NO127095B - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- NO127095B NO127095B NO05095/69A NO509569A NO127095B NO 127095 B NO127095 B NO 127095B NO 05095/69 A NO05095/69 A NO 05095/69A NO 509569 A NO509569 A NO 509569A NO 127095 B NO127095 B NO 127095B
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- plasma
- reaction
- anode
- discharge
- liquid
- Prior art date
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 30
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims description 16
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 6
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 14
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 14
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 9
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 9
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 7
- 239000011551 heat transfer agent Substances 0.000 description 6
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 6
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004992 fission Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
- H05H1/3405—Arrangements for stabilising or constricting the arc, e.g. by an additional gas flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J12/00—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor
- B01J12/002—Chemical processes in general for reacting gaseous media with gaseous media; Apparatus specially adapted therefor carried out in the plasma state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B13/00—Oxygen; Ozone; Oxides or hydroxides in general
- C01B13/14—Methods for preparing oxides or hydroxides in general
- C01B13/20—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state
- C01B13/22—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides
- C01B13/28—Methods for preparing oxides or hydroxides in general by oxidation of elements in the gaseous state; by oxidation or hydrolysis of compounds in the gaseous state of halides or oxyhalides using a plasma or an electric discharge
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/0615—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium
- C01B21/0617—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with transition metals other than titanium, zirconium or hafnium with vanadium, niobium or tantalum
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/064—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with boron
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
- C01B32/90—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
- C01B33/181—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof by a dry process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/02—Halides of titanium
- C01G23/026—Titanium trichloride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
- C01G23/047—Titanium dioxide
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G23/00—Compounds of titanium
- C01G23/04—Oxides; Hydroxides
- C01G23/047—Titanium dioxide
- C01G23/07—Producing by vapour phase processes, e.g. halide oxidation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
- H05H1/341—Arrangements for providing coaxial protecting fluids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/26—Plasma torches
- H05H1/32—Plasma torches using an arc
- H05H1/34—Details, e.g. electrodes, nozzles
- H05H1/3468—Vortex generators
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Geology (AREA)
- General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Soil Working Implements (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
Oppfinnelsen angår en fremgangsmåte ved fremstilling-av et reaksjonsprodukt inneholdende minst en metall- eller metalloidbestanddel, hvor reaksjonsdeltagerne bringes til å reagere under innvirkning av varmen fra plasmaet fra en lysbueutladnihg, idet plasmaet stabiliseres med en væske som fores sirkelformig rundt lys.bueutlad-ningen og delvis fordamper i plasmaet.
Ifolge oppfinnelsen innfores minst en flytende reaksjonsdeltager som inneholder metallet hhv. metalloidet, tangensialt i et flertall ringformige rom i en utladningsbeholder og fores der sirkelformig rundt plasmaet for å stabilisere dette og for å danne i det minste en del av plasmaet, og bringes til å reagere i plasmatiistand.
Fra U.S. patentskrift nr. 3079325 er det kjent for spalting av hydrocarboner med hoy molekylvekt til hydrocarboner med lav molekylvekt under varmepåvirkning av plasmaet fra en lysbueutladnlng å lede hydrogen gjennom et ringformig rom som omslutter katoden, o<:>g inn i utladning srommet mellom anoden og katoden i en plasmabrenner. Hydrocarbonet med hoy molekylvekt innfores tangensialt i utladningsrommet slik at det danner en hvirvel som. sirkulerer rundt lysbueutladningen. Hydrogenet tjener som varmeoverforingsmiddel og hvirvelen for stabilisering av utladningen. Hydrocarbonet er på hvirvelens innside ut-satt for varmepåvirkning av hydrogenplasmaet som tjener som varmeoverforingsmiddel .
Fra Chemie Ingenieur-Technik, bd. 35(1963), sider 7-10, er det kjent for reduksjon av siliciumtetraklorid eller titantetraklorid å omsette siliciumtetraklorid hhv. titantetraklorid og en lysbueut-ladnings hydrogenplasma. Hydrogenet ledes inn i utladningsrommet - mellom en plasmabrenners anode og katode gjennom et ringformig rom som omgir katoden. ' Plasmaet bestående av hydrogen forlater brenneren gjennom en åpning i anoden. Siliciumtetrakloridet hhv. titantetra-kloridet bringes til omsetning med hydrogenplasmaet som kommer ut av brenneren. For stabilisering av utladningslysbuen er en sterk magnetspole anordnet rundt brenneren.'
Ifolge U.S. patentskrift nr. 3079325 utgjor hydrogenet et varmeoverforingsmiddel for oppvarming av det i flytende fase tilforte hydrocarbon som omsettes alene og som dessuten tjener til å stabilisere lysbueutladningen.
Ifolge den angitte artikkel i Chemie-Ingenieur-Technik tjener hydrogen både som varmeoverforingsmiddel og som reaksjonsdeltager og bringes utenfor brenneren til å omsettes.med gassformig siliciumtetraklorid. hhv. titantetraklorid. Da disse reaksjonsdeltagere er gassformige og derfor ikke egnede for.stabilisering av lysbueut-. ladningen, anvendes en magnetspole for stabiliseringen av denne.
For den foreliggende fremgangsmåte anvendes intet varmeoverforingsmiddel og ingen magnetisk stabilisering av lysbueutladningen. Minst en reaksjonsdeltager som. inneholder metallet hhv. metalloidet, benyttes i flytende fase for stabilisering av lysbueutladningen, idet den fordampende del av væsken danner i det. minste en del av plasmaet slik at denne reaksjonsdeltager allerede .foreligger i plasmatilstand når den omsettes.
Da reaksjonsdeltageren, som ikke er hydrogen, men en forbindelse som inneholder metallet hhv. metalloidet, forst benyttes i flytende fase for å stabilisere lysbueutladningen og derved fordamper slik at den fordampede del danner i det minste en del av plasmaet, og der-efter omsettes i plasmatilstand, blir en storre del av den til disposisjon stående energi utnyttet for omsetningen enn ved de kjente prosesser hvor enten hydrocarbon oppvarmes ved hjelp av et hydrogenplasma som tjener som varmeoverforingsmiddel, eller siliciumtetraklorid hhv. titantetraklorid omsettes med et hydrogenplasma. Dessuten tas det ved den foreliggende fremgangsmåte sikte på å oppnå et annet indre reaksjonsforlop.
Når flere reaksjonsdeltagere benyttes i flytende fase for stabiliseringen og sammen eller hver for seg danner en del av plasmaet, vil de alle omsettes i plasmatilstand. Ved denne utfbrelses-form oppnås de storste- fordeler ved den foreliggende fremgangsmåte.
Foreliggende fremgangsmåte er nedenfor nærmere beskrevet ved eksempler på dens anvendelse for reduksjon, spaltningsreaksjoner og carbiddannelse.
I disse eksempler gjennomfores foreliggende fremgangsmåte ved anvendelse av en plasmareaktor som på tegningen skjematisk er vist ved et lengdesnitt.
Plasmareaktoren har en utladningsbeholder med en sylindrisk mantel 1, en fremre dyse 2 hvorigjennom plasmastrålen 3 kommer ut,
og en bakvegg h. I utladningsbeholderen er det anordnet tre skjermer 5, 6 og 7 i avstand fra hverandre og fra dysen 2 og bakveggen k. Mellom bakveggen k og skjermen 5 er det anordnet en skjerm 8, og mellom skjermene 6 og 7 er to skjermer 9 og 10 koaksialt anordnet i forhold til mantelen 1. Skjermenes 8, 9 og 10 utvendige diameter er mindre enn mantelens 1 innvendige diameter. Skjermens 10 hulldiameter er omtrentlig lik skjermenes 5, 6 og 7, men skjermenes 8 og 9 hulldiameter er noe mindre. Skjermen 8 er anordnet i avstand fra bakveggen h og skjermen 5,^ og skjermene 9 og 10 er anordnet i avstand fra hverandre og fra skjermene 6 og 7 ved ringer 11 med en ut-vendig diameter tilsvarende skjermenes 8, 9 og 10. Ringenes 11 innvendige diameter er storre enn skjermenes 5-10 hulldiameter, hvorved dannes flere ringformige rom hvori væsken kari fores sirkelformig rundt lysbueutladningen for stabilisering'av denne, idet hvert ringformig. rom er aksialt avgrenset av to naboskjermer og radialt av en ring. Ringene' 11 har tangensiale, gjennomgående boringer, til deres hull-
rand.. En tilforselsledning 12 hhv. 13 for væsken for dannelse av den sirkelformige væskehvirvel forer inn i hvert ringformig rom mellom skjermene 8,. 9y±0, ringene 11 og mantelen 1. Hver av. skjermene 5, 6 og 7 har en aksialt- fremspringende ringleppe. Led-ninger lk og 15 for bortledning av den ikke fordampede rest av denne væske kommer ut av de ringformige rom mellom disse ringlepper og mantelen 1, idet væsken avkjoles og sammen med .ny væske igjen tilfores innlbpene 12 og 13. En stavkatode. 16, f.eks. av grafitt, er koaksialt anordnet i bakveggen h. Foran dysen 2 roterer en hul, vann-avkjølt, skiveformig rund anode 17 som avhengig av den reaksjon som skal gjennomføres, består av f.eks. kobber, carbon, titan eller aluminium. Anodens 17 akse er parallell med utladningsbeholderens akse, og anodens rand har omtrentlig samme avstand fra utladningsbeholderens akse som dysens 2 hullrand. Drivverket er betegnet med l8 og anodens 17 kjblesystem med 19. Anoden 17 er anordnet i et inn-satsstykke i et reaksjonskammer 20 som for bestemte reaksjoner består av f.eks. et keramisk, oxydisk materiale, står i forbindelse med dysen 2 og er forsynt med en tilforselsledning 21 og to utlbpsstykker 22 og 23. Reaksjonskammeret 20 kan for bestemte reaksjoner være varmeisolert, forsynt med en oppvarmings- eller avkjolingsanordning, en ringdusj 2h for bråkjoling av reaksjonsproduktene, en fast, vann-avkjølt andre kobberanode 25 og ha et utlop 26.
Reduksjon
For reduksjon av TiCl^ til TiCl^ anvendes den i forbindelse
med tegningen beskrevne plasmareaktor med en kobberanode 17, men uten delene 2^-, 25 og 26.
Den ene reaksjonsdeltager, TiCl^, ledes inn i innlopene 12 og 13, strommer gjennom ringenes 11 tangensiale boringer og danner en væskehvirvel i utladningsrommet, hvorved den delvis fordamper under dannelse av plasmagassen. Som den annen reaksjonsdeltager ledes hydrogen gjennom tilforselsledningen 21 inn i reaksjonskammeret 20. Lysbueutladningen kan f.eks. foregå ved en strbmstyrke av 500 A. Plasmastrålen 3 har f.eks. en diameter av 7-13 mm og stabiliseres av den av TiCl^ bestående væskehvirvel.
To trinnvis på hverandre folgende reaksjoner finner sted. Ved den forste reaksjon dannes titancarbid og klor fra katodens carbon og en del av det TiCl^ som foreligger i rommet mellom skjermenes 5 og 6 lepper. Disse reaksjonsprodukter fjernes gjennom utlopet 1^ sammen med TiCl^, hvorved de bråkjoles.. Mengden av disse reaksjonsprodukter er bl.a. avhengig av storrelsen til rommet mellom skjermenes 5 og 6 lepper og av avtrekningshastigheten. -Den annen reaksjon finner sted ved anoden 17 i.overensstemmelse med ligningen
Reaksjonsproduktene fjernes ved
For reduksjon av TiCl^ til Ti anvendes plasmareaktoren med. aluminiumanoden 17 og uten delene 21, 2ht 25 og 26. Derved dannes flytende Ti og aluminiumkloridgass under jevnt forbruk av anoden Spaltningsreaks jon
For spaltning av SiCl^_ anvendes plasmar eaktor en med kobber - anoden 17 og med den andre kobberanode 25, og dessuten med utlopet 26, men uten dusjen 2k. Til den andre anode 25 tilfores en spenning som er mer positiv enn spenningen ved anoden 17 slik at utladningen går fra katoden 16 til anoden 17 og derfra videre til den andre anode 25.
Gjennom innlopene 12 og 13 tilfores SiCl^ for dannelse og stabilisering av plasmaet, og stromstyrken (ca. 5-00 A) og skjermenes-5-10 hulldiameter velges slik at plasmagassens temperatur blir til-strekkelig hoy for gjennomføring av reaksjonen SiCl^ 7* Si <+> 2CI2. Spaltningsreaksjonen finner sted i reaksjonskammeret 20. Det metalliske silicium kondenseres ved den andre anode 25, drypper av fra denne og fjernes gjennom utlopet 26. Restproduktet, gassformig klor, avtrekkes gjennom utlbpene 22 og 23. En gjenforening i reak-sjonsbeholderen 20 hindres i sterk grad av den del av lysbueutladningen som strekker seg mellom anoden 17 og den ,andre anode 25.
Carbiddannelse.
For fremstilling av titancarbid anvendes den beskrevne plasmareaktor med carbonanode 17, avkjblt reaksjonskammer 20, uten delene 21, 25 og 26, men med dusjen 2h og med en ytterligere dyse 27 som overfor anoden 17 er rettet mot plasmastrålen 3.
Titantetraklorid tilfores gjennom ledningene 12 og 13 som stabiliseringsvæske og for dannelse av plasmaet. Gjgnnom den ytterligere dyse 27 tilfores et flytende hydrocarbon, f.eks. et hydrocarbon med gjennomsnittlig 10-15 C-atomer pr. molekyl, til plasmastrålen 3. Derved finner reaksjonen TiCl^ + hydrocarbon ^-TiC + saltsyre sted. Den oppnådde reaksjonsblanding bråkjoles ved anvendelse av ringdusjen 2h med en blanding bestående av like deler hydrogen og methan. På denne måte ble det ved en brennerydelse av ca.120 kW oppnådd 10 kg TiC pr. time med en partikkelstbrrelse under 0,001 mm.
Claims (3)
1. Fremgangsmåte ved fremstilling av et reaksjonsprodukt inneholdende minst en metall- eller metalloidbestanddel, hvor reaksjonsdeltagerne bringes til å reagere under innvirkning av varmen fra plasmaet fra en lysbueutladning og plasmaet stabiliseres med en væske som fores sirkelformig rundt lysbueutladningen og delvis fordamper i plasmaet, karakterisert ved at minst en flytende reaksjonsdeltager som inneholder metallet hhv. metalloidet, innfores tangensialt i et flertall ringformige rom i en utladningsbeholder og der fores sirkelformig rundt plasmaet for å stabilisere dette og for å danne i det minste en del av plasmaet, og bringes til å reagere i plasmatilstand.
2. Fremgangsmåte ifolge krav 1,karakterisert ved at plasmaet uten gasstilfdrsel bare dannes av fra hvirvelen for-dampet flytende reaksjonsdeltager.
3. Fremgangsmåte ifolge krav 1 eller 2,karakterisert ved at forskjellige reaksjonsprodukter fjernes fra utladningsrommet ved steder som befinner seg i avstand fra hverandre langs lysbueutladningen.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH1925968A CH508412A (de) | 1968-12-24 | 1968-12-24 | Verwendung von vortex-stabilisierten Plasmabrennern zur Durchführung von chemischen Reaktionen |
CH494969A CH525705A (de) | 1968-12-24 | 1969-04-01 | Verwendung von vortex-stabilisierten Plasmabrennern zur Durchführung von chemischen Reaktionen |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NO127095B true NO127095B (no) | 1973-05-07 |
Family
ID=25696596
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO04820/69A NO127094B (no) | 1968-12-24 | 1969-12-05 | |
NO05095/69A NO127095B (no) | 1968-12-24 | 1969-12-23 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NO04820/69A NO127094B (no) | 1968-12-24 | 1969-12-05 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US3658673A (no) |
JP (1) | JPS5022986B1 (no) |
BE (1) | BE743039A (no) |
CH (1) | CH525705A (no) |
DE (2) | DE1961339A1 (no) |
FR (2) | FR2027085A1 (no) |
GB (2) | GB1297388A (no) |
NL (2) | NL6919179A (no) |
NO (2) | NO127094B (no) |
SE (1) | SE381575B (no) |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3938988A (en) * | 1971-01-04 | 1976-02-17 | Othmer Donald F | Method for producing aluminum metal from its salts |
BE791550A (fr) * | 1971-11-20 | 1973-03-16 | Max Planck Gesellschaft | Procede et dispositif pour le traitement d'un materiau au moyendu plasma d'un arc electrique |
US4206190A (en) * | 1974-03-11 | 1980-06-03 | Westinghouse Electric Corp. | Plasma arc production of silicon nitride |
US4022872A (en) * | 1975-11-12 | 1977-05-10 | Ppg Industries, Inc. | Process for preparing finely-divided refractory powders |
US4051043A (en) * | 1976-01-26 | 1977-09-27 | O-3 Company | Apparatus for fluid treatment by electron emission |
US4102764A (en) * | 1976-12-29 | 1978-07-25 | Westinghouse Electric Corp. | High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates |
US4102765A (en) * | 1977-01-06 | 1978-07-25 | Westinghouse Electric Corp. | Arc heater production of silicon involving alkali or alkaline-earth metals |
US4102767A (en) * | 1977-04-14 | 1978-07-25 | Westinghouse Electric Corp. | Arc heater method for the production of single crystal silicon |
US4102766A (en) * | 1977-04-14 | 1978-07-25 | Westinghouse Electric Corp. | Process for doping high purity silicon in an arc heater |
CH616348A5 (no) * | 1977-04-29 | 1980-03-31 | Alusuisse | |
US4145403A (en) * | 1977-09-29 | 1979-03-20 | Fey Maurice G | Arc heater method for producing metal oxides |
US4292342A (en) * | 1980-05-09 | 1981-09-29 | Motorola, Inc. | High pressure plasma deposition of silicon |
JPS579890A (en) * | 1980-06-20 | 1982-01-19 | Inoue Japax Res Inc | Treatment of rare earth concentrate |
DE3304790A1 (de) * | 1982-02-15 | 1983-09-01 | Československá akademie věd, Praha | Verfahren zur stabilisierung des niedertemperatur-plasmas eines lichtbogenbrenners und lichtbogenbrenner zu seiner durchfuehrung |
US6096109A (en) * | 1996-01-18 | 2000-08-01 | Molten Metal Technology, Inc. | Chemical component recovery from ligated-metals |
US5948294A (en) * | 1996-08-30 | 1999-09-07 | Mcdermott Technology, Inc. | Device for cathodic cleaning of wire |
US6579805B1 (en) | 1999-01-05 | 2003-06-17 | Ronal Systems Corp. | In situ chemical generator and method |
WO2002001927A1 (fr) | 2000-06-27 | 2002-01-03 | Predtechensky Mikhail Rudolfov | Reacteur a plasma chimique |
RU2200058C1 (ru) * | 2002-02-12 | 2003-03-10 | Открытое акционерное общество "ТВЭЛ" | Способ проведения гомогенных и гетерогенных химических реакций с использованием плазмы |
US7375035B2 (en) | 2003-04-29 | 2008-05-20 | Ronal Systems Corporation | Host and ancillary tool interface methodology for distributed processing |
US7429714B2 (en) * | 2003-06-20 | 2008-09-30 | Ronal Systems Corporation | Modular ICP torch assembly |
WO2007068085A1 (en) * | 2005-12-12 | 2007-06-21 | Albonia Innovative Technologies Ltd. | Method and apparatus for treating contaminated material |
US8276568B2 (en) | 2006-02-20 | 2012-10-02 | Aisan Kogyo Kabushiki Kaisha | Fuel supply apparatuses |
RU2532676C2 (ru) | 2011-11-28 | 2014-11-10 | Юрий Александрович Чивель | Способ плазмохимического синтеза и реактор плазмохимического синтеза для его осуществления |
CN111921472A (zh) * | 2016-01-05 | 2020-11-13 | 螺旋株式会社 | 分解处理装置、搭载分解处理装置的车辆以及分解处理方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1065385B (de) * | 1955-01-05 | 1959-09-17 | Chemische Werke Hüls Aktiengesellschaft, Marl (Kr, Recklinghausen) | Verfahren zur Durchführung chemischer und physikalischer Prozesse mit Hilfe elektrischer Entladungen |
US2854392A (en) * | 1955-09-22 | 1958-09-30 | Tokumoto Shin-Ichi | Arc discharge production of low valency halides of titanium |
CH357378A (de) * | 1956-04-02 | 1961-10-15 | Berghaus Elektrophysik Anst | Verfahren und Einrichtung zur Durchführung technischer Prozesse |
FR1294283A (fr) * | 1960-04-13 | 1962-05-26 | Ici Ltd | Procédé permettant de conduire des réactions chimiques dans des décharges électriques |
DE1206399B (de) * | 1963-04-27 | 1965-12-09 | Bayer Ag | Verfahren zur Durchfuehrung von Gasphasenreaktionen |
GB1066651A (en) * | 1965-01-18 | 1967-04-26 | British Titan Products | Oxides |
US3494762A (en) * | 1967-11-27 | 1970-02-10 | Iwatani & Co | Method of manufacturing microfine metal powder |
US3516921A (en) * | 1968-03-26 | 1970-06-23 | Allis Chalmers Mfg Co | Apparatus for magnetic stirring of discharge plasma in chemical synthesis |
-
1969
- 1969-04-01 CH CH494969A patent/CH525705A/de unknown
- 1969-12-05 NO NO04820/69A patent/NO127094B/no unknown
- 1969-12-06 DE DE19691961339 patent/DE1961339A1/de active Pending
- 1969-12-11 GB GB1297388D patent/GB1297388A/en not_active Expired
- 1969-12-12 BE BE743039D patent/BE743039A/xx unknown
- 1969-12-16 DE DE19691962989 patent/DE1962989A1/de active Pending
- 1969-12-17 US US885929A patent/US3658673A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-12-17 US US885927A patent/US3649497A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-12-22 NL NL6919179A patent/NL6919179A/xx unknown
- 1969-12-23 GB GB1297389D patent/GB1297389A/en not_active Expired
- 1969-12-23 NL NL6919285A patent/NL6919285A/xx unknown
- 1969-12-23 NO NO05095/69A patent/NO127095B/no unknown
- 1969-12-23 SE SE6917835A patent/SE381575B/xx unknown
- 1969-12-24 JP JP44103547A patent/JPS5022986B1/ja active Pending
- 1969-12-24 FR FR6945017A patent/FR2027085A1/fr not_active Withdrawn
- 1969-12-24 FR FR6945016A patent/FR2027608A1/fr not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1962989A1 (de) | 1970-07-09 |
GB1297389A (no) | 1972-11-22 |
BE743039A (no) | 1970-05-14 |
FR2027085A1 (no) | 1970-09-25 |
DE1961339A1 (de) | 1970-06-25 |
JPS5022986B1 (no) | 1975-08-04 |
US3658673A (en) | 1972-04-25 |
NL6919179A (no) | 1970-06-26 |
NO127094B (no) | 1973-05-07 |
SE381575B (sv) | 1975-12-15 |
GB1297388A (no) | 1972-11-22 |
US3649497A (en) | 1972-03-14 |
NL6919285A (no) | 1970-06-26 |
CH525705A (de) | 1972-07-31 |
FR2027608A1 (no) | 1970-10-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NO127095B (no) | ||
US5749937A (en) | Fast quench reactor and method | |
RU2154624C2 (ru) | Способ получения фторуглеродных соединений (варианты) и установка для его осуществления | |
CA2408994C (en) | Thermal synthesis apparatus and method | |
US7576296B2 (en) | Thermal synthesis apparatus | |
US4164553A (en) | Plasma arc process for the production of chemical products in power form | |
HU217794B (hu) | Eljárás szénhidrogének lebontására | |
US3217056A (en) | Process and apparatus for splitting hydrocarbons in an electric arc | |
NO309647B1 (no) | Fremgangsmåte ved fremstilling av titandioksyd | |
US4145403A (en) | Arc heater method for producing metal oxides | |
US3625846A (en) | Chemical process and apparatus utilizing a plasma | |
KR101322052B1 (ko) | 나노미립자 란탄족-붕소 화합물 또는 나노미립자 란탄족-붕소 화합물을 포함하는 고체 혼합물의 제조 방법 | |
NO152985B (no) | Fremgangsmaate til plugging av minst en av et antall perforeringer i et broennroer | |
NO128652B (no) | ||
US3723290A (en) | High temperature chemical reaction apparatus | |
US3375308A (en) | Method of making high purity and non-melting filaments | |
Zhao et al. | Preparation of tungsten and tungsten carbide submicron powders in a chlorine-hydrogen flame by the chemical vapor phase reaction | |
CN104379501B (zh) | 制备乙炔和合成气的方法 | |
US2870007A (en) | Process for the production of metals by reduction of their compounds in the vapor phase | |
US3063803A (en) | Turbulent flow flame synthesis of hydrogen cyanide | |
JPS6127321B2 (no) | ||
Ibberson et al. | Plasma chemical and process engineering | |
EP1413354A1 (en) | Thermal synthesis apparatus and method | |
EP0819109B1 (en) | Preparation of tetrafluoroethylene | |
Hlina et al. | Diagnostics of hybrid water/argon thermal plasma jet with water, ethanol and their mixture injection to plasma |