NL1034059C2

NL1034059C2 - Werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels onder toepassing van een dampdepositieproces.

Info

Publication number: NL1034059C2
Application number: NL1034059A
Authority: NL
Inventors: Johannes Antoon Hartsuiker; Igor Milicevic; Mattheus Jacobus Nicolaas Van Stralen; Rob Hubertus Matheus Deckers; Marco Korsten
Original assignee: Draka Comteq Bv
Priority date: 2007-06-29
Filing date: 2007-06-29
Publication date: 2008-12-30
Also published as: CN101333067A; BRPI0802237B1; ATE481365T1; BRPI0802237A2; US20090004404A1; JP2009013053A; EP2008978B1; DE602008002481D1; EP2008978A1; JP5490379B2; US8168267B2; CN101333067B

Description

Korte aanduiding: Werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels onder toepassing van een dampdepositie-proces.

5 De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels onder toepassing van een dampdepositieproces, welke werkwijze de volgende stappen omvat: i) het verschaffen van een holle glazen substraatbuis voorzien van een toevoerzijde en een afvoerzijde, 10 ii) het aan het inwendige van de holle substraatbuis, via de toevoerzijde daarvan, toevoeren van al of niet gedoteerde, glasvormende gassen, iii) het in het inwendige van de holle substraatbuis creëren van temperatuur- en plasma-omstandigheden om depositie van glaslagen aan de binnenzijde van de holle substraatbuis tot stand te brengen, welke depositie is te 15 beschouwen als een aantal afzonderlijke fases, waarbij elke fase een begin- en eindbrekingsindexwaarde bezit en het op de binnenzijde van de holle substraatbuis afzetten van een aantal glaslagen omvat, waarbij het plasma over de longitudinale as van de holle substraatbuis heen en weer wordt bewogen tussen een omkeerpunt nabij de toevoerzijde en een omkeerpunt nabij de afvoerzijde van de holle 20 substraatbuis, en eventueel iv) het consolideren van de substraatbuis verkregen na stap iii) tot de voorvorm.

Volgens de in de aanhef vermelde werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke voorvormstaaf wordt een langwerpige glasachtige substraatbuis (uit 25 bijvoorbeeld kwarts samengesteld) op het inwendige cilindrische oppervlak hiervan bedekt met lagen al of niet gedoteerde siliciumdioxide (bijvoorbeeld met germanium gedoteerde siliciumdioxide). De hierin toegepaste term “siliciumdioxide” moet worden beschouwd als elke stof in de vorm van SiOx, al of niet stoichiometrisch, en al of niet kristallijn of amorf. Dit kan tot stand worden gebracht door het positioneren 30 van de substraatbuis langs de cilindrische as van de resonantieruimte, en het spoelen van het inwendige van de buis met een gasvormig mengsel, omvattende 02, SiCI4 en GeCI2 (bijvoorbeeld). Een plaatselijk plasma wordt gelijktijdig binnen de ruimte opgewekt waardoor de reactie van Si, O en Ge plaatsvindt om aldus een directe depositie van aldus bijvoorbeeld Ge-gedoteerde SiO„ op het inwendige 1034059 2 oppervlak van de substraatbuis te bewerkstelligen. Omdat een dergelijke depositie slechts optreedt in de nabijheid van het plaatselijk plasma, moet de resonantieruimte (en aldus het plasma) langs de cilindrische as van de buis worden verplaatst om de buis over de volledige lengte hiervan uniform te bedekken.

5 Wanneer het bedekken is voltooid, wordt de buis aan een thermische contractiehandeling onderworpen ter vorming van een staaf die is voorzien van een kerndeel van Ge-gedoteerde siliciumdioxide en een omhullend manteldeel van ongedoteerde siliciumdioxide. Indien een uiteinde van de staaf zodanig wordt verwarmd dat het uiteinde zal smelten, kan een dunne glasvezel uit de staaf worden 10 getrokken en op een spoel worden gewikkeld; deze vezel bezit vervolgens een kernen manteldeel corresponderend met die van de staaf. Omdat de Ge-gedoteerde kern een hogere brekingsindex dan de niet-gedoteerde mantel bezit, kan de vezel als een golfgeleider fungeren, bijvoorbeeld om te worden toegepast bij de propagatie van optische telecommunicatiesignalen. Er moet worden opgemerkt dat 15 het door de substraatbuis stromende gasvormige mengsel ook andere bestanddelen kan bevatten, bijvoorbeeld de toevoeging van C2F6 zorgt voor een reductie in de brekingsindexwaarde van de gedoteerde siliciumdioxide. Er moet ook worden opgemerkt dat de voorvormstaaf aan de buitenzijde daarvan van een extra laag glas kan worden voorzien, bijvoorbeeld door silica door middel van een depositieproces 20 of de voorvormstaaf te plaatsen in een zogenaamde mantelbuis (samengesteld uit niet-gedoteerde siliciumdioxide), voordat de trekhandeling plaatsvindt, om aldus de hoeveelheid niet-gedoteerde siliciumdioxide ten opzichte van gedoteerde siliciumdioxide in de uiteindelijke vezel te verhogen.

De toepassing van een dergelijke vezel voor telecommunicatie-25 doeleinden vereist dat de vezel in wezen vrij van tekortkomingen (bijvoorbeeld discrepanties in gehalte doteringen, ongewenste dwarsdoorsnede-ellipticiteit en dergelijke) is, omdat, indien beschouwd over een grote lengte van de vezel, dergelijke tekortkomingen een ernstige verzwakking van het getransporteerde signaal kunnen veroorzaken. Dientengevolge is het van belang dat het PCVD-30 proces zeer uniform is omdat de kwaliteit van de door depositie aangebrachte PCVD-lagen uiteindelijk de kwaliteit van de vezels zal bepalen.

Een inrichting voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels onder toepassing van een dampdepositieproces is op zich bekend uit de Koreaanse octrooiaanvrage 2003-774952. Volgens de daaruit bekende 3 inrichting wordt een optische voorvorm vervaardigd door middel van een MCVD (Modified Chemical Vapor Deposition) proces, waarbij een afvoerbuis en een insteekbuis worden toegepast, welke afvoerbuis aan de substraatbuis is bevestigd. De insteekbuis is in de afvoerbuis geplaatst en bezit een uitwendige diameter bezit 5 die geringer is dan die van de afvoerbuis. In de insteekbuis is een orgaan voor het wegschrapen van soot geplaatst, omvattende een staaf die in het inwendige van de insteekbuis roteert en in contact staat met de inwendige diameter daarvan. Tussen de insteekbuis en de afvoerbuis is sprake van een annulaire ruimte waardoor gassen worden geleid.

10 Uit de internationale aanvrage WO 89/02419 is een inrichting voor het door middel van een inwendig dampdepositieproces vervaardigen van een optische voorvorm bekend, waarbij voor het verwijderen van vaste, niet-afgezette deeltjes een buisvormig deel aan de pompzijde van een substraatbuis is gemonteerd. In het bijzonder omvat een dergelijke inrichting een schroefconstructie 15 die het inwendig oppervlak van het buisvormig deel volgt, welke schroefconstructie een open gasleiding omvat, uitgevoerd in een spiraalvorm en roteerbaar is.

Tijdens het inwendig in een substraatbuis afzetten van al of niet gedoteerde glaslagen, in het bijzonder door middel van het PCVD-proces (Plasma Chemical Vapor Deposition), kunnen kwartslagen van geringe kwaliteit worden 20 afgezet, in het bijzonder in het gebied dat zich buiten het pendeltraject van de over de lengte van de substraatbuis verplaatsende energiebron, te weten de resonator, bevindt. Als voorbeelden van dergelijke lage kwaliteit kwartslagen moet aan zogenaamde sootringen, maar ook aan kwarts met hoge interne spanning, ten gevolge van een hoog gehalte doteringsmiddel, worden gedacht.

25 De onderhavige uitvinders hebben ondervonden dat dergelijk, in het inwendige van de substraatbuis aanwezige lage kwaliteit kwarts de substraatbuis negatief kan beïnvloeden, in het bijzonder door de vorming van gasbellen nabij de toevoerzijde van de substraatbuis wanneer de holle substraatbuis tot een massieve vorm wordt gecontraheerd. Daarnaast hebben de onderhavige uitvinders gevonden 30 dat tijdens het contractieproces dergelijk lage kwaliteit kwarts kan loskomen van het inwendige van de substraatbuis waardoor vervuiling of bellenvorming elders in de substraatbuis kan optreden. Een ander negatief aspect is dat in het gebied van geringe kwaliteit kwarts scheuren kunnen optreden die kunnen propageren in de richting van het centrum van de substraatbuis, hetgeen ongewenst is.

4

Verder hebben de onderhavige uitvinders geconstateerd dat het kwarts van geringe kwaliteit voor verstopping van de substraatbuis en de bijbehorende leidingen kan zorgen waardoor de druk tijdens het depositieproces naar een ongewenst hoge waarde kan toenemen waardoor het depositieproces in de 5 substraatbuis negatief wordt beïnvloed, hetgeen in de praktijk wordt waargenomen als een witte kleur.

De substraatbuis zelf is van hoge kwaliteit kwarts. De totale lengte van de substraatbuis zal in de praktijk echter langer zijn dan het deel van de substraatbuis dat uiteindelijk door middel van een trekproces wordt omgezet in een 10 glasvezel omdat de beide uiteinden van de substraatbuis, alwaar depositie plaatsvindt, voor ongewenste neveneffecten kunnen zorgen, te weten depositiedefecten, vervuiling, vorming van bellen en dergelijke.

De onderhavige uitvinders hebben in het bijzonder geconstateerd dat, waarbij aan de afvoerzijde van de holle substraatbuis een zogenaamde 15 insteekbuis wordt toegepast, de afzetting van soot met name optreedt bij hoge depositiesnelheden, in het bijzonder depositieprocessen wanneer de afzetting van glaslagen meer dan 3 g/minuut bedraagt, welke processen in het algemeen langer dan 5 uren duren. Een dergelijke insteekbuis bezit een uitwendige diameter die geringer is dan de inwendige diameter van de holle substraatbuis zelf, en is in het 20 algemeen nauwsluitend ter hoogte van de afvoerzijde in de substraatbuis geplaatst. Ten gevolge van de opbouw van soot in de insteekbuis zal de druk in de holle substraatbuis toenemen, hetgeen tot gevolg heeft dat het depositie-rendement van SiCI4 verder zal afnemen waardoor ongewenst (nog) meer soot zal worden gevormd. Een dergelijk proces is zelfversterkend, hetgeen betekent dat het depositieproces 25 spoedig zal moeten worden beëindigd ten gevolge van een volledige blokkering van de doorgang van de insteekbuis aan de afvoerzijde van de holle substraatbuis. Het onderbreken van het depositieproces is als ongewenst aan te merken.

Het doel van de onderhavige uitvinding is aldus het verschaffen van een werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels waarbij 30 de kans op het verstoppen van de insteekbuis nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis tot een minimum is beperkt.

Een ander doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels waarbij onder toepassing van hoge depositiesnelheden en langdurige procestijden 5 het depositieproces niet onnodig ten gevolge van verstopping moet worden beëindigd.

De onderhavige uitvinding zoals vermeld in de aanhef wordt gekenmerkt doordat gedurende stap iii) de depositie van glaslagen aan de 5 binnenzijde van de holle substraatbuis wordt onderbroken door het uitvoeren van ten minste een tussenstap, welke tussenstap omvat het aan de toevoerzijde van de holle substraatbuis toevoeren van een etsgas, terwijl in de tussenstap de toevoer van de al of niet gedoteerde, glasvormende gassen wordt beëindigd, en het eventueel voortzetten van de depositie na het beëindigen van de tussenstap.

10 Onder toepassing van een dergelijke maatregel wordt aan een of meer van de voornoemde doelstellingen voldaan. De onderhavige uitvinders hebben gevonden dat de beginpositie en de exacte distributie van de depositie van glaslagen op het inwendige van de holle substraatbuis afhangt van een aantal procescondities, zoals bijvoorbeeld het toegepaste plasmavermogen, de druk in de 15 holle substraatbuis, de configuratie van de resonator en de depositiesnelheid. De onderhavige uitvinders hebben aldus geconstateerd dat er tijdens het PCVD-proces een geringe fractie van de glaslagen wordt afgezet op het inwendige van de insteekbuis nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis. Ten gevolge van de in de insteekbuis heersende lage temperatuur, ten opzichte van de temperatuur 20 heersend in de holle substraatbuis zelf, wordt in plaats van kwarts aldaar een zekere hoeveelheid soot afgezet. Het aldus afgezette materiaal, te weten soot, bezit een veel hoger soortelijk volume dan kwarts, zodat zelfs een geringe hoeveelheid soot tot een verstopping in de insteekbuis kan leiden. Bovendien kan dergelijk sootmateriaal van het inwendige van de holle substraatbuis loskomen en leiden tot 25 vervuilingen elders in de substraatbuis. Door nu de depositiestap iii) bij voorkeur tussen de ene depositefase en de opvolgende depositiefase(s) tijdelijk te onderbreken, gedurende welke onderbreking een tussenstap wordt uitgevoerd, welke tussenstap het via de toevoerzijde aan het inwendige van de holle substraatbuis toevoeren van een etsgas omvat, wordt de eerder afgezette sootlaag 30 verwijderd uit het inwendige van de insteekbuis en/of substraatbuis. Een depositiefase omvat het aan de toevoerzijde van de holle substraatbuis toevoeren van glasvormende bestanddelen in een dragergas, zoals bijvoorbeeld SiCI4, GeCI4, C2F6 en 02. In de tussenstap wordt slechts een halogeen bevattend gas aan het inwendige van de holle substraatbuis via de toevoerzijde toegevoerd, welk etsgas 6 eventueel kan zijn voorzien van een drager- of spoelgas, zoals zuurstof. De tussenstap wordt in feite beëindigd door de toevoer van de glasvormende gassen aan het inwendige van de holle substraatbuis te hervatten, eventueel in combinatie met brekingsindex veranderende (verhogende, verlagende) doteermiddelen. Aldus 5 kan er in een bijzondere uitvoeringsvorm van de onderhavige aanvrage sprake zijn van een afwisseling van depositiefases en tussenstap(pen). Voor een zogenaamde step-index voorvorm is het mogelijk de tussenstap uit te voeren binnen een depositiefase zelf, terwijl voor een zogenaamde gradiënt index voorvorm een onderbreking binnen een depositiefase zelf als ongunstig wordt aangemerkt omdat 10 een ongewenste profielverstoring het resultaat is. Aldus verdient het de voorkeur om voor een voorvorm van het type gradiënt indexprofiel de tussenstap volgens de onderhavige uitvinding uit te voeren tussen de ene depositiefase en de opvolgende depositiefase(s), welke depositiefases kunnen leiden tot verschillende glassamenstellingen, mogelijk resulterend in verschillende brekingsindexwaarden. 15 Aldus is gebleken dat volgens effectieve wijze het in de insteekbuis aanwezige soot volgens een dergelijke tussenstap wordt weggeëtst waardoor aldus het mogelijk optreden van verstoppingen in de insteekbuis wordt voorkomen. Na een dergelijke tussenstap, waarbij een etshandeling wordt uitgevoerd, wordt de depositie van glaslagen hervat. Het verdient derhalve de voorkeur om tussen elke depositiefase 20 voornoemde tussenstap uit te voeren.

Het in de onderhavige uitvinding toegepaste etsgas is bij voorkeur een halogeen bevattend gas, in het bijzonder een fluor bevattend gas, met name gekozen uit de groep van CCI2F2, CF4, C2F6, SF6, F2 en S02F2, of een combinatie hiervan, waarbij het fluor bevattende bestanddeel in een spoelgas aanwezig kan 25 zijn. Als etsgas verdienen met name C2F6 en SFe de voorkeur.

In een bijzondere uitvoeringsvorm wordt de tussenstap bij voorkeur uitgevoerd gedurende een periode liggend in het gebied van 5-15 minuten, waarbij in de tussenstap het met name de voorkeur verdient dat de substraatbuis wordt geroteerd.

30 Hoewel tijdens stap iii) het plasma over de longitudinale as van de holle substraatbuis heen en weer pendelt tussen het omkeerpunt nabij de toevoerzijde en het omkeerpunt nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis, is het in een bijzondere uitvoeringsvorm mogelijk dat gedurende de tussenstap het plasma zich bevindt ter hoogte van het omkeerpunt nabij de afvoerzijde van de holle 7 substraatbuis. In een dergelijke uitvoeringsvorm wordt de tussenstap met name uitgevoerd op een positie waar de afzetting van soot overheersend is, te weten nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis, in het bijzonder in de insteekbuis die zich aan voornoemde zijde bevindt. In een dergelijke uitvoeringsvorm is het mogelijk dat 5 het daarbij toegepaste plasmavermogen wordt ingesteld op een waarde van ten hoogste 10 kW, in het bijzonder op een waarde van ten hoogste 5 kW, waarmee in het bijzonder wordt voorkomen dat de substraatbuis en/of insteekbuis zal gaan smelten.

De onderhavige uitvinding is met name geschikt voor voorvormen 10 waaruit single mode optische vezels worden verkregen, maar de onderhavige uitvinding kan ook geschikt worden toegepast om na het beëindigen van stap iii) de voorvorm over het volledige inwendige gebied daarvan te ontdoen van lagen met hoog gehalte germanium, welke lagen verantwoordelijk zijn voor het optreden van lagensprong wanneer de holle substraatbuis aan een consolidatiehandeling ter 15 vervaardiging van de massieve voorvorm wordt onderworpen. Door aldus lagen met hoog gehalte germanium te verwijderen, wordt de kans op lagensprong voorkomen.

De onderhavige uitvinding zal hierna aan de hand van een voorbeeld worden toegelicht, waarbij echter dient te worden opgemerkt dat de onderhavige uitvinding in geen geval tot een dergelijk bijzonder voorbeeld is 20 beperkt. De Figuur betreft een schematische weergave van de bij het depositieproces toegepaste apparatuur.

Voorbeeld

Een uit kwarts vervaardigde holle substraatbuis 2 werd door middel van een standaard PCVD proces, zoals bekend is uit het Nederlands octrooi 25 NL 1 023 438 ten name van de onderhavige aanvrager, vervaardigd. De holle substraatbuis 2, voorzien van een toevoerzijde 5 en een afvoerzijde 6, werd in een oven 1 geplaatst, in welke oven 1 zich een resonator 3 bevindt, welke resonator 3 binnen de oven 1 over de lengte van de holle substraatbuis 2 heen en weer verplaatsbaar is. Aan de resonator 3 wordt microgolvenenergie via golfgeleider 4 30 toegevoerd om in het inwendige 7 van de holle substraatbuis 2 plasma- omstandigheden te creëren, welke plasma-omstandigheden ertoe dienen om glaslagen op het inwendige 7 van de holle substraatbuis 2 af te zetten. Ter hoogte van de afvoerzijde 6 van de holle substraatbuis 2 bevindt zich in de holle substraatbuis 2 een zogenaamde insteekbuis (niet weergegeven), in welke δ insteekbuis afzetting van soot plaatsvindt ter hoogte van verwijzingscijfer 9. Een dergelijke insteekbuis bezit een uitwendige diameter die geringer is dan de inwendige diameter van de holle substraatbuis 2 zelf, en is in het algemeen nauwsluitend ter hoogte van de afvoerzijde 6 in de substraatbuis 2 geplaatst. De 5 onderhavige uitvinders hebben geconstateerd dat het door de resonator 3 opgewekte plasma zich enigszins buiten de resonator 3 kan bevinden, waarbij met name het plasma uit de resonator 3 treedt ter hoogte van de afvoerzijde 6, nabij de insteekbuis. Tengevolge van genoemde sootdepositie werd het effectieve dwars-doorsnedeoppervlak in de insteekbuis gereduceerd waardoor in de holle 10 substraatbuis 2 sprake was van drukverhoging, hetgeen het depositieproces ongewenst beïnvloedde. Dergelijke sootringen waren tijdens het depositieproces visueel waarneembaar. De onderhavige aanvrage ziet er met name op toe om dergelijke sootdepositie op elk gewenst moment te verwijderen, in het bijzonder tijdens hetdepositeproces.

15 Een inwendig chemisch dampdepositieproces werd uitgevoerd door het plasma met een snelheid van 20 m/min. over de lengte van een holle glazen substraatbuis 2 heen en weer te bewegen, welke holle substraatbuis 2 in het inwendige van een oven 1 is gepositioneerd. De oven 1 werd ingesteld op een temperatuur van 1000 °C en een plasmavermogen van 9 kW werd toegepast. De 20 afzetsnelheid van glaslagen op het inwendige van de aldus gepositioneerde holle substraatbuis 2 bedroeg 3,1 g/min., op basis van Si02, waarbij de inwendige druk in de holle substraatbuis 2 ongeveer 10 mbar bedroeg. Aan het inwendige 7 van de holle substraatbuis 2 werd een uit 02, SiCI4, GeCI4 en C2Fe bestaande gassamenstelling toegevoerd.

25 Na een periode van ongeveer 50 minuten werd de depositie van glaslagen op het inwendige 7 van de holle substraatbuis 2 onderbroken en aansluitend werd de resonator 3, in het bijzonder het orgaan waarin een plasma wordt opgewekt, in de richting van de afvoerzijde 6 van de holle substraatbuis 2 verplaatst. In de holle substraatbuis 2, waarbij zich ter hoogte van de afvoerzijde 6 30 een insteekbuis bevindt, was een duidelijke vervuiling met soot waarneembaar. Nadat de resonator 3 was verplaatst, werd de tussenstap volgens de onderhavige uitvinding uitgevoerd, waarbij de temperatuur van de oven werd gehandhaafd op 1000 °C. Het plasmavermogen werd teruggebracht naar 5 kW. De samenstelling van de aan het inwendige 7 van de holle substraatbuis 2 toegevoerde gassen werd 9 veranderd in een uit fluor bevattende verbinding en zuurstof bestaande etsgassamenstelling, in het bijzonder een debiet van 3 standaardliter Oz per minuut en 0,3 standaardliter C2F6 per minuut. De tussenstap werd onder continu roteren van de holle substraatbuis 2 gedurende 5-10 minuten uitgevoerd. Na het beëindigen van 5 de aldus uitgevoerde tussenstap werd vastgesteld dat de insteekbuis ter hoogte van de afvoerzijde 6 nauwelijks meer soot bevatte. Nadat volgens genoemde wijze soot was verwijderd, werd het depositieproces opnieuw aangevangen, in het bijzonder door aan het inwendige van de holle substraatbuis 2 een uit 02, SiCI4, GeCI4 en C2F6 bestaande gassamenstelling toe te voeren.

10 1034059

Claims

1. Werkwijze voor het vervaardigen van een voorvorm voor optische vezels onder toepassing van een dampdepositieproces, welke werkwijze de 5 volgende stappen omvat: i) het verschaffen van een holle glazen substraatbuis voorzien van een toevoerzijde en een afvoerzijde, ii) het aan het inwendige van de holle substraatbuis, via de toevoerzijde daarvan, toevoeren van al of niet gedoteerde, glasvormende gassen, 10 iii) het in het inwendige van de holle substraatbuis creëren van temperatuur- en plasma-omstandigheden om depositie van glaslagen aan de binnenzijde van de holle substraatbuis tot stand te brengen, welke depositie is te beschouwen ais een aantal afzonderlijke fases, waarbij elke fase een begin- en eindbrekingsindexwaarde bezit en het op de binnenzijde van de holle substraatbuis 15 gedurende een bepaalde tijdsperiode afzetten van een aantal glaslagen omvat, waarbij het plasma over de longitudinale as van de holle substraatbuis heen en weer wordt bewogen tussen een omkeerpunt nabij de toevoerzijde en een omkeerpunt nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis, en eventueel iv) het consolideren van de substraatbuis verkregen na stap iii) tot 20 de voorvorm, met het kenmerk, dat gedurende stap iii) de depositie van glaslagen aan de binnenzijde van de holle substraatbuis wordt onderbroken door het uitvoeren van ten minste een tussenstap, welke tussenstap omvat het aan de toevoerzijde van de holle substraatbuis toevoeren van een etsgas, terwijl in de tussenstap de toevoer van de al of niet gedoteerde, glasvormende gassen wordt beëindigd, en het 25 eventueel voortzetten van de depositie na het beëindigen van de tussenstap.

2. Werkwijze volgens conclusie 1, met het kenmerk, dat een fluor bevattend etsgas wordt toegepast.

3. Werkwijze volgens een of meer van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat het etsgas wordt gekozen uit de groep van CCI2F2, C2F6 CF4,

30 SF6, F2 en S02F2, of een combinatie daarvan, eventueel in aanwezigheid van een spoelgas, zoals zuurstof.

4. Werkwijze volgens conclusie 3, met het kenmerk, dat het etsgas een combinatie van C2F6 en 02 is. 1034059 V*

5. Werkwijze volgens een of meer van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat de tussenstap wordt uitgevoerd gedurende een tijdsperiode liggend in het gebied van 5-15 minuten.

6. Werkwijze volgens een of meer van de voorafgaande conclusies, 5 met het kenmerk, dat gedurende de tussenstap de substraatbuis wordt geroteerd.

7. Werkwijze volgens een of meer van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat gedurende de tussenstap het plasma zich bevindt ter hoogte van het omkeerpunt nabij de afvoerzijde van de holle substraatbuis.

8. Werkwijze volgens conclusie 7, met het kenmerk, dat het 10 plasmavermogen wordt ingesteld op een vermogen van ten hoogste 10 kW.

9. Werkwijze volgens conclusie 8, met het kenmerk, dat het plasmavermogen wordt ingesteld op een vermogen van ten hoogste 5 kW.

10. Werkwijze volgens een of meer van de voorafgaande conclusies, met het kenmerk, dat in stap iii) de tussenstap wordt uitgevoerd tussen de ene 15 depositiefase en de opvolgende depositiefase(s). 1034059