NL188124C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.

Info

Publication number
NL188124C
NL188124C NLAANVRAGE7711263,A NL7711263A NL188124C NL 188124 C NL188124 C NL 188124C NL 7711263 A NL7711263 A NL 7711263A NL 188124 C NL188124 C NL 188124C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
load
manufacturing
semiconductor device
coupled type
coupled
Prior art date
Application number
NLAANVRAGE7711263,A
Other languages
English (en)
Other versions
NL7711263A (nl
NL188124B (nl
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of NL7711263A publication Critical patent/NL7711263A/nl
Publication of NL188124B publication Critical patent/NL188124B/nl
Application granted granted Critical
Publication of NL188124C publication Critical patent/NL188124C/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66946Charge transfer devices
    • H01L29/66954Charge transfer devices with an insulated gate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025Channel region of field-effect devices
    • H01L29/1062Channel region of field-effect devices of charge coupled devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/762Charge transfer devices
    • H01L29/765Charge-coupled devices
    • H01L29/768Charge-coupled devices with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/76866Surface Channel CCD
    • H01L29/76875Two-Phase CCD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
NLAANVRAGE7711263,A 1976-10-14 1977-10-13 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type. NL188124C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP51123189A JPS606101B2 (ja) 1976-10-14 1976-10-14 電荷転送装置の製法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL7711263A NL7711263A (nl) 1978-04-18
NL188124B NL188124B (nl) 1991-11-01
NL188124C true NL188124C (nl) 1992-04-01

Family

ID=14854384

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NLAANVRAGE7711263,A NL188124C (nl) 1976-10-14 1977-10-13 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4179793A (nl)
JP (1) JPS606101B2 (nl)
CA (1) CA1111138A (nl)
DE (1) DE2746335A1 (nl)
FR (1) FR2368145A1 (nl)
GB (1) GB1578949A (nl)
NL (1) NL188124C (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5217771A (en) * 1975-07-31 1977-02-09 Sony Corp Charge transfer device
CA1138992A (en) * 1978-06-02 1983-01-04 Sony Corporation Charge transfer device
US4692993A (en) * 1978-12-05 1987-09-15 Clark Marion D Schottky barrier charge coupled device (CCD) manufacture
US4345365A (en) * 1980-10-06 1982-08-24 Ncr Corporation Method for fabricating an integrated circuit
DE3037744A1 (de) * 1980-10-06 1982-05-19 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum herstellen einer monolithisch integrierten zwei-transistor-speicherzelle in mos-technik
US4360963A (en) * 1981-07-31 1982-11-30 Rca Corporation Method of making CCD imagers with reduced defects
JPS58212176A (ja) * 1982-06-02 1983-12-09 Nec Corp 電荷転送装置
FR2578683B1 (fr) * 1985-03-08 1987-08-28 Thomson Csf Procede de fabrication d'une diode anti-eblouissement associee a un canal en surface, et systeme anti-eblouissement obtenu par ce procede
US4607429A (en) * 1985-03-29 1986-08-26 Rca Corporation Method of making a charge-coupled device image sensor
JP2508668B2 (ja) * 1986-11-10 1996-06-19 ソニー株式会社 電荷転送装置
US4910569A (en) * 1988-08-29 1990-03-20 Eastman Kodak Company Charge-coupled device having improved transfer efficiency
JP2855291B2 (ja) * 1991-03-07 1999-02-10 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置
DE19622276C2 (de) * 1996-06-03 1998-07-09 Siemens Ag Halbleiterstruktur für einen MOS-Transistor und Verfahren zur Herstellung der Halbleiterstruktur

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3873371A (en) * 1972-11-07 1975-03-25 Hughes Aircraft Co Small geometry charge coupled device and process for fabricating same
FR2257145B1 (nl) * 1974-01-04 1976-11-26 Commissariat Energie Atomique
US3931674A (en) * 1974-02-08 1976-01-13 Fairchild Camera And Instrument Corporation Self aligned CCD element including two levels of electrodes and method of manufacture therefor
US4035906A (en) * 1975-07-23 1977-07-19 Texas Instruments Incorporated Silicon gate CCD structure
JPS5217771A (en) * 1975-07-31 1977-02-09 Sony Corp Charge transfer device

Also Published As

Publication number Publication date
FR2368145A1 (fr) 1978-05-12
JPS5347786A (en) 1978-04-28
NL7711263A (nl) 1978-04-18
FR2368145B1 (nl) 1982-06-04
NL188124B (nl) 1991-11-01
US4179793A (en) 1979-12-25
CA1111138A (en) 1981-10-20
DE2746335C2 (nl) 1989-06-01
DE2746335A1 (de) 1978-04-27
GB1578949A (en) 1980-11-12
JPS606101B2 (ja) 1985-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL176818C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL187508C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen.
NL186984C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting.
NL7609815A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL7810373A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7506594A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting ver- vaardigd met behulp van de werkwijze.
NL186796B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een ultrasone verstuiverinrichting.
NL186478C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7613440A (nl) Werkwijze en inrichting voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL176416C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting.
NL7604986A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting, en inrichting vervaardigd door toe- passing van de werkwijze.
NL7608923A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL7812385A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL7713004A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgelei- derinrichtingen.
NL188668C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting.
NL188774C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een samengestelde halfgeleiderinrichting.
NL7607558A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van soft-ice.
NL188124C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type.
NL7609607A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL186933C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type.
NL7509464A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7709833A (nl) Inrichting voor het vervaardigen van zakkettingen.
NL7505134A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting.
NL7710635A (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL185044B (nl) Halfgeleider-component en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

Legal Events

Date Code Title Description
BA A request for search or an international-type search has been filed
BB A search report has been drawn up
A85 Still pending on 85-01-01
BC A request for examination has been filed
V1 Lapsed because of non-payment of the annual fee