NL8903108A - Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8903108A NL8903108A NL8903108A NL8903108A NL8903108A NL 8903108 A NL8903108 A NL 8903108A NL 8903108 A NL8903108 A NL 8903108A NL 8903108 A NL8903108 A NL 8903108A NL 8903108 A NL8903108 A NL 8903108A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- partial
- mask
- regions
- partial masks
- light
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 16
- 241001270131 Agaricus moelleri Species 0.000 claims description 19
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 19
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 14
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
- G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/13625—Patterning using multi-mask exposure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
N.V. Philips’ Gloeilampenfabrieken te Eindhoven
Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting waarbij in een fotolithografische behandeling achtereenvolgens ten minste twee deelmaskers op eenzelfde substraat worden uitgericht en een fotolaklaag via deze deelmaskers wordt belicht, ter verkrijging van aansluitende afbeeldingen met een overlappend aansluitingsgebied, waarbij ter plaatse van het aansluitingsgebied door een eerste belichting via een eerste deelmasker eerste helften van details in de fotolaklaag worden gevormd met in hun uiteinden toenemende grijsschalen (afnemende belichting) en door een tweede belichting via een tweede deelmasker tweede, met de eerste helften corresponderende, helften van de details in de fotolaklaag worden gevormd met in hun, de bovengenoemde uiteinden overlappende, uiteinden toenemende, met de bij de eerste belichting gevormde grijsschalen complementaire, grijsschalen (afnemende belichting), waarbij door de beide belichtingen in totaal een volledige belichting van de details wordt verkregen.
Het overlappende aansluitingsgebied wordt dus gevormd door uiteinden van helften van in de fotolaklaag afgebeelde details.
Een werkwijze van de in de aanhef vermelde soort is bekend uit J.P. Rominger "Seamless stitching for large area integrated circuit manufacturing" Optical/Laser Microlithography, Burn J.Lin, Editor, Proc. SPIE, 922, blz. 188-193 (1988).
Bij de vervaardiging van geïntegreerde halfgeleiderschakelingen worden steeds kleinere details geëist en daartoe wordt gebruik gemaakt van afbeeldingssystemen met hoge resolutie, de zogenaamde wafersteppers.
Het afbeeldingsveld van een stepper is echter beperkt in grootte. Aangezien voor de geïntegreerde schakelingen steeds grotere oppervlakken worden geëist, komt het voor dat een halfgeleiderinrichting niet meer in het afbeeldingsveld past. Om zo een inrichting toch te vervaardigen kan men het masker in verscheidene deelmaskers splitsen en de deelmaskers achtereenvolgens op een plak van halfgeleidermateriaal afbeelden.
Ten einde corresponderende details van de schakeling bij belichting door op elkaar volgende deelmaskers vloeiend op elkaar te doen aansluiten worden aan uiteinden van details van aansluitende afbeeldingen ter plaatse van hun aansluitingsgebied complementaire grijsschalen gegeven.
In bovengenoemde publicatie is beschreven dat de grijsschalen worden verkregen door het toegepaste masker te voorzien van een extra masker dat niet in het objectvlak van het afbeeldingssysteem staat waarvan in het beeldvlak een halfschaduw wordt verkregen.
De laatstgenoemde bekende werkwijze vertoont een aantal nadelen.
1. Er worden extra processtappen gevraagd voor het vervaardigen van de maskers.
2. Bij aan de maskerzijde niet-telecentrische afbeeldingssystemen is de plaats in het beeldvlak van de halfschaduw ten opzichte van het aansluitingsgebied afhankelijk van de afstand van het aansluitingsgebied tot de optische as van het afbeeldingssysteem.
3. Corresponderende uiteinden van deelmaskers moeten op een rechte aansluitingslijn eindigen. Dit beperkt de mogelijkheden voor het ontwerpen van de schakeling. Een aansluitlijn is een lijn die de uiteinden van naast elkaar liggende details in een deelmasker verbindt en in tweeën deelt en in die uiteinden praktisch evenwijdig met de nabijgelegen rand van het deelmasker verloopt.
4. Aansluitingen tussen uiteinden van deelmaskers die parallel met een aansluitingslijn verlopen zijn niet wel mogelijk.
5. Er is een zeer breed aansluitingsgebied nodig tussen aansluitende afbeeldingen namelijk in de grootte-orde van 150-1000 pm.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd de bovengenoemde nadelen althans in belangrijke mate te vermijden.
De in de aanhef vermelde werkwijze wordt volgens de uitvinding derhalve daardoor gekenmerkt, dat de complementaire grijsschalen worden verkregen door belichting via deelmaskers met in uiteinden van lichtdoorlatende gebieden, met de te verkrijgen toenemende grijsschalen corresponderende, negatieve gradiënten in de lichtdoorlatendheid.
genoemde nadelen practisch vermeden kunnen worden door toepassing van deelmaskers waarin gradiënten in de lichtdoorlatendheid aanwezig zijn in de lichtdoorlatende delen.
Hierbij zijn geen extra processtappen nodig bij de maskervervaardiging. Ook is bij aan de maskerzijde niet-telecentrische afbeeldingssystemen de plaats in het beeldveld van de halfschaduw ten opzichte van het aansluitingsgebied onafhankelijk van de afstand van het aansluitingsgebied tot de optische as van het afbeeldingssysteem.
Het aansluitingsgebied tussen aansluitende afbeeldingen behoeft met de werkwijze volgens de uitvinding niet breder te zijn dan 10 pm.
De uitvinding heeft ook betrekking op een maskergroep met ten minste twee deelmaskers, waarbij elk van de deelmaskers ten minste een randgebied heeft, ter verkrijging van een overlappend aansluitingsgebied in een fotolaklaag, waarbij in de twee randgebieden zich uiteinden van lichtdoorlatende gebieden bevinden waarvan uiteinden in het ene randgebied corresponderen met uiteinden in het andere randgebied.
Volgens de uitvinding vertonen de met elkaar corresponderende uiteinden van de lichtdoorlatende gebieden complementaire negatieve gradiënten van de lichtdoorlatendheid.
Bij de maskergroep volgens de uitvinding is het in tegenstelling tot die volgens de stand van de techniek mogelijk dat de aansluitingslijn in de deelmaskers een gekartelde vorm vertoont of dat uiteinden in de deelmaskers parallel met de aansluitingslijn verlopen.
Randgebieden in een masker volgens de uitvinding kunnen zeer smal (bijvoorbeeld circa 10 pm) zijn.
Een dergelijk masker wordt dan ook bij voorkeur toegepast bij de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
De toepassing van de maskergroep volgens de werkwijze is echter niet beperkt tot de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
De werkwijze alsmede de maskergroep volgens de uitvinding kunnen ook worden toegepast bijvoorbeeld bij de vervaardiging van een weergeefinrichting met vloeibare kristallen. Weliswaar zijn de af te beelden details hier veel groter, maar vormt ook het feit dat veel grotere vlakken op elkaar moeten worden uitgericht hier een probleem, waardoor het ook hier van voordeel is de werkwijze en de maskergroep volgens de uitvinding toe te passen.
De term maskergroep wordt hier gebruikt in onderscheid van een term als bijvoorbeeld maskerset om aan te geven dat een maskergroep bestaat uit deelmaskers die bedoeld zijn om de belichting van één inrichitng in een zelfde fotolaklaag te realiseren.
Onder complementaire gradiënten van de lichtdoorlatendheid wordt verstaan dat op ieder te belichten punt van de fotolaklaag ter plaatse van de aansluitingsgebieden de som van de lichtdoorlatendheden van de deelmaskers gelijk 1 is zodat op ieder dergelijk punt na de twee belichtingen de grijsschalen elkaar opheffen.
Bij de vervaardiging van de maskergroep volgens de uitvinding wordt deze met behulp van een maskergenerator gegenereerd.
Bij een uitvoering van de maskergroep volgens de uitvinding verloopt de gradiënt van de lichtdoorlatendheid van de uiteinden van de lichtdoorlatende gebieden in de randgebieden van de deelmaskers continu. Bij een dergelijke maskergroep bestaan de deelmaskers bij voorkeur uit gestabiliseerde zilverprecipitaten in glassubstraten met in de uiteinden van lichtdoorlatende gebieden een toename in de zilverconcentratie die correspondeert met de negatieve gradiënt in de lichtdoorlatendheid.
Onder gradiënt in de lichtdoorlatendheid van de deelmaskers moet in zijn algemeenheid worden verstaan dat de lichtdoorlatendheid van de uiteinden in de randgebieden van de deelmaskers wat betreft haar effect op de belichting van de fotolaklaag voor practische doeleinden continu verloopt.
Daarom bevatten bij een uitvoering van de maskergroep volgens de uitvinding de uiteinden van de lichtdoorlatende gebieden in de randgebieden van de deelmaskers bij voorkeur discrete niet-lichtdoorlatende gebieden, die in aantal en/of grootte toenemen, en die door de beperktheid van het oplossend vermogen van het toe te passen afbeeldingssysteem continu met de gewenste negatieve gradiënten van de lichtdoorlatendheid worden afgebeeld. Bij een dergelijke maskergroep bestaan de deelmaskers vaak uit een chroomlaag met de voor de deelmaskers gewenste patronen op een doorzichtig substraat. Bij het genereren van een dergelijke maskergroep met een maskergenerator behoeft de intensiteit van de bestraling niet te worden gewijzigd.
De maskergroep met deelmaskers met zilverprecipitaten in glassubstraten kan ook worden uitgevoerd met in de uiteinden discrete niet-lichtdoorlatende gebieden.
De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een voorbeeld en van bijgaande tekening.
In de tekening stellen figuren 1a en 1b schematisch een doorsnede voor van een deel van de inrichting in achtereenvolgende stadia van vervaardiging met behulp van de werkwijze volgens de uitvinding; figuur 2 schematisch een bovenaanzicht van een deel van een maskergroep volgens de uitvinding; figuur 3 schematisch een bovenaanzicht van een deel van een andere maskergroep volgens de uitvinding.
Met de in de aanhef genoemde werkwijze wordt een inrichting vervaardigd (zie figuren 1a en 1b), bijvoorbeeld een halfgeleiderinrichting zoals een beeldsensor voor een televisiecamera, waarbij in een fotolithografische behandeling achtereenvolgens ten minste twee deelmaskers 1 en 2 op eenzelfde substraat 3, bijvoorbeeld een siliciumplak worden uitgericht, en een fotolaklaag 4 via deze deelmaskers 1 en 2 wordt belicht, ter verkrijging van aansluitende afbeeldingen 5,6 met een overlappend aansluitingsgebied 7,8.
Dit belichten kan op een gebruikelijke wijze met behulp van een waferstepper worden uitgevoerd.
Hierbij wordt ter plaatse van het aansluitingsgebied 7,8 door een eerste belichting via een eerste deelmasker 1 eerste helften 5 van details in de fotolaklaag 4 gevormd met in hun uiteinden 7 toenemende grijsschalen (afnemende belichting) en door een tweede belichting via een tweede deelmasker 2 tweede, met de eerste helften 5 corresponderende, helften 6 van details in de fotolaklaag 4 gevormd met in hun, de bovengenoemde uiteinden 7 overlappende, uiteinden 8 toenemende, met de bij de eerste belichting gevormde grijsschalen complementaire, grijsschalen (afnemende belichting), waarbij door de beide belichtingen in totaal een volledige belichting van de details in het aansluitingsgebied 7,8 wordt verkregen.
Volgens de uitvinding worden de complementaire grijsschalen verkregen door belichting via deelmaskers 1,2 met in uiteinden 9,10 van lichtdoorlatende gebieden 11,12, roet de te verkrijgen toenemende grijsschalen corresponderende, negatieve gradiënten in de lichtdoorlatendheid.
Het zij vermeld dat patronen van de deelmaskers vaak verkleind in de fotolaklaag worden afgebeeld. Duidelijkheidshalve is dit in de figuur niet weergegeven. De fotolaklaag 4 kan een gebruikelijke positieve fotolaklaag zijn en het substraat 3 kan een siliciumschijf zijn, die bijvoorbeeld reeds gebruikelijke behandelingen in depositie-en eststappen ondergaan kan hebben.
Bij de werkwijze volgens de uitvinding wordt gebruik gemaakt van een maskergroep (zie figuur 2) met ten minste twee deelmaskers 1 en 2, waarbij elk van de deelmaskers ten minste een randgebied 22, 23 heeft ter verkrijging van een overlappend aansluitingsgebied 7,8 in de fotolaklaag 4, waarbij in de twee randgebieden 22 en 23 zich uiteinden 9,10 van lichtdoorlatende gebieden 11,12 bevinden waarvan uiteinden 9 in het ene randgebied 22 corresponderen met uiteinden 10 in het andere randgebied 23.
Volgens de uitvinding hebben de met elkaar corresponderende uiteinden 9,10 van de lichtdoorlatende gebieden 11,12 complementaire negatieve gradiënten van de lichtdoorlatendheid.
Bij de maskergroep volgens de uitvinding is het mogelijk dat de aansluitingslijn 21 zijn de deelmaskers een gekartelde vorm vertoont.
Ook is het mogelijk dat uiteinden 9,10 in de deelmaskers parallel met de aansluitingslijn 31 (zie figuur 3) verlopen.
De maskergroep wordt op een gebruikelijke wijze met behulp van een maskergenerator vervaardigd.
De uiteinden 9,10 van de lichtdoorlatende gebieden 11,12 in de randgebieden 22,23 van de deelmaskers 1,2 bevatten bijvoorbeeld discrete niet-lichtdoorlatende gebieden op een glassubstraat, die in aantal en/of grootte toenemen, bijvoorbeeld in een chroorapatroon. De discrete gebieden zijn van een grootte dat zij door de beperktheid van het oplossend vermogen van het toe te passen afbeeldingssysteem continu met de gewenste gradiënt van de lichtdoorlatendheid op een gebruikelijke wijze worden afgebeeld.
Desgewenst kunnen ook meer dan twee, bijvoorbeeld vier deelmaskers worden toegepast. Zowel positieve als negatieve lakken kunnen bij de werkwijze volgens de uiteinden worden toegepast.
Claims (9)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een inrichting waarbij in een fotolithografische behandeling achtereenvolgens ten minste twee deelmaskers op eenzelfde substraat worden uitgericht en een fotolaklaag via deze deelmaskers wordt belicht, ter verkrijging van aansluitende afbeeldingen met een overlappend aansluitingsgebied, waarbij ter plaatse van het aansluitingsgebied door een eerste belichting via een eerste deelmasker eerste helften van details in de fotolaklaag worden gevormd met in hun uiteinden toenemende grijsschalen (afnemende belichting) en door een tweede belichting via een tweede deelmasker tweede, met de eerste helften corresponderence, helften van de details in de fotolaklaag worden gevormd met in hun, de bovengenoemde uiteinden overlappende, uiteinden toenemende, met de bij de eerste belichting gevormde grijsschalen complementaire, grijsschalen (afnemende belichting), waarbij door de beide belichtingen in totaal een volledige belichting van de details wordt verkregen, met het kenmerk, dat de complementaire grijsschalen worden verkregen door belichting via deelmaskers met in uiteinden van lichtdoorlatende gebieden, met de te verkrijgen toenemende grijsschalen corresponderende, negatieve gradiënten in de lichtdoorlatendheid.
2. Maskergroep met ten minste twee deelmaskers, waarbij elk van de deelmaskers ten minste een randgebied heeft, ter verkrijging van een overlappend aansluitingsgebied in een fotolaklaag, waarbij in de twee randgebieden zich uiteinden van lichtdoorlatende gebieden bevinden waarvan uiteinden in het ene randgebied corresponderen met uiteinden in het andere randgebied, met het kenmerk, dat de met elkaar corresponderende uiteinden van de lichtdoorlatende gebieden complementaire negatieve gradiënten van de lichtdoorlatendheid vertonen.
3. Maskergroep volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat de aansluitingslijn in de deelmaskers een gekartelde vorm vertoont.
4. Maskergroep volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat uiteinden in de deelmaskers parallel met de aansluitingslijn verlopen.
5. Maskergroep volgens één van de conclusies 2 tot en met 4, met het kenmerk, dat de uiteinden van de lichtdoorlatende gebieden in de randgebieden van de deelmaskers discrete niet-lichtdoorlatende gebieden bevatten, die in aantal en/of grootte toenemen, en die door de beperktheid van het oplossend vermogen van het toe te passen afbeeldingssysteem continu worden afgebeeld.
6. Maskergroep volgens één van de conclusies 2 tot en met 4, met het kenmerk, dat de gradiënt van de lichtdoorlatendheid van de uiteinden van de lichtdoorlatende gebieden in de randgebieden van de deelmaskers continu verloopt.
7. Maskergroep volgens één van de conclusies 5 of 6, met het kenmerk, dat de deelmaskers uit gestabiliseerde zilverprecipitaten in glassubstraten bestaan met in de uiteinden van de lichtdoorlatende gebieden een toename in de zilverconcentratie die correspondeert met de negatieve gradiënt in de lichtdoorlatendheid.
8. Toepassing van de maskergroep volgens én van de conclusies 2 tot en met 7 bij de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
9. Toepassing van de maskergroep volgens één van de conclusies 2 tot en met 7 bij de vervaardiging van een weergeefinrichting met vloeibare kristallen.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8903108A NL8903108A (nl) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze. |
| DE69020704T DE69020704T2 (de) | 1989-12-20 | 1990-12-13 | Verfahren zur Herstellung einer Anordnung und Maskgruppe dazu. |
| EP90203311A EP0434142B1 (en) | 1989-12-20 | 1990-12-13 | Method of manufacturing a device and group of masks for this method |
| JP41127890A JPH0772791B2 (ja) | 1989-12-20 | 1990-12-18 | デバイスの製造方法およびこれに使用するマスク群 |
| KR1019900020873A KR100204194B1 (ko) | 1989-12-20 | 1990-12-18 | 디바이스의 제조방법 및 이것에 사용하는 마스크군 |
| US07/966,667 US5286584A (en) | 1989-12-20 | 1992-10-26 | Method of manufacturing a device and group of masks for this method |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8903108 | 1989-12-20 | ||
| NL8903108A NL8903108A (nl) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8903108A true NL8903108A (nl) | 1991-07-16 |
Family
ID=19855803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8903108A NL8903108A (nl) | 1989-12-20 | 1989-12-20 | Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze. |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0434142B1 (nl) |
| JP (1) | JPH0772791B2 (nl) |
| KR (1) | KR100204194B1 (nl) |
| DE (1) | DE69020704T2 (nl) |
| NL (1) | NL8903108A (nl) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0683507B1 (en) * | 1993-12-07 | 2002-05-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Manufacture of a display device |
| US5792591A (en) * | 1993-12-08 | 1998-08-11 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device whereby photomasks comprising partial patterns are projected onto a photoresist layer so as to merge into one another |
| BE1007860A3 (nl) * | 1993-12-08 | 1995-11-07 | Koninkl Philips Electronics Nv | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, waarbij deelpatronen bevattende fotomaskers op elkaar aansluitend worden geprojecteerd op een laag fotolak. |
| US5523580A (en) * | 1993-12-23 | 1996-06-04 | International Business Machines Corporation | Reticle having a number of subfields |
| US5914205A (en) * | 1996-12-27 | 1999-06-22 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device whereby photomasks comprising partial patterns are projected onto a photoresist layer so as to merge into one another |
| GB2382156A (en) * | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Marconi Optical Components Ltd | Manufacture of optical devices |
| KR100784665B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2007-12-12 | 두산메카텍 주식회사 | 기판의 분할증착용 마스크 장치 및 이를 이용한패턴형성방법 |
| JP2011205042A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Panasonic Electric Works Co Ltd | プリント配線板の製造方法 |
| FR2993097B1 (fr) * | 2012-07-05 | 2015-05-22 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif imageur cmos a geometrie optimisee et procede de realisation d'un tel dispositif par photocomposition |
| JP6745712B2 (ja) | 2016-11-30 | 2020-08-26 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板およびその製造方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4231811A (en) * | 1979-09-13 | 1980-11-04 | Intel Corporation | Variable thickness self-aligned photoresist process |
| US4902899A (en) * | 1987-06-01 | 1990-02-20 | International Business Machines Corporation | Lithographic process having improved image quality |
| JP2794794B2 (ja) * | 1989-06-19 | 1998-09-10 | 富士通株式会社 | フォトマスク及びその製造方法 |
-
1989
- 1989-12-20 NL NL8903108A patent/NL8903108A/nl not_active Application Discontinuation
-
1990
- 1990-12-13 EP EP90203311A patent/EP0434142B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-13 DE DE69020704T patent/DE69020704T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-12-18 KR KR1019900020873A patent/KR100204194B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-12-18 JP JP41127890A patent/JPH0772791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69020704D1 (de) | 1995-08-10 |
| KR100204194B1 (ko) | 1999-06-15 |
| JPH049846A (ja) | 1992-01-14 |
| JPH0772791B2 (ja) | 1995-08-02 |
| EP0434142A1 (en) | 1991-06-26 |
| EP0434142B1 (en) | 1995-07-05 |
| KR910013480A (ko) | 1991-08-08 |
| DE69020704T2 (de) | 1996-03-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6611316B2 (en) | Method and system for dual reticle image exposure | |
| JP4979746B2 (ja) | マスク・パターン、マーカ構造、リトグラフ投影装置におけるマーカ構造の提供方法、およびリトグラフ装置におけるマーカ構造の位置関係決定方法 | |
| US5286584A (en) | Method of manufacturing a device and group of masks for this method | |
| JP2003318087A (ja) | 照明光学系、照明方法及び露光装置 | |
| NL8903108A (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze. | |
| JP3605047B2 (ja) | 照明装置、露光装置、デバイス製造方法及びデバイス | |
| JP3200244B2 (ja) | 走査型露光装置 | |
| JP2004349706A (ja) | リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 | |
| JPH11258774A (ja) | 多層マスク | |
| TW556043B (en) | Imaging apparatus, device manufacturing method and device manufactured by said method | |
| US6441886B2 (en) | Illumination optical system and exposure apparatus having the same | |
| EP0589103B1 (en) | Image projection method and semiconductor device manufacturing method using the same | |
| JPH0917718A (ja) | 露光装置及びこれを用いたデバイス生産方法 | |
| JPH07297117A (ja) | 投影露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法 | |
| JP2000031028A (ja) | 露光方法および露光装置 | |
| JP2000021761A (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| JP3977096B2 (ja) | マスク、露光方法及びデバイス製造方法 | |
| JP3566318B2 (ja) | 走査型露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP3563888B2 (ja) | 照明装置及びそれを用いた投影露光装置 | |
| JP7457849B2 (ja) | 露光装置、露光方法及び物品の製造方法 | |
| JP3326446B2 (ja) | 露光方法及び装置、リソグラフィ方法、マーク焼き付け装置、及びプロキシミティ露光装置 | |
| JP3109946B2 (ja) | 露光装置及びデバイス製造方法 | |
| JP2001290279A (ja) | 走査型露光装置 | |
| JPH0756318A (ja) | パターン形成方法及びそれに用いるマスク | |
| JPH0233914A (ja) | 照明光学装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A1B | A search report has been drawn up | ||
| BV | The patent application has lapsed |