NL2006164C2 - A method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained. - Google Patents
A method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained. Download PDFInfo
- Publication number
- NL2006164C2 NL2006164C2 NL2006164A NL2006164A NL2006164C2 NL 2006164 C2 NL2006164 C2 NL 2006164C2 NL 2006164 A NL2006164 A NL 2006164A NL 2006164 A NL2006164 A NL 2006164A NL 2006164 C2 NL2006164 C2 NL 2006164C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- conductivity type
- semiconductor substrate
- emitter
- charge carriers
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 151
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 89
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 51
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 43
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 37
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 33
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 10
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 10
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 6
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 5
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 4
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 239000007790 solid phase Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- -1 aryl carboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N tetraethoxy silicate Chemical group CCOO[Si](OOCC)(OOCC)OOCC XQMTUIZTZJXUFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000001311 chemical methods and process Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 229910001510 metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005334 plasma enhanced chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003631 wet chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Claims (19)
1. Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel, omvattend de stappen van:
2. Werkwijze volgens conclusie 11, waarin het doteren van de tweede zijde het aanbrengen van een masker (19A) op het eerste gebied omvat en het aanbrengen van de dotering door het masker heen omvat.
3. Werkwijze volgens conclusie 2, waarin het masker (19A, 19B) slechts wordt aangebracht aan de tweede zijde en voorts 5 dient ter identificatie van de tweede zijde als achterzijde.
4. Werkwijze volgens conclusie 3, waarin een beschermlaag (15) wordt aangebracht voorafgaan aan het aanbrengen van de dotering in de vorm van ladingsdragers van het tweede geleidingstype.
5. Werkwijze volgens conclusie 4, waarin een texturisatiestap toegepast wordt op de eerste zijde na het aanbrengen van de beschermlaag (15) aan de tweede zijde (12) .
5. Het verschaffen van een monokristallijn halfgeleidersubstraat (10) met een eerste zijde (11) en een tegenoverliggende tweede zijde (12) gedoteerd met ladingsdragers van een eerste geleidingstype in een eerste concentratie;
6. Werkwijze volgens conclusie 1 of 2, waarin zowel het 15 halfgeleidersubstraat (10) zowel aan de eerste zijde (11) als aan de tweede zijde (12) gedoteerd wordt met ladingsdragers van het eerste geleidingstype volgens vooraf bepaalde patroon, en waarin een laag van het halfgeleidersubstraat (10) met genoemde ladingsdragers 20 verwijderd wordt van een van de eerste zijde (11) voorafgaand aan het aanbrengen van de ladingsdragers van het tweede geleidingstype, door welke verwijderstap de eerste zijde (11) onderscheiden wordt van de tweede zijde (12) en bepaald wordt als voorzijde.
7. Werkwijze volgens conclusie 1, voorts omvattend de stap van het aanbrengen van een diffusieweerstandslaag op de wanden van de gaten (through-holes).
8. Werkwijze volgens conclusie 7, waarbij de diffusieweerstandslaag zo gekozen wordt dat ladingsdragers 30 van het tweede geleidingstype door de diffusieweerstandslaag heen diffunderen met een diffusiesnelheid die ten hoogste substantieel gelijk is aan een diffusiesnelheid van de genoemde ladingsdragers van het tweede geleidingstype in het halfgeleidersubstraat.
9. Werkwijze volgens conclusie 1, waarin de definitie van de emittergebieden de definitie van selectieve 5 emittergebieden op voorafbepaalde locale gebieden aan de eerste zijde van het halfgeleidersubstraat omvat.
10. Werkwijze volgens conclusie 9, waarin de definitie van het emittergebied voorts de stap omvat van het definiëren van diffusiegebieden rond genoemde selectieve 10 emittergebieden, en waarbij de selectieve emittergebieden voorzien worden van de ladingsdragers in een hogere concentratie dan de diffusiegebieden.
10. Het doteren van de tweede zijde (12) van het halfgeleidersubstraat met ladingsdrager van het eerste geleidingstype voor het definiëren van een eerste veldgebied, waarin de tweede zijde gedoteerd wordt volgens een vooraf bepaald patroon, zodanig dat een 15 eerste gebied waarin een gat door het halfgeleidersubstraat (through-hole) gepland is, buiten het veldgebied blijft Het aanbrengen van de gaten door het halfgeleidersubstraat van de eerste zijde naar de 20 tweede zijde, elk gat voorzien van een wand; Het aanbrengen van dotering in de vorm van ladingsdragers van een tweede geleidingstype tegenovergesteld aan het eerste geleidingstype voor het definiëren van ten minste één emittergebied aan de 25 eerste zijde (11) van het halfgeleidersubstraat (10) en zich uitstrekkend langs de wanden van de gaten, en Het aanbrengen van geleidend materiaal voor de definitie van geleiders die zich uitstrekken van het ten minste ene emittergebied door de gaten heen. 30
11. Werkwijze volgens conclusie 1, waarin het veldgebied verder gepatroneerd is onder opdeling van het veldgebied in 15 het substraat in verscheidene veldgebieden.
12. Zonnecel omvattend een monokristallijn halfgeleidersubstraat met een eerste zijde en een tegenoverliggende tweede zijde, welk halfgeleidersubstraat voorzien is van: 20. dotering in de vorm van ladingsdragers van een eerste geleidingstype in een eerste concentratie ten minste een emittergebied aanwezig aan de eerste zijde en omvattend dotering in de vorm van ladingsdragers van een tweede geleidingstype tegenovergesteld aan het 25 eerste type, en; een veldgebied aanwezig aan de tweede zijde en omvattend dotering in de vorm van ladingsdragers van het eerste geleidingstype in een concentratie hoger dan de eerste concentratie, welk emittergebied, substraat en 30 veldgebied samen een p-i-n diode vormen; Welke zonnecel voorts omvat: geleiders die zich uitstrekken van het ten minste ene emittergebied naar eerste contacten die zich aan de tweede zijde van het substraat bevinden, welke geleiders in gaten door het substraat heen lopen en welke gaten voorzien van wanden langs welke het genoemde ten minste emittergebied zich uitstrekt, welke through-hole extensie of van het ten 5 minste ene emittergebied geïsoleerd is van het veldgebied, en tweede contacten locaal liggend op het veldgebied, Waarin het veldgebied gepatroneerd is, zodanig dat een eerste gedeelte van het substrate aan de tweede zijde rond 10 het gat zich buiten het veldgebied bevindt, en waarin de gaten en de ten minste ene emitter daarlangs zich uitstrekken totaan de tweede zijde van het substraat, zodanig dat de through-hole extensie geïsoleerd is van het veldgebied door het eerste gedeelte van het substraat.
13. Zonnecel volgens conclusie 12, waarin slechts de eerste zijde van het substraat voorzien is van texturisatie.
14. Zonnecel volgens conclusie 12, waarin het veldgebied in het substraat onderverdeeld is in verscheidene veldgebieden
15. Zonnepaneel omvattend ten minste één zonnecel volgens 20 een van de conclusies 12-14 en een paneeldrafger, waarin ten minste sommige van de eerste en tweede contacten van de zonnecel verbonden zijn met geleiders in de paneeldrager.
16. Werkwijze voor het vervaardigen van een zonnecel, omvattend de stappen van:
25. Het verschaffen van een monokristallijn halfgeleidersubstraat (10) met een eerste zijde (11) en een tegenoverliggende tweede zijde (12) gedoteerd met ladingsdragers van een eerste geleidingstype in een eerste concentratie;
30. Het doteren van de tweede zijde (12) van het halfgeleidersubstraat met ladingsdrager van het eerste geleidingstype voor het definiëren van een eerste veldgebied, waarin de tweede zijde gedoteerd wordt volgens een vooraf bepaald patroon, - Het aanbrengen van dotering in de vorm van ladingsdragers van een tweede geleidingstype 5 tegenovergesteld aan het eerste geleidingstype voor het definiëren van ten minste één emittergebied aan de eerste zijde (11) van het halfgeleidersubstraat (10) en zich uitstrekkend langs een blootgesteld oppervlak van het substraat richting de tweede zijde ervan, en 10 - Het aanbrengen van geleidend materiaal voor de definitie van geleiders die zich uitstrekken van het ten minste ene emittergebied naar contacten aan de tweede zijde.
17. Werkwijze volgens conclusie 16, met het kenmerk dat het 15 veldgebied gepatroneerd is onder defnitie van ongedoteerde gebieden naast een rand van het halfgeleidersubstraat en waarin de ladingsdragers van het tweede geleidingstype zich uitstrekken langs een zijkant van het halfgeleidersubstraat.
18. Werkwijze volgens Conclusie 16, waarin het veldgebied 20 gepatroneerd is ter onderverdeling in verscheidene veldgebieden.
19. Zonnecel omvattend een monokristallijn halfgeleidersubstraat met een eerste zijde en een tegenoverliggende tweede zijde, welk halfgeleidersubstraat 25 voorzien is van: dotering in de vorm van ladingsdragers van een eerste geleidingstype in een eerste concentratie ten minste een emittergebied aanwezig aan de eerste zijde en omvattend dotering in de vorm van ladingsdragers 30 van een tweede geleidingstype tegenovergesteld aan het eerste type, en; een veldgebied aanwezig aan de tweede zijde en omvattend dotering in de vorm van ladingsdragers van het eerste geleidingstype in een concentratie hoger dan de eerste concentratie, welk emittergebied, substraat en veldgebied samen een p-i-n diode vormen; Welke zonnecel voorts omvat: 5. geleiders die zich uitstrekken van het ten minste ene emittergebied naar eerste contacten die zich aan de tweede zijde van het substraat bevinden, en tweede contacten locaal liggend op het veldgebied, Waarin het veldgebied gepatroneerd is, zodanig dat een 10 eerste gedeelte van het substraat aan de tweede zijde zich buiten het veldgebied bevindt, zodat het eerste gedeelte een isolatie vormt tussen het veldgebied en een extensie van het emittergebied die zich naar de tweede zijde uitstrekt.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2006164A NL2006164C2 (en) | 2011-02-08 | 2011-02-08 | A method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained. |
| PCT/NL2012/050068 WO2012108767A2 (en) | 2011-02-08 | 2012-02-08 | A method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL2006164A NL2006164C2 (en) | 2011-02-08 | 2011-02-08 | A method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained. |
| NL2006164 | 2011-02-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL2006164C2 true NL2006164C2 (en) | 2012-08-09 |
Family
ID=44120751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL2006164A NL2006164C2 (en) | 2011-02-08 | 2011-02-08 | A method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained. |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| NL (1) | NL2006164C2 (nl) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468652A (en) * | 1993-07-14 | 1995-11-21 | Sandia Corporation | Method of making a back contacted solar cell |
| US20080174028A1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | General Electric Company | Method and Apparatus For A Semiconductor Structure Forming At Least One Via |
-
2011
- 2011-02-08 NL NL2006164A patent/NL2006164C2/en not_active IP Right Cessation
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5468652A (en) * | 1993-07-14 | 1995-11-21 | Sandia Corporation | Method of making a back contacted solar cell |
| US20080174028A1 (en) * | 2007-01-23 | 2008-07-24 | General Electric Company | Method and Apparatus For A Semiconductor Structure Forming At Least One Via |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| GEE J M ET AL: "Emitter wrap-through solar cell", PROCEEDINGS OF THE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE. LOUISVILLE, MAY 10 - 14, 1993; [PROCEEDINGS OF THE PHOTOVOLTAIC SPECIALISTS CONFERENCE], NEW YORK, IEEE, US, vol. CONF. 23, 10 May 1993 (1993-05-10), pages 265 - 270, XP010113396, ISBN: 978-0-7803-1220-3, DOI: 10.1109/PVSC.1993.347173 * |
| SMITH D D ET AL: "REVIEW OF BACK CONTACT SILICON SOLAR CELLS FOR LOW COST APPLICATION", 16TH. E.C. PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE. GLASCOW, UNITED KINGDOM, MAY 1 - 5, 2000; [PROCEEDINGS OF THE INTERNATIONAL PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE], LONDON : JAMES & JAMES LTD, GB, vol. CONF. 16, 1 May 2000 (2000-05-01), pages 1104 - 1107, XP001138830, ISBN: 978-1-902916-18-7 * |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL2018356B1 (en) | A method of manufacturing a passivated solar cell and resulting passivated solar cell | |
| US8492253B2 (en) | Method of forming contacts for a back-contact solar cell | |
| US7838400B2 (en) | Rapid thermal oxide passivated solar cell with improved junction | |
| EP4345921A2 (en) | Front contact solar cell with backside poly-crystalline silicon emitter | |
| NL2015534B1 (en) | Method of manufacturing a solar cell. | |
| US20150027522A1 (en) | All-black-contact solar cell and fabrication method | |
| EP2810303A2 (en) | Method for forming a solar cell with a selective emitter | |
| JP2010186900A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
| WO2011035272A1 (en) | Methods of building crystalline silicon solar cells for use in combinatorial screening | |
| US20100230771A1 (en) | Methods and arrangement for diffusing dopants into silicon | |
| WO2012108767A2 (en) | A method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained | |
| KR20190073372A (ko) | 고광전변환효율 태양전지 및 고광전변환효율 태양전지의 제조 방법 | |
| NL2006164C2 (en) | A method of manufacturing a solar cell and solar cell thus obtained. | |
| US9490387B2 (en) | Method of manufacturing a solar cell and equipment therefore | |
| WO2014137284A1 (en) | Method of fabricating a solar cell | |
| WO2010118479A1 (en) | Elongate solar cell and edge contact | |
| NL2021449B1 (en) | A method of manufacturing a passivated solar cell and resulting passivated solar cell | |
| US11222991B2 (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| KR20180064194A (ko) | 태양 전지 제조 방법 | |
| WO2017099020A1 (ja) | 半導体素子の製造方法および太陽電池の製造方法 | |
| WO2012108766A2 (en) | A method of manufactering a solar cell and a solar cell | |
| NL2006160C2 (en) | A method of manufacturing a solar cell and a solar cell. | |
| US20230253521A1 (en) | Solar cell manufacture | |
| US20230253520A1 (en) | Solar cell manufacture | |
| JP2018120979A (ja) | 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| SEIZ | Seizure |
Effective date: 20121016 |
|
| V1 | Lapsed because of non-payment of the annual fee |
Effective date: 20140901 |