NL8600059A

NL8600059A - Verbeterde inrichting voor spin processing van wafers.

Info

Publication number: NL8600059A
Application number: NL8600059A
Authority: NL
Original assignee: Bok Edward
Priority date: 1986-01-13
Filing date: 1986-01-13
Publication date: 1987-08-03

Description

V'1 - 1 -

Verbeterde inrichting voor spin processing van wafers.

In ander andere de Nederlandse Octrooi-aanvrage No 8401776 van de aanvrager zijn double-floating wafer transport sn processing installaties aangegeven, waardij voor het apbrengen van bijvoorbeeld coating op da wafer 5 gebruik wordt gemaakt van een roterende tafel, waarop de wafer tijdelijk is vastgezogen.

Daarbij wordt, zoals bij de bestaande installaties, een hoeveelheid coating of ander vloeibaar medium op de roterende wafer gebracht, vervolgens met behulp van de spinning actie in voldoende mate gelijkmatig over 10 hat wafer-oppervlak verdeeld en het teveel van deze wafer geslingerd.

De inrichting volgens de uitvinding bevat nu meerdere verbeteringen binnen het kader van onder anders de double-floating wafer transport en processing inrichtingen volgens de^.S. Octrooien No’s 4495024 en 4521268 van de aanvrager, 15 De inrichting wordt daarbij gekenmerkt, dat zoals tijdens het ver plaatsen van de wafer naar 9n van het centrum van de spin processing module, deze verplaatsing geschiedt onder floating conditie door een nauwe tunnel en in één van de beide hoofdwanden tenminste tijdelijk het oppervlak van da draaitafel als deel van deze tunnel is opgenomen.

2C Een volgend gunstig kenmerk is daarbij, dat in deze draaitafel ka— * i i nalen voor stuwmedium zijn opgenomen voor het tijdelijk vanuit openingen in « t net wafer draagoppervlak stuwen van gasvormig stuwmedium naar de tunnel. . f

Daarbij kunnen in een gunstige uitvoering van de draaitafel deze “ * stuwkanalen tevens fungeren als aanzuigkanalen voor het tijdelijk vast2uigen 25 van de wafer op de draaitafel.

Een volgende gunstige uitvoering is die, waarbij de bovenkap van de spinning module een verlengde is van de bovenwand van de tunnelpassage van de wafer toevoer, met eveneens erin opgenomen opvolgende series van toe— j sn afvoerkanalen voor het gasvormige transportmedium, 3G Hierdoor is het mogelijk, dat de wafer zich in een double-floating conditie wordt verplaatst tot in het centrum van de spin processing.

Daarbij heeft zulk een wafer veelal een excentrische positie ten opzichte van de draaitafel. Het is echter van groot belang, dat tijdens ds spin processing de wafer niet te veel slingerd ten opzichte van de draai-35 tafel

Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat zoals de tunnelpassage opstaande zijwanden bevat met erin opgenomen toevoerkanalen voor gasvormig 5 "i Λ Λ » Λ -. - V V V ϋ .9 'f .* - 2 - stuwmedium naar de tunnelpassage tan behoeve van de wafergeleiding, deze opstaande wanden zich eveneens bevinden in tenminste het centrum van de tunnelpassage van de spinning module.

Door het nu in deze uaferpositie bewerkstelligen van een verdraai-5 ing van de draaitafel, wordt de wafer door deze tafel in radiale richting onder double-floating conditie medegenomen.

Het verst van het centrum van de draaitafel rotatie verwijderde gedeelte van de wafer komt dan tegen de gasbuffer van één van de beide opstaande zijwanden te drukken en wordt aldus geleidelijk in de richting van 10 het rotatie-centrum gedrukt.

Hierdoor wordt tenslotte een goede centrische positie van de wafer ten opzichte van de draaitafel verkregen.

Sensoren of camera's, die de verplaatsing van de wafer volgen, kunnen daarbij impulsen geven voor het starten en regelen van deze stuwstromen.

15 Verder kunnen deze stromen mede samenwerken met andere stromen medium., welke naar de wafer worden gestuwd.

Tevens kunnen deze stromen dienen om na beëindiging van de spin processing deze wafer naar de afvoer tunnelsectie te verplaatsen. Zulks dan in combinatie met een dan in dez spin processingsectie bewerkstelligen 20 van een tijdelijk hogere druk dan in deze aangrenzende tunnelsectie. n

Bij spin processing van de bovenzijde van de wafer, waarbij dus de : draaitafel zich in het ondergedeelte van de inrichting bevindt, is aldus j deze tafel opgenomen in de onderwand van de tunnelpassage met vrije ruimtes tussen deze draaitafel en de aangrenzende tunnelsecties.

25 Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat daarbij tenminste in de tunnelpassage, welke aan de spinning module grenst, de wafer zich onder double-floating conditie langs de mogelijk ononderbroken bovenwand van deze tunnepassage verplaatst.

Een volgend gunstig kenmerk is daarbij, dat de spinning module zoda— 30 nige middelen, zoals regelsystemen, sensoren etc. bevat, dat deze verplaatsing langs de tunnel-bovenwand blijft gehandhaafd tot de wafer boven de draaitafel is gekomen.

Een gunstige uitvoering van tenminste de tunnel-bovenwand is daarbij, dat gezien in de lengterichting van de tunnel, daarin zowel opvolgende 35 series toevoerkanalen als series afvoerkanalen zijn aangesloten op daarmede corresponderende verdiepte, naast elkaar gelegen uitmondingen in deze tun-nelwand.

l/erder, dat gezien in laterale richting van de tunnelpassage, een 3;} o 0 0 5 9 * -4 - 3 - groot aantal van deza naast elkaar gelagen uitmondingen over de gehele orsedte van deze wand zijn opgenomen.

Verder, dat daarbij in zowel de toevoer— als afvoerkanalen zodanige doorstroom-begrenzers zijn opgenomen, dat bij geen bedekt zijn van zulk een 5 uitmonding door de wafer slechts een toelaatbare toename in de toe— of afvoer van het medium door zulk een uitmonding plaats vindt.

Door het beperkt houden van de spleethoogte tussen de wafer en de— wand wordt bij een door de wafer bedekt zijn van een ssrie afvoer-uitmondin— gen tevens de toevoer van medium vanuit de spin processingkamer binnen 10 toelaatbare grenzen gehouden.

Het via de toevoer-uitmondingen toegevoerde medium moet nu over de tussenliggende fcunnelwand gestuwd worden naar de afvoer-uitmonding. De daarbij benodigde overdruk in zulk een toevoer-uitmonding en de onderdruk in zulk een afvoer-uitmonding in combinatie met de oppervlaktes van deze 15 uitmondingen bewerkstelligen een resulterende aanzuigkracht per opper-vlakte-eenheid op de wafer, welke gelijk is aan de combinatie van het ge-r wicht van de wafer per oppervlakte-eenheid en de druk in de spinning module.

Druksensoren, welke, gezien in de lengterichting van de tunnel, 20 zijn opgenomen in opvolgende groepen van zulke uitmondingen van afvoerka— · ( t nalen, commanderen daarbij zodanig de regelsystemen van deze afvoer, dat *

bij plaatselijk vergrootte spleethoogte de hoogte van de druk in deze uit— J

mondingen wordt verlaagt of de hoogte van het vacuum wordt vergroot.

De inrichting is verder daardoor gekenmerkt, dat tijdens de spin 25 orocessing de draaitafel een lagere positie heeft en waarbij dan deze module verder een ópstaande scherm rondom de spinner bevat voor het tijdens de spin processing opvangen van medium.

Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat na de onder double—floating conditie verdraaiend bewerkstelligde centrering van de wafer ten opzichte 30 van de draaitafel deze wafer vervolgens op deze tafel wordt aangezogen en aeze combinatie naar zijn lagere spin positie wordt gebracht.

'Ja de SDin processing wordt deze combinatie wederom naar zijn hoogste positie verolaatst, vervolgens wordt de wafer onder double—floating conditie gebracht en kan deza daarna met behulp van samenwerkande stuw-35 medium in de afvoer tunnelsactie worden gestuwd.

Verder is het vooral bij het reinigen van wafers van groot belang, dat daarbij beide züden ervan gereinigd worden.

Een volgende gunstige uitvoering is nu, waarbij de bovenkap van de 'Κ Λ ·~. Λ .* Λ

'rt Lf 'S U V -J V

- 4 - spinning module en zijnde tevens de plaatselijke bovenwand van de tunnel-passage in deze module is gescheiden van het doorlopende bovenvlak van de tunnel toe- en afvoersecties en vastgezet is op het gestel van de spinning module, waarop ook de aandrijving van de draaitafel is gemonteerd.

5 Daarbij kan de combinatie van bovenkap en draaitafel in beneden waartse richting worden verplaatst tot de spin processing positie en waarbij dan .in de tunnelpassage van de spinningmodule, gevormd wordend door de bovenkap en de roterende draaitafel, de wafer onder double-floating conditie door deze tafel wordt medegenomen en in de spleten opzij van de wafer 10 spin processing van deze wafer plaats vindt.

Daarbij kan na het reinigen met behulp van vloeibaar medium dit medium van de wafer worden gespind en kan vervolgens door toevoer van warm gasvormig medium naar deze Spleten opzij van de wafer droging van deze wafer plaats vinden.

15 Tijdens deze spin processing bewerkstelligen de stuwstromen vanuit de ópstaande zijwanden van deze tunnelpassage daarbij'een goede centrering van de wafer ten opzichte van de draaitafel.

Verdere gunstige kenmerken volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren.

20 Figuur 1 is een langsdoorsnede van de inrichting volgens de: uit- ’ vinding. ;

Figuur 2 is een aanzicht over de lijn 2-2 van de inrichting volgens 1 de Figuur 1.

Figuur 3 toont in een bovenaanzicht de waferverplaatsing naar het 25 centrum van de spinning module·.

Figuur 4 is een aanzicht over de lijn 4-4 van de inrichting volgens Figuur 3,

Figuur 5 toont bij een bewerkstelligde waferplaatsing het verplaatsen van de wafer in zijwaartse richting.

30 Figuur 6 toont een wafer-positie voorbij het centrum van de spinner*

Figuren 7, 8 en 9 geven daarbij opvolgende wafer-posities aan, waarbij tenslotte de wafer zich centrisch bevindt ten opzichte van de draaitafel.

Figuur 10 toont het onder double—floating conditie brengen van de wafer in de spinning module, 35 Figuur 11 toont het onder double-floating conditie brengen van de wafer naar zijn juiste centrische positie ten opzichte van de draaitafel.

Figuur 12 toont het vervolgens op de draaitafel aanzuigen van de wafer.

8 6 ö 0 0 3 5 - 5- * 4 f

Figuur 13 toont de draaitafel met de erop vastgezogen wafer in de spin processingruimte met het opbrengen van een vloeibaar medium.

Figuur 14 toont de afvoer van de wafer onder double-floating conditie vanuit de spinning module naar de afvoer tunnelsectie.

5 Figuur 15 toont een gewijzigde uitvoering van de draaitafel, ver plaatsend in verticale richting.

Figuren 16, 17, 18 en 19 tonen opvolgende wafer-posities van een andere uitvoering van de spinning module.

Figuur 20 is een doorsnede over de lijn 20 - 20 van de inrichting 10 volgens.de Figuur 19.

Figuur 21 is een vergroot detail van uitmondingen, welke in de zijwand van de module zijn opgenomen.

Figuur 22 is een aanzicht over de lijn 22 - 22 van de inrichting volgens de Figuur 21.

15 Figuur 23 toont het bovengedeelte van een spin processing inrich ting, waarin double—floating spin processing plaats vindt en waarbij de wafer is terecht gekomen in de tunnelsectie van de spinmodule.

Figuur 24 toont de wafer in zijn double-floating spin processing positie.

20 Figuur 25 is een doorsnede over de lijn 25 — 25 van de inrichting volgens de Figuur 23.

Figuur 26 is een doorsnede over de lijn 25 - 26 van de inrichting volgens de Figuur 24.

Figuur 27 is sen vergroot detail van da tunnalpassage van de spin-25 processing inrichting.

Figuur 28 is een doorsnede over de lijn 28 — 28 van de inrichting volgens de Figuur 24.

In de Figuur 1 is het bovengedeelte van de spin processing inrichting 10 aangegeven. Deze bestaat daarbij in hoofdzaak uit de spinning mo-30 dule 12, de toevoer tunnelsectie 14 en de afvoer tunnelsectie 16.

Het bovenblok 18 is doorlopend βη functionneert met zijn gedeelte 20 als bovenkap van de spinning module,

Tegen dit blok is het doorlopende anderblok 22 vastgezet onder de vorming van de tunnelpassages 24 sn 26. In dit blok is de uitsparing 28 35 opgenomen met een diameter, welke iets groter is dan die van de wafer. 30, waarop in de spinning module spin processing plaats vindt.

Ds draaitafel 32 fungeert in de aangegeven positie vooral als onderdeel in de geleiding van de wafer 30 onder double—floating conditie naar

v ~ '-J J J J

- 6 - ? f het centrum van deze module. Daarbij is in combinatie met de bovenkap 20 de tunnelpassage 34 geformeerd, welke in het verlengde ligt van de tunnel-passages 24 en 26.

In het bovenblok 18 en het onderblok 22 zijn opvolgende series toe-5 voerkanalen 36 en afvoerkanalen 38 voor gasvormig transportmedium opgenomen, welke uiteindelijk uitmonden in de respectievelijke verdiepte gedeeltes 40 en 58, welke zijn aangebracht in de boventunnelwand 42 en de ondertunnel-wand 44, zie tevens de Figuur 2.

• In de zijwand van de strippen46 en 48, die zich in laterale richting 10 uitstrekken, zijn een groot aantal nauwe kanalen 50 en 52 aangebracht, welke enerzijds verbonden zijn met de uitmondingen 40 en 58 en anderzijds zijn aangesloten op deze kanalen 36 en 38.

0e toevoerkanalen 36 monden uit in de gemeenschappelijke kanalen 54, die op hun beurt verbonden zijn met een niet aangegeven gemeenschappelijke 15 toevoer. De afvoerkanalen 38 zijn aangesloten op de gemeenschappelijke kanalen 56, die verbonden zijn met een niet aangegeven gemeenschappelijke af voer voor het mediu.

De kanalen 50 en 52 fungeren als doorstroomweerstanden, waarbij tijdens het transport van de wafer onder double-floating conditie de door-20 stroming van medium beperkt blijft, ook al bedekt geen wafer deze uitmondingen*

Bij een aanwezige wafer bewerkstelligt toegevoerd medium in de uitmonding 40 een overdruk en wordt het medium gedwongen om over de ópstaande wanden 60 naar de uitmondingen 58 te stromen onder het verkrijgen van 25 de floating conditie. Indien nabij gelegen uitmondingen niet bedekt zijn door zulk een wafer , zal toch de toevoer naar die uitmondingen zodanig beperkt zijn, dat de druk in de toevoerkanalen 38 voldoende gehandhaafd blijft voor het verschaffen van de overdruk in de bedekte uitmondingen ten behoeve van zulk een floating conditie.

30 Hetzelfde geldt voor de uitmondingen 58 van de afvoerkanalen 38.

Daarbij kan de in deze kanalen georeerde onderdruk niet door een overmatige toevoer van medium vanuit niet door een wafer bedekte uitmondingen teniet worden gedaan.

Bij de boventunnelwand 42 zal aldus bij een bedekte uitmonding 58 een 35 onderdruk in deze uitmonding worden bewerkstelligd, die het mogelijk maakt, dat de wafer onder double-floating conditie tegen deze wand blijft gekleefd.

Het over de randen 60 naar zulk een uitmonding 58 geebte medium 8600059 ____ .-½ i * - 7 - 62 is zeer beperkt door de micro-hoagte van de spleet, welke bijvoorbeeld slechts Q.05 mm bedraagt»

De hoogte van de overdruk in de toevoerkanalen 54 en de hoogte van de onderdruk in de afvoerkanalen 56 bepalen daarbij de hoogte van deze 5 spleet» Oruksensoren 54, opgenomen in zulk een uitmondingen, kunnen daarbij regelsignalsn geven naar de in de toe— en afvoer opoenomen regelven-tielen.

De verplaatsing van de wafer 30 wordt daarbij verkregen door het tijdeljjk bewerkstelligen van drukverschillen in opvolgende tunnelsecties.

10 Deze drukverschillen kunnen geregeld worden door sensoren 56, die reageren op de positie van de wafer.

Binnen het kader van de uitvinding is elk gewenst aantal drusenso-ren 64 en positiasensoren 66 mogelijk en tevens de plaats ervan.

In de draaitafel 32 zijn eveneens uitmondingen 70 aangebracht, die 15 via nauwe kanalen 72 uiteindelijk zijn aangesloten op gemeenschappelijke toevoer 74, welke door de draaitafelas 76 is gevoerd naar het ondereinde van de spinner voor aansluiting op een toevoersysteem. Daarbij kunnen eveneens uitmondingen 76, zie Figuur 27, aangesloten zijn op een afvoersysteem.

0e.ondertunnelwand 44, zie de Figuur 2, strekt zich cirkslvormig 20 uit tot aan de rand 30 van de uitsparing 28 en waarbij in deze wand tenminste een gedeelte van de uitmondingen 82 via kanalen 84 zijn aangesloten op het toevoersysteem van gasvormig medium.

Doordat aldus de tunnelpassages 24, 26 en 34 nagenoeg ononderbroken zijn met uitsluitend een spleet 86 opzij van de draaitafel, is een goe— 25 de verplaatsing van de wafer onder double-floating conditie naar en van het centrum van de spinning module 12 mogelijk.

Binnen het kader van de uitvinding is daarbij elke andere soort van wafertransport naar en van de spinning module onder al dan niet double-floating conditie mogelijk. Tevens zijn variaties in deze toe— en afvoer-30 systemen van het transportmedium 52 mogelijk.

In het onderblok zijn de stuwkanalen 90 aangebracht voor het stuwen van medium in de richting van de spinning module.

In de opstaande zijwanden 92 en 94 van de tunnelpassage en zulks bij voorkeur in het bovenblok 18, zijn opvolgende spleten 96 opgenomen, die 35 via kanalen 38 aangesloten zijn op van elkaar gescheiden toevoersystemen voor gasvormig medium.

Vanuit deze spleten 96 worden stromen gasvcrmig medium 100 naar de tunnelpassage geleid voor een aanvullende geleiding van de wafer in zijn

832005S

f ί - 8 - lineaire verplaatsing. Zulk een systeem is omschreven in de Nederlandse Octrooi-aanvrage No. 8502924 van de aanvrager.

Daarbij wordt de stuwing van medium vanuit de spleten 102 en 104 opzij van het centrum van de spinning module ook bij het in deze passage 5 terecht komen van de wafer 30 nog tenminste tijdelijk onderhouden ten behoeve van het centreren van de wafer op de draaitafel 32.

Deze draaitafel wordt daartoe na het door sensoren 106 en 108 vastgestelde aangekomen zijn van de wafer boven de draaitafel verdraaid met behulp van een inrichting, welke de aandrijving van deze tafel zelf 10 kan zijn.

In de Figuur 3 is het arriveren van de wafer 30 vanuit de tunnel-sectie 24 in de tunnelsectie 29 van de spinning module aangegeven.

Daarbij wordt tijdens het lineaire wafertransport opvolgend medium stromen 100 vanuit de spleten 96 gedirigeerd met in de aangegeven wafer 15 positie boven de draaitafel 32 eveneens de toevoer van een maximale hoeveelheid medium via de spleten 102 en 104..

De samenwerkende sensoren 106 en 108 of één ervan zenden impulsen uit naar de toe-en afvoersystemen van het transportmedium, waardoor bijvoorbeeld de stromen stuwmedium 110 vanuit de tunnelpassage 24 nog wor-20 den onderhouden en stromen stuwmedium 112 vanuit de tunnelpassage 26 worden bewerkstelligd..

De stromen medium 100 vanuit de ópstaande wanden 92 en 94 creeren daarbij gaskussens' 114 en 116 opzij van de wafer, zie tevens de Figuur 4.

De wafer bevindt zich daarbij in een laterale excentrische positie 25 ten opzichte ban de draaitafel.

Wordt vervolgens door een commando de draaitafel verdraaid, zoals is aangegeven in de Figuur 5, dan oefent het gaskussen 116 een kracht uit op de wafer, waardoor het oorspronkelijke centrum 118 ervan zich verplaatst naar het centrum 120 van de draaitafel.

30 Vervolgens wordt door de samenwerkende stuwstromen 114 en 116 deze centrische opstelling van de wafer onderhouden.

In de Figuur 6 is tijdens het wafertransport deze wafer 30 in lineaire richting in geringe mate tever verplaatst en wordt vervolgens deze wafer verdraaid vanuit de begin positie 122 ervan, 35 Tijdens deze verdraaiing oefent het gaskussen 116 daarbij een kracht werking uit op de wafer in de richting van het centrum van de draaitafel, waarbij zoals is aangegeven in de Figuren 7, 8 en 9, uiteindelijk de wafer via de opvolgend afnemende excentrische posities 124 en 126 ervan in zijn 8000050 * 4 - 9 - centrische positie 120 ten opzichte v/an de draaitafel 32 is gekomen.

Zoals de verplaatsing van de wafer boven de draaitafel geschiedt onder floating conditie, zal de draaitafel in radiale richting onder deze wafer door slippen. Door al dan niet aanpassing van de gaskussens boven 5 en ander de wafer met behulp van druksensoren vindt dan toch deze beperkte wafer-verdraaiing plaats,

De opvolgende waferposities zijn verder aangegeven in de Figuren 10 tot en met 14, . In de Figuur 10 vindt toevoer van de wafer 30 plaats naar het een— 10 trum van de spinning module 12.

In de Figuur 11 vindt de omschreven verdraaiing van deze wafer onder double—floating conditie plaats ten behoeve van het centreren ervan ten opzichte van de draaitafel 32.

Zoals is aangegeven in de Figuur 12, wordt vervolgens de wafer 30 15 aangezogen door de draaitafel 32. Zulks is mogelijk door het tijdelijk veranderen van de stuwkanalen 72 in vacuumkanalen door omschakeling van een niet aangegeven ventiel in de toevoer.

Binnen het kader van de uitvinding kan ook een apart afvoersysteem in de draaitafel zijn opgenomen, welke is aangesloten op een vacuumleiding.

20 Vervolgens vindt na al dan niet stilsand van de draaitafel in ra diale richting verplaatsing van de combinatie van draaitafel en wafer plaats in benedenwaartse richting naar de processing positie 130, zoals is aangegeven in de Figuur 13.

Op het onderblok 22 is het scherm 132 aangebracht met aan de onder— 25 zijde ervan de bodem 134, waarop de spinner 136 is bevestigd.

De spinningkamer 138 is daarbij afgesloten van de buitenlucht en staat in open verbinding met de tunnelpassages 24 en 26.

Vanuit de in de bovenkap 20 opgenomen spuitkop-apstelling.140 vindt vervolgens toevoer van medium naar de roterende wafer plaats, waarbij 30 opvolgende spin processings kunnen worden bewerkstelligd.

Zulke processings zijn daarbij soortgelijk aan de bestaande spin processing systemen.

Vanuit de tunnelpassages 24 en 25 en spleten 102 en 104 wordt nog gasvormig medium in deze kamer gestuwd.

35 Het in deze kamer gestuwde medium wordt daarbij afgezogen via de in de bodem 134 opgenomen afvoerkanalen 142.

Een binnenscherm 144 dient daarbij om de spinner 146 enigszins gescheiden te houden van deze kamer 138.

. .» 83 0 0 0 -3 9 'ï ï - 10 -

Binnen het kader van' de uitvinding is daarbij elke soort van spin processing en met gebruikmaking van elke soort van medium mogelijk.

Na het bijvoorbeeld op de wafer brengen van een laag coating, wordt deze door een toenemend toerental van de draaitafel over de wafer uitge— 5 spreid en waarbij het teveel aan coating van de wafer wordt afgespind en neerslaat op het scherm..

Binnen het kader van de uitvinding is het ook mogelijk om periodiek zonder wafer in de spinning kamer verdunning naar de roterende draaitafel te stuwen voor het schoonhouden van deze kamer.

1G Ook is het mogelijk om tijdens de processing via nozzle 148 verdun ning naar de onderzijde wan de wafer te stuwen voor het mede verwijderen van het teveel aan coating van deze wafer.

Na het opbrengen van de coating kan vervolgens gedurende enige tijd de opgebrachte coating ‘laag worden gedroogd met behulp van gasvormig me-15 dium, welke afkomstig is van de nozzle-opstelling 140 en is aangevuld door de stromen gasvormig medium vanuit de tunnelpassages. Dit gasvormige medium is daarbij bij voorkeur verwarmd.

De draaitafel wordt vervolgens naar zijn hoogste uitgangspositie gebracht, zoals in de Figuur 11 is aangegeven. Daarbij vindt verder pro— 20 cessing van de wafer in de tunnelpassage 34 plaats onder double-floating conditie.

Zoals is aangegeven in de Figuur 12, vindt vervolgens afvoer van de wafer onder double-floating conditie plaats naar da afvoerpassage 26, waarin de double-floating processing van de wafer, zoals verder drogen, 25 wordt voortgezet met behulp van het gasvormige transportmedium of door middel van oven droging.

Daarbij wordt door de regelsystemen de druk in deze tunnelpassage 26 tijdelijk verlaagd en wordt mede met behulp van stromen gasvormig medium, welke afkomstig is uit de tunnelpassage 24 en uit de stwkanalen 90 de wa-30 fer uit de tunnelpassage 34 gestuwd.

In de Figuur 15 is een gewijzigd systeem 150 voor verticale verplaatsing van de draaitafel 32'aangegeven, waarbij met behulp van het aandrijfmechanisme 152 de gehele spinner 146 wordt verplaatst.

In de Figuren 16 tot en met 21 is een spin inrichting 10' aangege— 35 ven, waarbij voor de wafer ook tijdens de spin processing de double-floabing conditie wordt onderhouden.

In de Figuur 16 vindt wederom het centreren van de aangekomen wafer 30 onder double-floating conditie plaats.

85 0 3 0.5 9 — 11 — i ♦

In'de Figuur 17 wordt vervolgens de double-floating conditie zover aangepast, dat de wafer onder deze conditie op de draaitafel kleeft met een moeilijke verplaatsing ervan in zijwaartse richting.

Vervolgens wordt de combinatie van draaitafel 32 en wafer 30 naar 5 zijn spin processing positie 130' gebracht, zoals is aangegeven in de Figuur 18.

In de kamer 138' vindt dan vervolgens spin processing van deze wafer plaats, zoals is aangegeven in de Figuur 19. Daarbij wordt de centrische positie van deze wafer vastgehouden door het stuwen van gasvormig 10 medium vanuit de kanalen 156, welke zijn opgenomen in de ring 158, die deel uitmaakt van het scherm I32r.

Zoals is aangegeven in de Figuur 21, wordt daarbij tijdens de wafer-rotatie dit medium gestuwd tegen de zijkant 160 van de wafer 30.

Daarbij heeft zulk een kanaal bij voorkeur da vorm van een zeer nau-15 we horizontale spleet, zoals in de Figuur 22 is aangegeven.

De grootte van de spleet 162 tussen de draaitafel 321 en de wafer 30 is daarbij door regeling van het via de draaitafel toegevoerde medium of mediums regelbaar in afhankelijkheid van de gewenst wordende processing.

Voor een dubbelzijdige wafer processing, zoals cleaning, rinsing, 20 etsen, drogen, ontwikkelen etc. wordt tijdens de spin processing vanuit uitmondingen in de draaitafel tijdelijk tenminste eveneens vloeibaar medium als draagmedium naar de spleet 162 gestuwd en wordt deze onder centri— fugaalkracht door deze spleet langs het wafer-oppervlak 164 naar buiten gestuwd.

25 Oe wafer slipt daarbij eniqzins over de draaitafel, waardoor elk deel van dit wafer-oppervlak talloze malen door nieuw toegevoerd medium en onder sterke wervelingen wordt getroffen. Zulks mede door het sterk geprofileerde oppervlak van het waferdraagvlak 168, zie tevens Figuur 1.

Zulk een toevoer van vloeibaar medium naar de spleet 162 kan daar-30 bij gecombineerd zijn met het via uitmondingen in het draaitafel-appervlak 168 toevoeren van gasvormig medium naar deze spleet.

Oe daarbij in de uitmondingen 70 bewerkstelligde druk maakt, dat zulk een draagmedium over de opstaande wand 170 rondom zulk een uitmonding moet ontsnappen. Ook hier is een zodanige doorstroomweerstand in de 35 toevoerkanalen opgsnomen, dat ten alle tijde, ook bij een nagenoeg afgesloten uitmonding door de wafer toch medium naar deze uitmonding wordt gestuwd, welke dan ontsnapt over deze opstaande randen.

De spin processing van de bodem 164 van de wafer gaat samen met de 8 6 0 0 v j » -12 - £ * spin processing van de tap 172 van deze wafer, waarbij ook elk deel van het wafer-oppervlak talloze malen getroffen wordt door nieuw medium, welks vervolgens van de wafer wordt afgespind.

De double-floating conditie voor deze spinnende wafer wordt daarbij 5 onderhouden door het in de bovenkamer 174 gestuwde medium, welke afkomstig is van de nozzle-apstelling 140' en tenminste de passages 24' en 26'. en waarbij af voer van dit medium geschiedt langs de zijkant 160 van de wafer naar de onderkamer 176 voor verdere af voer ervan via de afvoerkanalen 142'..

De kamer 132' fungeert daarbij dus als een gemeenschappelijk af voer— 10 kanaaal voor het onder houden van de double-floating conditie.

Via de boven de stuwkanalen 156 opgenomen kanalen 178 vindt tevens nog stuwing van gasvormig medium plaats in de richting van het bovenvlak 172. van de wafer 30. Hierdoor wordt enerzijds de double-floating conditie voor de wafer ondersteund, terwijl anderzijds de centreringskrachten op de 15 wafer worden aangevuld.,

In de Figuren 23 tot en met 28 is nog een gewijzigde spin—inrichting 10" aangegeven. Daarbij is de bovenkap 178 gescheiden van het doorlopende bovenblok 18" en is deze kap via draadstangen 180 bevestigd op de onder plaat 182, waarop tevens de spinner 146" is vastgezet. Deze combinatie 20 184 van kap en spinner is daarbij in verticale richting verplaatsbaar met behulp van het aandrijfmechanisme 152", welke is gemonteerd op de bodem 134".

In deze combinatie blijft aldus de tunnelpassage 34" ook tijdens de spin processing gehandhaafd.

25 In de Figuur 23 bevindt de combinatie zich in de bovenste wafer overname positie, waarbij zojuist de wafer in de tunnelpassage 34" onder double-floating conditie naar zijn positie boven de draaitafel 32" is gebracht.

De bovenkap bevat nog wederom dezelfde toe- en afvoersystemen voor 30 het gasvormige draagmedium als het bovenblok 18", met aansluiting op de ingangen 186 en 188 van de toe- ee/of afvoer. Daarbij vindt in deze positie tijdelijk af voer van het medium plaats via de kanalen 188, welke dan zijn aangesloten op een vacuümsysteem.

bJafergeleiding in de tunnelpassage 34" vindt wederm plaats met be-35 hulp van de stromen gasvormig medium 100 vanuit de opstaande zijkanten 102 en 104.

Daarbij zijn de uitmondingen 70 van de draaitafel 32" via nauwe kanalen 190 aangesloten op de gemeenschappelijke toevoerkanalen 192, die op •36 0 0 0 5 9 Λ ·» - 13 - hun beurt zijn aangesloten op een gemeenschappelijke toevoer, welke door de draaitafelas 76" is gevoerd, zie de Figuur 27.

Tevens staan de nauwe afvoerkanalen 194, welke enerzijds uitmonden in de uitmondingen 196, via de gemeenschappelijke kanalen 198 in verbin-5 ding met de afvoer-openingen 200, welke in de onderzijde 202 van de draaitafel zijn opgenomen.

Aldus is een transport van de wafer onder double-floating conditie naar en van de positie boven de draaitafel verzekerd.

In deze waferpositie vindt vervolgens door verdraaiing van de draai-10 tafel centrering ervan ten opzichte van de draaitafel plaats onder double-Flaatirig conditie, zoals is aangegeven in de Figuur 26. Hierbij de gebruikmaking van de gasbuffers 204 en 206, welke werkzaam zijn op de zijkanten van de wafer.

Vervolgens vindt verplaatsing van de combinatie 184 in beneden-15 waartse richting plaats naar de spin processing positie 130", zie de Figuur 24, waarin double—floating processing van de wafer in de tunnelpas-sage 34" plaats vindt.

Toevoer van vloeibaar medium naar de bovenkap 178 vindt daarbij plaats via aansluiting 208 en waarbij deze toevoer is aangesloten op de uitmon— 20 dingen 21Q.

Via de andere uitmondingen 212 vindt daarbij tevens het uitstuwen van gasvormig medium plaats met geen afvoer van dit medium via deze kap.

Afvoer van het medium, welke via deze kap 178 wordt toegevoerd, geschiedt daarbij dan via de bovenspieet 214 en zulks mede onder centrifu— 25 gaal kracht naar de processingkamer 138".

Afvoer van het via de draaitafel 32" naar de onderspleet 162" toegevoerde medium geschiedt daarbij eveneens onder centrifugaalkracht in zijwaartse richting door deze spleet met mogelijk een beperkte afvoer via de openingen 200 in de draaitafel.

30 Vanuit de tunnelsectias 24" en 25" vindt ook hier toevoer van gas— vormig medium naar de bovenkamer 174" plaats, waardoor geen processing medium in deze tunnelpëseages terecht kan komen. Dit medium wordt mede langs de buitenzijde de de onderkamer 176" gestuwd voor af voer ervan via da afvoeren 142".

35 De verticale afstand tussen de wafer overname-possitie en de spin processing positie kan daarbij zeer beperkt zijn in afhankelijkheid van de soort van processing, bijvoorbeeld 15 mm.

Verder is deze inrichting bij uitstek geschikt voor dubbelzijdige 3300133 *· 5» - 14 - spin processing van de wafer, zoals het reinigen, etsen, drgen etc.

Na de spin processing met vloeibaar medium vindt in deze tunnel passage 34" zolang droging van de wafer en de tunnelwanden met behulp van toegevoerd verwarmd gas vormig medium plaats, dat daarna tijdens lineair 5 wafer transport in deze tunnel geen plakken van de wafer tegen één van de tunnelwanden kan plaats vinden.

Binnen het kader van de uitvinding zijn ook hier variaties in opvolging van de processings en soort van deze processings mogelijk.

Daarbij geschiedt ook hier zulk een processing in een ruimte, welke 10 is afgesloten van de buitenlucht en in open verbinding is met de tunnel passage.

De tijdens: de processing geproduceerde verontreinigingen worden daarbij via de ondergelegen afvoeren 142" af gevoerd en kunnen de goede werking van de inrichting niet verstoren.

v : ) 0 5 9

Claims

2. Inrichting volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat in de draaitafel tenminste toevoerkanalen, welke uitmonden in het draagvlak voor de wafer, zijn opgenomen ten behoeve van het transporteren van draagmedium naar dit draagvlak.
3. Inrichting volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat de ge- 15 meenschappelijke inlaat voor deze kanalen zodanig is uitgevoerd, dat in opvolging verschillende mediums door deze kanalen kan worden gevoerd. 4. ‘o/erkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat gedurende de processing van een wafer via de in de draaitafel opgenomen kanalen tijdelijk een type medium naar de uitmondingen in het 20 draagvlak van de draaitafel wordt gevoerd en vervolgens een ander type medium door deze kanalen wordt geleid.
5. Inrichting volgens één de voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat deze kanalen tevens tijdelijk dienen als vacuumkanalen voor het aanzuigen van medium vanuit de uitmondingen in 25 het waferdraagvlak.
6. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze kanalen in groepen zijn onderverdeeld met voor elke· groep een gemeenschappelijk kanaal en waarbij deze gemeenschappelijke kanalen uitmonden in één centraal kanaal.
7. Inrichting volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat in elk van deze gemeenschappelijke kanalen een doorstroomweerstand is opgenomen voor het beperkt houden van hst door zulk een kanaal stromende medium.
3. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in de draaitafel tevens afvoerkanalen zijn opgenomen, waarvan de 35 ene zijde uitmonat in het wafer draagvlak en het andere einde uitmondt in de onderzijde van de tafel voor afvoer van het medium naar de ruimte onder deze tafel. '10 0 0 5 9 - 16 -
9. Inrichting volgens een der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de uitmondingen van deze kanalen in het wafer draagvlak van de draai-tafel verdiept zijn en waarbij deze uitmondingen zijn omgaven door smalle opstaande wanden, welke deze uitmondingen van elkaar gescheiden nouaen.
10. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 8, met het ken merk, dat tijdens het zich boven de draaitafel bevinden van de wafer de floating conditie voor deze wafer wordt onderhouden door het stuwen van medium vanuit de toevoer-uitmondingen naar de wafer onder de vorming van een spleet tussen de wafer en de draaitafel en het vervolgens vanuit deze 10 spleet afvoeren van tenminste een gedeelte van dit medium via de afvoerkanalen naar de uitgangen in de onderzijde van de draaitafel opzij van de draaitafelas.
11. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder bestaat uit een tunnel met boven- en onderwand, waarin op-15 volgende series van toe— en afvoerkanalen voor draagmedium zijn opgenomen ten behoeve van wafer transport onder tenminste plaatselijk double-floating conditie en het wafer draagvlak van de draaitafel tenminste tijdelijk deel uitmaakt van êên van deze horizontale tunnelwanden.
12. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 11, met het ken-20 merk, dat daarbij de wafer vanuit de toevoertunnelsectie onder tebminste single floating conditie wordt verplaatst tot in het centrum van de spinning module.
13. Inrichting volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat de spinning module tevens een bovenkap bevat en waarbij deze kap tenminste 25 tijdelijk deel uitmaakt van het bovenblok van de tunnel.
14. Inrichting volgens de Conclusie 13, met het kenmerk, dat deze kap zich bevindt boven de draaitafel.
15. Inrichting volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat deze kap als tunnelsegment, liggend in het verlengde van de bovenblok van de 30 tunnel, opvolgende series van toe— en afvoerkanalen voor gasvormig medium naar de tunnelpassage bevat.
16. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de wafertoevoer deze wafer onder double-floating conditie tot in het centrum van de spinning module wordt gebracht.
17. Inrichting volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat daarbij de bovenkap deel uitmaakt van een doorlopend boventunnelblok, het erop vastgezette ondertunnelblok eveneens doorloopt met ter plaatse van de spinner daarin opgenomen een uitsparing voor deze module.
18. Inrichting volgens de Conclusie 17, met het kenmerk, dat deze 3:3 0 0 0 5 9 - 17 - * uitsparing cirkelvormig is met een diameter, welke iets groter is dan de Ce behandelen wafers.
15. Inrichting volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat op dit onderblak rondom de uitsparing een verticaal scherm is vastgezet, welke 5 zich in benedenwaartse richting uitstrekt, de onderzijde van het scherm is vastgezst op een bodem, waaop de spinner is bevestigd. 2G. Inrichting volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat daarbij in dit tunnelwandgedeelte rondom deze cirkelvormige uitsparing tenminste toevoerkanalen voor gasvormig medium uitmonden. 1C 21. Inrichting volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat daarbij de bevestigingen tussen de blokken, het scherm en de bodem lekdicht zijn onder de vorming van een verwijde tunnelkamer.
22. Merkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 21 , met het kenmerk, dat tijdens de processing stromen gasvormig medium worden onderhouden 15 vanuit de toe- en afvoertunnelsecties naar deze kamer.
22. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in de spinning module tenminste tijdelijk een nauwe tunnel— passage is gevormd tussen de bovenkap en de draaitafel, deze tunnelpassage ópstaande zijwanden bevat en de breedte van deze passagesectie tussen deze 20 opstaande zijwanden iets groter is dan de wafer diameter.
24. Inrichting volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat daarbij \ in deze ópstaande wanden ter plaatse van deze tunnelpassage kanalen zijn j cpgenomen voor het stuwen van gasvormig medium in deze passage.
25. Inrichting volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat gezien 25 in laterale richting, de oreadte van de toe-en’afvoertunnslpassagesecties iets groter is dan de diameter van de te transporteren wafer en in de smalle zijwanden van deze tunnelpassagesectias opvolgende series van toe-vcerkanalen veer gasvormig medium zijn cpgenomen. - ]
25. Inrichting volgens de Conclusie 24, met het kenmerk, dat deze 3C kanalen zijn onderverdesld in groepen aan weerszijde van het centrum van de spinning module.
27. Inrichting volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat daarin tenminste één sensor is opgenomen voor het zodanig geven van impulsen naar regelventielen, welke zijn opgenomen in het wafertransport systeem, dat zo- 35 als de wafer tenminste nagenoeg in zijn juiste positie, boven de draaitafel is gebracht, deze positie wordt gehandhaafd.
28. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de spinning module zodanig is uitgevoerd, dat de draaitafel 00 0 5 9 'f - 18 - eveneens tenminste tijdelijk onder zeer laag toerental kan ronddraaien.
29. Inrichting volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat tijdens zulk een verdraaiing van de draaitafel het stuwmedium, gestuwd wordend uit de opstaande zijkanten van de 5 tunnelpassage, een centrische positie van de wafer ten opzichte van de draaitafel bewerkstelligt.
30. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat zoals de wafer onder double-floating conditie in het centrum van de spinning module is gebracht, stromen medium vanuit de opstaande 10 zijwanden een gasbuffer opzij van deze wanden vormen voor de wafer. .
31. Werkwijze volgens de Conclusie 30, mat het kenmerk, dat ten behoeve van centrering van de wafer op de draaitafel deze tafel wordt verdraaid, de wafer door de tafel onder double-floating conditie in radiale richting wordt medegenomen en het gedeelte van de wafer, hetwelk het verst 15 verwijderd is van het centrum van tafel-verdraaiing, tegen zulk een gasbuffer komt te drukken, waardoor dit gedeelte in de richtinting van dit·· centrum wordt verplaatst.
32. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat in tenminste de bovenwand van de tunnel tenminste de toevoerkanalen 20 uitmonden in verdiepte gedeeltes, die omgeven zijn door smalle, opstaande wanden.
33. Inrichting volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat daarbij tevens de afvoerkanale of deel ervan uitmonden in een eigen verddiept gedeelte, die omgeven zijn door smalle, opstaande wanden.
34. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken merk, dat daarbij in deze kanalen doorstroomweerstanden zijn opgenomen, zodanig, dat bij geen bedekt zijn van zulk een gedeelte door een wafer de doorstroming van medium door zulk een kanaal beperkt blijft.
35. Inrichting volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat daarin 30 zodanige regelsystemen in de toe- en afvoeren van het transportmedium zijn opgenomen, dat de wafer zich over een zodanig geringe afstand onder de bovenwand verplaatst, dat deze bovenfloating conditie in stand wordt gehouden,
35. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 35, met het ken- 35' -merk, dat daarbij door regeling van de toe-en afvoersystemen tijdens het wafertransport de spleet tussen de bovenwand en de wafer binnen zodanige grenzen blijft, dat de double-floating conditie in stand wordt gehouden.
37. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 8:00059 - 19 - dat deze middelen oevat voor het tijdelijk veranderen van de toevoer van gasvormig medium naar de draaitafel in het afvoeren van gasvormig medium uit deze tafel.
33, Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 37, met het ken-5 merk, dat na het onder double-floating centreren van de wafer ten opzichte van de draaitafel, deze wafer tijdelijk, op deze tafel wordt gezogen,
39. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze middelen bevat voor het verplaatsen van de tafel vanuit zijn tunneiwand-positie naar een lager gelegen spin processing positie· 1C 40. Werkwijze volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat na het plaats vinden van opvolgende spin processings van de wafer de draaitafel inclusief wafer wederom terug naar zun tunnelpositie wordt bewogen.
41. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin in de spinning module tenminste één uitmonding van vloei- 15 baar medium is opgenomen boven de draaitafel ten behoeve van het stuwen van vloeibaar medium naar de bovenzijde van de roterende wafer.
42. Inrichting volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat in de spinning module tenminste één uitmonding van vloeibaar medium is opgenomen oneer de draaitafel ten behoeve van het stuwen van vloeibaar medium naar 2C tenminste de buitenrand van de onderzijde van de wafer·.
43. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 42, met het ken- merk, dat daarbij verschillende vloeibare media worden toegepast. j
44. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanige regelsystemen in de toe-en afvoer van het gasvormig 25 draagmedium bevat, dat na centrering van de wafer onder double—floating conditie de onderfloating conditie van de wafer zover wordt verminderd, dat daze wafer moeilijk verplaatsbaar is in zijwaartse richting.
45. Werkwijze volgens de Conclusie 31, met het kenmerk, dat na centrering van da wafer onder de double-floating conditie de onderfloating 30 conditie van de wafer zover wordt verminderd, dat deze wafer moeilijk verplaatsbaar is in zijwaartse richting en vervolgens deze draaitafel tezamen met deze wafer in benedenwaartse richting naar zijn spin processing positie wordt gebracht.
45. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken- 35 merk, dat deze zodanige middelen bevat, dat in de spin processing positie een floating conditie van de wafer op de draaitafel wordt bewerkstelligd in afhankelijkheid van de gewenst wordende spin processing.
47. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 46, met het ken- Siü:i:5 3 ί - 20 - merk, dat da spleet tussen de wafer en de draaitafel wordt aangepast in afhankelijkheid van de gewenst wordende spin processings.
48. Inrichting volgens Conclusie 46, met het kenmerk, dat daarin tevens toevoeren van vloeibaar medium naar uitmondingen in de bovenzijde 5 van de draaitafel zijn opgenomen voor het leiden van dit medium naar de onderzijde van de wafer ten behoeve van spin processing van deze wafer zijde.
49. Werkwijze volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat vloeibaar medium vanuit de draaitafel in de spleet tussen de tafel en de wafer 10 wordt gestuwd tan behoeve van spin processing van deze wafer-onderzijde.
50. Inrichting volgens Conclusie 48, met het kenmerk, dat in het scherm ter plaatse van de processing positie van de wafer kanalen zijn opgenomen voor het dtuwen van medium naar de verticale zijwand- van de wafer.
51. Inrichting volgens Conclusie 50, met het kenmerk, dat in deze spin processing positie de spleet tussen de uitmonding van zulke kanalen en de buitenzijde van de wafer kleiner is dan 3 mm.
52. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 51 , met het ken·»· merk, dat tijdens de wafer processing centrering van de roterende wafer 20 tenminste mede geschiedt met behulp van de stromen gasvormig medium, welke afkomstig zijn vanuit uitmondingen in de rondom de spinner aangebrachte scherm op dezelfde hoogte als de wafer tijdens deze spin processing.
53. Inrichting volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat tevens boven deze serie van kanalen een aantal kanalen zijn opgenomen, waardoor 25 stuwmedium onder een hoek in beneden waartse richting naar de wafer wordt gestuwd voor het mede verschaffen van een double-floating conditie voor de wafer tijdens de spin processing.
54. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de bovenkap van de spinning module gescheiden is van het boven- 30 blok van de tunnel, met spleten tussen deze kap als vrij bavenbloksegment en de aangrenzende bovenblok secties van de toe- en afvoertunnelsecties.
55. Inrichting volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat deze kap gelegen onder een doorlopend bovengedeelte van het bovenblok.
56. Inrichting volgens de Conclusie 55, met het kenmerk, dat de bo- 35 venkap is vastgezet op het verplaatsingsmechanisme voor verticale draaitafel verplaatsing.
57. Inrichting volgens de Conclusie 56, met het kenmerk, dat de' opstelling van bovenkap en draaitafel verder zodanig is, dat tussen de Ό 0 0 a S ' if 4 - 21 - anderzijds van ds kap sn de bovenzijde van de draaitafel een tunnelpassage-sectie is geformeerd.
58, Inrichting volgens de Conclusie 57, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat in de bovenste transportpositie voor de 5 wafer van deze combinatie de tunnelpassagesctie ervan in het verlengde ligt van de tunnelpassagesecties van de aangrenzende tunneltoe-en afvoer.
59, Inrichting volgens de Conclusie 58, met het kenmerk, dat de opstelling verder zodanig is uitgevoerd, dat periodiek de combinatie van draaitafel en bovenkap vanuit deze wafertransport positie naar beneden 1C wordt verplaatst naar de processing positie ervan.
50. Merkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat daarbij de wafer onder double-floating conditie naar het centrum van de tunnelpassagesectie van de spinning module wordt gevoerd en vervolgens centrsring van de wafer ten opzichte van de draaitafel plaats vindt 15 door verdraaiing van deze wafer onder double-floating conditie.
51. Inrichting volgens de Conclusie 58, met het kenmerk, dat daarbij in de opstaande zijwanden van de bovenkap ter hoogte van de tunnelpassage taevoerkanalen zijn opgenomen voor het stuwen van gasvormig medium in de richting van de zich in het centrum van deze passage bevindende wafer.
62. Inrichting volgens de Conclusie 6.1 , met het kenmerk, dat deze kanalen in groepen opzij van het centrum van deze tunnelpassage zijn gefor— ‘ t i r meerd. ; * f
63. Merkwijze volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat daarbij f tijdens de waferverdraaiing het verst van het centrum van de draaitafel ge— 25 legen gedeelte van de wafer zolang komt te drukken tegen een gasbuffer, welke zich bevindt tussen de wafer en een zijwand in een nauwe spleet, dat door de op deze wafer uitgeoefande krachtwerking van deze buffer resulteert in een centrische opstelling van de wafer tenopzichte van de draaitafel. . ' ;
64. Merkwijze volgens de Conclusie 63, met het kenmerk, dat zulk een wafer eantrering kan geschieden in elke verticale positie van deze tunnel— passagesectie.
55. Merkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat daarbij eveneens tijdens deze verticale verplaatsing voor de wafer 35 een double-floating conditie wordt onderhouden.
56, Merkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat tijdens de spinpracessing van da wafer de double-floating conditie voor de wafer in de nauwe tunnelpassage tussen bovenkap en draaitafel wordt 0 0 0 3 9 - 22 - onderhouden.
57. Werkwijze volgens de Conclusie 65, met het kenmerk, dat daarbij tevens de gasstroom vanuit de opstaande zijwanden van de bovenkap blijft gehandhaafd voor het in de centrische positie van de roterende wafer houden 5 tan opzichte van de draaitafel.
58. Inrichting volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat daarbij de bovenkap opvolgende series van toe- en afvoerkanalen bevat, welke zijn verbonden met de uitmondingen in de onderwand van deze kap.
69. Inrichting volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat deze 10 afvoerkanalen aan het andere einde ervan uitmonden in de bovenwand van deze kap.
70. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie de Conclusie 68, met het kenmerk, dat daarbij tenminste tijdens het double—floating wafer transport naar en van het centrum van de spinning module afvoer van het 15 gasvormige medium plaats vindt via de afvoerkanale, doch gedurende de processing tenminste tijdelijk via deze kanalen eveneens toevoer van gasvormig medium plaats vindt.
71. Inrichting volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat de bo-bovenkap uitsluitend toevoerkanalen bevat, welke zijn verbonden met de uit- 20 mondingen in da onderwand van deze kap.
72. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat in de bovenkap aparte toevoerkanalen voor vloeibaar medium en gasvormig medium zijn aangebracht,
73. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 72, met het ken- 25 merk, dat tijdens de spin processing vanuit deze kanalen zowel toevoer van vloeibaar medium als gasvormig medium plaats vindt.
74. Inrichting volgens de Conclusie 59, met het kenmerk, dat daarbij in de draaitafel series van toe- en afvoerkanalen zijn opgenomen, die in het waferdraagvlak van deze tafel uitmonden.
75. Inrichting volgens de Conclusie 74, met het kenmerk, dat daarbij het andere einde van de afvoerkanalen zijn verbonden met een aantal uitmondingen in de onderwand van deze draaitafel en deze uitmondingen gegroepeerd zijn rondom de aandrijfas van de draaitafel.
76. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 75, met het ken- 35 merk, dat daarbij tijdens lineair wafer transport de stromen medium vanuit de draaitafel en werkzaam op de wafer, naar het spin centrum zijn gericht.
77. Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de wafer onder double-floating conditie door de draaitafel wordt medegenomen en zich in radiale richting verplaatst ten opzichte van de . 90059 - 23 - bovenkap met een toerental, welke lager is dan die van de draaitafel,
78, Werkwijze volgens de Conclusie 77, met het kenmerk, dat daarbij het toerental van de wafer mede wordt geregeld met behulp van het verhogen of verlage van de druk van de samenwerkende mediums, 5 79, Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken merk, dat na de spin processing met behulp van tenminste vloeibaar medium, dit medium onder hoog toerental van de wafer wordt gespind en daarna gedurende enige tijd via de toevoerkanale uitsluitend gasvormig medium naar de wafer wordt geleid ten behoeve van het verdampen van achtergebleven 10 micro vloeistofdeeltjes in de tunnelpassage,
80. Werkwijze volgens de Conclusie 79, met het kenmerk, dat dit gas-vormige medium voor tenminste een gedeelte ervan tenminste tijdelijk verwarmd is.
81. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken— 15 merk, dat daarin verder middelen zijn opgenomen, zoals sensoren en regelsystemen , voor het uit de tunnelpassage van de spinning module verplaatsen van de wafer naar de afvoertunnelsectie voor verdere transport ervan.
82. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 31, met het kenmerk, dat daarbij na het terugbrengen van de tunnelpassage van de spinning 20 module naar zijn bovenste uitgangspositie, de wafer vanuit deze passage naar de aangrenzende passage van de afvoertunnel wordt gestuwd. j
83. Werkwijze volgens Conclusie 32, met het kenmerk, dat daarbij ge- > □ruik wordt gemaakt van een tijdelijk bewerkstelligd drukverschil tussen de * de kamer van de spinning module en de passage van de afvoertunnel. 25. 34. Werkwijze volgens de Conclusie 83, me.t het kenmerk, dat daarbij verder gebruik wordt gemaakt van stuwstromen, welke afkomstig zijn van de toevoertunnelpassage.
85. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk,· dat daarin middelen inclusief spuitkoppen, sensoren, regelsystemen etc. : 3C zijn opgenomen voor het bewerkstelligen van de navolgende spin processings van de wafer: het opbrengen van pre coating, prime solvent in vloeibare of dampphase; het opbrengen van coating in vloeibare of dampphase; 35 het behandelen van het wafer-oppervlak met behulp van developing vloeistof of developing agent in damp/gasphase; het apbrengen van dopant agent; net apbrengen van areosol middelen ten behoeve van drogen; het opbrengen van etching agent in vloeibare phase of in dampphase; en het brengen van al dan niet verwarmd gasvormig medium naar de wafer. s ^ .. ·# V V s/ V V - 24 - f it ·
36, Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste één van de navolgende spin processings van de wafer wordt bewerkstelligd: het opbrengen van pre coating, prime solvent in vloeibare of dampphase; het opbrengen van coating in vloeibare of dampphase; het behandelen van het wafer-oppervlak met behulf van developing vloeistof" of developing agent in damp/gasphasej. het behandelen van het wafer-oppervlak met dopant agent; het opbrengen van areosol middelen ten behoeve van het drogen; het opbrengen van etching agent in vloeibare of in dampphase; en het brengen van al dan niet verwarmd gasvormig medium naar de wafer,
87, Werkwijze volgens de Conclusie 86, met het kenmerk, dat daarbij deze spin processing plaats vindt onder double-floating conditie van de wafer.
88, Werkwijze volgens de Conclusie 86, met het kenmerk, dat daarbij deze spin processing plaats vindt onder single-floating conditie. .'059