NO159653B - Analogifremgangsmaate for fremstilling av terapeutisk aktive, sure indol-derivater. - Google Patents

Analogifremgangsmaate for fremstilling av terapeutisk aktive, sure indol-derivater. Download PDF

Info

Publication number
NO159653B
NO159653B NO854941A NO854941A NO159653B NO 159653 B NO159653 B NO 159653B NO 854941 A NO854941 A NO 854941A NO 854941 A NO854941 A NO 854941A NO 159653 B NO159653 B NO 159653B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
carbon atoms
radical
substituted
compounds
amino group
Prior art date
Application number
NO854941A
Other languages
English (en)
Other versions
NO854941L (no
NO159653C (no
Inventor
David T Connor
Paul C Unangst
S Russell Stabler
Original Assignee
Warner Lambert Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Warner Lambert Co filed Critical Warner Lambert Co
Publication of NO854941L publication Critical patent/NO854941L/no
Publication of NO159653B publication Critical patent/NO159653B/no
Publication of NO159653C publication Critical patent/NO159653C/no

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/04Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P25/00Drugs for disorders of the nervous system
    • A61P25/04Centrally acting analgesics, e.g. opioids
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P29/00Non-central analgesic, antipyretic or antiinflammatory agents, e.g. antirheumatic agents; Non-steroidal antiinflammatory drugs [NSAID]
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P37/00Drugs for immunological or allergic disorders
    • A61P37/08Antiallergic agents
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P43/00Drugs for specific purposes, not provided for in groups A61P1/00-A61P41/00
    • AHUMAN NECESSITIES
    • A61MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61PSPECIFIC THERAPEUTIC ACTIVITY OF CHEMICAL COMPOUNDS OR MEDICINAL PREPARATIONS
    • A61P9/00Drugs for disorders of the cardiovascular system
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/02Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom condensed with one carbocyclic ring
    • C07D209/04Indoles; Hydrogenated indoles
    • C07D209/30Indoles; Hydrogenated indoles with hetero atoms or with carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, directly attached to carbon atoms of the hetero ring
    • C07D209/42Carbon atoms having three bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. ester or nitrile radicals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07DHETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/12Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a chain containing hetero atoms as chain links

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Pharmacology & Pharmacy (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Bioinformatics & Cheminformatics (AREA)
  • Pain & Pain Management (AREA)
  • Neurology (AREA)
  • Neurosurgery (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Rheumatology (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • Pulmonology (AREA)
  • Cardiology (AREA)
  • Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
  • Indole Compounds (AREA)
  • Plural Heterocyclic Compounds (AREA)
  • Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
  • Lubricants (AREA)
  • Cosmetics (AREA)

Abstract

Terapeutisk aktive forbindelser med formelen. hvor (1) Rog Q uavhengig er H, alkyl, alkoksy, merkapto. alkyltio, alkylsulfinyl, alkylsulfonyl, hydroksy, Rtatt to ganger bundet til nabostilte karbonatomer slik at de to Rgrupper sammen er metyl endioksy, nitro, amino, substituert amino eller halogen; <2) Rer H, alkyl, fenyl, substituert fenyl eller benzyl; (3) Rer H, alkyl, alkoksy, merkapto, alkyltio, fenyltio, substituert fenyltio, alkylsulfinyl, fenylsul finyl, substituert fenylsulfiny1, alkylsulfonyl, fenylsul fonyl, substituert fenylsul fonyl, amino, substituert amino; og (4) Rer. og farmasøytisk godtagbare salter derav.Forbindelsene er særlig nyttige som antiallergiske midler.Fremstilling av forbindelsene er beskrevet.

Description

Halvlederkomponent.
Foreliggende oppfinnelse vedrbrer en halvlederkomponent med minst to elektroder, hvilken komponents motstand ved dkende spenning over elektrodene plutselig forandres fra en fbrste, meget stor verdi til en andre meget liten verdi og ved minskende strbmstyrke plutselig forandres fra nevnte andre verdi til nevnte fbrste verdi.
Formålet med oppfinnelsen er å tilveiebringe en halvlederkomponent eller et koblingselement som er enkel i fremstilling og har for anvendelse f.eks. innenfor telefoniområdet egnede karakteristiske data når den benyttes som koblingselement eller gnistslukningsorgan. De karakteristiske egenskaper skal være
mest mulig stabile selv efter lang og intens bruk.
En ifblge oppfinnelsen utformet halvlederkomponent kjennetegnes ved at den inneholder selen i en vektprosentgehalt innen området 1 - 50#, tallium innen området 17 - 59% og arsen innen området 3 - 22%, hvorved materialkomponentene som resultat av en sammensmeltningsprosess til sammen danner et fast, homogent smelteprodukt med stort sett amorf, glassaktig struktur.
En annen halvlederkomponent ifblge oppfinnelsen kjennetegnes ved at den dessuten inneholder 1^.5 - 65 vektprosent tellur.
Forsbk har vist at man kan tenke seg en hel del adskilte materialkombinasjoner innenfor ganske brede grenser hva den prosentuelle sammensetningen gjelder.
I det fblgende skal angis fem eksempler
1. Tellur 19- ?k vektprosent
Tallium 10-50 "
Arsen 16-30 "
la. Tellur 50-60
Tallium 12-18 "
Arsen 20-30 "
2. Selen 33-50
Tallium 3^-^6
Arsen 16-21 "
3. Selen 20-30 "
Tellur 30-62 "
Arsen 5-9 "
Germanium 12-30 "
h. Selen 1-50 "
Tellur Ut. 5-65
Tallium 17-59 "
Arsen 3-22 "
Halvlederkomponentene kan fremstilles i massiv form enten ved smelting av tilsvarende raaterialblandinger med efterfblgende hurtigkjblning, helst i hermetisk lukket smeltebeholder, eller ved presning av tilsvarende pulverblandinger til formlegemer med påfblgende sintring i syrefri atmosfære. De kan- også fremstilles i form av:tynne s^ikt, f.eks. ved vakuumfordamphing av en materialblanding, eller et stop eller et sintergods på
et hensiktsmessig metallisk eller ikke-metalli/sk underlag.
Underlaget utgjor da fortrinnsvis komponentens ene elektrode,
mens dens andre elektrode ligger an med et visst trykk mot det tynne sjiktets frie overflate.
Materialet i disse halvlederkomponenter kan betegnes som glass-artet da det bevirker visse for glass karakteristiske fenomen som a) fravær av krystallinske skarpe topper på rbnjtgen-diffraksj onsdiagraramet b) suksessiv overgang fra den faste til den flytende tilstand uten noe skarpt definert smeltepunkt som
for de krystalline materialer.
c) konkoidal bruddflate.
Ut fra struktursynspunkt kan de elementære bestanddeler i
halvlederkomponentenes materiale inndeles i to grupper med adskilte funksjoner, nemlig nettverksdannere og nettverksmodifiserere. Som nettverksdannere menes her elementer med fremherskende kovalent kjemisk binding og utpreget tilbbylig-
het til dannelse av to-eller tredimensjonale strukturnettverk til en amorf sammensetning (d.v.s. en ordnet blanding). Som nettverksmodifiserere tilsiktes her elementer, som på grunn av relativt lett polariserte valensrelektroner kan plasere seg i nettverket uten å bevirke noen egentlig krystalldannelse.
Disse glassartede materialer kjennetegnes ved at den fremherskende karakter av de kjemiske bindingene er kovalent og at inngående an;)oner har lukkede s- og p-skall slik at de kovalente bindinger danner et kontinuerlig valensnettverk som strekker seg gjennom store områder av materialet.
Den eventuelle forekomst av tomme metalliske orbitaler for-styrrer heller ikke halvledertilstanden så lenge tilsvarende atomer ikke er bundet til hverandre.
Et slikt valensnettverk kjennetegnes ved at energigapet mellom valens- og ledningsbåndet er mindre jo stbrre nettverket er. Materialet med et slikt valensnettverk er en isotrop egenhalv-leder, hvis elektriske ledningsevne ^i sin natur er elektro-nisk og er avhengig av temperaturen T og energigapet E ifblge ligningen
i
\
Ledningsevnen kan variere mellom f.eks. 10~ - 10~ /V~ * cm" .
De omhandlede halvledermaterialer fremviser ovenfor en viss verdi av spenning resp. strbm en utpreget ikke-linearitet for spenning-strbm-karakteristikken.
Denne ikke-linearitet forekommer på grunn av strukturforandring bevirket av
a) Termisk agitasjon.
Ved langsom oppvarmning får ledningselektrodene så hby energi
sammenlignet med energigapet mellom valens- og ledningsbåndet ( ^ E) at termisk agitasjon fåes ved vekselvirkning mellom lednings- og valenselektronene. Når tilstrekkelig hby energi er oppnådd fåes derved en atomisk omdiffusjon i materialet således at en ordnet nettverksstruktur (krystallisasjon) opp-nåes.
b) Stbtjonisasjon pÉ.': grunn av indre feltemisjon.
Når den elektriske feltstyrke er tilstrekkelig hby blir
bevegeligheten av elektronene så stor slik at deres energi
2
er tilstrekkelig til å jonisere valenselektronene, d.v.s.
Ladningsbærerne.s (d.v.s. elektronenes og hullenes) bevegelighet
beror på deres spredning i forskjellige baner i nettverket (gitteret) samt på deres vibrasjonsfrekvens, som igjen er av-
hengig av temperaturen. På grunn av dette sprer også ladnings-bærernes energiverdier seg sterkt. Slik bestemmes ladnings-
bærernes beveglighet av gitterets termiske egenskaper og terskelfeltstyrken for stbtjonisasjon av valenselektronenes joniseringsenergi. Terskelfeltstyrken kan også være en funksjon av tilstrekkelig termisk agitasjon for å nå strukturfaseom-
dannelse. Då hullenes bevegelighet er ganske lav og rekorabina-sjon.avhull og ledningselektroner er i likevekt med joniserings-forlbpet, kan ikke noen romladning oppstå for en viss terskel-feltstyrke er nådd.
Når den imidlertid er oppnådd dannes omkring de på halvleder-materialet pålagte elektroder en. romladning og en lavjonisering inntrer liksom ved en elektrisk gassutladning. Stbrrelsen av spenningen for å opprettholde denne utlaåning, brennspenningen er ikke avhengig av strbmbanens lengde i materialet mellom elektrodene.
Denne prosess gir seg tilkjenne forst ved minskende resistans-differensial for spenning-strbm-forholdet. Ved ytterligere
bket spenning opptrer negativ resistans, idet materialets resistansverdi synker flere tipotenser, f.eks. fra omkring 10 M/v. til omkring lOO/veller mindre. Dette innebærer at materialet går over fra en distinkt hbyohmig tilstand til en distinkt lavohmig tilstand. Terskelspenningen for denne over-
gang og spenningen for opprettholdelse av den lavohmige til-
stand er i overensstemmelse med den foregåénde kvalitative
dannelse avhengig av materialets sammensetning og struktur.
Når brennstrbmmen gjennom materialet synker under en viss verdi, f.eks. 50 ^A, går materialet tilbake til sin tidligere
hbyohmige tilstand.

Claims (2)

1. Halvlederkomponent med minst to elektroder, hvilken komponents motstand ved bkende spenning over elektrodene plutselig forandres fra en fbrste, meget stor verdi til en andre meget liten verdi og ved minskende strbmstyrke plutselig forandres fra nevnte andre verdi til nevnte fbrste verdi, karakterisert ved at den inneholder selen i en vektprosentgehalt innen området 1 - 5o£, tallium innen området 17 - 59JÉ og arsen innen området 3 - 22JÉ, hvorved raaterialkomponentene som resultat av en sammensmeltningsprosess til sammen danner et fast, homogent smelteprodukt med stort sett amorf, glassaktig struktur.
2. Halvlederkomponent som angitt i krav 1, karakterisert ved at materialkomponenten selen utgjor 33 - 50 vektprosent, tallium 3h - ^6 vektprosent og arsen 16 - 21 vektprosent.
3» Halvlederkomponent som angitt i krav 1, karakterisert ved at den dessuten inneholder l*+.5 - 65 vektprosent tellur.
NO854941A 1984-12-10 1985-12-09 Analogifremgangsm te for fremstilling av terapeutisk aktive, sure indol-derivater. NO159653C (no)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US68011684A 1984-12-10 1984-12-10
US06/788,111 US4675332A (en) 1984-12-10 1985-10-21 Acidic tetrazolyl substituted indole compounds and their use as antiallergy agents

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NO854941L NO854941L (no) 1986-06-11
NO159653B true NO159653B (no) 1988-10-17
NO159653C NO159653C (no) 1989-01-25

Family

ID=27102395

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO854941A NO159653C (no) 1984-12-10 1985-12-09 Analogifremgangsm te for fremstilling av terapeutisk aktive, sure indol-derivater.

Country Status (18)

Country Link
US (1) US4675332A (no)
EP (1) EP0186367B1 (no)
JP (1) JPH0653736B2 (no)
KR (1) KR890000292B1 (no)
CN (1) CN1005974B (no)
AT (1) ATE86252T1 (no)
AU (1) AU576131B2 (no)
CA (1) CA1259317A (no)
DE (1) DE3587148T2 (no)
DK (1) DK174104B1 (no)
ES (1) ES8700252A1 (no)
FI (1) FI84719C (no)
GR (1) GR852948B (no)
IE (1) IE58554B1 (no)
NO (1) NO159653C (no)
NZ (1) NZ214480A (no)
PH (1) PH24075A (no)
PT (1) PT81637B (no)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IE64995B1 (en) * 1987-07-14 1995-09-20 Warner Lambert Co Novel benzothiophenes having antiallergic activity and both novel and other selected benzothiophenes having activity for treating acute respiratory distress syndrome
IT1228893B (it) * 1989-02-24 1991-07-09 Valeas Spa Derivati tetrazol ammidici di acidi alchenil eterociclici e loroimpiego come sostanze antiallergiche
LU87611A1 (fr) * 1989-10-20 1991-05-07 Oreal Composition tinctoriale pour fibres keratiniques contenant des precurseurs de colorants par oxydation et des coupleurs amino indoliques,procedes de teinture mettant en oeuvre ces compositions et composes nouveaux
US5051442A (en) * 1990-04-25 1991-09-24 Merrell Dow Pharmaceuticals Inc. 3-indolyl thioacetate derivatives and NMDA receptor antagonistic use thereof
US5095031A (en) * 1990-08-20 1992-03-10 Abbott Laboratories Indole derivatives which inhibit leukotriene biosynthesis
CA2054339C (en) * 1990-11-02 2002-12-24 Francesco G. Salituro 3-amidoindolyl derivatives
US5189054A (en) * 1990-11-02 1993-02-23 Merrell Dow Pharmaceuticals Inc. 3-amidoindolyl derivatives and pharmaceutical compositions thereof
US5599774A (en) * 1992-01-22 1997-02-04 Imperial Chemical Industries Plc N-arylindoles and their use as herbicides
US5395817A (en) * 1992-01-22 1995-03-07 Imperial Chemical Industries Plc N-arylindoles and their use as herbicides
US5424329A (en) * 1993-08-18 1995-06-13 Warner-Lambert Company Indole-2-carboxamides as inhibitors of cell adhesion
GB9716657D0 (en) 1997-08-07 1997-10-15 Zeneca Ltd Chemical compounds
GB9803226D0 (en) 1998-02-17 1998-04-08 Zeneca Ltd Chemical compounds
GB9902459D0 (en) * 1999-02-05 1999-03-24 Zeneca Ltd Chemical compounds
GB9902461D0 (en) * 1999-02-05 1999-03-24 Zeneca Ltd Chemical compounds
GB9902452D0 (en) 1999-02-05 1999-03-24 Zeneca Ltd Chemical compounds
GB9902455D0 (en) 1999-02-05 1999-03-24 Zeneca Ltd Chemical compounds
GB9902453D0 (en) * 1999-02-05 1999-03-24 Zeneca Ltd Chemical compounds
GB0000625D0 (en) 2000-01-13 2000-03-01 Zeneca Ltd Chemical compounds
US6436965B1 (en) 2000-03-02 2002-08-20 Merck Frosst Canada & Co. PDE IV inhibiting amides, compositions and methods of treatment
EP1314733A1 (en) * 2001-11-22 2003-05-28 Aventis Pharma Deutschland GmbH Indole-2-carboxamides as factor Xa inhibitors
GB0217920D0 (en) * 2002-04-23 2002-09-11 Aventis Pharm Prod Inc Interleukin-4 Gene Expression inhibitors
JP4497930B2 (ja) * 2002-04-23 2010-07-07 アベンティス・ファーマスーティカルズ・インコーポレイテツド インターロイキン−4遺伝子発現抑制剤としての3−置換アミノ−1H−インドール−2−カルボン酸および3−置換アミノ−ベンゾ(b)チオフェン−2−カルボン酸誘導体
WO2004014364A1 (en) * 2002-08-07 2004-02-19 Idenix (Cayman) Limited Substituted phenylindoles for the treatment of hiv
EP1479677A1 (en) * 2003-05-19 2004-11-24 Aventis Pharma Deutschland GmbH New indole derivatives as factor xa inhibitors
EP1644360A1 (en) * 2003-06-05 2006-04-12 Warner-Lambert Company LLC 3-substituted indoles and derivatives thereof as therapeutic agents
CN100439367C (zh) 2003-12-11 2008-12-03 安万特药物公司 作为酪蛋白激酶Iε抑制剂的取代的1H-吡咯并[3,2-b、3,2-c和2,3-c]吡啶-2-甲酰胺以及相关类似物
ATE405549T1 (de) 2004-06-18 2008-09-15 Biolipox Ab Zur behandlung von entzündungen geeignete indole
KR20070114123A (ko) 2005-01-19 2007-11-29 바이올리폭스 에이비 염증 치료에 유용한 인돌
EP1888548B1 (en) 2005-05-26 2012-08-22 Neuron Systems, Inc Quinoline derivative for the treatment of retinal diseases
US9814701B2 (en) 2009-12-11 2017-11-14 Aldeyra Therapeutics, Inc. Compositions and methods for the treatment of macular degeneration
WO2012081893A2 (ko) * 2010-12-13 2012-06-21 한국화학연구원 신규한 3-인돌리논 유도체 및 이를 포함하는 조성물
KR20150118106A (ko) 2012-12-20 2015-10-21 알데이라 테라퓨틱스, 아이엔씨. 페리-카르비놀
RU2676694C9 (ru) 2013-01-23 2019-06-25 Альдейра Терапьютикс, Инк. Заболевания, связанные с токсичным альдегидом, и их лечение
EP2948436A4 (en) 2013-01-25 2016-07-13 Aldeyra Therapeutics Inc NOVEL CASES IN THE TREATMENT OF MACULAR GENERATION
JP6947406B2 (ja) 2015-08-21 2021-10-13 アルデイラ セラピューティクス, インコーポレイテッド 重水素化化合物およびその使用
AU2017264697A1 (en) 2016-05-09 2018-11-22 Aldeyra Therapeutics, Inc. Combination treatment of ocular inflammatory disorders and diseases
EP3596040B1 (en) 2017-03-16 2023-10-11 Aldeyra Therapeutics, Inc. Polymorphic salt of 6-chloro-3-amino-2(2-hydroxypropyl)quinoline and uses thereof
MX2020003425A (es) 2017-10-10 2020-07-29 Aldeyra Therapeutics Inc Tratamiento de trastornos inflamatorios.
WO2019199979A1 (en) 2018-04-10 2019-10-17 The General Hospital Corporation Antibacterial compounds
JP2021533154A (ja) 2018-08-06 2021-12-02 アルデイラ セラピューティクス, インコーポレイテッド 多形化合物およびその使用
CN112028815A (zh) * 2019-06-03 2020-12-04 中国药科大学 吲哚类衍生物及其医药用途

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3417096A (en) * 1965-07-01 1968-12-17 Bristol Myers Co Certain 5(1-benzoyl-3-indolylmethyl) tetrazoles
US4316904A (en) * 1978-06-05 1982-02-23 Brown Richard E Indolopyrone tetrazoles and carboxamidotetrazoles having antiallergic activity
US4432986A (en) * 1979-06-18 1984-02-21 Riker Laboratories, Inc. Tetrazoles bonded to certain polycyclic aromatic systems and anti-allergic use thereof
US4333943A (en) * 1980-04-24 1982-06-08 Miles Laboratories, Inc. Ethyl 3-(3-indolyl)-3-(5-tetrazolyl) propionate compounds used as anti-hypertensive agents
DE3131527A1 (de) * 1981-08-08 1983-02-24 Kali-Chemie Pharma Gmbh, 3000 Hannover 1-phenyl-2-aminocarbonylindol-verbindungen sowie verfahren und zwischenprodukte zu ihrer herstellung und diese verbindungen enthaltende arzneimittel
GB2111050B (en) * 1981-11-19 1985-09-11 Ciba Geigy Ag N-substituted-2-pyridylindoles
US4567201A (en) * 1981-11-25 1986-01-28 Takeda Chemical Industries, Ltd. Diphenoxypropane derivatives and compositions of antiasthmatic and antiinflammatory agents thereof
US4436746A (en) * 1982-09-30 1984-03-13 Ciba-Geigy Corporation Thromboxane synthetase inhibitory N-substituted-2-(1-imidazolyl)indoles
US4511573A (en) * 1983-05-17 1985-04-16 Ciba-Geigy Corporation 3-Substituted-2-(heteroaryl) indoles
US4536505A (en) * 1983-05-17 1985-08-20 Ciba-Geigy Corporation Certain N-(pyridyl) indoles
EP0146243A1 (en) * 1983-10-31 1985-06-26 Merck Frosst Canada Inc. Lipoxygenase inhibitors
US4581354A (en) * 1984-08-06 1986-04-08 Sterling Drug Inc. 3-arylcarbonyl- and 3-cycloalkylcarbonyl-1-aminoalkyl-1H-indoles, compositions and use
IE58555B1 (en) * 1984-12-10 1993-10-06 Warner Almbert Company Novel benzothiophenes and benzofurans having antiallergy activity

Also Published As

Publication number Publication date
DE3587148T2 (de) 1993-07-15
PT81637A (en) 1986-01-01
PH24075A (en) 1990-03-05
DK568885D0 (da) 1985-12-09
CN1005974B (zh) 1989-12-06
AU576131B2 (en) 1988-08-11
ES549768A0 (es) 1986-04-16
EP0186367B1 (en) 1993-03-03
US4675332A (en) 1987-06-23
DK174104B1 (da) 2002-06-17
JPS61191683A (ja) 1986-08-26
FI84719B (fi) 1991-09-30
FI854821A0 (fi) 1985-12-04
JPH0653736B2 (ja) 1994-07-20
GR852948B (no) 1986-04-11
NO854941L (no) 1986-06-11
CN85109061A (zh) 1987-01-21
IE852841L (en) 1986-06-10
ES8700252A1 (es) 1986-10-16
CA1259317A (en) 1989-09-12
PT81637B (pt) 1988-02-17
NZ214480A (en) 1988-05-30
EP0186367A3 (en) 1988-01-07
FI854821A (fi) 1986-06-11
NO159653C (no) 1989-01-25
AU5050885A (en) 1986-06-19
ATE86252T1 (de) 1993-03-15
KR890000292B1 (ko) 1989-03-13
IE58554B1 (en) 1993-10-06
FI84719C (fi) 1992-01-10
KR860004882A (ko) 1986-07-14
DE3587148D1 (de) 1993-04-08
DK568885A (da) 1986-06-11
EP0186367A2 (en) 1986-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO159653B (no) Analogifremgangsmaate for fremstilling av terapeutisk aktive, sure indol-derivater.
Gosain et al. Some properties of Sb 2 Te 3− x Se x for nonvolatile memory based on phase transition
Singh et al. Electrical properties of flash-evaporated tin selenide films
Iseler Thermal expansion and seeded Bridgman growth of AgGaSe2
KR101695540B1 (ko) 열전소재 및 이를 포함하는 열전소자와 열전모듈
US3017446A (en) Preparation of material for thermocouples
Fernandes et al. Memory type switching behavior of ternary Ge20Te80− xSnx (0⩽ x⩽ 4) chalcogenide compounds
JPH056766B2 (no)
Thornburg Physical properties of the As 2 (Se, Te) 3 glasses
NO116254B (no)
Bhatia et al. Pressure induced effects in bulk amorphous n-type semiconductors (GeSe3. 5) 100− xBix
Phillips et al. Structural changes related to electrical properties of bulk chalcogenide glasses
US3117013A (en) Glass composition
US3065112A (en) Process for the production of large semiconductor crystals
JPH01500153A (ja) 銀、銅、テルルおよびタリウムを基礎にした熱電気半導体材料、製造方法および熱電気変換器への応用
US2817799A (en) Semi-conductor devices employing cadmium telluride
Grigorovici et al. Properties of amorphous carbon films
Tatsumisago et al. Preparation and Properties of Quenched Li2O‐BaO‐Nb2O5 Glasses
Rubenstein et al. A monoclinic modification of germanium disulfide, GeS2
Piarristeguy et al. Neutron thermodiffraction study of the crystallization of Ag–Ge–Se glasses: evidence of a new phase
Dongol et al. Effect of composition on the electrical and structural properties of As–Te–Ga thin films
US3498930A (en) Bistable semiconductive glass composition
CN105565661B (zh) 一种Ge-Sn-S硫系玻璃及其制备方法
Shkol’nikov Effect of Bismuth Additives on the Kinetics and Mechanism of As 2 Se 3 Glass Crystallization
US3159579A (en) Thermoelectric materials