NL176721C - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugeninrichting. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugeninrichting.Info
- Publication number
- NL176721C NL176721C NLAANVRAGE7512828,A NL7512828A NL176721C NL 176721 C NL176721 C NL 176721C NL 7512828 A NL7512828 A NL 7512828A NL 176721 C NL176721 C NL 176721C
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- manufacturing
- memory device
- semiconductor memory
- semiconductor
- memory
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
- H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
- H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
- H01L21/02238—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor silicon in uncombined form, i.e. pure silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
- H01L21/02255—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
- H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/788—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with floating gate
- H01L29/7881—Programmable transistors with only two possible levels of programmation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12555474A JPS5528232B2 (nl) | 1974-11-01 | 1974-11-01 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL7512828A NL7512828A (nl) | 1976-05-04 |
NL176721B NL176721B (nl) | 1984-12-17 |
NL176721C true NL176721C (nl) | 1985-05-17 |
Family
ID=14913063
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NLAANVRAGE7512828,A NL176721C (nl) | 1974-11-01 | 1975-10-31 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugeninrichting. |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5528232B2 (nl) |
DE (1) | DE2548903C2 (nl) |
NL (1) | NL176721C (nl) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53122374A (en) * | 1977-03-31 | 1978-10-25 | Fujitsu Ltd | Manufacture for double gate consitution semiconductor device |
DE2743422A1 (de) * | 1977-09-27 | 1979-03-29 | Siemens Ag | Wortweise loeschbarer, nicht fluechtiger speicher in floating-gate-technik |
DE2803431A1 (de) * | 1978-01-26 | 1979-08-02 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von mos-transistoren |
DE2814052A1 (de) * | 1978-03-31 | 1979-10-11 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung von oxidisolationsschichten fuer floating-gate-mos- transistoren, bzw. mos-transistoren mit mindestens zwei polysilicium-elektroden |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA813537A (en) * | 1967-10-17 | 1969-05-20 | Joseph H. Scott, Jr. | Semiconductor memory device |
GB1363190A (en) * | 1972-05-31 | 1974-08-14 | Plessey Co Ltd | Semiconductor memory device |
JPS5330310B2 (nl) * | 1972-09-13 | 1978-08-25 |
-
1974
- 1974-11-01 JP JP12555474A patent/JPS5528232B2/ja not_active Expired
-
1975
- 1975-10-31 NL NLAANVRAGE7512828,A patent/NL176721C/nl not_active IP Right Cessation
- 1975-10-31 DE DE2548903A patent/DE2548903C2/de not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE2548903A1 (de) | 1976-05-06 |
JPS5528232B2 (nl) | 1980-07-26 |
JPS5152281A (nl) | 1976-05-08 |
DE2548903C2 (de) | 1984-08-30 |
NL176721B (nl) | 1984-12-17 |
NL7512828A (nl) | 1976-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL176818C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL161302C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL186608C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een geintegreerde halfgeleiderinjectie-logicainrichting. | |
NL186984C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een transistorinrichting. | |
NL163370C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting met een geleiderpatroon. | |
NL186478C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7414007A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL185882C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een veldeffekttransistor. | |
NL7506539A (nl) | Werkwijze voor het testen van een halfgeleider- geheugenmatrix. | |
NL176416C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een thermo-electrische halfgeleiderinrichting. | |
NL7608923A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL188668C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleiderinrichting. | |
NL161409C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een houder. | |
NL161619C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL7413791A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL158022B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL7509464A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL188124C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting van het ladinggekoppelde type. | |
NL186933C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleidergeheugenschakeling van het ladinggekoppelde type. | |
NL7505134A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een half- geleiderinrichting. | |
NL165891C (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een halfgeleider- inrichting. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A85 | Still pending on 85-01-01 | ||
V4 | Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent |
Free format text: 951031 |