KR970053270A - 산화물 반도체의 이종 접합형 센서 - Google Patents

산화물 반도체의 이종 접합형 센서 Download PDF

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KR970053270A
KR970053270A KR1019950068139A KR19950068139A KR970053270A KR 970053270 A KR970053270 A KR 970053270A KR 1019950068139 A KR1019950068139 A KR 1019950068139A KR 19950068139 A KR19950068139 A KR 19950068139A KR 970053270 A KR970053270 A KR 970053270A
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Abstract

본 발명은 산화구리(CuO)와 산화아연(ZnO)으로 이루어지는 이종 접합형 다기능 센서로서 상온에서 습도의 검지가 가능하고 발열체의 발열 및 정확한 온도 검지에 의해 임의의 온도로 센서를 가열시킴으로서 이종 접합형 센서의 선택성을 향상시킴을 목적으로 하며, 그 구성은 양면 가공된 실리콘 웨이퍼의 기판(1) 위에 산화막(12)을 형성시키고, 전자빔 중착법에 의해 크롬 중착층(3)을 형성하고 그 위에 발령체 금속층으로 백금 중착층(4)을 형성한 다음 아르곤 분위기하에서 열처리하여 안정화시키고, 사진 식각 공정을 통해 발열체와 온도 센서부를 형성하며, 플라즈마 화학 중착법에 의해 산화막(6)을 전면에 중착시킨 다음 발열체 전극부와 온도센서 전극부를 형성하기 위한 창(Window)을 뚫고, 그 위에 금을 중착하여 금전극(7)을 형성한 후, 고주파 스퍼터링 방법에 의해 산화구리(CuO)를 중착시키고, 패터닝된 감광막 위에 산화아연(ZnO)을 고주파 스퍼터링 방법에 의거 증착시키고 리프트 업(Lift-OFF)법에 따라 센서부 이외의 모든 산화 아연을 제거하고 열처리한 다음 산화아연의 전극부로써 알루미늄을 중착시킨 뒤 패터닝하고 이방성 삭각 용액에서실리콘 후면을 삭각하여 발열부의 맴브랜을 형성시킴을 특징으로 하는 산화구리(Cu
0)/산화아연(ZnO)의 이종접합형센서이다.

Description

산화물 반도체의 이종 접합형 센서
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 이종접합형 센서의 개략 단면도.

Claims (4)

  1. 양면 가공된 실리콘 웨이퍼의 기판(1) 위에 산화막(12)을 형성시키고, 전자빔 중착법에 의해 크롬 중착층(3)을 형성하고 그 위에 발령체 금속층으로 백금 중착층(4)을 형성한 다음 아르곤 분위기하에서 열처리하여 안정화시키고, 사진 식각 공정을 통해 발열체와 온도 센서부를 형성하며, 플라즈마 화학 중착법에 의해 산화막(6)을 전면에 중착시킨 다음 발열체 전극부와 온도센서 전극부를 형성하기 위한 창(Window)을 뚫고, 그 위에 금을 중착하여 금전극(7)을 형성한 후, 고주파 스퍼터링 방법에 의해 산화구리(CuO)를 중착시키고, 패터닝된 감광막 위에 산화아연(ZnO)을 고주파 스퍼터링 방법에 의거 증착시키고 리프트 업(Lift-OFF)법에 따라 센서부 이외의 모든 산화 아연을 제거하고 열처리한 다음 산화아연의 전극부로써 알루미늄을 중착시킨 뒤 패터닝하고 이방성 삭각 용액에서실리콘 후면을 삭각하여 발열부의 맴브랜을 형성시킴을 특징으로 하는 산화구리(CuO)/산화아연(ZnO)의 이종접합형센서.
  2. 제1항에 있어서, 고주파 스퍼터링 방법에 의한 산화구리(CuO)의 증착조건은 챔버압력 2m torr, 기판온도 150℃, 고주파 전력 100와트, 스퍼터링 알곤 및반응가스(O2)비 9:1에서 약 5000Å 중착시킴을 특징으로 하는 산화물 반도체 이종접합형센서.
  3. 제1항에 있어서, 고주파 스퍼터링 방법에 의한 산화아연(ZnO)의 증착조건은 챔버압력 2m torr, 기판온도 150℃, 고주파 전력 300와트, 스퍼터링 및 반응성 가스비 6:4(Ar:O2)에서 약 5000Å 중착시킴을 특징으로 하는 산화물 반도체 이종접합형센서.
  4. 제1항에 있어서, 발열체 및 온도센서를 탑재함으로써 센서의 동작 온도를 조절할 수 있음을 특징으로 하는 산화물 반도체의 이종접합형센서.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950068139A 1995-12-30 1995-12-30 산화물 반도체의 이종 접합형 센서 KR100187386B1 (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100305660B1 (ko) * 1999-02-09 2001-09-26 김희용 이중이온빔법을 이용하여 ＣｕＯ를 첨가한 황화합물계 가스 센서

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