator
US7391286B2 (en) 2005-10-06 2008-06-24 Avago Wireless Ip Pte Ltd Impedance matching and parasitic capacitor resonance of FBAR resonators and coupled filters
US7423503B2 (en) 2005-10-18 2008-09-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating film acoustically-coupled transformer
US7675390B2 (en) 2005-10-18 2010-03-09 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single decoupled stacked bulk acoustic resonator
US7737807B2 (en) 2005-10-18 2010-06-15 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating series-connected decoupled stacked bulk acoustic resonators
US7525398B2 (en) 2005-10-18 2009-04-28 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustically communicating data signals across an electrical isolation barrier
US7425787B2 (en) 2005-10-18 2008-09-16 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic galvanic isolator incorporating single insulated decoupled stacked bulk acoustic resonator with acoustically-resonant electrical insulator
US7463499B2 (en) 2005-10-31 2008-12-09 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte Ltd. AC-DC power converter
US20070115387A1 (en) * 2005-11-21 2007-05-24 Ho Kenneth K Underwater camera combination
US7561009B2 (en) 2005-11-30 2009-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with temperature compensation
US7612636B2 (en) 2006-01-30 2009-11-03 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Impedance transforming bulk acoustic wave baluns
US7746677B2 (en) 2006-03-09 2010-06-29 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. AC-DC converter circuit and power supply
US7479685B2 (en) 2006-03-10 2009-01-20 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic device on substrate with cavity and mitigated parasitic leakage path
US7629865B2 (en) 2006-05-31 2009-12-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Piezoelectric resonator structures and electrical filters
US7508286B2 (en) 2006-09-28 2009-03-24 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. HBAR oscillator and method of manufacture
US7791435B2 (en) 2007-09-28 2010-09-07 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Single stack coupled resonators having differential output
US7855618B2 (en) 2008-04-30 2010-12-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator electrical impedance transformers
US7732977B2 (en) 2008-04-30 2010-06-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Transceiver circuit for film bulk acoustic resonator (FBAR) transducers
JP5558786B2 (ja) * 2008-12-26 2014-07-23 キヤノン株式会社 高圧電源装置及び画像形成装置
US8248185B2 (en) 2009-06-24 2012-08-21 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure comprising a bridge
US8902023B2 (en) 2009-06-24 2014-12-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator structure having an electrode with a cantilevered portion
US8193877B2 (en) 2009-11-30 2012-06-05 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Duplexer with negative phase shifting circuit
US9243316B2 (en) 2010-01-22 2016-01-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Method of fabricating piezoelectric material with selected c-axis orientation
US8796904B2 (en) 2011-10-31 2014-08-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising piezoelectric layer and inverse piezoelectric layer
US8962443B2 (en) 2011-01-31 2015-02-24 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device having an airbridge and method of fabricating the same
US9136818B2 (en) 2011-02-28 2015-09-15 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked acoustic resonator comprising a bridge
US9425764B2 (en) 2012-10-25 2016-08-23 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having composite electrodes with integrated lateral features
US9048812B2 (en) 2011-02-28 2015-06-02 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic wave resonator comprising bridge formed within piezoelectric layer
US9154112B2 (en) 2011-02-28 2015-10-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge
US9148117B2 (en) 2011-02-28 2015-09-29 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Coupled resonator filter comprising a bridge and frame elements
US9083302B2 (en) 2011-02-28 2015-07-14 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator comprising a bridge and an acoustic reflector along a perimeter of the resonator
US9203374B2 (en) 2011-02-28 2015-12-01 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Film bulk acoustic resonator comprising a bridge
US9444426B2 (en) 2012-10-25 2016-09-13 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Accoustic resonator having integrated lateral feature and temperature compensation feature
US8575820B2 (en) 2011-03-29 2013-11-05 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Stacked bulk acoustic resonator
US8350445B1 (en) 2011-06-16 2013-01-08 Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. Bulk acoustic resonator comprising non-piezoelectric layer and bridge
US8922302B2 (en) 2011-08-24 2014-12-30 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Acoustic resonator formed on a pedestal
CN109586679B (zh) * 2018-11-21 2021-11-16 电子科技大学 一种压电谐振器等效电参数及谐振频率的测量方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1207974A (en) * 1966-11-17 1970-10-07 Clevite Corp Frequency selective apparatus including a piezoelectric device
JPS5379396A (en) * 1976-12-23 1978-07-13 Nec Corp Square plate form piezoelectric ceramic vibrator
JPS5390893A (en) * 1977-01-21 1978-08-10 Nec Corp Manufacture of square panel type piezoelectric ceramic oscillator
US4564782A (en) * 1983-09-02 1986-01-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic filter using multiple thin piezoelectric layers
JPS61139112A (ja) * 1984-12-10 1986-06-26 Murata Mfg Co Ltd 周波数調整可能な積層型圧電素子
JP2790177B2 (ja) * 1987-07-06 1998-08-27 株式会社村田製作所 電歪共振素子
JP2790180B2 (ja) * 1987-12-29 1998-08-27 株式会社村田製作所 電歪共振装置
US5118982A (en) * 1989-05-31 1992-06-02 Nec Corporation Thickness mode vibration piezoelectric transformer
JP2965602B2 (ja) * 1990-02-26 1999-10-18 日立金属株式会社 積層型変位素子
JPH06177689A (ja) * 1992-12-04 1994-06-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 梯子型電気濾波器の周波数調整方法
JPH07297661A (ja) * 1994-04-27 1995-11-10 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子及び圧電共振子の共振周波数調整方法
JP3161216B2 (ja) * 1994-04-27 2001-04-25 株式会社村田製作所 圧電共振子の共振周波数調整方法
JP3147793B2 (ja) * 1996-11-22 2001-03-19 株式会社村田製作所 ラダー型フィルタ

Also Published As

Publication number Publication date
EP0892494A3 (en) 2004-03-10
US6111480A (en) 2000-08-29
CN1190890C (zh) 2005-02-23
JP3378775B2 (ja) 2003-02-17
KR100303635B1 (ko) 2001-09-24
CN1209689A (zh) 1999-03-03
NO983118L (no) 1999-01-08
EP0892494A2 (en) 1999-01-20
JPH1127081A (ja) 1999-01-29
KR19990013643A (ko) 1999-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO313353B1 (no) Piezoelektrisk resonator og fremgangsmåte for innstilling av dens resonatorfrekvens
JP5632627B2 (ja) 水晶振動片
KR101219211B1 (ko) 진동편, 진동자, 발진기, 전자기기, 및 주파수 조정 방법
US4365181A (en) Piezoelectric vibrator with damping electrodes
US10873315B2 (en) Piezoelectric vibrating piece and piezoelectric device
JP2009253883A (ja) 圧電振動デバイス
KR100367855B1 (ko) 압전 진동 소자 및 압전 공진 부품
US5311096A (en) KT cut width-extensional mode quartz crystal resonator
GB2277228A (en) A piezoelectric resonator operating in the width expansion mode
JP2007082214A (ja) 2つの発振器を有する振動性回路
GB1560537A (en) Piezoelectric microresonator
NO321564B1 (no) Piezoelektrisk resonator og kretskomponent med samme
NO313354B1 (no) Piezoelektrisk resonator samt kretskomponent med samme
JPS62230108A (ja) 圧電振動子
US5912600A (en) Piezoelectric resonator and electronic component containing same
EP0096653B1 (en) Extensional mode piezoelectric microresonator
NO313356B1 (no) Piezoelektrisk resonator, måte å innstille dennes resonansfrekvens, og kommunikasjonsapparat
JP3221609B2 (ja) 超薄板圧電共振子の固定部構造
US3566166A (en) Mechanical resonator for use in an integrated semiconductor circuit
NO319238B1 (no) Piezoelektrisk resonator og kretskomponent med en eller flere slike resonatorer
NO314478B1 (no) Fremgangsmåte for å fremstille en piezoelektrisk resonator
JP2003273703A5 (no)
JPS58136125A (ja) 結合水晶振動子
JP2003273703A (ja) 水晶振動子と水晶振動子の製造方法
JP3139274B2 (ja) 幅拡がりモードを利用した振動体、共振子及び共振部品

Legal Events

Date Code Title Description
MM1K Lapsed by not paying the annual fees