KR970054544A - 에벌런치 포토 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 정보를 담은 광신호를 수광하는 소자로서 장거리 광통신시스템(2.5Gbps)에 필수적으로 사용되며 광 케이블 TV, ISDN 등에도 사용되는 Ⅲ-Ⅴ 화합물 반도체소자인 에벌런치 포토 다이오드에 관한 것으로 에벌런치 포토 다이오드의 증배 영역층을 농도구배를 갖도록 에피성장을 시킴으로써 후속 공정인 확산에 의해 증배영역의 전기장의 세기를 에벌런치가 용이하게 일어나도록 하는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 의해 제조된 SAGM 에벌런치 포토 다이오드를 도시한 단면도.
Claims (6)
- 에벌런치 포토 다이오드에 있어서, n+-InP 기판 상부에 n-InP 버퍼층, n--InGaAs 흡수층, n--InGaAsP층이 적층되고, 상기 n--InGaAsP층 상부에 농도 구배를 갖는 증배 영역층이 형성되고, 상기 n-InP 증배영역층 상부에 n--InP 층이 적층되고, 그 상부에 질화막 또는 산화막 패텅이 형성되고, 상기 질화막 또는 산화막 패턴에 의해 노출된 상기 n--InP층으로 Zn이 확산되어 P+-InP층이 형성되고, 상기 질화막 또는 산화막 패턴의 가장자리의 n--InP층으로 p형 불순물이 확산되어 p형 가드링이 구비되고, 상기 n--InP층의 일정부분에서 상기 질화막 또는 산화막 패턴의 일정 상부까지 p-메탈 패턴이 형성된 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드.
- 상기 제1항에 있어서, 상기 농도 구배를 갖는 증배 영역층은 1 ×10E17cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층과 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층으로 적층되는 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드.
- 제1항에 있어서, 상기 농도 구배를 갖는 증배 영역층은 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층, 1 ×10E17cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층과 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배역역층으로 적층된 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드.
- 에벌런치 포토 다이오드 제조방법에 있어서, n+-InP 기판 상부에 n-InP 버퍼층, n--InGaAs 흡수층, n--InGaAsP층을 적층하는 단계와, 상기 n--InGaAsP층 상부에 농도 구배를 갖는 n-InP증배 영역층을 적층하는 단계와, 상기 n-InP 증배영역층 상부에 n--InP 층을 적층하고, 그 상부에 질화막 또는 산화막 패턴을 형성하는 단계와, 상기 질화막 또는 산화막 패턴에 의해 노출된 상기 n--InP층으로 Zn이 확산시켜 P+-InP층을 형성하는 단계와, 상기 질화막 또는 산화막 패턴의 가장자리의 n--InP층으로 p형 불순물을 확산시켜 p형 가드링을 형성하는 단계와, 상기 n--InP층의 일정부분에서 상기 질화막 또는 산화막 패턴의 일정 상부까지 p-메탈 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 농도 구배를 갖는 증배 영역층은 1 ×10E17cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층과 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층으로 적층되는 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드 제조방법.
- 제4항에 있어서, 상기 농도 구배를 갖는 증배 영역층은 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층, 1 ×10E17cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배영역층과 1 ×10E16cm-3의 농도를 갖는 n-InP 증배역역층으로 적층하는 것을 특징으로 하는 에벌런치 포토 다이오드 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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