NL167549C - Werkwijze voor de vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met een halfgeleiderlichaam en ten minste twee op dit halfgeleiderlichaam aangebrachte lagen van metalen geleiderpatronen. - Google Patents

Werkwijze voor de vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met een halfgeleiderlichaam en ten minste twee op dit halfgeleiderlichaam aangebrachte lagen van metalen geleiderpatronen.

Info

Publication number
NL167549C
NL167549C NL6812782.A NL6812782A NL167549C NL 167549 C NL167549 C NL 167549C NL 6812782 A NL6812782 A NL 6812782A NL 167549 C NL167549 C NL 167549C
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
layers
manufacturing
patterns applied
conductor
Prior art date
Application number
NL6812782.A
Other languages
English (en)
Dutch (nl)
Other versions
NL6812782A (de
NL167549B (nl
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of NL6812782A publication Critical patent/NL6812782A/xx
Publication of NL167549B publication Critical patent/NL167549B/xx
Application granted granted Critical
Publication of NL167549C publication Critical patent/NL167549C/xx

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
    • H01L23/5329—Insulating materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/06—Glass compositions containing silica with more than 90% silica by weight, e.g. quartz
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
    • H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
    • H01L21/02129—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC the material being boron or phosphorus doped silicon oxides, e.g. BPSG, BSG or PSG
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/314—Inorganic layers
    • H01L21/316—Inorganic layers composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
    • H01L21/31604—Deposition from a gas or vapour
    • H01L21/31625—Deposition of boron or phosphorus doped silicon oxide, e.g. BSG, PSG, BPSG
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
    • H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2201/00—Glass compositions
    • C03C2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03C2201/20—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide
    • C03C2201/28—Doped silica-based glasses containing non-metals other than boron or halide containing phosphorus
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2203/00—Production processes
    • C03C2203/40—Gas-phase processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
NL6812782.A 1967-09-08 1968-09-06 Werkwijze voor de vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met een halfgeleiderlichaam en ten minste twee op dit halfgeleiderlichaam aangebrachte lagen van metalen geleiderpatronen. NL167549C (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US66642667A 1967-09-08 1967-09-08

Publications (3)

Publication Number Publication Date
NL6812782A NL6812782A (de) 1969-03-11
NL167549B NL167549B (nl) 1981-07-16
NL167549C true NL167549C (nl) 1981-12-16

Family

ID=24674094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL6812782.A NL167549C (nl) 1967-09-08 1968-09-06 Werkwijze voor de vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met een halfgeleiderlichaam en ten minste twee op dit halfgeleiderlichaam aangebrachte lagen van metalen geleiderpatronen.

Country Status (4)

Country Link
US (1) US3510728A (de)
DE (1) DE1764937C3 (de)
FR (1) FR1579257A (de)
NL (1) NL167549C (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE758160A (fr) * 1969-10-31 1971-04-01 Fairchild Camera Instr Co Structure metallique a couches multiples et procede de fabrication d'une telle structure
US3631304A (en) * 1970-05-26 1971-12-28 Cogar Corp Semiconductor device, electrical conductor and fabrication methods therefor
FR2134172B1 (de) * 1971-04-23 1977-03-18 Radiotechnique Compelec
DE3123348A1 (de) * 1980-06-19 1982-03-18 Tokyo Shibaura Denki K.K., Kawasaki, Kanagawa Halbleiterbaustein und verfahren zu dessen herstellung

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1303509B (de) * 1959-09-22 1972-07-13 Carman Laboratories Inc
DE1186950C2 (de) * 1960-02-15 1975-10-02 Deutsche Itt Industries Gmbh, 7800 Freiburg Verfahren zum entfernen von unerwuenschten metallen aus einem einen pn-uebergang aufweisenden silicium-halbleiterkoerper
US3271634A (en) * 1961-10-20 1966-09-06 Texas Instruments Inc Glass-encased semiconductor
NL297002A (de) * 1962-08-23 1900-01-01
US3366519A (en) * 1964-01-20 1968-01-30 Texas Instruments Inc Process for manufacturing multilayer film circuits
US3266127A (en) * 1964-01-27 1966-08-16 Ibm Method of forming contacts on semiconductors
US3343049A (en) * 1964-06-18 1967-09-19 Ibm Semiconductor devices and passivation thereof
US3419765A (en) * 1965-10-01 1968-12-31 Texas Instruments Inc Ohmic contact to semiconductor devices
US3413157A (en) * 1965-10-21 1968-11-26 Ibm Solid state epitaxial growth of silicon by migration from a silicon-aluminum alloy deposit

Also Published As

Publication number Publication date
FR1579257A (de) 1969-08-22
US3510728A (en) 1970-05-05
NL6812782A (de) 1969-03-11
DE1764937A1 (de) 1972-11-09
NL167549B (nl) 1981-07-16
DE1764937B2 (de) 1977-06-08
DE1764937C3 (de) 1984-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL153374B (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een oxydelaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
NL163058C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleider- inrichting, waarbij een metaallaag, die ten minste gedeeltelijk in aanraking is met een halfgeleider- lichaam wordt gebombardeerd met ionen.
NL153947B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, waarbij een selectief elektrolytisch etsproces wordt toegepast en halfgeleiderinrichting verkregen met toepassing van de werkwijze.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL144764B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van voorwerpen met twee op geringe afstand van elkaar gelegen elektrisch geleidende lagen, alsmede voorwerpen, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL142526B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen omvattende een halfgeleiderlichaam met nauwkeurig vastgestelde halfgeleidergebieden en afstanden daartussen.
NL162250B (nl) Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen.
NL154872B (nl) Een werkwijze voor het vervaardigen van omhulsels voor halfgeleiderelementen en voor geintegreerde halfgeleiderschakelingen en omhulsels vervaardigd volgens de werkwijze.
NL169250B (nl) Keten voor het in een blokkerende toestand brengen van een in geleidende toestand verkerende stuurbare halfgeleidergelijkrichter met een halfgeleiderlichaam met vier lagen van afwisselend tegengesteld geleidingstype.
NL162511C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL7608309A (nl) Half-geleiderinrichting voor een geintegreerde schakeling en werkwijze voor de vervaardiging daarvan.
NL158325B (nl) Halfgeleiderinrichting, omvattende een halfgeleiderlichaam met een veelvoud van geleidende lagen, met een vooraf bepaald patroon van geleiders.
NL167549C (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderschakeling met een halfgeleiderlichaam en ten minste twee op dit halfgeleiderlichaam aangebrachte lagen van metalen geleiderpatronen.
CH489915A (de) Integrierte Halbleiterschaltung
NL163371C (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling voorzien van een bestuurbaar halfgeleidergelijkrichterelement met vier opeenvolgende gebieden van afwisselend verschillend geleidingstype.
NL151845B (nl) Halfgeleiderinrichting met een elektrode, die uit een goud-chroomlegering bestaat en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL168369C (nl) Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderlichaam met oxydelaag en aldus vervaardigd halfgeleiderlichaam.
NL140363B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een geleidend kanaal en halfgeleiderinrichting vervaardigd door toepassing van de werkwijze.
NL147884B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van halfgeleiderinrichtingen met een vlak systeem van een of meer geleidende en isolerende lagen.
NL161618C (nl) Werkwijze ter vervaardiging van een geintegreerde halfgeleiderinrichting en geintegreerde halfgeleider- inrichting vervaardigd volgens de werkwijze.
CH485330A (de) Schaltungsanordnung, die mindestens einen Thyristor mit einem Halbleiterkörper mit Basis- und Emitterschichten enthält
NL156863B (nl) Halfgeleiderinrichting omvattende een dragerlichaam met ten minste twee in een vlak gelegen halfgeleidende gebieden die onderling en ten opzichte van een dragerlichaam elektrisch zijn geisoleerd en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
CA930478A (en) Semiconductor integrated circuit and methods of manufacturing the same
JPS5215256A (en) Integrated semiconductor logical circuit

Legal Events

Date Code Title Description
V4 Lapsed because of reaching the maximum lifetime of a patent