JP3109946B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents
露光装置及びデバイス製造方法Info
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
SI等の半導体デバイスやCCD等の撮像デバイスや液
晶パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを
製造するために使用される投影露光装置に関する。
で投影露光する走査型投影露光装置は、画面サイズを大
きくするため、図2(A)や図2(B)に示す通り、走
査方向と平行な方向が狭く、走査方向と直交する方向が
広い露光領域を設定している。また、ステッパ−と呼ば
れる縮小投影露光装置は、図3(A)に示す円形の露光
領域をとらず、図3(B)に示す形状の有効露光領域を
決め、図3(C)に示す正方形の領域、図3(D)に示
す長方形の領域を、露光領域としている。
(図2(A)や図3(B)の形状を含む。)の露光領域
を備える。
のために光源から半導体基板までの光路を一直線にせ
ず、折り曲げミラ−により折り曲げている。この折り曲
げミラ−は、通常多層膜により構成されているので、入
射角度の差が大きな光線間で反射率を一定に保つことは
困難である。また、そのような多層膜が設計値上できた
としても、広い範囲で一様に膜を付けることは困難であ
り、例えばミラ−の周辺部は中心部とは反射率が違って
しまう。
は、露光領域での露光むらになる。
を小さくできる露光装置を提供することにある。
為に、オプティカルインテグレーターからの光で第1物
体のパターンを照明することにより該第1物体のパター
ンを第2物体上に投影する露光装置において、前記オプ
ティカルインテグレーターから前記第2物体に至る光路
中に多層膜を備えた光路折り曲げミラーを有し、前記光
路折り曲げミラーの光束入射側の光軸と光束反射(出
射)側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直
交する方向に比べ狭く露光領域を設定することを特徴と
している。
I等の半導体デバイスやCCD等の撮像デバイスや液晶
パネル等の表示デバイスや磁気ヘッド等のデバイスを正
確に製造することができる。
造用縮小投影露光装置を示す。
プ等の露光光源1からの光束はビ−ム整形光学系2によ
り所望の形状に整形され、ハエノ目レンズ等のオプティ
カルインテグレ−タ3の光入射面に指向される。ハエノ
目レンズは複数の微小なレンズの集まりから成るもので
あり、その光射出面近傍に複数の2次光源が形成され
る。4はコンデンサ−レンズであり、コンデンサ−レン
ズ4によりオプティカルインテグレ−タ3の2次光源か
らの光束で視野絞り5をケ−ラ−照明している。視野絞
り5は、コンデンサ−レンズ6、折り曲げミラ−7、コ
リメ−タレンズ8によってレチクル9と光学的に共役と
なっている。従って、視野絞り5の開口の形状を変化さ
せることによりレチクル9面上の照明領域(露光領域)
の形、寸法を変更できる。
かれた回路パタ−ンを半導体基板11に縮小投影してい
る。本実施例においては装置の大型化を避けるため照明
系内に折り曲げミラ−を配置しており、折り曲げミラ−
の反射面に対して入射する光束側の光軸と反射する光束
側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直交す
る方向に比べ狭くなるよう露光領域を設定している。こ
の露光装置は、2次光源を形成するオプティカルインテ
グレ−タ3と半導体基板11の間の光路中では、光軸に
垂直な任意の平面について、光の入射角度、光軸と入射
位置間の距離はレチクル9面上の照明位置に依存し、レ
チクル9面上の照明位置の光軸からの距離に比例して入
射角度、光軸と入射位置間の距離が大きくなる。任意の
平面がレチクルまたはその共役面に近い時には主に光軸
と入射位置間の距離が大きくなり、任意の平面がレチク
ルまたはその共役面に遠い時には主に入射角度が大きく
なる。
て光軸と入射位置間の距離が大きくなるレチクルまたは
その共役面に近い平面に折り曲げミラ−を配置した場合
について説明する。
げミラ−に入射する光束は折り曲げる方向に対して折り
曲げ角度に相当する分だけ大きくなる(入射光軸とミラ
−面が45。の場合はル−ト2倍)。折り曲げミラ−の
反射面に対して入射する光束側の光軸と反射する光束側
の光軸とがなす平面と平行な方向を前記平面と直交する
方向に比べ狭くなる露光領域を設定した場合と、逆に広
くなる露光領域を設定した場合を考えると、広くした場
合のほうが反射面の形状がより長円形状になり、反射面
中心から反射を保証する位置までの距離の最大値がより
大きくなる。従って、ミラ−のコ−ティングを行なう
際、より大きな範囲を保証しなくてはならなず製造上難
しくなる。
射角度が大きくなるレチクルまたはその共役面に遠い平
面に折り曲げミラ−を配置した場合について説明する。
に対して入射する光束側の光軸と反射する光束側の光軸
とが成す平面と平行な方向をH方向とし、前記平行な方
向(前記平面)と直交する方向をV方向とすると、折り
曲げミラ−に入射するする角度とレチクル面上での照明
位置(パタ−ン)との関係は、図5に示すように、光軸
からの距離が同じであるH方向に位置するのパターンは
V方向のそれに比べ反射面に入射する角度変化が大きい
(V方向はこの構成ではほとんど45度である。)。
膜が用いられるが、誘電体多層膜は反射率の入射角度依
存性がある。その一例を図6に示す。
ンの位置の違いによる半導体基板(ウエハー)に到達す
る光の強度分布が変わる。その様子を図7に示す。図7
における光強度分布は露光むら(照度むら)と同じであ
り、被露光領域内の線幅の均一性を劣化させる。図7か
ら理解できる通り、折り曲げミラ−の反射面を光軸に対
し傾斜させているため、V方向に比べH方向の方が、光
軸からの距離に応じた範囲が広がるほど線幅の不均一性
が大きくなる。
明系内に配置しているが、投影光学系内に配置してもい
い。
を一個配置しているが、複数の折り曲げミラ−を配置し
てもいい。
素子の製造方法の実施例を説明する。図8は半導体装置
(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネルやCC
D)の製造フロ−を示す。ステップ1(回路設計)では
半導体装置の回路設計を行なう。ステップ2(マスク製
作)では設計した回路パタ−ンを形成したマスク(レチ
クル304)を製作する。一方、ステップ3(ウエハ−
製造)ではシリコン等の材料を用いてウエハ−(ウエハ
−306)を製造する。ステップ4(ウエハ−プロセ
ス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハ−
とを用いて、リソグラフィ−技術によってウエハ−上に
実際の回路を形成する。次のステップ5(組み立て)は
後工程と呼ばれ、ステップ4よって作成されたウエハ−
を用いてチップ化する工程であり、アッセンブリ工程
(ダイシング、ボンデイ ング)、パッケ−ジング工程
(チップ封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)で
はステップ5で作成された半導体装置の動作確認テス
ト、耐久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経
て半導体装置が完成し、これが出荷(ステップ7)され
る。
−を示す。ステップ11(酸化)ではウエハ−(ウエハ
−306)の表面を酸化させる。ステップ12(CV
D)ではウエハ−の表面に絶縁膜を形成する。ステップ
13(電極形成)ではウエハ−上に電極を蒸着によって
形成する。ステップ14(イオン打ち込み)ではウエハ
−にイオンを打ち込む。ステップ15(レジスト処理)
ではウエハ−にレジスト(感材)を塗布する。ステップ
16(露光)では上記投影露光装置によってマスク(レ
チクル304)の回路パタ−ンの像でウエハ−を露光す
る。ステップ17(現像)では露光したウエハ−を現像
する。ステップ18(エッチング)では現像したレジス
ト以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらステップを繰り返し行なうことによりウ
エハ−上に回路パタ−ンが形成される。
しかった高集積度の半導体素子を製造することが可能に
なる。
くできる。
説明するための図である。
ための図である。
明するための図である。
の関係を示す説明図である。
図である。
す説明図である。
である。
フロ−チャ−ト図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 オプティカルインテグレーターからの光
で第1物体のパターンを照明することにより該第1物体
のパターンを第2物体上に投影する露光装置において、
前記オプティカルインテグレーターから前記第2物体に
至る光路中に多層膜を備えた光路折り曲げミラーを有
し、前記光路折り曲げミラーの光束入射側の光軸と光束
反射側の光軸とが成す平面と平行な方向を前記平面と直
交する方向に比べ狭く露光領域を設定することを特徴と
する露光装置。 - 【請求項2】 請求項1の露光装置により、マスクのデ
バイスパターンを基板上に転写する段階を有することを
特徴とするデバイス製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05159055A JP3109946B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP05159055A JP3109946B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07135147A JPH07135147A (ja) | 1995-05-23 |
JP3109946B2 true JP3109946B2 (ja) | 2000-11-20 |
Family
ID=15685241
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP05159055A Expired - Lifetime JP3109946B2 (ja) | 1993-06-29 | 1993-06-29 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3109946B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7884239B2 (en) | 2004-02-10 | 2011-02-08 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Catalyst for producing α,β-unsaturated carboxylic acid and method for preparation thereof, and method for producing α,β-unsaturated carboxylic acid |
-
1993
- 1993-06-29 JP JP05159055A patent/JP3109946B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7884239B2 (en) | 2004-02-10 | 2011-02-08 | Mitsubishi Rayon Co., Ltd. | Catalyst for producing α,β-unsaturated carboxylic acid and method for preparation thereof, and method for producing α,β-unsaturated carboxylic acid |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07135147A (ja) | 1995-05-23 |
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