NO152357B - Sporicid preparat inneholdende et mettet dialdehyd og en diol - Google Patents
Sporicid preparat inneholdende et mettet dialdehyd og en diol Download PDFInfo
- Publication number
- NO152357B NO152357B NO812745A NO812745A NO152357B NO 152357 B NO152357 B NO 152357B NO 812745 A NO812745 A NO 812745A NO 812745 A NO812745 A NO 812745A NO 152357 B NO152357 B NO 152357B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- oxygen
- lead monoxide
- layer
- atmosphere
- support body
- Prior art date
Links
- ZNZYKNKBJPZETN-WELNAUFTSA-N Dialdehyde 11678 Chemical class N1C2=CC=CC=C2C2=C1[C@H](C[C@H](/C(=C/O)C(=O)OC)[C@@H](C=C)C=O)NCC2 ZNZYKNKBJPZETN-WELNAUFTSA-N 0.000 title 1
- 150000002009 diols Chemical class 0.000 title 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 54
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 54
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N lead oxide Chemical compound [O-2].[Pb+2] HTUMBQDCCIXGCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N lead(II) oxide Inorganic materials [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- -1 oxygen ions Chemical class 0.000 claims description 6
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 3
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical compound S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000722921 Tulipa gesneriana Species 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 241000519995 Stachys sylvatica Species 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000004299 exfoliation Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
- A01N—PRESERVATION OF BODIES OF HUMANS OR ANIMALS OR PLANTS OR PARTS THEREOF; BIOCIDES, e.g. AS DISINFECTANTS, AS PESTICIDES OR AS HERBICIDES; PEST REPELLANTS OR ATTRACTANTS; PLANT GROWTH REGULATORS
- A01N35/00—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic compounds containing a carbon atom having two bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. aldehyde radical
- A01N35/02—Biocides, pest repellants or attractants, or plant growth regulators containing organic compounds containing a carbon atom having two bonds to hetero atoms with at the most one bond to halogen, e.g. aldehyde radical containing aliphatically bound aldehyde or keto groups, or thio analogues thereof; Derivatives thereof, e.g. acetals
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Agronomy & Crop Science (AREA)
- Plant Pathology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Dentistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Zoology (AREA)
- Environmental Sciences (AREA)
- Agricultural Chemicals And Associated Chemicals (AREA)
- Saccharide Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
- Cosmetics (AREA)
Description
Fremgangsmåte til fremstilling av en fotofølsom anordning.
Oppfinnelsen angår en.fremgangsmåte til fremstilling av en fotofolsom anordning, særlig et fjernsynsopptakerror av vidikon-typen, som er forsynt med et fotofolsomt sjikt som hovedsakelig består av blymonooksyd (PbO) og som er anbrakt på et bærelegeme, hvilken anordning har hjelpemidler for tilforing og bortforing av elektrisk strom til sjiktet som i det minste på stedet for den negative stromtilforing består av et materiale som ved å utsettes for en oksygenholdig atmosfære er gjort p-led.ende.
Ved en kjent fremgangsmåte av denne art, hvor fremgangsmåten anvendes for fremstilling av et bildeopptakerror av vidikon-typen, blir den på signalelektroden pådampede og av blymonooksyd bestående treffplate i dette ror oppvarmet i en bestemt tid i en oksygenatmosfære.
I
Hensikten er i treffplaten å danne en sone av p-ledende blymonooksyd med fri overflate hvilken sone slutter s'eg til en med sighalelektroden j i forbindelse stående sone med på annen måte oppnådd n-ledende blymonooksyd. Hensikten med den således dannede flate p-n-overganger er å holde strommen liten ved morke partier. Bortsett derfra at det på denne måte er vanskelig å oppnå reproduserbare resultater, har denne fremgangsmåte den ytterligere ulempe at treffplaten endres lokalt ved varmebehandlingen, slik at det lokalt oppstår en storre strom ved morke partier. Disse lokale forandringer i treffplaten gjor seg gjeldende i bildet ved at de fra opptakerroret stammende elektriske signaler kan gjengis som hvite flekker på bildeskjermen i bildegjengivelsesroret, såkalte "hvite tulipaner".
Oppfinneren har funnet at det for å holde strommen liten ved morke partier er tilstrekkelig, i det minste så lenge det gjelder den del av strommen som dannes ved elektroner som tilfores blymonooksyd på den negative stromtilslutning, at blymonooksydet på
den negative stromtilslutning har entydig p-ledningsevne, sammenlignet med det materiale som ligger lenger fra den negative stromtilslutning, og at blymonooksydet som har denne p-ledningsevne strekker seg i retning av den elektriske strom igjennom det fotofolsomme sjikt bare i en forholdsvis liten avstand. Til grunn for oppfinnelsen ligger den er-kjennelse at en slik konfigurasjon kan muliggjores på enkel og repro-duserbar måte, som lett kan tilpasses omstendighetene, slik at den ved den kjente fremgangsmåte heftende ulempe ved dannelsen av de såkalte "hvite tulipaner" unngås.
Fremgangsmåten ifolge oppfinnelsen er karakterisert ved at blymonooksydet på stedet for negativ stromtilforsel frembringes ved hjelp av en glimutladning i en oksygenatmosfære og bombardement av elektrisk aksellererte oksygenioner, hvorved det i dette materiale innfores ekstra oksygen. Denne utforelsesform har fordelen av stor og enkel styrbarhet, idet treff i et hvilket som helst byeblikk avbrytes oyeblikkélig. Dette muliggjor at ved en annen utforelse av en fotofolsom anordning, hvor blymonooksyd pådampes ett med en gjennomsiktig elektrode.forsynt, gjennomsiktig bærelegeme, kan ifolge oppfinnelsen der fra bærelegemet vendende overflate av blymonooksydsjiktet gjentatte ganger utsettes for et oksygenbombardement, og mellom disse utsettes for en gassatmosfære som inneholder en gass av gruppen: vanndamp, svovel-, selen-, telurvannstoff eller en blanding av to eller flere av disse gasser, idet gassen inndiffunderes i blymonooksydets overflate på sådan måte at det ved det foregående bombardement i denne overflate innforte oksygen mere eller mindre kompenseres.
Det skal bemerkes at det i og for seg er kjent å utsette en polert overflate av et halvlederlegeme av silisium eller germanium for et bombardement med ladede deler, særlig ioner, hvor det er tilstede ioner som ved innforing i halvlederlegemets materiale påvirker dettes ledningsevnetype.
To utforelseseksempler på oppfinnelsen skal beskrives nærmere under henvisning til tegningen. Fig. 1 viser et trinn under fremstillingen av en fotomotstandscelle med på et bærelegeme anbrakte elektroder. Fig. 2 viser skjematisk et vidikon-bildeopptakerror fremstilt ved fremgangsmåten ifolge oppfinnelsen.
På de to figurer er forskjellige dimensjoner, særlig tykkelsen av de forskjellige elementer, for tydelighets skyld ikke vist i naturlig målestokk, men overdrevet.
Ved den på fig. 1 viste fremgangsmåte til fremstilling av en fotomotstandscelle, anvendes et bærelegeme 1 som på fig. 1 er vist i tverrsnitt. Bærelegemet 1 er forsynt med innbyrdes parallelle elektroder 2 og 3, som annenhver er forbundet med hverandre. Bærelegemet 1 består av isolasjonsmateriale, og kan være gjennomsiktig, f.eks. glass. Elektrodene 2, som er-elektrisk forbundet med hverandre, består f.eks. av ledende tinnoksyd eller pådampet solv, og har en bredde på ca. 2C<y>um. Elektrodene 3> som også er elektrisk forbundet med hverandre, og har samme bredde som elektrodene 2, kan bestå av nikkel eller platina som er pådampet bærelegemet 1. Avstanden mellom midtlinjene av to etter hverandre folgende elektroder 2 og 3 er ca.
500 ^um. Denne avstand 'kan imidlertid også være storre, f.eks. lOOCyum. Over hver av elektrodene 2 og bare over disse, er pådampet f.eks. ved hjelp av en avmasking, et sjikt blymonooksyd 4 med en tykkelse på noen yum, f.eks. 2 til 3/um. Blymonooksydet for dannelse av sjiktene 4 kan pådampes i en gassatmosfære, som består av oksygen og en inert gass, f.eks. argon. Etter dannelsen av sjiktene 4 utsettes disse for oksygenbombardement, ved hjelp av en gassutladning i en oksygenatmosfære. Bærelegemet 1 kan i denne hensikt med den side som er forsynt med elektrodene 2 og 3 og sjiktene 4> vendes innover og lukke et på fig.
1 ikke vist kar som er tilsluttet en vakuumpumpe, og som inneholder oksygenet med innstillbart trykk. I karet er det overfor den innover vendte side av bærelegemet 1 og i avstand på noen cm fra dette anordnet
et metallgitter 5* De med hverandre forbundne elektroder 2 og gitteret 5 er ved hjelp av ledninger 6 og 7 tilsluttet en utenfor karet belig-gende seriekopling av en bryter 8, en innstillbar motstand 9 °g en elektrisk spenningskilde 10. Etter at karet er evakuert og forsynt med oksygen med et trykk på 4000 - 7000 . 10~<5> mm Hg, f.eks. 5000 . 10~<5> mm Hg, blir det mellom gitteret 5 °g blymonooksydsjiktene 4 tilveiebrakt en gassutladning ved slutning av bryteren 8. Spennings-kilden 10 kan etter valg være en likespenningskilde eller en veksel-spenningskilde, med en spenning på f.eks. ca. 1000 Volt. Motstanden 9 er således dimensjonert og innstilt slik at gassutladningen mellom gitteret 5 °g sjiktene 4 nar en strømtetthet på f.eks. 6 - 10/uA pr. 2 'r cm overflate av sjiktet 4« Gassutladningen opprettholdes i 10 - o0 sekunder, og desto lenger jo mindre den nevnte stromtetthet er. Ved gassutladningen blir sjiktene 4 bombardert med oksygenioner, som opptas i sjiktene og derved gjor blymonooksydet i disse sjikt mer eller mindre entydig p-ledende. Man kan uten videre la oksygenet med stor intensitet treffe sjiktene, slik at sjiktene får en forholdsvis stor mengde ekstra oksygen, og dermed så stor p-ledende evne at de kan be-traktes som godt ledende. Når det som spenningskilde 10 anvendes en likespenningskilde, er gitteret 5 fortrinnsvis positivt i forhold til elektrodene 2.
Etter dette oksygenbombardernent av sjiktene 4 blir det på bærelegemet 1 pådampet et sjikt av blymonooksyd over sjiktene 4> elektrodene 3 °g de mellomliggende rom. Dette sjikt, hvis overflate som strekker seg langs den strekede linje på fig. 1, er betegnet med 11, og pådampes fortrinnsvis slik at materialet i dette sjikt for-holder seg som egenledende resp. tilnærmet egenledende. Sjiktet 11 kan f.eks. pådampes i en gassatmosfære, som foruten oksygen inneholder en gass av gruppen: vanndamp, svovel-, selen-, eller tellurvannstoff, eller en blanding av disse f.eks. i en gassatmosfære med et trykk på 1000 . 10~<5> mm Hg, idet partialtrykket for gassen av den nevnte gruppe er en tredjedel av det samlede gasstrykk.
Etter dannelsen av blymonooksydsjiktet 11, som kan ha
en tykkelse på f.eks. 5 - lOyum, blir det stadig avstengt fra fri luft ved at det over sjiktet anbringes en kappe eller et lokk, hvis kant er forbundet med bærelegemet 1. Hvis bærelegemet 1 ikke er gjennomsiktig, må kappen eller lokket i hvert fall være gjennomsiktig. Rommet mellom bærelegemet 1 og kappen eller lokket, kan være evakuert for å unngå
en påvirkning av sjiktet 11 ved gassen i rommet. Det er gunstig å ha
oksygén med lite trykk, f.eks.. 100 . 10"^ mm Hg i dette rom.
For drift av den fremstilte fotomotstandscelle blir det mellom elektrodene 2 og elektrodene 3 sluttet en stromkrets med en elektrisk spenningskilde, og hjelpemidler for innstillingen av den elektriske strom i kretsen på den måte at elektroden 2 er tilsluttet den negative pol og elektrodene 3 den positive pol. Som folge av den entydig storre p-ledningsevne for sjiktet 4 sammenlignet med materialet i sjiktet 11 oppnås at strommen ved dunkle partier holdes liten som folge av eventuelle elektroner som injiseres i blymonooksydet gjennom elektroden 2.
Fig. 2 viser skjematisk en del av en anordning ved hjelp av hvilken det på et med en signalelektrode 30 forsynt vindu 20, en sylindrisk kolbe 21, som senere skal danne kolben på et vidikon-bildeopptakerror, pådampes et sjikt blymonooksyd, idet overflaten av dette sjikt ved gassutladning utsettes for oksygenbombardement i en oksygenatmosfære.
Kolben 21 er på ikke vist måte forsynt med et pumpean-legg. Inne i kolben er det overfor vinduet 20 anordnet et pådampnings-kar 22, som er festet på et bærelegeme 25 av glass, ved hjelp av to tråder 23 og 24 som tilsammen virker som termoelement. Inne i kolben 21 er det anordnet to kapillarror 26 og 27, gjennom hvilke gass f.eks. oksygen og en gassformet hydrogenforbindelse, i dette tilfelle vanndamp, svovelvannstoff, selenvannstoff, tellurvannstoff eller en blanding av to eller flere av disse gasser, kan fores inn i kolben 21 i onsket grad. Rundt den ovre ende av kolben 21 er det ved hjelp av en gummiring 28, som ligger an mot kolbens 21 utside, anbrakt en beholder 29 som kan inneholde en væske ved hjelp av hvilken vinduet 20 kan holdes på en bestemt temperatur.
Innsiden av vinduet 20 er forsynt med en gjennomsiktig, ledende signalelektrode 30, som f-eks. kan bestå av ledende tinnoksyd, og som er forbundet med en til kolbens utside fort stromtilforselsled-ning 31» I det trinn av fremstillingsprosessen som går forut for den som'er vist på fig. 2, er det ved hoyfrekvensoppvarming i den av platin bestående digel 22 smeltet et kvantum blymonooksyd og fordampet slik at det på signalelektroden 30 er avsatt et sjikt av blymonooksyd 33 med en tykkelse på 10 - 20yum. Ved denne pådampning av sjiktet 33 kan vinduet ved hjelp av en egnet væske, f.eks. glycerin, i beholderen 29> holdes på en mer eller mindre konstant temperatur på ca. 100°C. Over-dampningen av blymonooksydet fra digelen 22 til signalelektroden 30
kan utfores i en atmosfære som inneholder oksygen med et trykk på f.eks.
1 - 2 . 10"-' ram Hg og en inert gass, f.eks. argon.
Etter pådampningen av blymonooksydet 33 utsettes overflaten av dette sjikt for et oksygenbombardement som tilveiebringes av ioner fra" eri' gassutladning i en oksygenatmosfære inne i kolben 21.
I den hensikt blir. den med signalelektroden 30 forbundne ledning 31 og en av bæretrådene 23 og 24 over en ledning 34 forbundet med seriekop-lingen av en spenningskilde 35> en motstand 36 og en bryter 37- Spen-ningskilden 35 er fortrinnsvis en likespenningskilde på.ca. 1000 Volt, I hvis plusspol er forbundet med ledningen 34- Ved slutning av bryteren (37 vil det mellom'platinadigelen 22 og blymonooksydsjiktet 33 tilveiebringes en gassutladning i oksygenatmosfæren som er tilstede i kolben under dette trinn av fremstillingsprosessen. Denne oksygenatmosfære kan ha et trykk på 4000 - 6000 . 10"<5> mm Hg, f.eks. et trykk på
5000 . 10 J mm Hg. For a gjore sjiktet 33 tilstrekkelig ledende, kan det belyses fra oversiden (L på fig. 2). Motstanden 36 er fortrinnsvis valgt eller innstilt slik at den samlede strom gjennom kretsen er ca.
60/uA, hvilket betyr at ved den i utforelseseksemplet anvendte diameter av vinduet 20 på ca. 3 cm-1 er stromtettheten i sjiktet 33 ca. 8yuA/cm . Ved det nevnte trykk i oksygenatmosfæren i kolben 21 på ca. 5000 . 10~<5 >mm Hg, en spenning på ca 1000 Volt i kilden 35»°S en avstand mellom
oversiden av digelen 22 og overflaten av sjiktet 33 på ca. 40 mm, er en motstand passende ved tilstrekkelig belysning av sjiktet 33* Varigheten av gassutladningen ved hjelp av hvilken overflaten av sjiktet 33 bombarderes med oksygen, idet ioner opptas i dette sjikt, kan være ca. minutt. Det er ikke nodvendig at vinduet 20 holdes på en bestemt temperatur, idet vinduet kan ha værelsetemperåtur. Etter denne forste behandling ved hjelp av gassutladningen fjernes oksygenet i kolben 21, og erstattes med en svovelvannstoffatmosfære med et trykk på ca.
290 . 10"<5> mm Hg. Blymonooksydsjiktet 33 utsettes i 5 - 10 minutter for en svovelvannstoffatmosfære, idet sjiktet ikke behover belyses.
Den angitte tid gjelder ved en temperatur av vinduet 20 på tilnærmet værelsetemperatur, men ved hoyere temperatur av vinduet er kortere tid tilstrekkelig.
j Etter at sjiktet 33 har vært utsatt for svovelvannstoff-atmosfæren blir sjiktet på den ovenfor beskrevne måte igjen utsatt for et oksygenbombardement. Det kan være onskelig på ny å utsette sjiktet for en svovelvannstoffatmosfære og deretter igjen et oksygenbombardement. De to behandlinger kan også utfores flere ganger etter hverandre. Behandlingen avsluttes imidlertid fortrinnsvis med et surstoffbombarde-ment.
Den behandling av sjiktet 33 i en svovelvannstoffatmosfære som går forut for oksygenbombardementet har til hensikt å inndif-fundere denne gass i sjiktet, for på denne måte å oppnå en storre f 51-somhet for rbdt. For god virkning av opptakerroret er det særlig onskelig at overflaten av blymonooksydsjiktet 33 består av et p-ledende materiale, som imidlertid ikke har en slik p-ledningsevne' at det opp-trer tverrledningsevne. Endringer av den elektriske natur i sjiktet 33 ved opptak av svovelvannstoff som bevirker n-ledningsevne, utlignes ved det etterfblgende oksygenbombardement ved hjelp av hvilken ekstra surstoff fores inn i sjiktet og derved igjen bevirker p-ledningsevne, slik at tilfbrselen av det opptatte svovelvannstoff kompenserer sjiktet" elektriske ledningsevne. Et gjentatt oksygenbombardement og en gjentatt påvirkning av sjiktet 33 med svovelvannstof f atmosfæren medforer at det i blymonooksydet kan opptas mer svovelvannstoff enn ved en enke l behandling av sjiktet i svovelvannstoff.
Det er ikke nodvendig ved gassutladningen i oksygenatmosfæren i kolben 21 at elektroden er dannet av selve blymonooksydsjiktet 33- Man kan i kolben 21 også anbringe en særskilt elektrode overfor eller rundt platinadigelen 22, f.eks. en elektrode i form av en metallsylinder 40 som vist med strekede linjer på fig. 2. I dette tilfelle blir bryteren 37 ikke tilsluttet signalelektroden 30, ved hjelp av ledningen 31» men sylinderen 40 tilsluttes bryteren 37 ved hjelp av en ledning 38, som vist streket på fig. 2. Sylinderen 40 kan eventuelt på oversiden være lukket med gaze 39*
I stedet for å utsette sjiktet for en svovelvannstoffatmosfære mellom to oksygenbombardementer, kan sjiktet utsettes for en selenvannstoffatmosfære, en tellurvannstoffatmosfære eller en blanding av to eller flere av disse forbindelser, eventuelt sammen med vanndamp. Da selen- og tellurvannstoff har en storre reaktivitet enn svovelvannstof f' og vanndamp, vil ved anvendelse av de forstnevnte varigheten av behandlingen eller trykket av gassen kunne velges mindre. Ved av-vekslende og gjentatt behandling av blymonooksydsjiktet 33 med oksygen og med en atmosfære med en gass som bevirker n-ledningsevne, f.eks. vanndamp, svovelvannstoff, selenvannstoff eller tellurvannstoff eller en blanding av to eller flere av disse gasser, kan sjiktet 33 i retning av sin tykkelse få en p-i-(n)-(i)-p-struktur, avhengig av antall gjen-tagelser, slik at tilstedeværelsen av de smale i parentes angitte om-råder (n) og (i) er fakultative og avhengig av i hvilken grad de i blymonooksydet opptatte gassformede hydrogenforbindelser er kompensert ved ekstra oksygen ved oksygenbombardement. Ved en slik struktur kan på den ene side oppnås liten strom ved 'morke partier, og på den annen Side god folsomhet, særlig for den langbolgede del av det synlige spektrum.
; Oppfinnelsen er overfor forklart i forbindelse med ut-fibrelseseksem<p>e<l> hvor et oksygenbombardement ble utfort ved hjelp av en gassutladning. I stedet for denne kan den samme virkning også oppnås ved at blymonooksydet tilsettes oksygenatomer eller oksygenmole-kyler, som ved oppvarming har stor termisk hastighet» I dette tilfelle kan et oppvarmet legeme, f«eks. en glodespiral, anordnes i en surstoff-atmosfære med et trykk på 4 6000 . IO-'' mm Hg, overfor blymonooksydet f1.eks<.> i en avstand som tilsvarer den frie-banelengde for oksygenmole-
i
kylene i oksygenatmosfæren, hvilken glodespiral gir oksygenmolekylene e'n stor termisk hastighet. Naturligvis kan denne fremgangsmåte bare - utfores når den eventuelt av blymonooksydet opptatte, fra det opp-varmede legeme stammende stråling, ikke påvirker dette materiale. Det kan derfor være nodvendig å avkjble bærelegemet for blymonooksydet på utsiden, f.eks. ved hjelp av en væske eller en på bærelegemet rettet gasstrbm.
Claims (1)
- li Fremgangsmåte til fremstilling av en fotofblsom anordning, særlig et fjernsynsopptakerrbr av vidikontypen, som'er forsynt med et fotofblsomt sjikt som hovedsakelig består av blymonooksyd (PbO) og som er anbragt på et bærelegeme, hvilken anordning har hjelpemidler for tilfbring og bortfbring.av elektrisk strom til sjiktet som i det minste på stedet for den negative stromtilfbring består av et materiale som ved å utsettes for en oksygenholdig atmosfære er gjort p-ledende,karakterisert ved at for å oppta det nevnte oksygen frembringes det i oksygenatmosfæren en glimutladning, og oksygenioner som dannes ved utladningen, akseleres .elektrisk for bombardering av blymonooksydets overflate på det nevnte sted. 2»1 ' Fremgangsmåte ifolge krav 1, karakterisert ved at det for glimutladningen som elektrode anvendes det fotofølsomme materiales negative stromtilslutning, og at materialet eventuelt belyses 3.! Fremgangsmåte-ifolge krav 2, karakteri sert ved at glimutladningen skjer i en oksygenatmosfære med et trykk pa 4000 - 6000 . iO<-->^ mm Hg.. 4» i Fremgangsmåte ifolge krav 2 eller 3> hvor.blymonooksyd pådampes et med en gjennomsiktig elektrode forsynt, gjennomsiktig bærelegeme, karakterisert ved at den fra bærelegemet vendende overflate av blymonooksydsjiktet gjentatte ganger utsettes for et oksygenbombardement, og mellom disse utsettes for en gassatmosfære som inneholder en gass av gruppen: vanndamp, svovel-, selen-, tellurvannstoff eller en blanding av to eller flere av disse gasser, idet gassen inndiffunderes i blymonooksydets overflate på sådan måte at det ved det foregående bombardement i denne overflate innforte oksygen mere eller mindre kompenseres.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US17821880A | 1980-08-14 | 1980-08-14 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO812745L NO812745L (no) | 1982-02-15 |
NO152357B true NO152357B (no) | 1985-06-10 |
NO152357C NO152357C (no) | 1985-09-18 |
Family
ID=22651690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO812745A NO152357C (no) | 1980-08-14 | 1981-08-13 | Sporicid preparat inneholdende et mettet dialdehyd og en diol |
Country Status (16)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0046375B1 (no) |
AR (1) | AR225362A1 (no) |
AT (1) | ATE12159T1 (no) |
AU (1) | AU549358B2 (no) |
BR (1) | BR8105210A (no) |
CA (1) | CA1158547A (no) |
DE (1) | DE3169387D1 (no) |
DK (1) | DK361381A (no) |
ES (1) | ES504741A0 (no) |
FI (1) | FI65156C (no) |
IE (1) | IE51497B1 (no) |
IN (1) | IN155065B (no) |
NO (1) | NO152357C (no) |
NZ (1) | NZ197941A (no) |
PH (1) | PH17728A (no) |
ZA (1) | ZA815602B (no) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3517548A1 (de) * | 1985-05-15 | 1986-11-20 | Schülke & Mayr GmbH, 2000 Norderstedt | Festes, sporizides desinfektionsmittel und verfahren zur herstellung desselben |
EP0251743B1 (en) * | 1986-06-27 | 1994-09-07 | Reginald Keith Whiteley | Liquid sterilising composition |
AU589267B2 (en) * | 1986-06-27 | 1989-10-05 | Reginald Keith Whiteley | Liquid sterilizing composition |
GB8724830D0 (en) * | 1987-10-23 | 1987-11-25 | Microbiologicals Ltd | Disinfectant composition |
FR2622397A1 (en) * | 1987-11-03 | 1989-05-05 | Sogeval | Disinfectant composition |
US5004757A (en) * | 1988-12-20 | 1991-04-02 | Wave Energy Systems, Inc. | Virucidal low toxicity compositions |
US5405602A (en) * | 1989-01-31 | 1995-04-11 | Simmons; Paul L. | Nonaqueous cold sterilant |
FR2649587B1 (fr) * | 1989-07-11 | 1996-07-26 | Wave Energy Systems | Compositions mycobactericides inodores |
US5219890A (en) * | 1989-07-11 | 1993-06-15 | Wave Energy Systems, Inc. | Odorless Mycobactericidal compositions |
US5480643A (en) * | 1991-10-16 | 1996-01-02 | Ecolab Inc. | Stable antimicrobial dialdehyde composition and methods of use |
US5158778A (en) * | 1991-10-16 | 1992-10-27 | Ecolab Inc. | Stable antimicrobial dialdehyde composition and methods of use |
US20100143428A1 (en) * | 2006-12-14 | 2010-06-10 | Antonietta Pamela Martin | A stable glutaraldehyde complex |
KR101127814B1 (ko) * | 2011-03-14 | 2012-03-23 | 에이치 엘 지노믹스(주) | 신규의 중간체 및 이를 이용한 실데나필 또는 그의 염의 제조방법 |
US10433546B2 (en) | 2016-03-04 | 2019-10-08 | Ecolab Usa Inc. | Solid antimicrobial glutaraldehyde compositions and their uses |
MX2023000769A (es) * | 2020-07-17 | 2023-02-13 | Sterilex LLC | Soluciones desinfectantes/sanitizantes. |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CH452794A (de) * | 1964-08-18 | 1968-03-15 | Boehme Chemie Gmbh | Verfahren zum Desinfizieren von Textilien |
US3968250A (en) * | 1971-06-21 | 1976-07-06 | Wave Energy Systems, Inc. | Method and sporicidal compositions for synergistic disinfection or sterilization |
ZA724044B (en) * | 1971-06-28 | 1973-03-28 | West Laboratories Inc | Glutaraldehyde sporicidal compositions |
FR2313081A1 (fr) * | 1975-06-06 | 1976-12-31 | Dick Pierre | Nouvelles compositions sterilisantes |
US4103001A (en) * | 1976-08-30 | 1978-07-25 | Schattner Robert I | Buffered phenol-glutaraldehyde sterilizing compositions |
-
1981
- 1981-07-14 IN IN787/CAL/81A patent/IN155065B/en unknown
- 1981-07-14 CA CA000381725A patent/CA1158547A/en not_active Expired
- 1981-07-30 AU AU73561/81A patent/AU549358B2/en not_active Ceased
- 1981-08-04 NZ NZ197941A patent/NZ197941A/en unknown
- 1981-08-11 PH PH26031A patent/PH17728A/en unknown
- 1981-08-11 AR AR286405A patent/AR225362A1/es active
- 1981-08-13 NO NO812745A patent/NO152357C/no unknown
- 1981-08-13 ZA ZA815602A patent/ZA815602B/xx unknown
- 1981-08-13 EP EP81303688A patent/EP0046375B1/en not_active Expired
- 1981-08-13 DK DK361381A patent/DK361381A/da unknown
- 1981-08-13 FI FI812504A patent/FI65156C/fi not_active IP Right Cessation
- 1981-08-13 DE DE8181303688T patent/DE3169387D1/de not_active Expired
- 1981-08-13 ES ES504741A patent/ES504741A0/es active Granted
- 1981-08-13 BR BR8105210A patent/BR8105210A/pt not_active IP Right Cessation
- 1981-08-13 AT AT81303688T patent/ATE12159T1/de not_active IP Right Cessation
- 1981-08-13 IE IE1849/81A patent/IE51497B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU549358B2 (en) | 1986-01-23 |
BR8105210A (pt) | 1982-04-27 |
IE811849L (en) | 1982-02-14 |
FI65156C (fi) | 1984-04-10 |
FI812504L (fi) | 1982-02-15 |
DK361381A (da) | 1982-02-15 |
EP0046375B1 (en) | 1985-03-20 |
IN155065B (no) | 1984-12-29 |
AU7356181A (en) | 1982-02-18 |
EP0046375A3 (en) | 1982-08-04 |
NO152357C (no) | 1985-09-18 |
CA1158547A (en) | 1983-12-13 |
ZA815602B (en) | 1983-03-30 |
IE51497B1 (en) | 1987-01-07 |
PH17728A (en) | 1984-11-21 |
NO812745L (no) | 1982-02-15 |
ES8404826A1 (es) | 1984-05-16 |
ATE12159T1 (de) | 1985-04-15 |
AR225362A1 (es) | 1982-03-15 |
DE3169387D1 (en) | 1985-04-25 |
EP0046375A2 (en) | 1982-02-24 |
NZ197941A (en) | 1984-07-31 |
FI65156B (fi) | 1983-12-30 |
ES504741A0 (es) | 1984-05-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO152357B (no) | Sporicid preparat inneholdende et mettet dialdehyd og en diol | |
NO116423B (no) | ||
US2688564A (en) | Method of forming cadmium sulfide photoconductive cells | |
NO118670B (no) | ||
US2218340A (en) | Photoelectric tube | |
US2659682A (en) | Apparatus and method for making a photoconductive element | |
US2916678A (en) | Single crystal photoconducting photocells and methods of preparation thereof | |
US2448518A (en) | Photocell | |
US1991774A (en) | Photoelectric tube | |
US2391280A (en) | Method of forming layers for electronic cathodes | |
US2936246A (en) | Burn-resistant phosphors and the method of preparation thereof | |
US4415602A (en) | Reactive plating method and product | |
JPS5832738B2 (ja) | 管状低圧水銀蒸気放電灯 | |
US2097467A (en) | Photoelectric tube | |
US2879184A (en) | Method of rendering titanium dioxide films electrically conductive | |
US3391021A (en) | Method of improving the photoconducting characteristics of layers of photoconductive material | |
Krusemeyer | The influence of light, oxygen and nitrogen on the field effect mobility of zinc oxide crystals | |
Wei et al. | Electronic conduction in lipid films with metal contacts | |
US3226253A (en) | Method of producing photosensitive layers of lead selenide | |
US3261080A (en) | Method of manufacturing a photoconducting device | |
US1935939A (en) | Photo-electric tube and method of producing the same | |
US2095782A (en) | Polarized layer in copper-oxide photovoltaic cell | |
JPS58123772A (ja) | 半導体素子 | |
US2121636A (en) | Photoelectric device | |
US1585803A (en) | Manufacture of electric lamps and the like |