NL150620B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents

Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.

Info

Publication number
NL150620B
NL150620B NL696909457A NL6909457A NL150620B NL 150620 B NL150620 B NL 150620B NL 696909457 A NL696909457 A NL 696909457A NL 6909457 A NL6909457 A NL 6909457A NL 150620 B NL150620 B NL 150620B
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
semi
accordance
manufacturing
diffusion layer
semiconductor device
Prior art date
Application number
NL696909457A
Other languages
English (en)
Other versions
NL6909457A (nl
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
Publication of NL6909457A publication Critical patent/NL6909457A/xx
Publication of NL150620B publication Critical patent/NL150620B/nl

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B60VEHICLES IN GENERAL
    • B60PVEHICLES ADAPTED FOR LOAD TRANSPORTATION OR TO TRANSPORT, TO CARRY, OR TO COMPRISE SPECIAL LOADS OR OBJECTS
    • B60P1/00Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading
    • B60P1/04Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading with a tipping movement of load-transporting element
    • B60P1/16Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading with a tipping movement of load-transporting element actuated by fluid-operated mechanisms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B31/00Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
    • C30B31/06Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/22Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/04Dopants, special
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/041Doping control in crystal growth
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00Metal treatment
    • Y10S148/151Simultaneous diffusion

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Transportation (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
NL696909457A 1968-06-21 1969-06-20 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. NL150620B (nl)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5304368 1968-06-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
NL6909457A NL6909457A (nl) 1969-12-23
NL150620B true NL150620B (nl) 1976-08-16

Family

ID=12931841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL696909457A NL150620B (nl) 1968-06-21 1969-06-20 Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3615945A (nl)
DE (1) DE1931417C3 (nl)
FR (1) FR2011965B1 (nl)
GB (1) GB1199399A (nl)
NL (1) NL150620B (nl)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3798084A (en) * 1972-08-11 1974-03-19 Ibm Simultaneous diffusion processing
US3841927A (en) * 1972-11-10 1974-10-15 Owens Illinois Inc Aluminum metaphosphate source body for doping silicon
US3920882A (en) * 1973-04-16 1975-11-18 Owens Illinois Inc N-type dopant source
US3914138A (en) * 1974-08-16 1975-10-21 Westinghouse Electric Corp Method of making semiconductor devices by single step diffusion
US4099997A (en) * 1976-06-21 1978-07-11 Rca Corporation Method of fabricating a semiconductor device
US4029528A (en) * 1976-08-30 1977-06-14 Rca Corporation Method of selectively doping a semiconductor body
JPS5431273A (en) * 1977-08-15 1979-03-08 Hitachi Ltd Manufacture of semiconductor device
US4235650A (en) * 1978-09-05 1980-11-25 General Electric Company Open tube aluminum diffusion
US4239560A (en) * 1979-05-21 1980-12-16 General Electric Company Open tube aluminum oxide disc diffusion
DE3028346A1 (de) * 1980-07-25 1982-03-18 Josef 8221 Inzell Plereiter Kipperfahrzeug mit raupenfahrwerk
US4804634A (en) * 1981-04-24 1989-02-14 National Semiconductor Corporation Integrated circuit lateral transistor structure
DE3782608D1 (de) * 1986-09-30 1992-12-17 Siemens Ag Verfahren zum erzeugen eines p-dotierten halbleitergebiets in einem n-leitenden halbleiterkoerper.
JP3518745B2 (ja) * 2000-06-26 2004-04-12 日立金属株式会社 複合蒸着材およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE1931417B2 (de) 1973-03-08
US3615945A (en) 1971-10-26
DE1931417C3 (de) 1973-09-27
GB1199399A (en) 1970-07-22
DE1931417A1 (de) 1970-01-08
NL6909457A (nl) 1969-12-23
FR2011965B1 (nl) 1973-08-10
FR2011965A1 (nl) 1970-03-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL161617B (nl) Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL152114B (nl) Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL152214B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking, alsmede vervaardigde verpakking.
NL170901C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting.
NL161305C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting.
NL160680C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting.
NL181696C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam.
NL162789C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL150620B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL163369C (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting.
NL151213B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL162511B (nl) Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling.
NL154061B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze.
NL140657B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL149638B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL168654C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype.
NL140101B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL145093B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een, van een patroon voorzien luminescerend scherm voor een elektronenstraalbuis en luminescerend scherm vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL154866B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze.
NL166820C (nl) Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.
NL153719B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL155131B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting.
NL139414B (nl) Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze.
NL151558B (nl) Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.
NL181767C (nl) Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting.

Legal Events

Date Code Title Description
NL80 Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent

Owner name: MATSUSHITA

V4 Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent