NL7906996A - Werkwijze voor het reinigen van een reaktor. - Google Patents

Werkwijze voor het reinigen van een reaktor. Download PDF

Info

Publication number
NL7906996A
NL7906996A NL7906996A NL7906996A NL7906996A NL 7906996 A NL7906996 A NL 7906996A NL 7906996 A NL7906996 A NL 7906996A NL 7906996 A NL7906996 A NL 7906996A NL 7906996 A NL7906996 A NL 7906996A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
reactor
cleaning
substrates
dry hydrogen
pressure
Prior art date
Application number
NL7906996A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Philips Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Nv filed Critical Philips Nv
Priority to NL7906996A priority Critical patent/NL7906996A/nl
Priority to CA000360274A priority patent/CA1143259A/en
Priority to FR8019848A priority patent/FR2465791A1/fr
Priority to AU62474/80A priority patent/AU6247480A/en
Priority to GB8030099A priority patent/GB2062689B/en
Priority to JP12866580A priority patent/JPS5653740A/ja
Priority to DE19803035379 priority patent/DE3035379A1/de
Publication of NL7906996A publication Critical patent/NL7906996A/nl

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/08—Reaction chambers; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
  • Cleaning In General (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

* PHN 9578 1 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken te EINDHOVEN.
"Werkwijze voor het reinigen van een reaktor”.
De uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het reinigen van een reaktor nadat daarin vanuit een gasfase tenminste één laag op substraten is aangebracht en de substraten uit de reaktor zijn verwijderd.
5 Werkwijzen voor het aanbrengen van lagen worden algemeen, bijvoorbeeld in de halfgeleidertechnologie, toegepast ter verkrijging van bijvoorbeeld isolerende, maskerende of passiverende lagen, bestaande uit bijvoorbeeld si-liciumnitride of siliciumdioxyde.
10 Dergelijke lagen kunnen in metalen of kwartsreak- toren vanuit een gasfase worden afgezet bijvoorbeeld onder verlaagde druk en eventueel onder toepassing van een gasplasma.
Het is daarbij in de praktijk moeilijk te ver-15 mijden dat het materiaal, waaruit de lagen zijn opgebouwd, zich ook op de reaktorwand afzet en, hetzij bij het verwijderen van de substraten uit de reaktor hetzij bij het inbrengen van een nieuwe charge substraten in de reaktor, van de reaktorwand op de substraten valt hetgeen aanleiding 20 geeft tot onreproduceerbare en andere ongewenste resultaten.
Een methode voor het reinigen van reaktoren bestaat in het spoelen van de reaktor met een oplossing die de afzetting verwijdert. Een dergelijke behandeling is tijdrovend en vereist veelal demontage van de reaktor.
25 Ook is getracht de reaktor te reinigen in een plasma met behulp van tetrafluormethaan. Ook dit proces vergt veel tijd en levert niet altijd een schone reaktor op.
Met de uitvinding wordt onder meer beoogd de genoemde ongewenste resultaten en tijdrovende reinigings-30 methoden althans in belangrijke mate te vermijden.
De uitvinding berust onder meer op het inzicht dat onder bepaalde voorwaarden reiniging van reaktoren vanuit een gasfase toch bijzonder goede resultaten kan geven.
7906996 PHN 9578 2
Volgens de uitvinding wordt de in de aankef* vermelde werkwijze derhalve daardoor gekenmerkt, dat het reinigen met een droge fluorwaterstof bevattende gasfase wordt uitgevoerd.
5 Het blijkt dat met de werkwijze volgens de uit vinding reaktoren snel en volledig gereinigd kunnen worden. Verdere voordelen van droge fluorwaterstof zijn dat het niet corrosief is en vluchtige reaktieprodukten levert.
Het is voor de werkwijze volgens de uitvinding 50 geen bezwaar indien het bij de reiniging te verwijderen materiaal tevoren is afgezet bij-aanwezigheid van een plasma.
Bij voorkeur wordt voor het reinigen de druk in de reaktor verlaagd en wordt vervolgens de droge fluorwater-55 stof in de reaktor gebracht. Deze uitvoering van de werkwijze volgens de uitvinding blijkt in de praktijk bijzonder handig te zijn.
Afhankelijk bijvoorbeeld van de dikte van de op de reaktorwand afgezette laag wordt het verlagen van de 2Q druk en het toevoeren van droge fluorwaterstof herhaald totdat de reaktorwand schoon is.
Bij voorkeur wordt het reinigingsproces begeleid door meting van de druk in de reaktor. Aan het konstant worden van de druk in het verloop van het reinigingsproces 25 kan worden vastgesteld dat 5f de gasfase is uitgeput wat betreft droge fluorwaterstof of het reinigingsproces is beëindigd.
Bijzonder goede resultaten worden verkregen wanneer siliciumnitride of siliciumdioxide bevattende lagen, 30 bijvoorbeeld in een plasma gedeponeerd, moeten worden verwijderd. Daarbij bedraagt de temperatuur van de wand van de reaktor minstens 160°.
De uitvinding zal nu worden toegelicht aan de hand van een voorbeeld.
35 Een ronde, vlakke reaktor van aluminium of roest vrij staal met een diameter van circa 0,75 m en een hoogte van circa 0,10 m wordt gebruikt voor het aanbrengen met behulp van een plasma vanuit een gasfase van een laag, bij- 7906996 PHN 9578 3 voorbeeld van sillciumnitride, op een aantal substraten voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen,
De betreffende gasfase wordt door de reaktor over naast elkaar liggende substraten gevoerd. Bij het op 5 een gebruikelijke wijze aanbrengen van een 1yum dikke si-liciumnitridelaag uit bijvoorbeeld silaan en ammoniak bij 300°C op de substraten wordt tevens een lyum dikke sili-ciumnitridelaag op de wand van de reaktor afgezet.
Volgens de uitvinding wordt na het verwijderen 10 van de substraten uit de reaktor de laag van de reaktor- wand verwijderd met behulp van een droge fluorwaterstof bevattende gasfase.
Hiertoe laat men voor het reinigen de druk in de reaktor dalen tot circa 1500 Pa en wordt vervolgens droge 15 fluorwaterstof aan de reaktor toegevoerd tot ca. 2500 Pa is bereikt.
Bij een reaktorwandtemperatuur van 200-300°C, verkregen met behulp van een in de reaktor ingebouwde weer-standsoven, wordt in circa 3 minuten een schone reaktor-20 wand verkregen.
Het beëindigen van het etsproces wordt gevolgd door drukmeting, deze wordt konstant bij circa 1500 Pa.
In dit geval behoeft slechts één maal droge fluorwaterstof aan de reaktor te worden toegevoerd.
25 Bij andere lagen dan sillciumnitride bijvoorbeeld zulke die siliciumdioxide of meerdere stoffen bevatten, worden overeenkomstige resultaten verkregen.
De uitvinding is niet beperkt tot het gegeven voorbeeld. Binnen het raam van de uitvinding staan de vak-30 man vele variaties ten dienste.
Zo kan bijvoorbeeld in plaats van een metalen reaktor een kwartsreaktor worden toegepast.
Behalve halfgeleiderinrichtingen kunnen andere inrichtingen, zoals geïntegreerde magneetkoppen voor het 35 inschrijven en uitlezen van informatie worden vervaardigd.
7906996

Claims (7)

1. Werkwijze voor het reinigen van een reaktor nadat daarin vanuit een gasfase tenminste één laag op substraten is aangebracht en de substraten uit de reaktor 5 zijn verwijderd, met het kenmerk, dat het reinigen met een droge fluorwaterstof bevattende gasfase wordt uitgevoerd.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat voor het reinigen de druk in de reaktor wordt verlaagd en vervolgens de droge fluorwaterstof aan de reaktor wordt 10 toegevoerd.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, met het kenmerk, dat het verlagen van de druk en het toevoegen van droge fluorwaterstof wordt herhaald totdat de reaktorwand schoon is.
4. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclu sies, met het kenmerk, dat het reinigingsproces begeleid wordt door meting van de druk in de reaktor.
5. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat een siliciumnitride bevattende 20 laag bij de reiniging wordt verwijderd.
6. Werkwijze volgens een van de voorgaande conclusies, met het kenmerk, dat een siliciumdioxyde bevattende laag bij de reiniging wordt verwijderd.
7. Werkwijze volgens conclusie 5> met bet kenmerk, 25 dat tijdens het reinigen de temperatuur van de wand van de reaktor tenminste 160°C bedraagt. 30 35 7906996
NL7906996A 1979-09-20 1979-09-20 Werkwijze voor het reinigen van een reaktor. NL7906996A (nl)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7906996A NL7906996A (nl) 1979-09-20 1979-09-20 Werkwijze voor het reinigen van een reaktor.
CA000360274A CA1143259A (en) 1979-09-20 1980-09-11 Method of cleaning a reactor
FR8019848A FR2465791A1 (fr) 1979-09-20 1980-09-15 Procede permettant de nettoyer un reacteur
AU62474/80A AU6247480A (en) 1979-09-20 1980-09-17 Cleaning method
GB8030099A GB2062689B (en) 1979-09-20 1980-09-17 Method of cleaning a reactor
JP12866580A JPS5653740A (en) 1979-09-20 1980-09-18 Method of cleaning reactor
DE19803035379 DE3035379A1 (de) 1979-09-20 1980-09-19 Verfahren zum reinigen eines reaktors

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7906996A NL7906996A (nl) 1979-09-20 1979-09-20 Werkwijze voor het reinigen van een reaktor.
NL7906996 1979-09-20

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL7906996A true NL7906996A (nl) 1981-03-24

Family

ID=19833876

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL7906996A NL7906996A (nl) 1979-09-20 1979-09-20 Werkwijze voor het reinigen van een reaktor.

Country Status (7)

Country Link
JP (1) JPS5653740A (nl)
AU (1) AU6247480A (nl)
CA (1) CA1143259A (nl)
DE (1) DE3035379A1 (nl)
FR (1) FR2465791A1 (nl)
GB (1) GB2062689B (nl)
NL (1) NL7906996A (nl)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4512812A (en) * 1983-09-22 1985-04-23 Varian Associates, Inc. Method for reducing phosphorous contamination in a vacuum processing chamber
US4597989A (en) * 1984-07-30 1986-07-01 Burroughs Corporation Method of depositing silicon films with reduced structural defects
US4657616A (en) * 1985-05-17 1987-04-14 Benzing Technologies, Inc. In-situ CVD chamber cleaner
GB2183204A (en) * 1985-11-22 1987-06-03 Advanced Semiconductor Mat Nitrogen trifluoride as an in-situ cleaning agent
US4786352A (en) * 1986-09-12 1988-11-22 Benzing Technologies, Inc. Apparatus for in-situ chamber cleaning
US5871811A (en) * 1986-12-19 1999-02-16 Applied Materials, Inc. Method for protecting against deposition on a selected region of a substrate
US5000113A (en) * 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
JP2708533B2 (ja) * 1989-03-14 1998-02-04 富士通株式会社 Ｃｖｄ装置の残留ガス除去方法
US5421957A (en) * 1993-07-30 1995-06-06 Applied Materials, Inc. Low temperature etching in cold-wall CVD systems
EP1083592A1 (en) * 1999-09-10 2001-03-14 Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw Etching of silicon nitride by anhydrous halogen gas
EP1083593A1 (en) * 1999-09-10 2001-03-14 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Etching of silicon nitride by anhydrous halogen gas

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1202616B (de) * 1962-02-23 1965-10-07 Siemens Ag Verfahren zum Entfernen der bei der Epitaxie auf dem Heizer abgeschiedenen Halbleiterschicht
DE1240818B (de) * 1963-03-23 1967-05-24 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von hochreinem Halbleitermaterial durch Abscheidung aus derGasphase
CH433206A (de) * 1963-12-14 1967-04-15 Siemens Ag Verfahren zum Reinigen von Halterungen aus Kohlenstoff, welche zur Befestigung von aus Halbleitermaterial bestehenden Trägerstäben dienen
DE1619997A1 (de) * 1967-03-29 1970-03-26 Siemens Ag Verfahren zum serienmaessigen Herstellen von epitaktischen Schichten aus der Gasphase
US3669774A (en) * 1969-11-20 1972-06-13 Rca Corp Low temperature silicon etch
GB1539700A (en) * 1976-05-14 1979-01-31 Int Plasma Corp Process for etching sio2
US4138306A (en) * 1976-08-31 1979-02-06 Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. Apparatus for the treatment of semiconductors

Also Published As

Publication number Publication date
GB2062689B (en) 1984-02-22
CA1143259A (en) 1983-03-22
DE3035379A1 (de) 1981-04-09
JPS5653740A (en) 1981-05-13
FR2465791A1 (fr) 1981-03-27
GB2062689A (en) 1981-05-28
FR2465791B1 (nl) 1984-07-13
AU6247480A (en) 1981-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL7906996A (nl) Werkwijze voor het reinigen van een reaktor.
US7452475B2 (en) Cleaning process and apparatus for silicate materials
EP0202733A3 (en) Process for applying a predetermined amount of catalyst to the interior surfaces of a hollow substrate
JP2007531269A (ja) 装置の構成要素のプラズマエンハンスクリーニングの方法及びその処理装置
DE69020200T2 (de) Verfahren zum Entfernen von Titannitrid.
US6504233B1 (en) Semiconductor processing component
JPH0982770A (ja) シリコンウエーハ内部の不純物分析方法
CA2021315A1 (en) Plasma removal of unwanted material
US5069724A (en) Method of cleaning carbon member contaminated with inorganic deposits
US7097713B2 (en) Method for removing a composite coating containing tantalum deposition and arc sprayed aluminum from ceramic substrates
US4751212A (en) Process for the manufacture of a catalyst for the reduction of nitrogen oxides in exhaust gases
JP2003055050A (ja) 酸化イットリウム質部材
US832288A (en) Method of treating metal pipe.
JP2901778B2 (ja) Ｈｆガスによる窒化珪素のクリーニング方法
US4998979A (en) Method for washing deposition film-forming device
EP1193327A1 (en) Silica glass apparatus for semiconductor industry and method for producing the same
JP3497846B2 (ja) セラミックス部材の洗浄方法
US6186154B1 (en) Find end point of CLF3 clean by pressure change
DE69901637T2 (de) Herstellung von korrosiosbeständigen keramischen Bauteilen
KR0145692B1 (ko) CVD코팅된 Si를 함침한 SiC 제품 및 그 제조방법
EP1158576A3 (en) Method for etching a compound metal oxide film and processing apparatus
EP1067207A1 (en) Phosphonic acid compound for eliminating hydrogen absorption during the heat treatment of aluminium
JPH04298038A (ja) ウエハの洗浄方法
DE2213036C3 (de) Verfahren zum Gasätzen einer Siliciumnitridschicht
RU2661320C1 (ru) Способ гидрофобизации субстрата

Legal Events

Date Code Title Description
A1B A search report has been drawn up
BV The patent application has lapsed