KR970063580A - 반도체 기판 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 기관 제조방법이 공개되며, 이 반도체 기판 제조방법은 실리콘 기판의 표면에 에피택셜 층이 성장되기 전에 또는 그 후에, 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 표면에 마스크를 선택적으로 형성하는 단계; 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 작을 때에는 상기 마스크를 사용하여 실리콘의 공유결합 반경보다 큰 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 선택적으로 주입하고, 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 클 때에는, 실리콘의 공유결합 반경보다 작은 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 선택적으로 주입하는 단계를 포함하고 있다. 또한, 이 방법에 의해 얻어진 반도체 기판이 공개된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 각각 본 발명의 제1실시예에 따른 제조 단계를 보인 단면도.
Claims (6)
- 실리콘 기판의 표면에 에피택셜 층을 형성함으로써 준비된 에피택셜 실리콘 반도체 기판으로서, 상기 실리콘 기판의 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 작을 때에, 실리콘의 공유결합 반경보다 큰 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물이 상기 실리콘 기판과 상기 에피택셜 층의 경계면에 선택적으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판.
- 실리콘 기판의 표면에 에피택셜 층을 형성함으로써 준비된 에피택셜 실리콘 반도체 기판으로서, 상기 실리콘 기판의 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 클 때에, 실리콘의 공유결합 반경보다 작은 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물이 상기 실리콘 기판과 상기 에피택셜 층의 경계면에 선택적으로 도핑되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판.
- 제1항에 있어서, 불순물로서 붕소가 도핑된 실리콘 기판에 게르마늄이 선택적으로 주입되고, 불순물로서 붕소가 도핑된 에피택셜 층이 상기 실리콘 기판의 표면에 성장되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판.
- 제2항에 있어서, 불순물로서 붕소가 도핑된 실리콘 기판에 기르마늄이 선택적으로 주입되고, 불순물로서 붕소가 도핑된 에피택셜 층이 상기 실리콘 기판의 표면에 성장되는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판.
- 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 표면에 마스크를 선택적으로 형성하는 단계; 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 큰 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 주입하고, 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 작을 때에는 상기 마스크를 사용하여 상기 실리콘 기판에 실리콘의 공유결합 반경보다 클 때에는 상기 마스크를 사용하여 상기 실리콘 기판에 실리콘의 공유결합 반경보다 작은 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 주입하는 단계; 및 상기 마스크를 제거한 후에 상기 실리콘 기판의 상기 표면에 에피택셜 층을 성장시키는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판 제조방법.
- 불순물이 도핑된 실리콘 기판의 표면에 에피택셜 층을 성장시키는 단계; 상기 에피택셜 층의 표면에 마스크를 선택적으로 형성하는 단계; 및 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 작을 때에는 상기 마스크를 사용하여 상기 실리콘 기판과 상기 에피택셜 층의 경계면에 실리콘의 공유결합 반경보다 큰 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 주입하고, 상기 불순물의 공유결합 반경이 실리콘의 공유결합 반경보다 클 때에는 상기 마스크를 사용하여 상기 경계면에 실리콘의 공유결합 반경보다 작은 공유결합 반경을 가지고 있는 불순물을 주입하는 단계를 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 에피택셜 실리콘 반도체 기판 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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