NL150620B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze.Info
- Publication number
- NL150620B NL150620B NL696909457A NL6909457A NL150620B NL 150620 B NL150620 B NL 150620B NL 696909457 A NL696909457 A NL 696909457A NL 6909457 A NL6909457 A NL 6909457A NL 150620 B NL150620 B NL 150620B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- semi
- accordance
- manufacturing
- diffusion layer
- semiconductor device
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60P—VEHICLES ADAPTED FOR LOAD TRANSPORTATION OR TO TRANSPORT, TO CARRY, OR TO COMPRISE SPECIAL LOADS OR OBJECTS
- B60P1/00—Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading
- B60P1/04—Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading with a tipping movement of load-transporting element
- B60P1/16—Vehicles predominantly for transporting loads and modified to facilitate loading, consolidating the load, or unloading with a tipping movement of load-transporting element actuated by fluid-operated mechanisms
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B31/00—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor
- C30B31/06—Diffusion or doping processes for single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure; Apparatus therefor by contacting with diffusion material in the gaseous state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/04—Dopants, special
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/041—Doping control in crystal growth
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/151—Simultaneous diffusion
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Transportation (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5304368 | 1968-06-21 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL6909457A NL6909457A (nl) | 1969-12-23 |
NL150620B true NL150620B (nl) | 1976-08-16 |
Family
ID=12931841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL696909457A NL150620B (nl) | 1968-06-21 | 1969-06-20 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3615945A (nl) |
DE (1) | DE1931417C3 (nl) |
FR (1) | FR2011965B1 (nl) |
GB (1) | GB1199399A (nl) |
NL (1) | NL150620B (nl) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3798084A (en) * | 1972-08-11 | 1974-03-19 | Ibm | Simultaneous diffusion processing |
US3841927A (en) * | 1972-11-10 | 1974-10-15 | Owens Illinois Inc | Aluminum metaphosphate source body for doping silicon |
US3920882A (en) * | 1973-04-16 | 1975-11-18 | Owens Illinois Inc | N-type dopant source |
US3914138A (en) * | 1974-08-16 | 1975-10-21 | Westinghouse Electric Corp | Method of making semiconductor devices by single step diffusion |
US4099997A (en) * | 1976-06-21 | 1978-07-11 | Rca Corporation | Method of fabricating a semiconductor device |
US4029528A (en) * | 1976-08-30 | 1977-06-14 | Rca Corporation | Method of selectively doping a semiconductor body |
JPS5431273A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-08 | Hitachi Ltd | Manufacture of semiconductor device |
US4235650A (en) * | 1978-09-05 | 1980-11-25 | General Electric Company | Open tube aluminum diffusion |
US4239560A (en) * | 1979-05-21 | 1980-12-16 | General Electric Company | Open tube aluminum oxide disc diffusion |
DE3028346A1 (de) * | 1980-07-25 | 1982-03-18 | Josef 8221 Inzell Plereiter | Kipperfahrzeug mit raupenfahrwerk |
US4804634A (en) * | 1981-04-24 | 1989-02-14 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit lateral transistor structure |
DE3782608D1 (de) * | 1986-09-30 | 1992-12-17 | Siemens Ag | Verfahren zum erzeugen eines p-dotierten halbleitergebiets in einem n-leitenden halbleiterkoerper. |
JP3518745B2 (ja) * | 2000-06-26 | 2004-04-12 | 日立金属株式会社 | 複合蒸着材およびその製造方法 |
-
1969
- 1969-05-30 GB GB27564/69A patent/GB1199399A/en not_active Expired
- 1969-06-11 US US832281A patent/US3615945A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-06-18 FR FR696920352A patent/FR2011965B1/fr not_active Expired
- 1969-06-20 DE DE1931417A patent/DE1931417C3/de not_active Expired
- 1969-06-20 NL NL696909457A patent/NL150620B/nl not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1931417B2 (de) | 1973-03-08 |
US3615945A (en) | 1971-10-26 |
DE1931417C3 (de) | 1973-09-27 |
GB1199399A (en) | 1970-07-22 |
DE1931417A1 (de) | 1970-01-08 |
NL6909457A (nl) | 1969-12-23 |
FR2011965B1 (nl) | 1973-08-10 |
FR2011965A1 (nl) | 1970-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
NL161617B (nl) | Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL152114B (nl) | Werkwijze voor de vervaardiging van een meerlaagshalfgeleiderinrichting en met deze werkwijze vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL152214B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een verpakking, alsmede vervaardigde verpakking. | |
NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
NL161305C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
NL160680C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende inkapselbekleding en werkwijze voor het vervaardigen van de halfgeleiderinrichting. | |
NL181696C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met tenminste een halfgeleiderelement in een voor de halfgeleiderelementen gemeenschappelijk halfgeleiderlichaam. | |
NL162789C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL150620B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een dubbele diffusielaag, en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL163369C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleider- inrichting. | |
NL151213B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een planaire halfgeleiderinrichting, voorzien van een vrijwel uitsluitend uit palladium bestaande laag, alsmede de aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL162511B (nl) | Geintegreerde halfgeleiderschakeling met een laterale transistor en werkwijze voor het vervaardigen van de geintegreerde halfgeleiderschakeling. | |
NL154061B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd met behulp van de werkwijze. | |
NL140657B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting door een diffusiebehandeling en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL149638B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting bevattende ten minste een veldeffecttransistor, en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL168654C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een halfgeleiderlichaam van een eerste geleidingstype met een door diffusie gevormd oppervlaktegebied van een tweede geleidingstype. | |
NL140101B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL145093B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een, van een patroon voorzien luminescerend scherm voor een elektronenstraalbuis en luminescerend scherm vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL154866B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting alsmede halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL166820C (nl) | Halfgeleiderinrichting voorzien van een weerstands- element en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
NL153719B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een schottky-overgang en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL155131B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
NL139414B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze. | |
NL151558B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
NL181767C (nl) | Halfgeleiderinrichting van het ladingsgekoppelde type voor het opslaan en het overdragen van pakketten minderheidsladingsdragers en werkwijze voor het vervaardigen van een dergelijke halfgeleiderinrichting. |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
NL80 | Abbreviated name of patent owner mentioned of already nullified patent |
Owner name: MATSUSHITA |
|
V4 | Discontinued because of reaching the maximum lifetime of a patent |