KR970060461A - 에폭시 수지로 캡슐화된 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

에폭시 수지로 캡슐화된 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

수지로 캡슐화된 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 반도체 소자가 본딩되고 와이어가 본딩되어 있는 리드 프레임이 인서트로써 사출 금형 내에 세팅된다. 에폭시 수지 성형 화합물이 사출 성형에 의하여 금형내로 사출된다. 본 방법에서는, 사출되는 에폭시 수지 성형 화합물의 전체 양의 80% 내지 95%가 금형내에 사출되었을 때, 30㎏/㎠ 내지 300㎏/㎠의 최대 압력이 얻어지도록 사출 성형 장치의 사출 압력을 점차적으로 증가시킨다. 다음에 나머지 에폭시 수지 성형 화합물은 20㎏/㎠ 내지 100㎏/㎠의 사출 압력으로 금형내에 사출한다. 사출 성형 장치의 가열 실린더는 독립된 온도 제어가 가능한 복수개의 영역으로 나누어진다. 가열 실린더의 노즐에 가장 근접한 영역은 65℃ 내지 110℃로 제어되며, 호퍼에 가장 근접한 영역은 실온 내지 50℃로 제어된다.

Description

에폭시 수지로 캡슐화된 반도체 장치의 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 닫혀진 상태의 금형과 후프 성형시의 연관부를 나타내는 단면도.

Claims (16)

  1. 반도체가 본딩되어 있고 와이어가 본딩되어 있는 리드 프레임이 인서트로써 고정되 있는 사출 금형내로 에폭시 수지 성형 화합물을 사출시키고 상기 사출 금형내의 에폭시 수지 성형 화합물을 경화시켜 수지로 캡슐화된 반도체 장치를 제조하는 방법에 있어서, 에폭시 수지 성형 화합물을 상기 사출 금형내로 사출시키는 단계와, 사출되는 상기 에폭시 수지 성형 화합물 전체 양의 80% 내지 95%가 상기 사출 금형내로 사출되었을때, 사출 최대 압력이 30㎏/㎠ 내지 300㎏/㎠이 되도록 상기 사출 성형 장치의 사출 압력을 점차적으로 증가시키는 단계와, 20㎏/㎠ 내지 100㎏/㎠의 사출 압력으로 나머지 에폭시 수지 성형 화합물을 사출하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 성형 화합물이 상기 금형내에 충진된 후 상기 금형을 열기전에, 상기 성형 화합물이 상기 금형내로 흘러가는 게이트를 차단하여, 상기 성형 화합물의 상기 금형내로의 충진을 중지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 사출 성형 장치의 실린더를 65℃∼110℃로 가열하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서, 복수개의 상기 반도체 소자를 소정 간격의 일렬로 상기 리드 프레임에 위치시키는 단계와, 상기 반도체 소자와 상기 리드 프레임을 와이어 본딩시키는 단계와, 상기 리드 프레임을 인서트로써 상기 금형내에 세팅하는 단계와, 상기 사출 성형 장치로써, 상기 에폭시 수지 성형 화합물을 상기 금형내로 사출시키는 단계와, 상기 성형 화합물을 경화한 후, 상기 금형으로부터 성형된 리드 프레임을 배출하는 단계와, 상기 리드 프레임을 길이 방향으로 소정 거리만큼 이동시켜 상기 리드 프레임을 인서트로써 재 세팅하는 단계와, 상기 리드 프레임의 다음 영역에 상기 에폭시 수지 성형 화합물을 상기 금형내로 사출하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제1항에 있어서, 복수개의 금형 장치가 회전식 테이블상에서 소정 각도만큼 떨어져 탑재되어 있는 회전식 사출 성형 장치를 제공하는 단계와, 반도체 소자와 본딩되어 있으며 또한 와이어 본딩되어 있는 상기 리드 프레임을 상기 금형 장치 각각에 세팅하는 단계와, 상기 사출 성형 장치에 의하여 사출 위치에서 상기 에폭시 수지 성형 화합물을 상기 금형 장치중의 하나에 사출하는 단계와, 다음 순서의 금형 장치에 사출하기 위하여 상기 소정 각도만큼 상기 회전식 테이블을 간헐적으로 회전시키는 단계와, 상기 금형장치로부터 수지로 봉합된 반도체 장치를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 에폭시 수지 화합물은 에폭시 수지와, 경화제인 페놀성 수지와, 경화 가속제와, 무기물 충진제를 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  7. 반도체가 탑재되어 있고 와이어가 본딩되어 있는 리드 프레임이 인서트로써 고정되어 있는 사출 금형내로 에폭시 수지 성형 화합물을 사출시키고 사출 성형 장치에 의하여 수지로 캡슐화된 반도체 장치를 제조하는 방법으로서, 상기 사출 성형 장치는 실린더를 포함하며, 상기 실린더의 한 단부에는 상기 사출 성형 장치내로 에폭시 수지가 통과하는 호퍼가 있고, 다른 단부에는 노즐이 있으며, 상기 실린더는 축 방향을 따라서 복수개의 영역으로 나누어지는 반도체 제조 방법에 있어서, 상기 각 영역의 온도는 독립적으로 제어되고, 상기 노즐에 가장 근접한 상기 영역중의 한 영역은 65℃ 내지 100℃의 온도로 유지되며, 상기 호퍼에 가장 근접한 상기 영역중의 한 영역은 실온 내지 50℃의 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 사출되는 상기 에폭시 수지 성형 화합물 전체 양의 80% 내지 95%가 상기 사출 금형내로 사출되었을때, 사출 최대 압력이 30㎏/㎠ 내지 300㎏/㎠이 되도록 상기 사출 성형 장치의 사출 압력을 점차적으로 증가시키는 단계와, 20㎏/㎠ 내지 100㎏/㎠의 사출 압력으로 나머지 에폭시 수지 성형 화합물을 사출하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 성형 화합물이 상기 금형내에 충진된후 상기 금형을 열기전에, 상기 성형 화합물이 상기 금형내로 흘러가는 게이트를 차단하여, 상기 성형 화합물의 상기 금형내로의 충진을 중지시키는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  10. 제7항에 있어서, 복수개의 상기 반도체 소자를 소정 간격의 일렬로 상기 리드 프레임에 위치시키는 단계와, 상기 반도체 소자와 상기 리드 프레임을 와이어 본딩시키는 단계와, 상기 리드 프레임을 인서트로써 상기 금형내에 세팅하는 단계와, 상기 사출 성형 장치로써, 상기 에폭시 수지 성형 화합물을 상기 금형내로 사출시키는 단계와, 상기 성형 화합물을 경화한후, 상기 금형으로부터 성형된 리드 프레임을 배출하는 단계와, 상기 리드 프레임을 길이 방향으로 소정 거리만큼 이동시켜 상기 리드 프레임을 인서트로써 재 세팅하는 단계와, 상기 리드 프레임의 다음 영역에 상기 에폭시 수지 성형 화합물을 상기 금형내로 사출하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제7항에 있어서, 복수개의 금형 장치가 회전식 테이블상에서 소정 각도만큼 떨어져 탑재되어 있는 회전식 사출 성형 장치를 제공하는 단계와, 반도체 소자와 본딩되어 있으며 또한 와이어 본딩되어 있는 상기 리드 프레임을 상기 금형 장치 각각에 세팅하는 단계와, 상기 사출 성형 장치에 의하여 사출 위치에서 상기 에폭시 수지 성형 화합물을 상기 금형 장치중의 하나에 사출하는 단계와, 다음 순서의 금형 장치에 사출하기 위하여 상기 소정 각도만큼 상기 회전식 테이블을 간헐적으로 회전시키는 단계와, 상기 금형장치로부터 수지로 봉합된 반도체 장치를 제거하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 에폭시 수지 화합물은 에폭시 수지와, 경화제인 페놀성 수지와, 경화 가속제와, 무기물 충진제를 포함함을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  13. 제1항에 있어서, 상기 금형은 스프루가 없는 금형인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  14. 제1항에 있어서, 상기 금형은 스프루-리너가 없는 금형인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제7항에 있어서, 상기 금형은 스프루가 없는 금형인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제7항에 있어서, 상기 금형은 스프루가 없는 금형인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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