JP2855291B2 - 固体撮像装置 - Google Patents
固体撮像装置Info
- Publication number
- JP2855291B2 JP2855291B2 JP3065207A JP6520791A JP2855291B2 JP 2855291 B2 JP2855291 B2 JP 2855291B2 JP 3065207 A JP3065207 A JP 3065207A JP 6520791 A JP6520791 A JP 6520791A JP 2855291 B2 JP2855291 B2 JP 2855291B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transfer
- transfer gate
- charge
- transfer path
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 15
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 17
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 235000010724 Wisteria floribunda Nutrition 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/148—Charge coupled imagers
- H01L27/14831—Area CCD imagers
- H01L27/1485—Frame transfer
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Description
フルフレーム走査読出しにより高解像度の静止画撮像を
行う電荷結合型固体撮像装置に関する。
ス・フルフレーム走査読出しで静止画を撮像する電荷結
合型固体撮像装置(CCD)を、特願平2−17865
4号、特願平2−178655号、特願平2−1786
56号等で開示した。この電荷結合型固体撮像装置は、
従来から知られている4相駆動方式等を適用した電荷結
合型固体撮像装置に較べて、スメアの影響を受けず、且
つ、垂直解像度を向上することができる等の効果があ
る。
図7と図8と共に述べると、まず図7の構造図におい
て、この電荷結合型固体撮像装置は、半導体集積回路製
造技術により、半導体基板中に適宜の種類且つ不純物濃
度の層を埋設すると共に、該半導体基板上に電極層等を
積層することにより形成される。
(図示せず)内にn+ 形不純物からなる複数の不純物層
を列方向Y及び行方向Xに沿ってマトリクス状に埋設す
ることにより、n×m個のフォトダイオード(図中、各
列毎にP1 , P2 〜Pn で示す)を形成し、更に、列方
向Yに配列される各フォトダイオード群に隣接してn形
の不純物層を埋設すると共に、後述の転送ゲート電極を
積層することにより、m行の垂直電荷転送路L1 〜Lm
(図中には、一部の垂直電荷転送路Li , Li+1, L
i+2 を示す)が形成されている。
に、高濃度のn型不純物から成り不要電荷を廃棄するた
めのドレイン部2が埋設され、終端部分には、2相駆動
方式又は4相駆動方式の駆動信号α1 , α2 に同期して
電荷を転送する水平電荷転送路3が形成されている。
るように、各列のフォトダイオードに対して一対ずつの
転送ゲート電極G11 ,G21, G31 ,G41、G12, G22 ,
G32,G42 〜 G1n/2, G2n/2 ,G3n/2, G4n/2が設
けられている。尚、Y列方向にn列のフォトダイオード
P1 〜Pn が形成されるので、転送ゲート電極の総数は
2×n本となる。
て示す)トランスファゲートとなる部分とフォトダイオ
ードの部分と、垂直電荷転送路及び水平電荷転送路の部
分を除く周囲にp+ 形の不純物層から成るチャンネルス
トッパ(図中の点線で囲む斜線部分)が形成されてい
る。
31 ,G41 〜 G1n/2, G2n/2 ,G3n/2 ,G4n/2は、第
1の駆動回路4、第2の駆動回路5及びシフトレジスタ
6,7から供給される所定タイミングの駆動信号に同期
して画素信号の転送動作を行う。
徴として、水平電荷転送路9に最も近い側の転送ゲート
電極G11を基準にして、4本ずつの転送ゲート電極に組
分けして制御する。第1の駆動回路4は、各組の第1番
目の転送ゲート電極G11,G12,G13,G14〜G1n/2の
各端部がNMOSトランジスタM11,M12,M13,M14
〜M1n/2を介して、タイミング信号φL1の信号線に接続
し、各組の第2番目の転送ゲート電極G21,G22,
G23,G24〜G2n/2の各端部がNMOSトランジスタM
21,M22,M23,M24〜M2n/2を介して、タイミング信
号φL2の信号線に接続し、各組の第3番目の転送ゲート
電極G31,G32,G33,G34〜G3n/2の各端部がNMO
SトランジスタM31,M32,M33,M34〜M3n/2を介し
て、タイミング信号φL3の信号線に接続し、各組の第4
番目の転送ゲート電極G41,G42,G43,G44〜G4n/2
の各端部がNMOSトランジスタM41,M42,M43,M
44〜M4n/2を介して、タイミング信号φL4の信号線に接
続する。そして、シフトレジスタ6の各出力信号SL1〜
SLn/2が各組毎の4個ずつのNMOSトランジスタのゲ
ート電極に印加される。
21,G22,G23〜G2n/2の各端部には、ベース接点に信
号φFSA が印加されるnpnトランジスタQ21,Q22,
Q23〜G2n/2の各エミッタ接点が接続し、各組の第4番
目の転送ゲート電極G41,G42,G43〜G4n/2の各端部
には、ベース接点に信号φFSB が印加されるnpnトラ
ンジスタQ41,Q42,Q43〜G4n/2の各エミッタ接点が
接続し、全てのnpnトランジスタQ21〜Q4n/2のコレ
クタ接点には電圧VS が印加されている。第2の駆動回
路5は、タイミング信号φR1〜φR4をシフトレジスタ7
からの信号SR1, SR2, SR3〜SRn/2に同期して切換え
動作する2×n個のNMOSトランジスタm11 ,m21 ,
m31 ,m41〜m1n/2,m2n/2,m3n/2,m4n/2から成
る。
NMOSトランジスタm11を基準にして4個ずつのトラ
ンジスタを組にし、各組毎の各トランジスタのゲート電
極にシフトレジスタ7からの駆動信号SR1, SR2〜S
Rn/2が順番に供給される。次に、静止画撮像の動作を第
8図のチャイミングチャートと共に説明する。尚、静止
画撮像時には、タイミング信号φL1とφL3は常時“L”
レベル、φL2とφL4は常時“M”レベルに設定される。
まず図8において、垂直ブランキングTVBの開始時点に
おいて、シフトレジスタ7の全ての出力信号SR1〜S
Rn/2を“L”レベル、シフトレジスタ6の全ての出力信
号SL1〜SLn/2を“L”レベルに初期化する。
において、信号φFSA とφFSB を同時に“HH”レベル
にすることによりフィールドシフト動作を行う。即ち、
信号φFSA とφFSB が同時に“HH”レベルとなること
で、全てのnpnトランジスタQ21, Q41〜Q2n/2 ,Q
4n/2が導通状態となり、受光部7中の偶数番目の転送ゲ
ート電極G21, G41, G22, G42〜G2n/2, G4n/2下の
転送エレメントにフォトダイオードP1 〜Pn の全ての
画素信号がフィールドシフトされる。
31, G12, G32 〜G1n/2, G3n/2は、タイミング信号
φL1, φL3によって“L”レベルに設定されるので、相
互に隣接関係にある画素信号を混合させないためのポテ
ンシャル障壁を垂直電荷転送路L1 〜Lm 中に発生させ
る。
レジスタ7の出力SR1〜SRn/2の全てが“L”レベルに
設定されているので、第2の駆動回路5中のNMOSト
ランジスタm11〜m4n/2はオフ状態となる。したがっ
て、第2の駆動回路5と全ての転送ゲート電極G11〜G
4n/2は遮断状態となり、転送ゲート電極G11〜G4n/2は
第1の駆動回路4からの信号によってのみ制御される。
ると、水平ブランキング期間H1 において、シフトレジ
スタ7がシフト駆動信号φA1,φB1に同期して“M”レ
ベルのスタート信号φIN1 を入力すると共に、シフトレ
ジスタ6がシフト駆動信号φA2,φB2に同期して“L”
レベルのスタート信号φIN2 を入力する。次に、水平走
査期間T1 において、水平電荷転送路3がタイミング信
号α1 ,α2 に同期して水平転送することにより、水平
電荷転送路3中の不要電荷を外部へ廃棄する。
期間に、シフトレジスタ7がシフト駆動信号φA1 ,φB1
に同期してシフト動作することにより、第1番目の出力
信号SR1が“M”レベルとなり、他の出力信号SR2〜S
Rn/2が“L”レベルのままとなる。又、シフトレジスタ
6がシフト駆動信号φA2 ,φB2に同期してシフト動作す
ることにより、第1番目の出力信号SL1が“L”レベル
となり、他の出力信号SL2〜SLn/2が“H”レベルのま
まとなる。
φR2,φR3 ,φR4が第2の駆動回路5に印加されること
により、駆動信号S11, S21, S31, S41だけがタイミ
ング信号φR1 ,φR2 ,φR3 ,φR4と等しいタイミングで
第1組目の転送ゲート電極G 11, G21, G31, G41に印
加され、第1組目に該当する画素信号(P1 とP2 の列
の画素信号)が1列分水平電荷転送路3側へ転送される
こととなり、P1の列の画素信号だけが水平電荷転送路
3へ転送される。次に、水平走査期間T2 において、水
平電荷転送路3がタイミング信号α1 , α2 に同期して
水平転送することにより、第1列目(P1 の列)の画素
信号が点順次に読み出される。
期間に、シフトレジスタ7がシフト駆動信号φA1 ,φB1
に同期しシフト動作することにより、第1番目と第2番
目の出力信号SR1 ,SR2が“M”レベルとなり、他の出
力信号SR3〜SRn/2が“L”レベルのままとなる。又、
シフトレジスタ6がシフト駆動信号φA2 ,φB2に同期し
シフト動作することにより、第1番目と第2番目の出力
信号SL1, SL2が“L”レベルとなり、他の出力信号S
L3〜SLn/2が“H”レベルのままとなる。
φR2,φR3 ,φR4が第2の駆動回路5に印加されること
により、駆動信号S11, S21, S31, S41,S12, S
22, S32, S42だけがタイミング信号φR1 ,φR2 ,φ
R3 ,φR4と等しいタイミングで第1組目と第2組目の転
送ゲート電極G11, G21, G31, G41,G12, G22, G
32, G42に印加され、P2 の列及び第2組目(P3 とP
4 の列)に該当する画素信号が水平電荷転送路3側へ転
送されることとなり、P2 の列の画素信号だけが水平電
荷転送路3へ転送される。
水平電荷転送路3がタイミング信号α1 , α2 に同期し
て水平転送することにより、第2列目(P2 の列)の画
素信号が点順次に読み出される。このように、水平ブラ
ンキング期間毎に、シフトレジスタ7が毎回シフト動作
を行うことで出力信号SR1〜SRn/2を順番に“L”レベ
ルから“M”レベルに反転すると同時に、シフトレジス
タ6が毎回シフト動作を行うことにより出力信号SL1〜
SLn/2を順番に“M”レベルから“L”レベルに反転し
て、タイミング信号φR1 ,φR2 ,φR3 ,φR4による転送
ゲート電極の駆動範囲を徐々に拡大させ、全ての画素信
号を読み出すまで継続する。
送路L1 〜Lm は、水平電荷転送路3に近い側の画素信
号から所謂ドミノ倒しのようにして転送動作を行うの
で、従来の4相駆動方式による電荷転送の場合に較べて
少ない転送ゲート電極数で、ノンインターレース・フル
フレーム走査読出しを行うことができ、フィールド走査
のようなスメアの問題等を改善することができる。又、
転送ゲート電極数を少なくすることができる分だけ垂直
解像度の向上を図ることができる。
うな従来の電荷結合型固体撮像装置にあっては、図9の
要部拡大図及び図10の断面図に示すように、垂直電荷
転送路の画素信号を保持するための転送エレメントとポ
テンシャル障壁を発生させるための転送ゲート電極G11
〜G4n/2の電荷転送方向の幅がほぼ等しく設計され、フ
ィールドシフト時には、これらの転送ゲート電極下(図
10では、転送ゲート電極G21 ,G41, G22を代表して
示す)に交互に転送エレメントを発生させると同時に、
残りの転送ゲート電極(図10では、G11 ,G31, G
12, G32を代表して示す)下にポテンシャル障壁を発生
させて、全てのフォトダイオードの画素信号を転送エレ
メントへフィールドシフトさせる。そして、上述したよ
うに各列の画素信号毎にドミノ倒しのように順番に読み
出す。
信号の保持及び転送を実現するので、電荷転送の効率は
良いが、各画素に対応する各画素信号の電荷量は少なく
なり、ダイナミックレンジの向上が課題となっていた。
尚、周知の4相駆動方式のように多数の転送ゲート電極
で1画素信号を転送すれば、転送可能な電荷量を増加す
ることができるが、ノンインターレースフルフレーム走
査読出しのような高解像度の走査読出しを行うことがで
きなくなり、新たな手段の開発が望まれていた。
ものであり、垂直解像度を低下させることなく、転送可
能な電荷量を増加させることができる電荷結合型固体撮
像装置を提供することを目的とする。
発明は、画素に相当する複数の光電変換素子を列方向及
び行方向にマトリクス状に配列形成すると共に、列方向
に配列する各光電変換素子群に隣接する垂直電荷転送路
をトランスファゲートを介して形成し、これらの垂直電
荷転送路の転送ゲート電極を各列の光電変換素子に対応
して2列ずつ形成して成る受光部を具備し、静止画撮像
時に、上記垂直電荷転送路の転送ゲート電極の配列順に
交互に転送エレメントとポテンシャル障壁を発生させ
て、光電変換素子に発生した全ての画素信号を上記トラ
ンスファゲートを介して対応する転送エレメントへフィ
ールドシフトした後、相互に隣合う転送ゲート電極を所
定数ずつ組にして、各組毎の転送ゲート電極への所定タ
イミングの転送ゲート信号の印加を、水平電荷転送路に
最も近い側の組から順番に拡大していくことによって、
上記水平電荷転送路に最も近い側の組の画素信号から順
番に水平電荷転送路へ転送し、該水平電荷転送路が画素
信号を受信する毎に水平電荷転送動作により時系列に画
素信号を読出す転送動作を繰り返すことにより、画素信
号をノンインターレース・フルフレーム走査読出しする
電荷結合型固体撮像装置を対象とするものであり、上記
フィールドシフト時に転送エレメントを発生させる転送
ゲート電極の転送方向の幅(W1)とポテンシャル障壁
を発生させる転送ゲート電極の転送方向の幅(W2)
を、垂直電荷転送路の埋込チャンネル接合深さ
(XJBC )に対して、 W2>2・XJBC の条件を満足し且つ、W1≫W2の関係となるように形
成することとした。
体撮像装置によれば、画素信号を保持及び転送するため
の転送エレメントをポテンル障壁より大きな領域にする
ことが出来るので、転送可能な電荷量を従来より増加す
ることができる。この結果、ダイナミックレンジの向上
やスメアの影響を低減することができ、より鮮明が画質
の再生画像を実現することができる。
転送ゲート電極の最小幅(W2)を、埋込チャンネル接
合深さ(XJBC )の2倍を超える値に設定することによ
り、確実にポテンル障壁を発生させることができ、転送
エレメント間で画素信号が混合するような問題を生じな
い。
る。尚、この実施例の電荷結合型固体撮像装置は、第7
図及び第8図で説明した従来例と同様の構造及び動作を
行うものとする。
違点を図1ないし図6と共に説明すると、まず図1にお
いて、トランスファゲートTg を挟んで各フォトダイオ
ードに隣接する位置に転送エレメント(ポテンシャル井
戸)を発生させるための偶数番目の転送ゲート電極
G21,G41, G22〜G4n/2の電荷転送方向の幅W1と、
それらの間に設けられる奇数番目の転送ゲート電極G
11, G31, G12, G32〜G3n/2の電荷転送方向の幅W2
の比W1/W2を可能な限り大きくしてあり、更に、図
2及び図3に示すように、幅W2が、垂直電荷転送路を
形成するためにウェル層に埋設されるn形不純物層の埋
込チャンネル接合深さXJBC の2倍を超える値に設定さ
れている。即ち、幅W1とW2の設計条件を数式で示せ
ば、 W2>2・XJBC 及び、W1≫W2 の関係に設定される。
作を行うと、フィールドシフト時には、図4に示すよう
に広い幅W1に形成された転送ゲート電極下に転送エレ
メントが発生し、狭い幅W2に形成された転送ゲート電
極下にポテンシャル障壁が発生し、転送エレメントへ各
画素毎の画素信号がフィールドシフトされる。又、W2
>2・XJBC の関係に設定されているので、転送エレメ
ント間を分離するのに十分なレベルのポテンル障壁が発
生し、例えば図5に示すように、レベルが不十分で隣合
う転送エレメント中の画素信号が混合する問題を生じな
い。これは、埋込チャンネル接合深さXJBC の約2倍の
幅を境にして、それより狭い幅の転送ゲート電極を設計
すると、図6に示すように、ポテンシャル障壁の発生レ
ベルが低下し、それより広い幅の転送ゲート電極の場合
には、ほぼ一定の飽和レベルに維持することができるこ
とから、ポテンシャル障壁の確実な発生を保証すること
ができる。このようにこの実施例によれば、比較的簡単
な構造であるが、転送可能な電荷容量を増加させて、ノ
ンインターラインフルフレーム走査読出しを行うことが
でき、垂直解像度を低下させることなくダイナミックレ
ンジの向上及び雑音の影響を低減することができる。
固体撮像装置によれば、画素信号を保持及び転送するた
めの転送ゲート電極を発生させるための転送ゲート電極
を広くし、ポテンシャル障壁を発生させるための転送ゲ
ート電極を狭く形成したので、転送可能な電荷量を従来
に較べて増加することができ、ダイナミックレンジの向
上や雑音成分の影響を低減する等の効果が得られる。更
に、ポテンシャル障壁を発生させるための転送ゲート電
極の最小幅を垂直電荷転送路を形成するために埋設され
る埋込層の埋込チャンネル接合深さの2倍を超える幅に
設定するようにしたので、ポテンシャル井戸の発生を保
証することができ、電荷転送効率の低下を招来しない。
面図である。
ための説明図である。
ための説明図である。
ルの関係を示す説明図である。
ミングチャートである。
Claims (1)
- 【請求項1】 画素に相当する複数の光電変換素子を列
方向及び行方向にマトリクス状に配列形成すると共に、
列方向に配列する各光電変換素子群に隣接する垂直電荷
転送路をトランスファゲートを介して形成し、これらの
垂直電荷転送路の転送ゲート電極を各列の光電変換素子
に対応して2列ずつ形成して成る受光部を具備し、静止
画撮像時に、上記垂直電荷転送路の転送ゲート電極の配
列順に交互に転送エレメントとポテンシャル障壁を発生
させて、光電変換素子に発生した全ての画素信号を上記
トランスファゲートを介して対応する転送エレメントへ
フィールドシフトした後、相互に隣合う転送ゲート電極
を所定数ずつ組にして、各組毎の転送ゲート電極への所
定タイミングの転送ゲート信号の印加を、水平電荷転送
路に最も近い側の組から順番に拡大していくことによっ
て、上記水平電荷転送路に最も近い側の組の画素信号か
ら順番に水平電荷転送路へ転送し、該水平電荷転送路が
画素信号を受信する毎に水平電荷転送動作により時系列
に画素信号を読出す転送動作を繰り返すことにより、画
素信号をノンインターレース・フルフレーム走査読出し
する電荷結合型固体撮像装置において、前記フィールド
シフト時に転送エレメントを発生させる転送ゲート電極
の転送方向の幅(W1)とポテンシャル障壁を発生させ
る転送ゲート電極の転送方向の幅(W2)を、垂直電荷
転送路の埋込チャンネル接合深さ(XJBC )に対して、 W2>2・XJBC の条件を満足し且つ、W1≫W2の関係となるように形
成することを特徴とする電荷結合型固体撮像装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3065207A JP2855291B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 固体撮像装置 |
US08/052,864 US5978026A (en) | 1991-03-07 | 1993-04-28 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3065207A JP2855291B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 固体撮像装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04279062A JPH04279062A (ja) | 1992-10-05 |
JP2855291B2 true JP2855291B2 (ja) | 1999-02-10 |
Family
ID=13280244
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3065207A Expired - Fee Related JP2855291B2 (ja) | 1991-03-07 | 1991-03-07 | 固体撮像装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5978026A (ja) |
JP (1) | JP2855291B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6800870B2 (en) * | 2000-12-20 | 2004-10-05 | Michel Sayag | Light stimulating and collecting methods and apparatus for storage-phosphor image plates |
JP4249433B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2009-04-02 | Necエレクトロニクス株式会社 | 電荷転送素子及びその製造方法 |
DE10320166B4 (de) * | 2002-05-16 | 2007-06-06 | Dalsa Corp., Waterloo | Pixelentwurf für CCD-Bildsensoren |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3792322A (en) * | 1973-04-19 | 1974-02-12 | W Boyle | Buried channel charge coupled devices |
US3924319A (en) * | 1974-08-12 | 1975-12-09 | Bell Telephone Labor Inc | Method of fabricating stepped electrodes |
JPS606101B2 (ja) * | 1976-10-14 | 1985-02-15 | ソニー株式会社 | 電荷転送装置の製法 |
US4169231A (en) * | 1977-09-22 | 1979-09-25 | Hughes Aircraft Company | Buried channel to surface channel CCD charge transfer structure |
JPS55163882A (en) * | 1979-06-06 | 1980-12-20 | Nec Corp | System for driving charge transfer element |
NL8303268A (nl) * | 1983-09-23 | 1985-04-16 | Philips Nv | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van een dergelijke werkwijze. |
NL8501338A (nl) * | 1985-05-10 | 1986-12-01 | Philips Nv | Ladingsgekoppelde halfgeleiderinrichting en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
JPS6262553A (ja) * | 1985-09-12 | 1987-03-19 | Toshiba Corp | 固体撮像装置 |
US4891826A (en) * | 1988-11-14 | 1990-01-02 | Tektronix, Inc. | Method of operating a charge-coupled device to reduce spillback |
JP2736121B2 (ja) * | 1989-07-12 | 1998-04-02 | 株式会社東芝 | 電荷転送装置及び固体撮像装置 |
-
1991
- 1991-03-07 JP JP3065207A patent/JP2855291B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-04-28 US US08/052,864 patent/US5978026A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04279062A (ja) | 1992-10-05 |
US5978026A (en) | 1999-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5705837A (en) | Solid-state image pick-up device of the charge-coupled device type synchronizing drive signals for a full-frame read-out | |
US7230224B2 (en) | Solid state image pickup device with two photosensitive fields per one pixel | |
GB2132051A (en) | Solid-state imaging device | |
JPH01106676A (ja) | 固体イメージセンサ | |
US5757427A (en) | Image pick-up apparatus having a charge coupled device with multiple electrodes, a buffer layer located below some of the electrodes | |
US5426317A (en) | Frame interline transfer CCD imager | |
JP2855291B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
US20060164532A1 (en) | Solid state imaging apparatus and driving method for the solid stateimaging apparatus | |
KR950013435B1 (ko) | 정상상 및 거울상을 위한 고체촬영소자 | |
JPH0360226B2 (ja) | ||
US5379064A (en) | CCD imager having four-phase vertical shift registers operated by three-valued clock signals | |
KR100293774B1 (ko) | 고체촬상센서 | |
JP2500438B2 (ja) | 固体撮像素子とその駆動方法 | |
JPH08279608A (ja) | 電荷転送素子及び電荷転送素子の駆動方法 | |
JP2753895B2 (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH06268923A (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
JP3713863B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JPH08293592A (ja) | 固体撮像装置 | |
JP2866329B2 (ja) | 固体撮像素子の構造 | |
JP3277385B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
JP4075988B2 (ja) | 電荷転送装置及び固体撮像装置 | |
JPH09252106A (ja) | 固体撮像素子 | |
JPS61145974A (ja) | 固体撮像装置およびその駆動方法 | |
JPS60130978A (ja) | 固体イメ−ジセンサ | |
JPH0468879A (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071127 Year of fee payment: 9 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071127 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081127 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091127 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091127 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101127 Year of fee payment: 12 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |