KR970063553A - Anisotropic etching method with improved etch rate - Google Patents

Abstract

본 발명은 이방성 에칭방법에 관한 것으로, 에치율을 향상시키고, 에칭 설비의 노화를 방지하며 파티클의 발생을 줄여 챔버내부의 오염을 방지하고 웨이퍼의 품질을 향상하는데 목적이 있다.The present invention relates to an anisotropic etching method, which aims to improve etch rate, prevent aging of an etching facility, reduce generation of particles, prevent contamination of a chamber, and improve quality of a wafer.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은 기판위에 폴리실리콘을 도포하고 상기 폴리실리콘 위에 포토레지스트를 도포하여 노광 현상하여 패턴을 형성한 후 반응가스를 넣어 에칭하는 이방성 에칭방법에 있어서, 상기 반응 가스는 Cl₂와 SF₆와 N₂의 혼합 가스인 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided an anisotropic etching method in which polysilicon is coated on a substrate, a photoresist is coated on the substrate, exposure is performed to form a pattern, _2, and a mixed gas of SF ₆ and N ₂ .

Description

에치율을 향상시킨 이방성 에칭방법Anisotropic etching method with improved etch rate

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음Since this is a trivial issue, I did not include the contents of the text.

제2도는 폴리실리콘에 대한 본 발명의 이방성 에칭방법에 대한 개념도.FIG. 2 is a conceptual view of the anisotropic etching method of the present invention for polysilicon; FIG.

Claims (2)

기판(1)위에 폴리실리콘(2)을 도포하고 상기 폴리실리콘 위에 포토레지스트( 3)를 도포하여 노광 현상하고 패턴을 형성한 후 반응가스를 넣어 에칭하는 이방성 에칭방법에 있어서, 상기 반응가스는 Cl₂와 SF₆와 N₂의 혼합 가스인 것을 특징으로 하는 이방성 에칭 방법.1. An anisotropic etching method of applying a polysilicon (2) on a substrate (1), applying a photoresist (3) on the polysilicon to expose and develop the pattern, forming a pattern, ₂ and a mixed gas of SF ₆ and N ₂ . 제1항에 있어서, 상기 반응가스는 Cl₂10~200 SCCM, N₂1~50 SCCM, SF₆1~50 SCCM 범위의 혼합비율을 갖는 것을 특징으로 하는 이방성 에칭 방법.The anisotropic etching method according to claim 1, wherein the reaction gas has a mixing ratio of Cl _{2 of} 10 to 200 SCCM, N _{2 of} 1 to 50 SCCM, and SF _{6 of} 1 to 50 SCCM. ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.※ Note: It is disclosed by the contents of the first application.