NO127095B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
NO127095B
NO127095B NO05095/69A NO509569A NO127095B NO 127095 B NO127095 B NO 127095B NO 05095/69 A NO05095/69 A NO 05095/69A NO 509569 A NO509569 A NO 509569A NO 127095 B NO127095 B NO 127095B
Authority
NO
Norway
Prior art keywords
plasma
reaction
anode
discharge
liquid
Prior art date
Application number
NO05095/69A
Other languages
English (en)
Inventor
Tibor Kugler
Jakob Silbiger
Original Assignee
Lonza Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from CH1925968A external-priority patent/CH508412A/de
Application filed by Lonza Ag filed Critical Lonza Ag
Publication of NO127095B publication Critical patent/NO127095B/no

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/26Plasma torches
    • H05H1/32Plasma torches using an arc
    • H05H1/34Details, e.g. electrodes, nozzles
    • H05H1/3405Arrangements for stabilising or constricting the arc, e.g. by an additional gas flow
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J12/00Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
    • B01J12/002Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B13/00Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
    • C01B13/14Methods for preparing oxides or hydroxides in general
    • C01B13/20Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state
    • C01B13/22Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides
    • C01B13/28Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides using a plasma or an electric discharge
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/0615Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium
    • C01B21/0617Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium with vanadium, niobium or tantalum
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B21/00Nitrogen; Compounds thereof
    • C01B21/06Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
    • C01B21/064Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/90Carbides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/113Silicon oxides; Hydrates thereof
    • C01B33/12Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
    • C01B33/18Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
    • C01B33/181Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00Compounds of titanium
    • C01G23/02Halides of titanium
    • C01G23/026Titanium trichloride
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00Compounds of titanium
    • C01G23/04Oxides; Hydroxides
    • C01G23/047Titanium dioxide
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00Compounds of titanium
    • C01G23/04Oxides; Hydroxides
    • C01G23/047Titanium dioxide
    • C01G23/07Producing by vapour phase processes, e.g. halide oxidation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32Gas-filled discharge tubes
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/26Plasma torches
    • H05H1/32Plasma torches using an arc
    • H05H1/34Details, e.g. electrodes, nozzles
    • H05H1/341Arrangements for providing coaxial protecting fluids
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894Processes carried out in the presence of a plasma
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/26Plasma torches
    • H05H1/32Plasma torches using an arc
    • H05H1/34Details, e.g. electrodes, nozzles
    • H05H1/3468Vortex generators

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Geology (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Soil Working Implements (AREA)
  • Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Description

Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte ved fremstilling-av et reaksjonsprodukt inneholdende minst en metall- eller metalloidbestanddel, hvor reaksjonsdeltagerne bringes til å reagere under innvirkning av varmen fra plasmaet fra en lysbueutladnihg, idet plasmaet stabiliseres med en væske som fores sirkelformig rundt lys.bueutlad-ningen og delvis fordamper i plasmaet.
Ifolge oppfinnelsen innfores minst en flytende reaksjonsdeltager som inneholder metallet hhv. metalloidet, tangensialt i et flertall ringformige rom i en utladningsbeholder og fores der sirkelformig rundt plasmaet for å stabilisere dette og for å danne i det minste en del av plasmaet, og bringes til å reagere i plasmatiistand.
Fra U.S. patentskrift nr. 3079325 er det kjent for spalting av hydrocarboner med hoy molekylvekt til hydrocarboner med lav molekylvekt under varmepåvirkning av plasmaet fra en lysbueutladnlng å lede hydrogen gjennom et ringformig rom som omslutter katoden, o<:>g inn i utladning srommet mellom anoden og katoden i en plasmabrenner. Hydrocarbonet med hoy molekylvekt innfores tangensialt i utladningsrommet slik at det danner en hvirvel som. sirkulerer rundt lysbueutladningen. Hydrogenet tjener som varmeoverforingsmiddel og hvirvelen for stabilisering av utladningen. Hydrocarbonet er på hvirvelens innside ut-satt for varmepåvirkning av hydrogenplasmaet som tjener som varmeoverforingsmiddel .
Fra Chemie Ingenieur-Technik, bd. 35(1963), sider 7-10, er det kjent for reduksjon av siliciumtetraklorid eller titantetraklorid å omsette siliciumtetraklorid hhv. titantetraklorid og en lysbueut-ladnings hydrogenplasma. Hydrogenet ledes inn i utladningsrommet - mellom en plasmabrenners anode og katode gjennom et ringformig rom som omgir katoden. ' Plasmaet bestående av hydrogen forlater brenneren gjennom en åpning i anoden. Siliciumtetrakloridet hhv. titantetra-kloridet bringes til omsetning med hydrogenplasmaet som kommer ut av brenneren. For stabilisering av utladningslysbuen er en sterk magnetspole anordnet rundt brenneren.'
Ifolge U.S. patentskrift nr. 3079325 utgjor hydrogenet et varmeoverforingsmiddel for oppvarming av det i flytende fase tilforte hydrocarbon som omsettes alene og som dessuten tjener til å stabilisere lysbueutladningen.
Ifolge den angitte artikkel i Chemie-Ingenieur-Technik tjener hydrogen både som varmeoverforingsmiddel og som reaksjonsdeltager og bringes utenfor brenneren til å omsettes.med gassformig siliciumtetraklorid. hhv. titantetraklorid. Da disse reaksjonsdeltagere er gassformige og derfor ikke egnede for.stabilisering av lysbueut-. ladningen, anvendes en magnetspole for stabiliseringen av denne.
For den foreliggende fremgangsmåte anvendes intet varmeoverforingsmiddel og ingen magnetisk stabilisering av lysbueutladningen. Minst en reaksjonsdeltager som. inneholder metallet hhv. metalloidet, benyttes i flytende fase for stabilisering av lysbueutladningen, idet den fordampende del av væsken danner i det. minste en del av plasmaet slik at denne reaksjonsdeltager allerede .foreligger i plasmatilstand når den omsettes.
Da reaksjonsdeltageren, som ikke er hydrogen, men en forbindelse som inneholder metallet hhv. metalloidet, forst benyttes i flytende fase for å stabilisere lysbueutladningen og derved fordamper slik at den fordampede del danner i det minste en del av plasmaet, og der-efter omsettes i plasmatilstand, blir en storre del av den til disposisjon stående energi utnyttet for omsetningen enn ved de kjente prosesser hvor enten hydrocarbon oppvarmes ved hjelp av et hydrogenplasma som tjener som varmeoverforingsmiddel, eller siliciumtetraklorid hhv. titantetraklorid omsettes med et hydrogenplasma. Dessuten tas det ved den foreliggende fremgangsmåte sikte på å oppnå et annet indre reaksjonsforlop.
Når flere reaksjonsdeltagere benyttes i flytende fase for stabiliseringen og sammen eller hver for seg danner en del av plasmaet, vil de alle omsettes i plasmatilstand. Ved denne utfbrelses-form oppnås de storste- fordeler ved den foreliggende fremgangsmåte.
Foreliggende fremgangsmåte er nedenfor nærmere beskrevet ved eksempler på dens anvendelse for reduksjon, spaltningsreaksjoner og carbiddannelse.
I disse eksempler gjennomfores foreliggende fremgangsmåte ved anvendelse av en plasmareaktor som på tegningen skjematisk er vist ved et lengdesnitt.
Plasmareaktoren har en utladningsbeholder med en sylindrisk mantel 1, en fremre dyse 2 hvorigjennom plasmastrålen 3 kommer ut,
og en bakvegg h. I utladningsbeholderen er det anordnet tre skjermer 5, 6 og 7 i avstand fra hverandre og fra dysen 2 og bakveggen k. Mellom bakveggen k og skjermen 5 er det anordnet en skjerm 8, og mellom skjermene 6 og 7 er to skjermer 9 og 10 koaksialt anordnet i forhold til mantelen 1. Skjermenes 8, 9 og 10 utvendige diameter er mindre enn mantelens 1 innvendige diameter. Skjermens 10 hulldiameter er omtrentlig lik skjermenes 5, 6 og 7, men skjermenes 8 og 9 hulldiameter er noe mindre. Skjermen 8 er anordnet i avstand fra bakveggen h og skjermen 5,^ og skjermene 9 og 10 er anordnet i avstand fra hverandre og fra skjermene 6 og 7 ved ringer 11 med en ut-vendig diameter tilsvarende skjermenes 8, 9 og 10. Ringenes 11 innvendige diameter er storre enn skjermenes 5-10 hulldiameter, hvorved dannes flere ringformige rom hvori væsken kari fores sirkelformig rundt lysbueutladningen for stabilisering'av denne, idet hvert ringformig. rom er aksialt avgrenset av to naboskjermer og radialt av en ring. Ringene' 11 har tangensiale, gjennomgående boringer, til deres hull-
rand.. En tilforselsledning 12 hhv. 13 for væsken for dannelse av den sirkelformige væskehvirvel forer inn i hvert ringformig rom mellom skjermene 8,. 9y±0, ringene 11 og mantelen 1. Hver av. skjermene 5, 6 og 7 har en aksialt- fremspringende ringleppe. Led-ninger lk og 15 for bortledning av den ikke fordampede rest av denne væske kommer ut av de ringformige rom mellom disse ringlepper og mantelen 1, idet væsken avkjoles og sammen med .ny væske igjen tilfores innlbpene 12 og 13. En stavkatode. 16, f.eks. av grafitt, er koaksialt anordnet i bakveggen h. Foran dysen 2 roterer en hul, vann-avkjølt, skiveformig rund anode 17 som avhengig av den reaksjon som skal gjennomføres, består av f.eks. kobber, carbon, titan eller aluminium. Anodens 17 akse er parallell med utladningsbeholderens akse, og anodens rand har omtrentlig samme avstand fra utladningsbeholderens akse som dysens 2 hullrand. Drivverket er betegnet med l8 og anodens 17 kjblesystem med 19. Anoden 17 er anordnet i et inn-satsstykke i et reaksjonskammer 20 som for bestemte reaksjoner består av f.eks. et keramisk, oxydisk materiale, står i forbindelse med dysen 2 og er forsynt med en tilforselsledning 21 og to utlbpsstykker 22 og 23. Reaksjonskammeret 20 kan for bestemte reaksjoner være varmeisolert, forsynt med en oppvarmings- eller avkjolingsanordning, en ringdusj 2h for bråkjoling av reaksjonsproduktene, en fast, vann-avkjølt andre kobberanode 25 og ha et utlop 26.
Reduksjon
For reduksjon av TiCl^ til TiCl^ anvendes den i forbindelse
med tegningen beskrevne plasmareaktor med en kobberanode 17, men uten delene 2^-, 25 og 26.
Den ene reaksjonsdeltager, TiCl^, ledes inn i innlopene 12 og 13, strommer gjennom ringenes 11 tangensiale boringer og danner en væskehvirvel i utladningsrommet, hvorved den delvis fordamper under dannelse av plasmagassen. Som den annen reaksjonsdeltager ledes hydrogen gjennom tilforselsledningen 21 inn i reaksjonskammeret 20. Lysbueutladningen kan f.eks. foregå ved en strbmstyrke av 500 A. Plasmastrålen 3 har f.eks. en diameter av 7-13 mm og stabiliseres av den av TiCl^ bestående væskehvirvel.
To trinnvis på hverandre folgende reaksjoner finner sted. Ved den forste reaksjon dannes titancarbid og klor fra katodens carbon og en del av det TiCl^ som foreligger i rommet mellom skjermenes 5 og 6 lepper. Disse reaksjonsprodukter fjernes gjennom utlopet 1^ sammen med TiCl^, hvorved de bråkjoles.. Mengden av disse reaksjonsprodukter er bl.a. avhengig av storrelsen til rommet mellom skjermenes 5 og 6 lepper og av avtrekningshastigheten. -Den annen reaksjon finner sted ved anoden 17 i.overensstemmelse med ligningen
Reaksjonsproduktene fjernes ved
For reduksjon av TiCl^ til Ti anvendes plasmareaktoren med. aluminiumanoden 17 og uten delene 21, 2ht 25 og 26. Derved dannes flytende Ti og aluminiumkloridgass under jevnt forbruk av anoden Spaltningsreaks jon
For spaltning av SiCl^_ anvendes plasmar eaktor en med kobber - anoden 17 og med den andre kobberanode 25, og dessuten med utlopet 26, men uten dusjen 2k. Til den andre anode 25 tilfores en spenning som er mer positiv enn spenningen ved anoden 17 slik at utladningen går fra katoden 16 til anoden 17 og derfra videre til den andre anode 25.
Gjennom innlopene 12 og 13 tilfores SiCl^ for dannelse og stabilisering av plasmaet, og stromstyrken (ca. 5-00 A) og skjermenes-5-10 hulldiameter velges slik at plasmagassens temperatur blir til-strekkelig hoy for gjennomføring av reaksjonen SiCl^ 7* Si <+> 2CI2. Spaltningsreaksjonen finner sted i reaksjonskammeret 20. Det metalliske silicium kondenseres ved den andre anode 25, drypper av fra denne og fjernes gjennom utlopet 26. Restproduktet, gassformig klor, avtrekkes gjennom utlbpene 22 og 23. En gjenforening i reak-sjonsbeholderen 20 hindres i sterk grad av den del av lysbueutladningen som strekker seg mellom anoden 17 og den ,andre anode 25.
Carbiddannelse.
For fremstilling av titancarbid anvendes den beskrevne plasmareaktor med carbonanode 17, avkjblt reaksjonskammer 20, uten delene 21, 25 og 26, men med dusjen 2h og med en ytterligere dyse 27 som overfor anoden 17 er rettet mot plasmastrålen 3.
Titantetraklorid tilfores gjennom ledningene 12 og 13 som stabiliseringsvæske og for dannelse av plasmaet. Gjgnnom den ytterligere dyse 27 tilfores et flytende hydrocarbon, f.eks. et hydrocarbon med gjennomsnittlig 10-15 C-atomer pr. molekyl, til plasmastrålen 3. Derved finner reaksjonen TiCl^ + hydrocarbon ^-TiC + saltsyre sted. Den oppnådde reaksjonsblanding bråkjoles ved anvendelse av ringdusjen 2h med en blanding bestående av like deler hydrogen og methan. På denne måte ble det ved en brennerydelse av ca.120 kW oppnådd 10 kg TiC pr. time med en partikkelstbrrelse under 0,001 mm.

Claims (3)

1. Fremgangsmåte ved fremstilling av et reaksjonsprodukt inneholdende minst en metall- eller metalloidbestanddel, hvor reaksjonsdeltagerne bringes til å reagere under innvirkning av varmen fra plasmaet fra en lysbueutladning og plasmaet stabiliseres med en væske som fores sirkelformig rundt lysbueutladningen og delvis fordamper i plasmaet, karakterisert ved at minst en flytende reaksjonsdeltager som inneholder metallet hhv. metalloidet, innfores tangensialt i et flertall ringformige rom i en utladningsbeholder og der fores sirkelformig rundt plasmaet for å stabilisere dette og for å danne i det minste en del av plasmaet, og bringes til å reagere i plasmatilstand.
2. Fremgangsmåte ifolge krav 1,karakterisert ved at plasmaet uten gasstilfdrsel bare dannes av fra hvirvelen for-dampet flytende reaksjonsdeltager.
3. Fremgangsmåte ifolge krav 1 eller 2,karakterisert ved at forskjellige reaksjonsprodukter fjernes fra utladningsrommet ved steder som befinner seg i avstand fra hverandre langs lysbueutladningen.
NO05095/69A 1968-12-24 1969-12-23 NO127095B (no)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH1925968A CH508412A (de) 1968-12-24 1968-12-24 Verwendung von vortex-stabilisierten Plasmabrennern zur Durchführung von chemischen Reaktionen
CH494969A CH525705A (de) 1968-12-24 1969-04-01 Verwendung von vortex-stabilisierten Plasmabrennern zur Durchführung von chemischen Reaktionen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NO127095B true NO127095B (no) 1973-05-07

Family

ID=25696596

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO04820/69A NO127094B (no) 1968-12-24 1969-12-05
NO05095/69A NO127095B (no) 1968-12-24 1969-12-23

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NO04820/69A NO127094B (no) 1968-12-24 1969-12-05

Country Status (10)

Country Link
US (2) US3658673A (no)
JP (1) JPS5022986B1 (no)
BE (1) BE743039A (no)
CH (1) CH525705A (no)
DE (2) DE1961339A1 (no)
FR (2) FR2027085A1 (no)
GB (2) GB1297388A (no)
NL (2) NL6919179A (no)
NO (2) NO127094B (no)
SE (1) SE381575B (no)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3938988A (en) * 1971-01-04 1976-02-17 Othmer Donald F Method for producing aluminum metal from its salts
BE791550A (fr) * 1971-11-20 1973-03-16 Max Planck Gesellschaft Procede et dispositif pour le traitement d'un materiau au moyendu plasma d'un arc electrique
US4206190A (en) * 1974-03-11 1980-06-03 Westinghouse Electric Corp. Plasma arc production of silicon nitride
US4022872A (en) * 1975-11-12 1977-05-10 Ppg Industries, Inc. Process for preparing finely-divided refractory powders
US4051043A (en) * 1976-01-26 1977-09-27 O-3 Company Apparatus for fluid treatment by electron emission
US4102764A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates
US4102765A (en) * 1977-01-06 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Arc heater production of silicon involving alkali or alkaline-earth metals
US4102767A (en) * 1977-04-14 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Arc heater method for the production of single crystal silicon
US4102766A (en) * 1977-04-14 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. Process for doping high purity silicon in an arc heater
CH616348A5 (no) * 1977-04-29 1980-03-31 Alusuisse
US4145403A (en) * 1977-09-29 1979-03-20 Fey Maurice G Arc heater method for producing metal oxides
US4292342A (en) * 1980-05-09 1981-09-29 Motorola, Inc. High pressure plasma deposition of silicon
JPS579890A (en) * 1980-06-20 1982-01-19 Inoue Japax Res Inc Treatment of rare earth concentrate
DE3304790A1 (de) * 1982-02-15 1983-09-01 &Ccaron;eskoslovenská akademie v&ecaron;d, Praha Verfahren zur stabilisierung des niedertemperatur-plasmas eines lichtbogenbrenners und lichtbogenbrenner zu seiner durchfuehrung
US6096109A (en) * 1996-01-18 2000-08-01 Molten Metal Technology, Inc. Chemical component recovery from ligated-metals
US5948294A (en) * 1996-08-30 1999-09-07 Mcdermott Technology, Inc. Device for cathodic cleaning of wire
US6579805B1 (en) 1999-01-05 2003-06-17 Ronal Systems Corp. In situ chemical generator and method
WO2002001927A1 (fr) 2000-06-27 2002-01-03 Predtechensky Mikhail Rudolfov Reacteur a plasma chimique
RU2200058C1 (ru) * 2002-02-12 2003-03-10 Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" Способ проведения гомогенных и гетерогенных химических реакций с использованием плазмы
US7375035B2 (en) 2003-04-29 2008-05-20 Ronal Systems Corporation Host and ancillary tool interface methodology for distributed processing
US7429714B2 (en) * 2003-06-20 2008-09-30 Ronal Systems Corporation Modular ICP torch assembly
WO2007068085A1 (en) * 2005-12-12 2007-06-21 Albonia Innovative Technologies Ltd. Method and apparatus for treating contaminated material
US8276568B2 (en) 2006-02-20 2012-10-02 Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha Fuel supply apparatuses
RU2532676C2 (ru) 2011-11-28 2014-11-10 Юрий Александрович Чивель Способ плазмохимического синтеза и реактор плазмохимического синтеза для его осуществления
CN111921472A (zh) * 2016-01-05 2020-11-13 螺旋株式会社 分解处理装置、搭载分解处理装置的车辆以及分解处理方法

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1065385B (de) * 1955-01-05 1959-09-17 Chemische Werke Hüls Aktiengesellschaft, Marl (Kr, Recklinghausen) Verfahren zur Durchführung chemischer und physikalischer Prozesse mit Hilfe elektrischer Entladungen
US2854392A (en) * 1955-09-22 1958-09-30 Tokumoto Shin-Ichi Arc discharge production of low valency halides of titanium
CH357378A (de) * 1956-04-02 1961-10-15 Berghaus Elektrophysik Anst Verfahren und Einrichtung zur Durchführung technischer Prozesse
FR1294283A (fr) * 1960-04-13 1962-05-26 Ici Ltd Procédé permettant de conduire des réactions chimiques dans des décharges électriques
DE1206399B (de) * 1963-04-27 1965-12-09 Bayer Ag Verfahren zur Durchfuehrung von Gasphasenreaktionen
GB1066651A (en) * 1965-01-18 1967-04-26 British Titan Products Oxides
US3494762A (en) * 1967-11-27 1970-02-10 Iwatani & Co Method of manufacturing microfine metal powder
US3516921A (en) * 1968-03-26 1970-06-23 Allis Chalmers Mfg Co Apparatus for magnetic stirring of discharge plasma in chemical synthesis

Also Published As

Publication number Publication date
DE1962989A1 (de) 1970-07-09
GB1297389A (no) 1972-11-22
BE743039A (no) 1970-05-14
FR2027085A1 (no) 1970-09-25
DE1961339A1 (de) 1970-06-25
JPS5022986B1 (no) 1975-08-04
US3658673A (en) 1972-04-25
NL6919179A (no) 1970-06-26
NO127094B (no) 1973-05-07
SE381575B (sv) 1975-12-15
GB1297388A (no) 1972-11-22
US3649497A (en) 1972-03-14
NL6919285A (no) 1970-06-26
CH525705A (de) 1972-07-31
FR2027608A1 (no) 1970-10-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NO127095B (no)
US5749937A (en) Fast quench reactor and method
RU2154624C2 (ru) Способ получения фторуглеродных соединений (варианты) и установка для его осуществления
CA2408994C (en) Thermal synthesis apparatus and method
US7576296B2 (en) Thermal synthesis apparatus
US4164553A (en) Plasma arc process for the production of chemical products in power form
HU217794B (hu) Eljárás szénhidrogének lebontására
US3217056A (en) Process and apparatus for splitting hydrocarbons in an electric arc
NO309647B1 (no) Fremgangsmåte ved fremstilling av titandioksyd
US4145403A (en) Arc heater method for producing metal oxides
US3625846A (en) Chemical process and apparatus utilizing a plasma
KR101322052B1 (ko) 나노미립자 란탄족-붕소 화합물 또는 나노미립자 란탄족-붕소 화합물을 포함하는 고체 혼합물의 제조 방법
NO152985B (no) Fremgangsmaate til plugging av minst en av et antall perforeringer i et broennroer
NO128652B (no)
US3723290A (en) High temperature chemical reaction apparatus
US3375308A (en) Method of making high purity and non-melting filaments
Zhao et al. Preparation of tungsten and tungsten carbide submicron powders in a chlorine-hydrogen flame by the chemical vapor phase reaction
CN104379501B (zh) 制备乙炔和合成气的方法
US2870007A (en) Process for the production of metals by reduction of their compounds in the vapor phase
US3063803A (en) Turbulent flow flame synthesis of hydrogen cyanide
JPS6127321B2 (no)
Ibberson et al. Plasma chemical and process engineering
EP1413354A1 (en) Thermal synthesis apparatus and method
EP0819109B1 (en) Preparation of tetrafluoroethylene
Hlina et al. Diagnostics of hybrid water/argon thermal plasma jet with water, ethanol and their mixture injection to plasma