KR970063907A - 가변 이득 증폭 회로 - Google Patents

가변 이득 증폭 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR970063907A
KR970063907A KR1019970003820A KR19970003820A KR970063907A KR 970063907 A KR970063907 A KR 970063907A KR 1019970003820 A KR1019970003820 A KR 1019970003820A KR 19970003820 A KR19970003820 A KR 19970003820A KR 970063907 A KR970063907 A KR 970063907A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
circuit
collector
variable gain
gain amplifier
Prior art date
Application number
KR1019970003820A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100245441B1 (ko
Inventor
요지 히라노
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR970063907A publication Critical patent/KR970063907A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100245441B1 publication Critical patent/KR100245441B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F3/00Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
    • H03F3/45Differential amplifiers
    • H03F3/45071Differential amplifiers with semiconductor devices only
    • H03F3/45076Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier
    • H03F3/4508Differential amplifiers with semiconductor devices only characterised by the way of implementation of the active amplifying circuit in the differential amplifier using bipolar transistors as the active amplifying circuit
    • H03F3/45085Long tailed pairs
    • H03F3/45089Non-folded cascode stages
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
    • H03G1/00Details of arrangements for controlling amplification
    • H03G1/0005Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
    • H03G1/0017Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier
    • H03G1/0023Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal the device being at least one of the amplifying solid state elements of the amplifier in emitter-coupled or cascode amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45352Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising a combination of a plurality of transistors, e.g. Darlington coupled transistors
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45392Indexing scheme relating to differential amplifiers the AAC comprising resistors in the source circuit of the AAC before the common source coupling
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2203/00Indexing scheme relating to amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements covered by H03F3/00
    • H03F2203/45Indexing scheme relating to differential amplifiers
    • H03F2203/45701Indexing scheme relating to differential amplifiers the LC comprising one resistor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)

Abstract

저항을 경유해서 서로에게 접속되는 에미터들을 갖는 제1 및 제2트랜지스터로 형성되는 차동 증폭기에 있어서, 입력 신호는 제1트랜지스터의 베이스에 제공된다.다른 한편으로, 제2트랜스터의 베이스에는 외부 정전압이 제공된다. 제2트랜지스터의 에미터 전류를 제어하기 위해서, 제어 전압이 제공되는 베이스를 갖는 제3트랜지스터가 가해진다. 제3트랜지스터의 에미터는 제2트랜지스터의 에미터에 공통적으로 접속되고, 콜렉터는 고 전원 전압 단자에 접속된다. 제3트랜지스터의 베이스의 제어 전압과 제2트랜지스터의 베이스의 정전압중에 적어도 하나를 변화시킴으로써 회로의 이득이 제어될 수 있다. 또한, 전원에 관하여 1단 접속으로 접속되고저 전력 소스 전압으로의 동작이 가능하게 된다.

Description

가변 이득 증폭 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 가변 이득 증폭 회로의 제1실시예의 구조를 도시하는 회로도.

Claims (11)

  1. 가변 이득 증폭 회로에 있어서, 입력 신호가 제공되는 베이스, 전원 단자에 접속되는 콜렉터 및 회로 노드에 접속되는 에미터를 갖는 제1트랜지스터; 제1정전압이 제공되는 베이스와 상기 회로 노드에 접속되는 에미터를 갖는 제2트랜지스터; 상기 회로 노드에 정전류를 제공하는 정전류원; 상기 제2트랜지스터의 콜렉터와 상기 전원 단자 사이에 제공되는 제1하; 및 상기 제2트랜지스터의 에미터 전류를 제어하기 위해 상기 제2트랜지스터의 상기 에미터에 접속되는 에미터와 제2정전압이 제공되는 베이스를 갖는 제3트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  2. 제1항에 있어서, 회로 이득이 상기 제1 및 제2정전압들 중 적어도 하나를 제어함으로서 제어되는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터의 각 에미터들과 상기 회로 노드 사이에 각각 제공되는 제1 및 제2저항들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터가 상기 전원 단자에 접속되는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제3트랜지스터의 콜렉터와 상기 전원 단자 사이에 제공되는 제2부하를 더 포함하고, 회로 출력이 상기 제1 및 제2부하 각각으로부터 유도되는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제1 및 제2부하가 저항인 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  7. 가변 이득 증폭 회로에 있어서, 입력 신호가 제공되는 베이스, 전원 단자에 접속되는 콜렉터 및 회로 노드에 접속되는 에미터를 갖는 제1트랜지스터; 제1정전압이 제공되는 베이스와 상기 회로 노드에 접속되는 에미터를 갖는 제2트랜지스터; 상기 회로 노드에 정전류를 제공하는 정전류원; 상기 제2트랜지스터의 에미터 전류를 제어하기 위해 상기 제2트랜지스터의 상기 에미터에 접속도는 에미터와 제2정전압이 제공되는 베이스를 갖는 제3트랜지스터; 및 제어 전압을 따라 상기 제2트랜지스터의 콜렉터 전류를 제어하기 위해 상기 제2트랜지스터와 콜렉터와 상기 전원 단자 사이에 접속되는 콜렉터 전류 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  8. 제7항에 있어서, 회로 이득이 상기 제1 및 제2정전압들중 적어도 하나의 정전압과 상기 제어 전압을 제어함으로써 제어되는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터들의 각각의 에미터들과 상기 회로 노드 사이에 각각 제공되는 제1 및 제2저항들을 포함하는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 콜렉터 전류 제어 회로는 상기 제2트랜지스터의 콜렉터에 접속되는 에미터를 각각 갖는 제4 및 제5트랜지스터를 포함하고, 상기 제4 및 제5트랜지스터에는 상기 제어 전압으로서 제3 및 제4정전압이 각각 제공되는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
  11. 제10항에 있어서, 제5트랜지스터의 콜렉터 사이에 제공되는 저항을 포함하고, 회로 출력은 상기 저항으로부터 유도되는 것을 특징으로 하는 가변 이득 증폭 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970003820A 1996-02-07 1997-02-06 가변 이득 증폭 회로 KR100245441B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP08020831A JP3082655B2 (ja) 1996-02-07 1996-02-07 可変利得増幅回路
JP96-020831 1996-02-07

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970063907A true KR970063907A (ko) 1997-09-12
KR100245441B1 KR100245441B1 (ko) 2000-02-15

Family

ID=12038009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970003820A KR100245441B1 (ko) 1996-02-07 1997-02-06 가변 이득 증폭 회로

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5818300A (ko)
JP (1) JP3082655B2 (ko)
KR (1) KR100245441B1 (ko)
TW (1) TW361009B (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100455651B1 (ko) * 1997-08-08 2005-01-17 삼성전자주식회사 다중출력 직류/직류 전압 변환장치 및 이를 이용한 액정 표시 장치
US6452445B1 (en) * 2000-06-15 2002-09-17 Motorola, Inc. Voltage controlled variable gain element
US7816983B2 (en) * 2008-01-11 2010-10-19 Ralink Technology Corporation Fast switch for controlling a differential-pair amplifier

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6097712A (ja) * 1983-11-01 1985-05-31 Mitsubishi Electric Corp 可変利得増幅器
JPH0787320B2 (ja) * 1988-06-15 1995-09-20 株式会社日立製作所 利得可変増幅器

Also Published As

Publication number Publication date
KR100245441B1 (ko) 2000-02-15
JP3082655B2 (ja) 2000-08-28
TW361009B (en) 1999-06-11
JPH09214263A (ja) 1997-08-15
US5818300A (en) 1998-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920020847A (ko) 샘플밴드-갭 전압 기준 회로
US5475343A (en) Class AB complementary output stage
KR960027256A (ko) 증폭기
KR870009543A (ko) 차동 증폭 회로
JPH07263971A (ja) 外部接続された出力パワーデバイスを有する集積増幅器用出力段
JPS6111826A (ja) 内蔵基準電位を有する比較器回路
KR850002710A (ko) 에미터플로위형 싱글 엔디드 푸쉬풀회로
US5485074A (en) High ratio current mirror with enhanced power supply rejection ratio
KR850004674A (ko) 곱셈 회로
KR870001504A (ko) 전류미터회로
KR970705229A (ko) IF 증폭기/제한기(IF Amplifiers/Limiters)
KR960009401A (ko) 비교기 회로
KR970063907A (ko) 가변 이득 증폭 회로
US5099139A (en) Voltage-current converting circuit having an output switching function
US6734720B2 (en) Operational amplifier in which the idle current of its output push-pull transistors is substantially zero
US20010009389A1 (en) Operational amplifier designed to have increased output range
KR920015695A (ko) 스위칭 브릿지 증폭기
KR900002547A (ko) 대수 증폭회로
JP2779388B2 (ja) 定電圧発生回路
KR900013706A (ko) 차동 증폭기
JP2623954B2 (ja) 利得可変増幅器
KR950010502A (ko) 콘트라스트 조절회로
JP2554543B2 (ja) 電源回路
KR890016751A (ko) 증폭회로
KR970055411A (ko) 히스테리시스를 갖는 비교기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121114

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131031

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141103

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151102

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term