KR970063045A - 자기 저항 효과 소자 및 자기 저항 효과형 헤드 - Google Patents
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims abstract 65
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 13
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 claims 10
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims 4
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910020598 Co Fe Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910002519 Co-Fe Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 2
- 229910017061 Fe Co Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000575 Ir alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910013496 M-Mn Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000002301 combined effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
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- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
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- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
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Abstract
스핀 밸브형의 자기 저항 효과 소자에 있어서, MR 비의 향상과 자계감도의 향상을 양립시킬 수 있는 자기 저항 효과 소자를 제공한다.
경질 자성막, 비자성막 및 연자성막을 적층하여 이루어지는 자기 저항 효과 소자에 있어서, 연자성막으로서 비정질 구조를 포함하는 합금막을 사용하고, 또한 비자성막과 연자성막으로서 비정질 구조를 포함하는 합금막을 사용하고, 또한 비자성막과 연자성막의 사이에, 자기 저항 효과를 향상시키는 두께 2㎚ 이하의 계면 자성막을 설치한다. 그것에 의하여, 비정질막과 계면 자성막의 조합 효과로서, 동작 자계가 작고, 자기 저항 변화가 큰 자기 저항 소자를 실현한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 자기 저항 효과 소자의 단면의 모식도.
Claims (31)
- 연자성막과, 적어도 1개의 경질 자성막과, 해당 연자성막과, 해당 적어도 1개의 경질 자성막의 사이에 형성된 적어도 1개의 비자성막을 구비하고 있는 자기 저항 효과 소자로서, 해당 연자성막은 비정질 구조를 포함하는 합금막으로 형성되어 있고, 해당 연자성막과 해당 비자성막과의 계면에, 자기 저항 효과를 향상시키는 계면 자성막이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 적어도 1개의 경질 자성막은 상기 연자성막의 양측에 설치된 한 쌍의 경질 자성막이고, 상기 적어도 1개의 비자성막은 해당 연자성막과 해당 한 쌍이 경화자성막의 사이에 각각 설치된 한 쌍의 비자성막인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 경질 자성막은 잔류자화와 포화자화와의 비가 0.7인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경질 자성막의 적어도 일부는 산화물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제4항에 있어서, 상기 경질 자성막은 Fe 및 Co의 산화물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경질 자성막은 CoXFe1-X를 주성분으로 하고, X는 0.3~0.7인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항, 제2항, 제3항, 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경질 자성막의 상기 비자성막과는 반대측에 설치된 산화물막을 또한 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제7항에 있어서, 상기 산화물막은 Ni의 산화물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항, 제2항, 제3항 또는 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경질 자성막의 상기 비자성막과는 반대측에 설치된 산화물 자성막을 또한 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제9항에 있어서, 상기 산화물 자성막은 Co 및 Fe의 산화물로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 적어도 1개의 금속 반경자성체막과, 해당 금속 반강자성체 막과 자기적으로 결합한 적어도 1개의 자성막과, 연자성막과, 해당 자성막과 해당 자성막의 사이에 형성된 비자성막을 구비하고 있는 자기 저항 효과 소자로서, 해당 연자성막은 비정질 구조를 포함하는 합금막으로 형성되어 있고, 해당 연자성막과 해당 비자성막과의 계면에, 자기 저항 효과를 향상시키는 계면 자성막이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제11항에 있어서, 상기 적어도 1개의 금속 반경자성체막은 상기 연자성막의 양측에 설치되 한 쌍의 금속 반강자성체막이고, 상기 적어도 1개의 자성막은 해당 연자성막의 양측에 설치된 한 쌍의 자성막인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 적어도 2개의 연자성막과, 해당 연자성막 사이에 형성된 적어도 1개의 비자성막과, 해당 연자성막의 적어도 1개의, 해당 비자성막과는 반대측에 설치된 적어도 1개의 금속 반강자성체막을 구비하고 있는 자기 저항 효과 소자로서, 해당 연자성막의 적어도 1개의 비정질 구조를 포함하는 합금막이고, 해당 비자성막과 해당 연자성막과의 계면의 적어도 1개에, 자기 저항 효과를 향상시키는 계면 자성막이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제13항에 있어서, 상기 연자성막은 2개의 비자성막이 사이에 설치된 3개의 연자성막이고, 상기 적어도 1개의 금속 반강자성체막은 해당 3개의 연자성막 및 해당 2개의 비자성막을 사이에 끼우도록 설치된 한 쌍의 금속 반경자성체막인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제14항에 있어서, 상기 자기 저향 효과 소자는 상기 금속 반강자성체막과 상기 연자성막의 사이에 형성된 결정질 자성막을 또한 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제15항에 있어서, 상기 결정질 자성막은 Ni-Fe-Co 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 반강자성체막은 M-Mn 합금으로 형성되어 있고, M은 Ir, Pt, Pd 및 Ni 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제17항에 있어서, 상기 금속 반강자성체막은 Ir-Mn 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제13항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 반강자성체막은 Fe-Ir 합금으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 계면 자성막은 주성분으로서 Co 또는 Co-Fe 합금을 함유하고 있고, 두께가 2㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항 내지 20항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비자성막중에는 다른 재료로 이루어지는 비자성막이 삽입되어 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제21항에 있어서, 상기 다른 재료로 이루어지는 비자성막의 두께는 1㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경질 자성막과 상기 비자성막의 계면에 설치된 다른 계면 자성막을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제23항에 있어서, 상기 계면 자성막은 주성분으로서 Co 또는 Co-Fe 합금을 함유하고 있고, 두께가 2㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비정질 구조를 포함하는 합금막은 주성분으로서 Co-Mn-B 합금을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제1항 내지 제24항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 비정질 구조를 포함하는 합금막을 주성분으로 Co-Mn-B 합금을 함유하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 내용없음
- 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 경질 자성막의 자화용역축이, 검지하여야 할 자계의 방향과실질적으로 일치하고 있고, 상기 자기 저항 효과 소자의 두께가 20㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 금속 반강자성체막과 자기적으로 결합하고 있는 상기 자성막의 자화용역축은 검지하여야 할 자계의 방향과 실질적으로 일치하고 있는, 상기 자기 저항 효과 소자의 두께가 20㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제13항 내지 제19항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 반강자성체막과 접하고 있는 자성체막의 자화용역축은 검지하여야 할 자계의 방향과 실질적으로 일치하고 있고, 상기 자기 저항 효과 소자의 두께가 20㎚ 이하인 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과 소자.
- 제28항 내지 제30항 중 어느 한 항에 기재된 자기 저항 효과 소자와, 리드부를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 저항 효과형 헤드※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96-034556 | 1996-02-22 | ||
JP3455696 | 1996-02-22 | ||
JP96-060513 | 1996-03-18 | ||
JP6051396 | 1996-03-18 | ||
JP8367496 | 1996-04-05 | ||
JP96-083674 | 1996-04-05 | ||
JP96-126743 | 1996-05-22 | ||
JP12674396 | 1996-05-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR970063045A true KR970063045A (ko) | 1997-09-12 |
KR100274108B1 KR100274108B1 (ko) | 2001-01-15 |
Family
ID=27459947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970006182A KR100274108B1 (ko) | 1996-02-22 | 1997-02-21 | 자기 저항 효과 소자 및 자기 저항 효과형 헤드 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US5909345A (ko) |
EP (1) | EP0791915B1 (ko) |
KR (1) | KR100274108B1 (ko) |
DE (1) | DE69730171D1 (ko) |
Families Citing this family (68)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5909345A (en) | 1996-02-22 | 1999-06-01 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetoresistive device and magnetoresistive head |
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US6198610B1 (en) | 2001-03-06 |
US5909345A (en) | 1999-06-01 |
EP0791915A2 (en) | 1997-08-27 |
DE69730171D1 (de) | 2004-09-16 |
KR100274108B1 (ko) | 2001-01-15 |
EP0791915B1 (en) | 2004-08-11 |
EP0791915A3 (en) | 1998-03-04 |
US6031692A (en) | 2000-02-29 |
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FPAY | Annual fee payment |
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